XXXX年新材料行業(yè)報(bào)告

新材料行業(yè)分析報(bào)告

——IGBT行業(yè)分析柒江南怪Contents一二三新材料行業(yè)分析新材料行業(yè)關(guān)注選擇——IGBTIGBT重點(diǎn)關(guān)注公司——吉林華微電子股份有限公司Contents新材料行業(yè)分析一新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述1新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀23新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)Contents新材料行業(yè)政策解析4新材料行業(yè)其他環(huán)境5我國(guó)新材料行業(yè)的談判地位67中國(guó)新材料現(xiàn)有企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力分析一、新材料行業(yè)的簡(jiǎn)述㈠新材料的相關(guān)概念新材料是指新近發(fā)展的或正在研發(fā)的、性能超群的一些材料，具有比傳統(tǒng)材料更為優(yōu)異的性能。新材料技術(shù)則是按照人的意志，通過(guò)物理研究、材料設(shè)計(jì)、材料加工、試驗(yàn)評(píng)價(jià)等一系列研究過(guò)程，創(chuàng)造出能滿足各種需要的新型材料的技術(shù)。㈡新材料的類型1．按組分類金屬材料、無(wú)機(jī)非金屬材料（如陶瓷、砷化鎵半導(dǎo)體等）、有機(jī)高分子材料、先進(jìn)復(fù)合材料；2．按材料性能分類結(jié)構(gòu)材料、功能材料；3．按領(lǐng)域分類電子信息材料、新能源材料、納米材料、先進(jìn)復(fù)合材料、先進(jìn)陶瓷材料、生態(tài)環(huán)境材料、新型功能材料（含高溫超導(dǎo)材料、磁性材料、金剛石薄膜、功能高分子材料等）、生物醫(yī)用材料、高性能結(jié)構(gòu)材料、智能材料、新型建筑及化工新材料等。二、新材料行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀㈠產(chǎn)業(yè)規(guī)模急劇擴(kuò)大，市場(chǎng)需求旺盛近幾年，新材料產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。據(jù)保守估算，現(xiàn)今世界上各種新材料市場(chǎng)規(guī)模每年已超過(guò)4000多億美元，新材料產(chǎn)業(yè)將是21世紀(jì)初葉發(fā)展最快的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一?（相關(guān)：圖一）㈡上下游進(jìn)一步融合隨著高新技術(shù)的發(fā)展，新材料與基礎(chǔ)材料產(chǎn)業(yè)結(jié)合日益緊密，基礎(chǔ)材料正向新材料產(chǎn)業(yè)拓展，這種趨勢(shì)減少了材料產(chǎn)業(yè)化的中間環(huán)節(jié)，加快了研究成果的轉(zhuǎn)化，降低了研發(fā)與市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)，有利于提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力?㈢多學(xué)科交叉和多部門聯(lián)合材料科學(xué)工程與其他學(xué)科交叉的領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，新材料的發(fā)展需要多部門聯(lián)合推動(dòng)，為使新材料的開(kāi)發(fā)能滿足各部門的要求，許多國(guó)家都致力于把材料發(fā)展納入到產(chǎn)、學(xué)、研一體化的研發(fā)平臺(tái)?根據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告，2001年全球新材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模為1928億美元，2008年為8200億美元，2010年達(dá)到10000億美元，平均年增長(zhǎng)率為20.07%。㈣發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力由軍事需求向經(jīng)濟(jì)需求轉(zhuǎn)變上個(gè)世紀(jì)，國(guó)防和戰(zhàn)爭(zhēng)的需要、核能的利用和航空航天技術(shù)的發(fā)展是新材料發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力?而本世紀(jì)，衛(wèi)生保健、經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長(zhǎng)以及信息處理和應(yīng)用將成為新材料發(fā)展的根本動(dòng)力?工業(yè)和商業(yè)的全球化更加注重材料的經(jīng)濟(jì)性、知識(shí)產(chǎn)權(quán)價(jià)值與商業(yè)戰(zhàn)略的關(guān)系；基于環(huán)保的需要，新材料在發(fā)展綠色工業(yè)方面也會(huì)起重要作用?因此，新材料的發(fā)展更加關(guān)注人的經(jīng)濟(jì)和生活需求，新材料的發(fā)展也在很大程度上圍繞如何提高經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)力和人類的生活質(zhì)量展開(kāi)?三、新材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)㈠國(guó)際新材料行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

1．向多功能、智能化方向發(fā)展，開(kāi)發(fā)與應(yīng)用聯(lián)系更加緊密2．低成本、高性能及綠色化發(fā)展趨勢(shì)明顯3．新材料產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)呈現(xiàn)全球化趨勢(shì)㈡國(guó)內(nèi)新材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)“十一五”規(guī)劃中，新材料已經(jīng)是大力發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。隨著中國(guó)逐漸成為全球制造業(yè)基地，新材料將越來(lái)越顯示出其發(fā)展?jié)摿?，成為支撐中?guó)制造業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)，我國(guó)先后出臺(tái)一系列政策措施，鼓勵(lì)、扶持和發(fā)展新材料、新能源、節(jié)能環(huán)保等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。而作為重點(diǎn)支持的領(lǐng)域之一，我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)在“十二五”這一新的歷史發(fā)展階段有望高速發(fā)展。四、新材料行行業(yè)政策解析析近日，國(guó)務(wù)院院出臺(tái)了《國(guó)務(wù)院關(guān)于加加快培育和發(fā)發(fā)展戰(zhàn)略性新新興產(chǎn)業(yè)的決決定》。《決定》中指出要“大大力發(fā)展稀土土功能材料、、高性能膜材材料、特種玻玻璃、功能陶陶瓷、半導(dǎo)體體照明材料等等新型功能材材料。