標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GA/T 1651-2019法庭科學(xué) 真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范》是一項由中國公安部發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，旨在為法庭科學(xué)領(lǐng)域中利用真空鍍膜技術(shù)來顯現(xiàn)和提升手印證據(jù)的質(zhì)量與可識別性提供一套統(tǒng)一的操作指導(dǎo)和質(zhì)量控制要求。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)闡述了從預(yù)處理、鍍膜過程到后期分析的全鏈條技術(shù)細(xì)節(jié)和評價方法，以確保手印證據(jù)的可靠性和法庭接受度。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概覽：

  1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用真空鍍膜技術(shù)在多種承痕客體上顯現(xiàn)潛在手印的過程，包括但不限于紙質(zhì)、塑料、金屬及玻璃表面。

  2. 術(shù)語和定義：界定了與真空鍍膜顯現(xiàn)手印相關(guān)的專業(yè)術(shù)語，如“真空鍍膜”、“濺射”、“手印顯現(xiàn)率”等，以便于讀者準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

  3. 基本原則：概述了進(jìn)行真空鍍膜顯現(xiàn)手印時應(yīng)遵循的基本原則，強調(diào)保護(hù)證據(jù)完整性、最小干預(yù)及可追溯性的重要性。

  4. 設(shè)備與材料要求：詳細(xì)描述了進(jìn)行真空鍍膜顯現(xiàn)所需設(shè)備（如真空鍍膜機、真空泵等）及耗材（如金屬靶材、襯底材料）的具體技術(shù)規(guī)格和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 預(yù)處理方法：介紹了手印承痕客體在鍍膜前的清潔、干燥及其它必要預(yù)處理步驟，以提高手印顯現(xiàn)效果和減少污染風(fēng)險。

  6. 真空鍍膜操作規(guī)程：詳細(xì)說明了真空鍍膜的全過程操作流程，包括真空室的準(zhǔn)備、抽真空、選擇合適的金屬靶材、控制鍍膜參數(shù)（如沉積速率、鍍膜厚度）、以及鍍膜后的緩慢泄壓等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

  7. 質(zhì)量控制與評估：提供了手印顯現(xiàn)質(zhì)量的評估指標(biāo)和方法，如顯影后手印的對比度、清晰度、完整性的評價標(biāo)準(zhǔn)，以及如何通過顯微鏡或圖像處理技術(shù)進(jìn)行客觀分析。

  8. 安全與環(huán)保要求：強調(diào)了操作過程中對人員的安全防護(hù)措施及廢棄物處理的環(huán)保要求，確保操作符合國家相關(guān)安全環(huán)保法規(guī)。

  9. 記錄與報告：規(guī)定了操作記錄的詳細(xì)內(nèi)容和格式，以及最終報告需包含的信息，如案件基本信息、采用的設(shè)備與材料、操作步驟、顯現(xiàn)結(jié)果分析等，以保證工作的可追溯性和透明度。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2019-10-14 頒布
  • 2019-12-01 實施
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文檔簡介

ICS13310

A92.

中華人民共和國公共安全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

GA/T1651—2019

法庭科學(xué)真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范

Forensicsciences—Technicalspecificationsforfingerprintdevelopment

byvacuumdepositionsystem

2019-10-14發(fā)布2019-12-01實施

中華人民共和國公安部發(fā)布

中華人民共和國公共安全

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

法庭科學(xué)真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范

GA/T1651—2019

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20205

*

書號

:155066·2-35136

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GA/T1651—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國刑事技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會指紋檢驗分技術(shù)委員會提出并

(SAC/TC179/SC3)

歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位上海市公安局物證鑒定中心公安部物證鑒定中心

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張偉方孫勝軍劉寰梁彥林曲會英李孝君薛靜

:、、、、、、。

Ⅰ

GA/T1651—2019

法庭科學(xué)真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了真空鍍膜顯現(xiàn)手印技術(shù)的原理設(shè)備鍍膜材料及實驗室環(huán)境要求顯現(xiàn)準(zhǔn)備操作步

、、、、

驟及注意事項等

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于顯現(xiàn)大多數(shù)非滲透性及部分半滲透滲透性客體表面潛在手印包括部分膠熏

、,“502”

顯后的客體等

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

法庭科學(xué)指紋專業(yè)名詞術(shù)語

GA/T144

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GA/T144。

31

.

鍍膜真空度degreeofdepositionvacuum

鍍膜顯現(xiàn)手印時顯現(xiàn)容器內(nèi)所需達(dá)到的真空度

,。

32

.

鍍膜deposition

在客體表面鍍上介質(zhì)薄膜的工藝

。

33

.

蒸發(fā)源meltingpot

將鍍膜材料蒸發(fā)成氣體的高溫加熱裝置

。

34

.

顯現(xiàn)角度developmentangle

所顯客體手印遺留面與水平方向的夾角

。

35

.

顯現(xiàn)距離developmentdistance

所顯客體手印遺留部位與蒸發(fā)源的距離

。

36

.

蒸發(fā)時間meltingtime

鍍膜材料受熱揮發(fā)的時間

。

3

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