積極發(fā)發(fā)展高品質(zhì)特特殊鋼、新型型合金材料、、工程塑料等等先進(jìn)結(jié)構(gòu)材材料，提升碳碳纖維、芳綸綸、超高分子子量聚乙烯纖纖維等高性能能纖維及其復(fù)復(fù)合材料發(fā)展展水平。開(kāi)展展納米、超導(dǎo)導(dǎo)、智能等共共性基礎(chǔ)材料料研究?！蓖瑫r(shí)，國(guó)務(wù)院院近期針對(duì)十十二五規(guī)劃，，做出了加快快培育和發(fā)展展戰(zhàn)略性新興興產(chǎn)業(yè)的決定定，先后通過(guò)過(guò)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)業(yè)化新材料專專項(xiàng)等7個(gè)項(xiàng)目大力支支持新材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，更更明確將新材材料產(chǎn)業(yè)列為為七大戰(zhàn)略性性新興產(chǎn)業(yè)之之一。在未來(lái)來(lái)的五年規(guī)劃劃中，目標(biāo)十十分明確。新新材料、新能能源行業(yè)將在在國(guó)家政策規(guī)規(guī)劃的引導(dǎo)下下，進(jìn)入黃金金發(fā)展十年。。國(guó)家多重利利好政策強(qiáng)勢(shì)勢(shì)推動(dòng)，給新新材料技術(shù)的的發(fā)展帶來(lái)了了巨大的空間間。五、新材料行行業(yè)其他環(huán)境境㈠國(guó)際環(huán)環(huán)境新材料行業(yè)是是一類在國(guó)民民經(jīng)濟(jì)中發(fā)揮揮重要基礎(chǔ)性性和先導(dǎo)性作作用的高技術(shù)術(shù)產(chǎn)業(yè)，發(fā)展展?jié)摿薮?。。新材料和信信息、能源并并列?1實(shí)際三大支柱柱產(chǎn)業(yè)，是發(fā)發(fā)展信息、航航天、汽車、、機(jī)械、生物物醫(yī)藥等高技技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重重要物質(zhì)基礎(chǔ)礎(chǔ)和，已成為為全球經(jīng)濟(jì)迅迅猛增長(zhǎng)的源源動(dòng)力和各國(guó)國(guó)提升核心競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)力的焦點(diǎn)點(diǎn)。㈡國(guó)內(nèi)環(huán)環(huán)境中國(guó)政府也重重視新材料及及產(chǎn)業(yè)化的發(fā)發(fā)展，在各項(xiàng)項(xiàng)國(guó)家計(jì)劃中中對(duì)新材料行行業(yè)給予了重重點(diǎn)支持。同同時(shí)利用國(guó)家家政策進(jìn)行資資金引導(dǎo)，使使得大量資金金投向新材料料行業(yè)。六、我我國(guó)新新材料料行業(yè)業(yè)的談?wù)勁械氐匚虎鍍?yōu)優(yōu)勢(shì)勢(shì)1．政政策支支持凸凸顯新新材料料優(yōu)勢(shì)勢(shì)2．新新材料料支撐撐經(jīng)濟(jì)濟(jì)轉(zhuǎn)型型3.新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)上下下游進(jìn)進(jìn)一步步融合合4.新材料料向多多功能能、智智能化化方向向發(fā)展展，開(kāi)開(kāi)發(fā)與與應(yīng)用用聯(lián)系系更加加緊密密5.我國(guó)新新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)布局局特有有的優(yōu)優(yōu)勢(shì)6.新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)集群群化態(tài)態(tài)勢(shì)7.國(guó)防軍軍工的的現(xiàn)代代化將將極大大的拉拉動(dòng)新新材料料的需需求8.國(guó)內(nèi)龍龍頭企企業(yè)自自主創(chuàng)創(chuàng)新能能力提提升，，進(jìn)口口替代代趨勢(shì)勢(shì)明顯顯新材料料行業(yè)業(yè)的運(yùn)運(yùn)動(dòng)狀狀態(tài)與與經(jīng)濟(jì)濟(jì)活動(dòng)動(dòng)總水水平的的周期期及振振幅相相關(guān)性性較小小。即即使在在經(jīng)濟(jì)濟(jì)不景景氣的的時(shí)期期，新新材料料行業(yè)業(yè)增長(zhǎng)長(zhǎng)，也也沒(méi)有有受到到經(jīng)濟(jì)濟(jì)周期期的影影響，，其推推陳出出新的的技術(shù)術(shù)進(jìn)步步與產(chǎn)產(chǎn)品創(chuàng)創(chuàng)新，，為其其保持持良好好的增增長(zhǎng)態(tài)態(tài)勢(shì)奠奠定了了基礎(chǔ)礎(chǔ)。此此外，，由于于新材材料行行業(yè)技技術(shù)的的差距距，導(dǎo)導(dǎo)致行行業(yè)進(jìn)進(jìn)入壁壁壘大大、產(chǎn)產(chǎn)能擴(kuò)擴(kuò)張進(jìn)進(jìn)程較較慢，，因此此行業(yè)業(yè)景氣氣周期期比一一般行行業(yè)長(zhǎng)長(zhǎng)。從2008年10月到2009年8月，上上證指指數(shù)漲漲幅為為70.97%，而新新材料料指數(shù)數(shù)的漲漲幅了了150%，是上上證指指數(shù)的的兩倍倍還多多，體體現(xiàn)了了新材材料行行業(yè)的的高速速增長(zhǎng)長(zhǎng)性。。從2010年1月至今今，上上證指指數(shù)的的跌幅幅為17.77%，而新新材料料行業(yè)業(yè)指數(shù)數(shù)基本本持平平，體體現(xiàn)了了新材材料行行業(yè)的的較好好防御御性。。㈡劣劣勢(shì)勢(shì)雖然我我國(guó)新新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)取得得了很很大進(jìn)進(jìn)步，，但與與發(fā)達(dá)達(dá)國(guó)家家相比比還有有很大大差距距，主主要表表現(xiàn)在在：擁?yè)碛凶宰灾髦R(shí)產(chǎn)產(chǎn)權(quán)的的專利利成果果還不不夠多多，高高性能能、高高附加加值的的產(chǎn)品品相對(duì)對(duì)較少少；新新材料料的工工程應(yīng)應(yīng)用開(kāi)開(kāi)發(fā)滯滯后，，成果果轉(zhuǎn)化化率低低，規(guī)規(guī)?；a(chǎn)產(chǎn)程度度低；；材料料的合合成與與加工工裝備備落后后，資資源和和能源源利用用率低低，單單位國(guó)國(guó)民生生產(chǎn)總總值所所消耗耗的礦礦物原原料比比發(fā)達(dá)達(dá)國(guó)家家高2-4倍，二二次資資源利利用率率只相相當(dāng)于于世界界發(fā)達(dá)達(dá)水平平的1/4-1/3，廢棄棄資源源的回回收技技術(shù)和和水平平低，，環(huán)境境問(wèn)題題突出出等?㈢我我國(guó)國(guó)新材材料行行業(yè)發(fā)發(fā)展的的成就就在一些些重點(diǎn)點(diǎn)、關(guān)關(guān)鍵領(lǐng)領(lǐng)域，，如新新材料料的制制備技技術(shù)、、工藝藝技術(shù)術(shù)、新新產(chǎn)品品開(kāi)發(fā)發(fā)及節(jié)節(jié)能、、環(huán)保保和資資源綜綜合利利用等等方面面取得得了明明顯成成效，，促進(jìn)進(jìn)了一一批新新材料料產(chǎn)業(yè)業(yè)的形形成和和發(fā)展展，初初步形形成了了完整整的新新材料料體系系，特特別是是在電電子信信息材材料領(lǐng)領(lǐng)域取取得了了顯著著成就就。七、中中國(guó)新新材料料現(xiàn)有有企業(yè)業(yè)的競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)力力分析析㈠新新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)的的三大大特點(diǎn)點(diǎn)1．覆覆蓋范范圍廣廣、關(guān)關(guān)聯(lián)度度小2．投投資與與技術(shù)術(shù)高度度密集集3．高高風(fēng)險(xiǎn)險(xiǎn)、高高收益益㈡中國(guó)國(guó)新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)具具有的的競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)勢(shì)1．需需求旺旺盛，，產(chǎn)產(chǎn)業(yè)規(guī)規(guī)模不不斷擴(kuò)擴(kuò)大2.產(chǎn)業(yè)集集聚，，發(fā)發(fā)展凸凸顯新新特色色3.政府支支持，，形成成初步步產(chǎn)業(yè)業(yè)體系系㈢中中國(guó)國(guó)新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)發(fā)展的的部分分制約約因素素1．企企業(yè)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)制的的缺陷陷2．市市場(chǎng)關(guān)關(guān)聯(lián)度度小3．技技術(shù)深深度落落后4．價(jià)價(jià)格協(xié)協(xié)調(diào)能能力弱弱5.與發(fā)達(dá)達(dá)國(guó)家家差距距大㈣新新材材料現(xiàn)現(xiàn)有企企業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)激激烈，，挑挑戰(zhàn)與與機(jī)遇遇并存存在稀土土新材材料領(lǐng)領(lǐng)域，，我國(guó)國(guó)稀土土資源源占世世界總總儲(chǔ)量量的80%，產(chǎn)量量占世世界總總產(chǎn)量量的70%，但其其中的的2/3以資源源或初初級(jí)產(chǎn)產(chǎn)品的的方式式出口口國(guó)外外。從從整體體看，，國(guó)內(nèi)內(nèi)稀土土新材材料廠廠商主主要生生產(chǎn)、、供應(yīng)應(yīng)和出出口低低端材材料產(chǎn)產(chǎn)品。。在電池池新材材料方方面，，近年年來(lái)國(guó)國(guó)內(nèi)電電池新新材料料廠商商不斷斷加強(qiáng)強(qiáng)技術(shù)術(shù)研發(fā)發(fā)，產(chǎn)產(chǎn)品競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)力力逐步步增強(qiáng)強(qiáng)，但但在鋰鋰電池池隔離離膜方方面，，幾乎乎全部部依賴賴進(jìn)口口。目前，，我國(guó)國(guó)新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)基基地發(fā)發(fā)展較較快，，新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)基基地正正成為為區(qū)域域經(jīng)濟(jì)濟(jì)發(fā)展展的推推動(dòng)力力量之之一，，同時(shí)時(shí)也成成為各各個(gè)區(qū)區(qū)域競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)的的焦點(diǎn)點(diǎn)，，這種種競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)促進(jìn)進(jìn)了當(dāng)當(dāng)?shù)匦滦虏牧狭袭a(chǎn)業(yè)業(yè)的發(fā)發(fā)展，，也使使我國(guó)國(guó)新材材料產(chǎn)產(chǎn)業(yè)呈呈現(xiàn)區(qū)區(qū)域差差異。。由于新新材料料生產(chǎn)產(chǎn)對(duì)技技術(shù)、、生產(chǎn)產(chǎn)工藝藝要求求較高高，國(guó)國(guó)外一一些企企業(yè)在在材料料供應(yīng)應(yīng)上占占據(jù)主主導(dǎo)地地位，，主要要原因因就是是其在在技術(shù)術(shù)研發(fā)發(fā)和生生產(chǎn)工工藝上上領(lǐng)先先。由由于新新材料料研發(fā)發(fā)和生生產(chǎn)資資金投投入大大，達(dá)達(dá)到規(guī)規(guī)模經(jīng)經(jīng)濟(jì)的的產(chǎn)量量也相相對(duì)提提高，，規(guī)模模較大大的廠廠商可可以降降低生生產(chǎn)成成本，，建立立成本本優(yōu)勢(shì)勢(shì)，因因?yàn)榇舜藭r(shí)生生產(chǎn)規(guī)規(guī)模成成了新新的競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)手手段。。Contents新材料料行業(yè)業(yè)關(guān)注注選擇擇——IGBT二IGBT概述1IGBT所處環(huán)環(huán)境2IGBT發(fā)展前前景3IGBT投資理理念4一、IGBT概述㈠IGBT概念I(lǐng)GBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣緣柵雙雙極型型晶體體管，，是由由BJT(雙極型型三極極管)和MOS(絕緣柵柵型場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)管)組成的的復(fù)合合全控控型電電壓驅(qū)驅(qū)動(dòng)式式功率率半導(dǎo)導(dǎo)體器器件,兼有MOSFET的高輸輸入阻阻抗和和GTR的低導(dǎo)導(dǎo)通壓壓降兩兩方面面的優(yōu)優(yōu)點(diǎn)。。GTR飽和壓壓降低低，載載流密密度大大，但但驅(qū)動(dòng)動(dòng)電流流較大大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功功率很很小，，開(kāi)關(guān)關(guān)速度度快，，但導(dǎo)導(dǎo)通壓壓降大大，載載流密密度小小。IGBT綜合了了以上上兩種種器件件的優(yōu)優(yōu)點(diǎn)，，驅(qū)動(dòng)動(dòng)功率率小而而飽和和壓降降低。。非常常適合合應(yīng)用用于直直流電電壓為為600V及以以上上的的變變流流系系統(tǒng)統(tǒng)如如交交流流電電機(jī)機(jī)、、變變頻頻器器、、開(kāi)開(kāi)關(guān)關(guān)電電源源、、照照明明電電路路、、牽牽引引傳傳動(dòng)動(dòng)等等領(lǐng)領(lǐng)域域。。㈡IGBT發(fā)展展歷歷史史1979年，，MOS柵功功率率開(kāi)開(kāi)關(guān)關(guān)器器件件作作為為IGBT概念念的的先先驅(qū)驅(qū)即即已已被被介介紹紹到到世世間間。。這這種種器器件件表表現(xiàn)現(xiàn)為為一一個(gè)個(gè)類類晶晶閘閘管管的的結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)（（P-N-P-N四層層組組成成）），，其其特特點(diǎn)點(diǎn)是是通通過(guò)過(guò)強(qiáng)強(qiáng)堿堿濕濕法法刻刻蝕蝕工工藝藝形形成成了了V形槽槽柵柵。。80年代代初初期期，，用用于于功功率率MOSFET制造造技技術(shù)術(shù)的的DMOS（雙擴(kuò)散散形成的的金屬-氧化物-半導(dǎo)體））工藝被被采用到到IGBT中來(lái)。這這是隨著著硅片上上外延的的技術(shù)進(jìn)進(jìn)步，以以及采用用對(duì)應(yīng)給給定阻斷斷電壓所所設(shè)計(jì)的的n+緩沖層而而進(jìn)展的的。幾年年當(dāng)中，，這種在在采用PT設(shè)計(jì)的外外延片上上制備的的DMOS平面柵結(jié)結(jié)構(gòu)，其其設(shè)計(jì)規(guī)規(guī)則從5微米先進(jìn)進(jìn)到3微米。90年代中期期，溝槽槽柵結(jié)構(gòu)構(gòu)又返回回到一種種新概念念的IGBT，它是采采用從大大規(guī)模集集成（LSI）工藝借借鑒來(lái)的的硅干法法刻蝕技技術(shù)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)的新刻刻蝕工藝藝，但仍仍然是穿穿通（PT）型芯片片結(jié)構(gòu)。。在這種種溝槽結(jié)結(jié)構(gòu)中，，實(shí)現(xiàn)了了在通態(tài)態(tài)電壓和和關(guān)斷時(shí)時(shí)間之間間折衷的的更重要要的改進(jìn)進(jìn)。1996年，CSTBT（載流子子儲(chǔ)存的的溝槽柵柵雙極晶晶體管））使第5代IGBT模塊得以以實(shí)現(xiàn)，，它采用用了弱穿穿通（LPT）芯片結(jié)結(jié)構(gòu)，又又采用了了更先進(jìn)進(jìn)的寬元元胞間距距的設(shè)計(jì)計(jì)。目前前，包括括一種““反向阻阻斷型””（逆阻阻型）功功能或一一種“反反向?qū)ㄍㄐ汀保ǎ鎸?dǎo)型型）功能能的IGBT器件的新新概念正正在進(jìn)行行研究，，以求得得進(jìn)一步步優(yōu)化?！，F(xiàn)在,大電流高高電壓的的IGBT已模塊化化,它的驅(qū)動(dòng)動(dòng)電路除除上面介介紹的由由分立元元件構(gòu)成成之外,現(xiàn)在已制制造出集集成化的的IGBT專用驅(qū)動(dòng)動(dòng)電路.其性能更更好,整機(jī)的可可靠性更更高及體體積更小小。二、IGBT所處環(huán)境境全球IGBT主要供應(yīng)應(yīng)商集中中在英飛飛凌、三三菱、ABB、富士等等少數(shù)幾幾家，我我國(guó)只有有少數(shù)企企業(yè)從事事中小功功率IGBT的封裝，，而且尚尚未形成成產(chǎn)業(yè)規(guī)規(guī)模，在在IGBT芯片的產(chǎn)產(chǎn)業(yè)化以以及大功功率IGBT的封裝方方面，幾幾乎是一一片空白白。目前前有近十十家企業(yè)業(yè)正在或或者打算算進(jìn)入這這個(gè)行業(yè)業(yè)。國(guó)家發(fā)改改委2007年發(fā)布的的《關(guān)于組織織實(shí)施新新型電力力電子器器件產(chǎn)業(yè)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)有關(guān)問(wèn)問(wèn)題的通通知》，國(guó)家將將實(shí)施電電力電子子器件產(chǎn)產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)項(xiàng)，其中中重點(diǎn)支支持的項(xiàng)項(xiàng)目就包包括IGBT。2007年，國(guó)家家科技部部已將IGBT的研制列列為七大大課題之之一。國(guó)國(guó)家信息息產(chǎn)業(yè)部部產(chǎn)品司司也在今今年8月召開(kāi)研研討會(huì)，，旨在研研究如何何在國(guó)內(nèi)內(nèi)發(fā)展IGBT并撥款予予以扶持持。IGBT產(chǎn)業(yè)將遇遇到前所所未有的的發(fā)展契契機(jī)。三、IGBT發(fā)展前景景IGBT是功率半半導(dǎo)體的的技術(shù)前前沿，具具有節(jié)能能效率高高，便于于規(guī)?；a(chǎn)，，較易實(shí)實(shí)現(xiàn)節(jié)能能智能化化等優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，將成成為功率率半導(dǎo)體體市場(chǎng)發(fā)發(fā)展的主主流技術(shù)術(shù)。而目目前該產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)場(chǎng)應(yīng)用率率較低，，市場(chǎng)增增長(zhǎng)空間間巨大。。2009年我國(guó)IGBT市場(chǎng)為53億元左右右，目前前我國(guó)IGBT市場(chǎng)占整整個(gè)功率率器件市市場(chǎng)份額額尚不足足10%，我們預(yù)預(yù)計(jì)未來(lái)來(lái)幾年IG-BT市場(chǎng)隨著著節(jié)能減減排的推推進(jìn)將得得到快速速發(fā)展，，增速將將達(dá)到20%~30%，遠(yuǎn)超整整個(gè)功率率器件市市場(chǎng)。中國(guó)已經(jīng)經(jīng)擁有較較好的IGBT的產(chǎn)業(yè)規(guī)規(guī)模，同同時(shí)，部部分本土土企業(yè)已已經(jīng)積極極進(jìn)行IGBT制造技術(shù)術(shù)的突破破，并取取得較好好的進(jìn)展展。而智智能電網(wǎng)網(wǎng)、高鐵鐵建設(shè)、、新能源源汽車以以及家電電節(jié)能等等本土市市場(chǎng)，更更為這些些企業(yè)的的技術(shù)突突破，實(shí)實(shí)現(xiàn)IGBT的“進(jìn)口口替代””創(chuàng)造了了堅(jiān)實(shí)的的市場(chǎng)基基礎(chǔ)。四、IGBT投資理念念I(lǐng)GBT目前主要要應(yīng)用在在電機(jī)、、變換器器(逆變器)、變頻器器、UPS、EPS電源、風(fēng)風(fēng)力發(fā)電電設(shè)備、、數(shù)碼相相機(jī)閃光光燈充電電器、電電磁爐、、變頻家家電等工工業(yè)控制制和消費(fèi)費(fèi)電子產(chǎn)產(chǎn)品中，，其中消消費(fèi)電子子產(chǎn)品所所占的比比重較大大。投資標(biāo)的的：根據(jù)據(jù)這三大大標(biāo)準(zhǔn)，，我們推推薦華微微電子、、中環(huán)股股份與長(zhǎng)長(zhǎng)電經(jīng)濟(jì)濟(jì)，關(guān)注注科達(dá)股股份。Contents三新材料行行業(yè)的簡(jiǎn)簡(jiǎn)述1新材料行行業(yè)的發(fā)發(fā)展現(xiàn)狀狀23新材料行行業(yè)發(fā)展展預(yù)測(cè)IGBT重點(diǎn)關(guān)注注公司——吉林華微微電子股股份有限限公司一、公司司概要股票代碼碼：600360公司名稱稱(中)：吉林華華微電子子股份有有限公司司公司名稱稱(英)：JilinSino-MicroelectronicsCo.,Ltd.行業(yè)分類類：電電子元器器件制造造業(yè)公司經(jīng)營(yíng)營(yíng)范圍：：半導(dǎo)體體分立器器件、集集成電路路、電力力電子產(chǎn)產(chǎn)品、汽汽車電子子產(chǎn)品、、自動(dòng)化化儀表、、電子元元件、應(yīng)應(yīng)用軟件件的設(shè)計(jì)計(jì)、開(kāi)發(fā)發(fā)、制造造與銷售售：經(jīng)營(yíng)營(yíng)本企業(yè)業(yè)自產(chǎn)產(chǎn)產(chǎn)品及相相關(guān)技術(shù)術(shù)的出口口業(yè)務(wù)(國(guó)家限定定公司經(jīng)經(jīng)營(yíng)或禁禁止出口口的商品品除外)、經(jīng)營(yíng)本本企業(yè)生生產(chǎn)、科科研所需需的原輔輔材料、、機(jī)械設(shè)設(shè)備、儀儀器儀表表、零配配件及相相關(guān)技術(shù)術(shù)的進(jìn)口口業(yè)務(wù)(國(guó)家限定定公司經(jīng)經(jīng)營(yíng)或禁禁止進(jìn)口口的商品品除外)；經(jīng)營(yíng)本本企業(yè)的的進(jìn)料加加工和““三來(lái)一一補(bǔ)”業(yè)業(yè)務(wù)。法人代表表：夏夏增文公司成立立時(shí)間：：1999-10-21㈣公司產(chǎn)業(yè)業(yè)布局2006年我國(guó)半半導(dǎo)體分分立器件件（含光光電子器器件）市市場(chǎng)需求求額為1088億元，比比2005年增長(zhǎng)16.1%,占全球半半導(dǎo)體分分立器件件（含光光電子器器件）市市場(chǎng)規(guī)模模的35.7％從2006年中國(guó)半半導(dǎo)體分分立器件件市場(chǎng)區(qū)區(qū)結(jié)構(gòu)來(lái)來(lái)看，珠珠三角地地區(qū)是最最大的區(qū)區(qū)域市場(chǎng)場(chǎng)，該地地區(qū)的分分立器件件市場(chǎng)占占國(guó)內(nèi)市市場(chǎng)總規(guī)規(guī)模的45.8％。隨著著國(guó)內(nèi)外外IT制造業(yè)向向長(zhǎng)江三三角洲地地區(qū)的轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移，該該地區(qū)對(duì)對(duì)分立器器件在內(nèi)內(nèi)的各類類元器件件的需求求高于全全國(guó)平均均增長(zhǎng)速速度，長(zhǎng)長(zhǎng)三角地地區(qū)銷售售占40％，京津津渤海地地區(qū)占10.3％，其他他占3.9％。和市場(chǎng)結(jié)結(jié)構(gòu)相符符，在產(chǎn)產(chǎn)業(yè)布局局方面，，公司制制定了““積極拓拓展上下下游產(chǎn)業(yè)業(yè)、積極極尋求擴(kuò)擴(kuò)大產(chǎn)能能、積極極開(kāi)拓珠珠三角、、長(zhǎng)三角角市場(chǎng)””的投資資擴(kuò)張戰(zhàn)戰(zhàn)略，公公司利用用吉林總總廠成熟熟的制造造能力和和成本優(yōu)優(yōu)勢(shì)將其其定位為為制造基基地，而而根據(jù)公公司主要要客戶分分布，在在無(wú)錫和和廣州設(shè)設(shè)立封測(cè)測(cè)廠，拉拉近和客客戶的關(guān)關(guān)系，產(chǎn)產(chǎn)業(yè)布局局合理。。這樣可可以減少少封測(cè)的的外包，，進(jìn)一步步降低公公司運(yùn)營(yíng)營(yíng)成本、、增加邊邊際貢獻(xiàn)獻(xiàn)利潤(rùn)，，而且能能夠發(fā)揮揮規(guī)模優(yōu)優(yōu)勢(shì)。㈤公司司競(jìng)爭(zhēng)能能力swot分析相對(duì)國(guó)際際對(duì)手有有成本優(yōu)優(yōu)勢(shì)，相相對(duì)國(guó)內(nèi)內(nèi)企業(yè)有有技術(shù)和和規(guī)模的的領(lǐng)先優(yōu)優(yōu)勢(shì)。市市場(chǎng)和技技術(shù)的結(jié)結(jié)合，貼貼近市場(chǎng)場(chǎng)，為客客戶量身身定做產(chǎn)產(chǎn)品。實(shí)實(shí)在可靠靠的品質(zhì)質(zhì)，加上上有競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)力的價(jià)價(jià)格，加加上龐大大的銷量量，構(gòu)成成公司持持續(xù)的競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)力。。公司的的銷售售以直直銷為為主，，這可可以降降低渠渠道成成本；；同時(shí)時(shí)，由由研發(fā)發(fā)、推推廣和和技術(shù)術(shù)支持持組成成統(tǒng)一一團(tuán)隊(duì)隊(duì)，使使得公公司開(kāi)開(kāi)發(fā)的的產(chǎn)品品更貼貼近市市場(chǎng)，，響應(yīng)應(yīng)速度度更快快，有有利于于實(shí)現(xiàn)現(xiàn)差異異化優(yōu)優(yōu)勢(shì)。。在價(jià)價(jià)格定定位方方面追追求長(zhǎng)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)發(fā)展，，產(chǎn)品品品質(zhì)質(zhì)、性性能向向國(guó)際際先進(jìn)進(jìn)公司司看齊齊，而而價(jià)格格卻低低于國(guó)國(guó)際大大公司司的進(jìn)進(jìn)口產(chǎn)產(chǎn)品價(jià)價(jià)格。。此外外，公公司在在產(chǎn)品品推廣廣方式式上打打破常常規(guī)，，在研研發(fā)階階段就就讓客客戶介介入，，從而而縮短短產(chǎn)品品進(jìn)入入市場(chǎng)場(chǎng)的時(shí)時(shí)間，，滿足足客戶戶的差差異化化需求求，并并與客客戶建建立深深入、、長(zhǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)的合合作關(guān)關(guān)系。。1.成本優(yōu)優(yōu)勢(shì)（1）國(guó)內(nèi)內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)、管管理、、運(yùn)營(yíng)營(yíng)成本本低廉廉公司在在勞動(dòng)動(dòng)力成成本方方面具具有明明顯的的優(yōu)勢(shì)勢(shì)。在在中低低端產(chǎn)產(chǎn)品領(lǐng)領(lǐng)域，，由于于沒(méi)有有成本本優(yōu)勢(shì)勢(shì)，國(guó)國(guó)外企企業(yè)已已很難難跟內(nèi)內(nèi)資企企業(yè)競(jìng)競(jìng)爭(zhēng)，，目前前跨國(guó)國(guó)公司司在一一些常常規(guī)產(chǎn)產(chǎn)品市市場(chǎng)中中已經(jīng)經(jīng)逐漸漸退出出；在在中高高端產(chǎn)產(chǎn)品領(lǐng)領(lǐng)域，，隨著著資金金、技技術(shù)、、人力力資源源的積積累，，目前前國(guó)內(nèi)內(nèi)企業(yè)業(yè)也開(kāi)開(kāi)始加加強(qiáng)對(duì)對(duì)中高高端產(chǎn)產(chǎn)品市市場(chǎng)的的開(kāi)發(fā)發(fā)，個(gè)個(gè)別產(chǎn)產(chǎn)品也也開(kāi)始始擠占占跨國(guó)國(guó)公司司的市市場(chǎng)份份額。。公司司作為為國(guó)內(nèi)內(nèi)最大大的功功率半半導(dǎo)體體器件件廠商商，憑憑借著著多年年研發(fā)發(fā)能力力的積積累和和低成成本優(yōu)優(yōu)勢(shì)，，在彩彩電用用晶體體管、、機(jī)箱箱電源源用晶晶體管管、節(jié)節(jié)能燈燈用晶晶體管管等產(chǎn)產(chǎn)品市市場(chǎng)已已逐漸漸取代代跨國(guó)國(guó)廠商商，成成為國(guó)國(guó)內(nèi)市市場(chǎng)的的主要要供應(yīng)應(yīng)商。。半導(dǎo)體體對(duì)動(dòng)動(dòng)力和和水的的要求求較高高，公公司地地處吉吉林省省吉林林市，，成本本優(yōu)勢(shì)勢(shì)明顯顯，當(dāng)當(dāng)?shù)氐牡乃?、、電資資源豐豐富、、價(jià)格格低廉廉，人人工成成本也也較低低，與與國(guó)內(nèi)內(nèi)同行行相比比，具具有一一定的的成本本優(yōu)勢(shì)勢(shì)。（2）產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈一一體化化優(yōu)勢(shì)勢(shì)全球主主要半半導(dǎo)體體功率率器件件廠商商的經(jīng)經(jīng)營(yíng)模模式基基本可可以分分為兩兩類，，即垂垂直整整合模模式（（IDM，即業(yè)業(yè)務(wù)涵涵蓋從從設(shè)計(jì)計(jì)、制制造、、封裝裝測(cè)試試到對(duì)對(duì)外銷銷售整整個(gè)流流程的的經(jīng)營(yíng)營(yíng)模式式）和和專業(yè)業(yè)化分分工經(jīng)經(jīng)營(yíng)模模式（（如專專門從從事專專業(yè)設(shè)設(shè)計(jì)的的Fabless模式和和專門門從事事芯片片代工工的Foundry模式）），其其中產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈鏈一體體化模模式是是大型型國(guó)際際廠商商的傳傳統(tǒng)經(jīng)經(jīng)營(yíng)模模式。。公司采采用的的是垂垂直整整合模模式，，即產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈鏈上下下游一一體化化，公公司控控制市市場(chǎng)和和芯片片的生生產(chǎn)。。公司司擁有有自己己的研研發(fā)力力量和和核心心技術(shù)術(shù)，能能夠根根據(jù)市市場(chǎng)需需求進(jìn)進(jìn)行新新技術(shù)術(shù)和新新工藝藝的研研發(fā)，，按照照客戶戶要求求進(jìn)行行產(chǎn)品品設(shè)計(jì)計(jì)；擁?yè)碛行拘酒a(chǎn)線線和測(cè)測(cè)試封封裝生生產(chǎn)線線，具具有芯芯片生生產(chǎn)和和測(cè)試試封裝裝能力力；擁?yè)碛凶宰约旱牡钠放婆疲敝苯用婷嫦蚴惺袌?chǎng)進(jìn)進(jìn)行銷銷售；；能夠夠保持持對(duì)銷銷售渠渠道較較強(qiáng)的的控制制能力力，獨(dú)獨(dú)立經(jīng)經(jīng)營(yíng)能能力強(qiáng)強(qiáng)，資資源使使用效效率也也較高高。2.技術(shù)優(yōu)優(yōu)勢(shì)公司的的自主主研發(fā)發(fā)能力力始終終處于于國(guó)內(nèi)內(nèi)同行行前列列，一一直把把轉(zhuǎn)化化和推推廣高高水平平的科科研成成果作作為公公司的的經(jīng)營(yíng)營(yíng)發(fā)展展方向向。多多年來(lái)來(lái)一直直重視視產(chǎn)品品開(kāi)發(fā)發(fā)和技技術(shù)創(chuàng)創(chuàng)新工工作，，公司司業(yè)務(wù)務(wù)的拓拓展也也是以以產(chǎn)品品和技技術(shù)創(chuàng)創(chuàng)新為為先導(dǎo)導(dǎo)。公公司秉秉承““企業(yè)業(yè)的生生命在在于產(chǎn)產(chǎn)品，，產(chǎn)品品的生生命在在于創(chuàng)創(chuàng)新””的產(chǎn)產(chǎn)品研研發(fā)理理念，，不斷斷進(jìn)行行技術(shù)術(shù)創(chuàng)新新促進(jìn)進(jìn)企業(yè)業(yè)發(fā)展展動(dòng)力力。公公司建建立研研發(fā)機(jī)機(jī)構(gòu)——省級(jí)技技術(shù)中中心，，公司司主要要通過(guò)過(guò)技術(shù)術(shù)中心心開(kāi)展展各項(xiàng)項(xiàng)研究究開(kāi)發(fā)發(fā)和技技術(shù)創(chuàng)創(chuàng)新工工作。。此外，，通過(guò)過(guò)與飛飛利浦浦、仙仙童半半導(dǎo)體體等國(guó)國(guó)際大大公司司的合合作，，公司司的技技術(shù)水水平和和管理理能力力也得得到很很大提提高，，逐漸漸拉大大了與與國(guó)內(nèi)內(nèi)同行行的技技術(shù)差差距。。公司司是2006年科學(xué)學(xué)技術(shù)術(shù)部、、國(guó)務(wù)務(wù)院國(guó)國(guó)資委委和中中華全全國(guó)總總工會(huì)會(huì)確定定的首首批103家創(chuàng)新新型試試點(diǎn)企企業(yè)之之一，，是半半導(dǎo)體體行業(yè)業(yè)唯一一入選選的企企業(yè)。。3.規(guī)模優(yōu)優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體體行業(yè)業(yè)在設(shè)設(shè)備、、產(chǎn)品品研發(fā)發(fā)等方方面投投入較較大，，而且且產(chǎn)品品在技技術(shù)成成熟后后價(jià)格格下跌跌的趨趨勢(shì)較較為明明顯，，因此此規(guī)模模效益益對(duì)于于半導(dǎo)導(dǎo)體企企業(yè)維維系生生存、、保持持可持持續(xù)發(fā)發(fā)展非非常重重要。。發(fā)行行人是是國(guó)內(nèi)內(nèi)最大大的功功率半半導(dǎo)體體器件件生產(chǎn)產(chǎn)廠家家，與與其他他國(guó)內(nèi)內(nèi)同行行相比比，在在規(guī)模模效益益上具具有明明顯優(yōu)優(yōu)勢(shì)。。這種優(yōu)優(yōu)勢(shì)不不僅體體現(xiàn)在在對(duì)前前期設(shè)設(shè)備投投入、、產(chǎn)品品研發(fā)發(fā)投入入等沉沉積成成本的的消化化上，，而且且在原原材料料供應(yīng)應(yīng)方面面也能能夠獲獲得比比國(guó)內(nèi)內(nèi)同行行更優(yōu)優(yōu)惠的的供貨貨價(jià)格格、供供貨條條件和和供應(yīng)應(yīng)保障障。如如果公公司有有行業(yè)業(yè)整合合的打打算，，則有有利于于行業(yè)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)秩序序的改改善。。4．行業(yè)威脅脅半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)在中國(guó)市市場(chǎng)中屬于于新興行業(yè)業(yè)，有較大大的發(fā)展前前景，行業(yè)業(yè)還是較有有吸引力的的，但存在在較高的壁壁壘，包括括：(1)成為合格供供應(yīng)商的資資質(zhì)壁壘公司要想成成為下游企企業(yè)的合格格供應(yīng)商，，除要達(dá)到到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)，更要通通過(guò)嚴(yán)格的的供應(yīng)商資資質(zhì)認(rèn)定。。對(duì)供應(yīng)商商的資質(zhì)認(rèn)認(rèn)定至少在在半年，一一般需要多多次試用后后方能通過(guò)過(guò)資質(zhì)認(rèn)定定，再通過(guò)過(guò)相當(dāng)一段段時(shí)間的小小批量供貨貨測(cè)試后才才能正式成成為其供應(yīng)應(yīng)商。企業(yè)業(yè)一旦通過(guò)過(guò)供應(yīng)商資資質(zhì)的最終終審定，將將被納入到到企業(yè)的全全球供應(yīng)鏈鏈，可以接接受其全球球生產(chǎn)基地地的采購(gòu)。。而且一旦旦確定合作作關(guān)系，為為保證產(chǎn)品品品質(zhì)及維維護(hù)供貨的的穩(wěn)定性，，這些企業(yè)業(yè)通常不會(huì)會(huì)輕易改變變分立器件件供應(yīng)商。。這種嚴(yán)格格的供應(yīng)商商資質(zhì)認(rèn)定定，以及基基于長(zhǎng)期合合作而形成成的穩(wěn)定客客戶關(guān)系，，形成了極極強(qiáng)的資質(zhì)質(zhì)壁壘。(2)資金和生產(chǎn)產(chǎn)規(guī)模壁壘壘半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)屬于資金金密集型的的行業(yè)，行行業(yè)的進(jìn)入入需要在凈凈化廠房、、設(shè)備、技技術(shù)、人力力資源等方方面有較高高的資金投投入。從事事生產(chǎn)所需需的大部分分生產(chǎn)和檢檢測(cè)設(shè)備需需要進(jìn)口；；同時(shí)由于于產(chǎn)品配套套化及生產(chǎn)產(chǎn)規(guī)?；牡囊螅滦逻M(jìn)入本行行業(yè)的企業(yè)業(yè)需要一次次性投入大大量的設(shè)備備資金。除需要投資資較為昂貴貴的制造設(shè)設(shè)備及檢測(cè)測(cè)設(shè)備外，，由于客戶戶的帳期從從一個(gè)月到到三個(gè)月，，廠商還需需要較大的的流動(dòng)資金金投入，服服務(wù)對(duì)象也也要求廠商商又較大的的生產(chǎn)規(guī)模模，有足夠夠的產(chǎn)能保保證供貨的的及時(shí)。此外，近年年隨著單晶晶硅片供應(yīng)應(yīng)的日益緊緊張和引線線框架、鍵鍵合金絲價(jià)價(jià)格的持續(xù)續(xù)上漲，企企業(yè)運(yùn)營(yíng)對(duì)對(duì)流動(dòng)資金金的需求量量也越來(lái)越越大，對(duì)企企業(yè)資金實(shí)實(shí)力提出了了更高的要要求，從而而進(jìn)一步增增加了行業(yè)業(yè)新進(jìn)入者者的市場(chǎng)風(fēng)風(fēng)險(xiǎn)。(3)技術(shù)壁壘半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)同時(shí)也是是技術(shù)密集集型的行業(yè)業(yè)，需要有有較強(qiáng)的整整體技術(shù)實(shí)實(shí)力，工藝藝技術(shù)、品品質(zhì)控制水水平和生產(chǎn)產(chǎn)管理技術(shù)術(shù)都非常重重要，需要要長(zhǎng)時(shí)間的的實(shí)踐和積積累。同時(shí)時(shí)，由于下下游電子產(chǎn)產(chǎn)品更新?lián)Q換代較快，，企業(yè)需要要長(zhǎng)期不斷斷進(jìn)行工藝藝技術(shù)、品品質(zhì)控制及及生產(chǎn)管理理等多方面面的更新和和提高。半導(dǎo)體分立立器件制造造對(duì)工藝設(shè)設(shè)計(jì)和工藝藝過(guò)程控制制的要求非非常高，很很多關(guān)鍵技技術(shù)都需要要通過(guò)工藝藝過(guò)程來(lái)實(shí)實(shí)現(xiàn)，半導(dǎo)導(dǎo)體分立器器件行業(yè)的的創(chuàng)新在很很大程度上上主要體現(xiàn)現(xiàn)為產(chǎn)品生生產(chǎn)工藝上上的創(chuàng)新，，技術(shù)水平平也主要體體現(xiàn)為產(chǎn)品品加工的工工藝水平。。生產(chǎn)工藝藝的創(chuàng)新和和技術(shù)水平平主要來(lái)源源于企業(yè)長(zhǎng)長(zhǎng)時(shí)間、大大規(guī)模的生生產(chǎn)實(shí)踐，，需要持續(xù)續(xù)的生產(chǎn)經(jīng)經(jīng)驗(yàn)的積累累，行業(yè)新新進(jìn)入者很很難在短期期內(nèi)獲得。。此外，功功率半導(dǎo)體體器件企業(yè)業(yè)和下游企企業(yè)在技術(shù)術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)開(kāi)發(fā)上具有有非常緊密密的互動(dòng)關(guān)關(guān)系，下游游企業(yè)開(kāi)發(fā)發(fā)新產(chǎn)品往往往需要所所使用功率率器件在工工藝上進(jìn)行行改進(jìn)或創(chuàng)創(chuàng)新，甚至至共同開(kāi)發(fā)發(fā)出新的工工藝和技術(shù)術(shù)。由于半導(dǎo)體體器件產(chǎn)品品單位制造造成本高，，產(chǎn)品合格格率極為重重要，新產(chǎn)產(chǎn)品上線后后需要通過(guò)過(guò)工藝磨合合、調(diào)整和和改進(jìn)逐漸漸提高合格格率，而成成熟產(chǎn)品也也需要制造造過(guò)程控制制技術(shù)保持持合格率。。雖然功率器器件與其他他半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)品相比，，產(chǎn)品的生生命周期相相對(duì)較長(zhǎng)，，但產(chǎn)品在在進(jìn)入技術(shù)術(shù)成熟期后后價(jià)格仍有有一個(gè)自然然下跌的過(guò)過(guò)程，如果果原材料成成本持續(xù)大大幅上漲，，小企業(yè)就就將面臨嚴(yán)嚴(yán)峻的考驗(yàn)驗(yàn)，而大企企業(yè)往往能能夠通過(guò)不不斷的工藝藝改進(jìn)降低低生產(chǎn)成本本，從而取取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)優(yōu)勢(shì)。研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)和管理等等方面的專專業(yè)人才稀稀缺。通過(guò)過(guò)自我開(kāi)發(fā)發(fā)需經(jīng)過(guò)多多年的努力力和積累，，要在短時(shí)時(shí)間內(nèi)掌握握成熟、穩(wěn)穩(wěn)定的核心心技術(shù)是非非常困難的的，技術(shù)壁壁壘比較強(qiáng)強(qiáng)。㈥公司募投項(xiàng)項(xiàng)目的前景景公司募投項(xiàng)項(xiàng)目的前景景可以從市市場(chǎng)渠道、、市場(chǎng)容量量、技術(shù)三三個(gè)方面予予以說(shuō)明。。1.市場(chǎng)渠道利用現(xiàn)有客客戶渠道，，以優(yōu)惠的的價(jià)格給客客戶試用。。以國(guó)內(nèi)現(xiàn)現(xiàn)有的雙極極型功率晶晶體管升級(jí)級(jí)換代的需需求為契機(jī)機(jī)，充分利利用公司現(xiàn)現(xiàn)有市場(chǎng)資資源和市場(chǎng)場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)，借借助雙極型型功率晶體體管的品牌牌優(yōu)勢(shì)，以以平板電視視、白色家家電、開(kāi)關(guān)關(guān)電源、計(jì)計(jì)算機(jī)、節(jié)節(jié)能照明等等公司已成成熟市場(chǎng)為為切入點(diǎn)，，以較快的的速度搶先先成為國(guó)內(nèi)內(nèi)VDMOS等新型功率率半導(dǎo)體器器件的主供供應(yīng)商，然然后進(jìn)一步步拓展產(chǎn)品品應(yīng)用領(lǐng)域域進(jìn)入數(shù)碼碼產(chǎn)品、通通訊等行業(yè)業(yè)。公司現(xiàn)有的的產(chǎn)品有晶晶體管、二二極管、軟軟快恢復(fù)二二極管、阻阻尼二極管管、可控硅硅、半導(dǎo)體體放電管、、MOSFET等，產(chǎn)品應(yīng)應(yīng)用于家電電、綠色照照明、計(jì)算算機(jī)及通訊訊、汽車電電子等四大大領(lǐng)域，主主要產(chǎn)品包包括：應(yīng)用用于彩色電電視機(jī)和綠綠色照明的的大功率晶晶體管；應(yīng)應(yīng)用于機(jī)箱箱電源的高高頻大功率率晶體管等等；應(yīng)用于于彩顯、PC機(jī)的高頻大大功率晶體體管；應(yīng)用用于汽車、、摩托車自自動(dòng)點(diǎn)火裝裝置的達(dá)林林頓晶體管管和可控硅硅系列產(chǎn)品品；應(yīng)用于于計(jì)算機(jī)及及外設(shè)、移移動(dòng)通訊以以及便攜式式電子產(chǎn)品品的肖特基基二極管；；廣泛應(yīng)用用于程控交交換機(jī)、電電話機(jī)、ISDN、FAX、MODEM和無(wú)線電遙遙控設(shè)備等等領(lǐng)域的保保護(hù)器件放放電管；應(yīng)應(yīng)用于家電電音響裝置置的功率放放大和功率率輸出的NPN、PNP對(duì)管等等。。2.市場(chǎng)容量方方面雙極型和MOSFET的市場(chǎng)需求求在1：4左右，MOSFET的市場(chǎng)容量量更大。新新型功率半半導(dǎo)體器件件領(lǐng)域，國(guó)國(guó)內(nèi)當(dāng)前的的發(fā)展水平平與國(guó)際相相比，大約約落后十幾幾年，其發(fā)發(fā)展與國(guó)內(nèi)內(nèi)市場(chǎng)的需需求相比存存在巨大落落差，所需需新型功率率半導(dǎo)體器器件90%以上仍需依依賴進(jìn)口，，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)廠家也以以合資企業(yè)業(yè)為主。因因此，即使使僅僅從替替代進(jìn)口的的角度看，，對(duì)于國(guó)內(nèi)內(nèi)功率器件件企業(yè)而言言，新型功功率半導(dǎo)體體器件是一一個(gè)巨大的的市場(chǎng)。況況且，如前前所述，與與傳統(tǒng)功率率半導(dǎo)體器器件相比，，VDMOS、IGBT和PIC等新型功率率半導(dǎo)體器器件的增長(zhǎng)長(zhǎng)速度要快快得多，市市場(chǎng)增長(zhǎng)空空間極為可可觀。募集資金項(xiàng)項(xiàng)目計(jì)劃產(chǎn)產(chǎn)量為4萬(wàn)片/月，其中VDMOS2.8萬(wàn)片/月、IGBT0.6萬(wàn)片/月、PIC0.6萬(wàn)片/月。六英寸寸VDMOS每片按2,300粒、片內(nèi)合合格率按95%計(jì)算，則每每片6英寸硅片可可產(chǎn)出2,200粒產(chǎn)品，封封裝成成品品后最多為為2,200只/片，據(jù)此計(jì)計(jì)算，本項(xiàng)項(xiàng)目建成后后，VDMOS的計(jì)劃產(chǎn)量量為6,160萬(wàn)只/月，年產(chǎn)量量近7.4億只，只占占2005年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)場(chǎng)需求量的的6.1%；IGBT按每片合格格芯粒為320粒計(jì)算，則則項(xiàng)目建成成后，IGBT的年產(chǎn)量為為2,300萬(wàn)只/年，只占2005年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)場(chǎng)需求量的的10%左右；同樣樣，項(xiàng)目PIC的計(jì)劃產(chǎn)量量也僅占國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需需求量的極極少份額。。綜上分析析可見(jiàn)，項(xiàng)項(xiàng)目建成投投產(chǎn)后，公公司的產(chǎn)能能對(duì)市場(chǎng)的的影響較小小，還不能能滿足中國(guó)國(guó)MOS產(chǎn)品的自然然增長(zhǎng)，產(chǎn)產(chǎn)品供過(guò)于于求的風(fēng)險(xiǎn)險(xiǎn)較小。3.技術(shù)方面公司經(jīng)過(guò)多多年MOSFET的研究，已已取得突破破性進(jìn)展。。公司目前前主要是在在其麥吉柯柯的5寸線、6寸線小批量量生產(chǎn)這類類產(chǎn)品，公公司已經(jīng)解解決了MOS生產(chǎn)產(chǎn)中中的的關(guān)關(guān)鍵鍵技技術(shù)術(shù)，，如如VDMOS、IGBT和PIC設(shè)計(jì)計(jì)技技術(shù)術(shù)、、高高壓壓功功率率器器件件結(jié)結(jié)終終端端處處理理技技術(shù)術(shù)、、大大面面積積高高質(zhì)質(zhì)量量均均勻勻柵柵氧氧化化層層制制造造技技術(shù)術(shù)等等，，并并在在這這些些設(shè)設(shè)計(jì)計(jì)和和制制造造技技術(shù)術(shù)中中形形成成了了自自己己的的知知識(shí)識(shí)產(chǎn)產(chǎn)權(quán)權(quán)。。公公司司已已經(jīng)經(jīng)在在生生產(chǎn)產(chǎn)工工藝藝和和產(chǎn)產(chǎn)品品儲(chǔ)儲(chǔ)備備上上做做好好了了大大規(guī)規(guī)模模進(jìn)進(jìn)軍軍6代線線的的準(zhǔn)準(zhǔn)備備，，技技術(shù)術(shù)風(fēng)風(fēng)險(xiǎn)險(xiǎn)不不大大。。新產(chǎn)產(chǎn)品品技技術(shù)術(shù)發(fā)發(fā)展展方方向向：：MOSFET：功功率率MOSFET的工工藝藝水水平平已已進(jìn)進(jìn)入入亞亞微微米米甚甚至至向向深深亞亞微微米米發(fā)發(fā)展展。。此此外外，，采采用用自自對(duì)對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)工工藝藝減減少少掩掩膜膜版版次次數(shù)數(shù)、、采采用用非非均均勻勻漂漂移移區(qū)區(qū)降降低低導(dǎo)導(dǎo)通通電電阻阻等等新新結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)、、新新工工藝藝也也正正在在不不斷斷涌涌現(xiàn)現(xiàn)。。IGBT：由由于于既既有有功功率率MOSFET高輸輸入入阻阻抗抗、、驅(qū)驅(qū)動(dòng)動(dòng)電電路路簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單等等優(yōu)優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，，又又具具有有功功率率晶晶體體管管漂漂移移區(qū)區(qū)電電導(dǎo)導(dǎo)調(diào)調(diào)制制、、導(dǎo)導(dǎo)通通損損耗耗低低的的特特點(diǎn)點(diǎn)，，IGBT在600V以上上中中等等電電壓壓范范圍圍內(nèi)內(nèi)成成為為主主流流的的功功率率器器件件，，且且正正逐逐漸漸向向高高壓壓大大電電流流領(lǐng)領(lǐng)域域發(fā)發(fā)展展。。PIC：技技術(shù)術(shù)發(fā)發(fā)展展趨趨勢(shì)勢(shì)是是工工作作頻頻率率更更高高、、功功率率更更大大、、功功耗耗更更低低和和功功能能更更全全，，包包括括：：開(kāi)開(kāi)發(fā)發(fā)出出高高成成品品率率、、低低成成本本工工藝藝且且兼兼容容于于CMOS和BiCMOS；針針對(duì)對(duì)包包括括多多個(gè)個(gè)大大功功率率器器件件的的單單片片SPIC的研研究究；；能能在在高高溫溫下下工工作作并并具具有有較較好好堅(jiān)堅(jiān)固固性性的的SPIC的研研究究；；大大電電流流高高速速M(fèi)OS控制制并并有有自自保保護(hù)護(hù)功功能能的的橫橫向向功功率率器器件件的的研研究究。。在在大大功功率率集集成成領(lǐng)領(lǐng)域域，，以以智智能能功功率率模模塊塊（（IPM）與與IPEM為代代表表的的混混合合集集成成技技術(shù)術(shù)將將得得到到迅迅速速發(fā)發(fā)展展。。公司司針針對(duì)對(duì)新新技技術(shù)術(shù)的的特特點(diǎn)點(diǎn)，，有有針針對(duì)對(duì)性性的的進(jìn)進(jìn)行行了了技技術(shù)術(shù)研研發(fā)發(fā)和和儲(chǔ)儲(chǔ)備備。。新新型型功功率率半半導(dǎo)導(dǎo)體體器器件件的的制制造造對(duì)對(duì)廠廠房房、、凈凈化化、、超超純純材材料料、、精精細(xì)細(xì)線線條條加加工工、、精精確確摻摻雜雜等等多多方方面面與與VLSI有相相似似的的技技術(shù)術(shù)要要求求，，只只是是線線條條寬寬度度可可稍稍寬寬松松一一些些。。同同時(shí)時(shí)，，新新型型功功率率半半導(dǎo)導(dǎo)體體器器件件又又有有自自己己特特殊殊