TOFD和PA(相控陣)理論筆試試題

tofd和pa（相控陣）理論筆試試題考試分鐘：120分鐘題型數(shù)量總分得分合計選擇題判斷題問答題計算題根據(jù)圖1回答問題1到3。1.當s=40mm，t=35mm時，直通波和底面反射波之間相差多少微秒？ ()17.9213.384.442.22當PCS=50mm,楔塊角度=55度時，TOFD主聲束交點深度是多少？ ( )25.0mm17.5mm14.4mm11.5mm缺陷A在TOFD圖像中顯示的深度與其實際深度相比，其位置： ( )a)偏上b)偏下可能偏上或偏下，取決于y值的大小無法判斷當平板工件厚度t為100mm，TOFD楔塊角度為55度，聲束聚焦到5/6t時PCS是多少?()TOC\o"1-5"\h\z66mm133mm238mm285mm對“區(qū)分兩個相鄰缺陷的能力”的最佳解釋是什么？ ( )檢測精度靈敏度分辨率d)衰減下圖中描述的是什么掃描類型？()電子線性掃查電子串列掃查電子DDF掃查以上都不是TOFD掃查中，“平行掃查”(即D-掃描)是指掃查方向與以下哪個參數(shù)平行？( )掃查面超聲波束焊縫中心線底面反射波選用哪種探頭會得到最大的波束擴散？ ( )高頻和大晶片高頻和小晶片低頻和大晶片低頻和小晶片采用低頻探頭進行TOFD檢測的缺點是什么？ ( )較小的穿透能量較小的波束擴散較差的分辨率以上都是從掃查面開口缺陷尖端得到的衍射信號(從上表面掃查)相位與以下哪個信號的相位相同：()a)直通波b)底面回波信號波形轉(zhuǎn)換的底面回波信號以上都不是在第11題到12題的每一個TOFD成像或A-掃描中顯示的信號最有可能是由哪種因素造成的？11.11.底面反射波無高度的缺陷可辨高度的缺陷c)不同深度的兩個獨立缺陷較大的掃查面開口缺陷12.()直通波焊縫非平行掃查成像圖，掃查長度200mm(單V焊縫，25mm壁厚)底面反射波a)近表面缺陷b)探頭提離壁厚變化粗糙表面相控陣單元扇形掃查的角度偏轉(zhuǎn)范圍是50°到70°，分辨率為1。，那么會有多少個A-掃描？()1121TOC\o"1-5"\h\z3141以下哪種TOFD楔塊角度可提供最佳的深度分辨率？ ( )70deg60deg55deg45degTOFD檢測的兩個楔塊延時共6ys,PCS是48mm,在A-掃描中信號顯示在16ys的位置，請計算缺陷深度是多少？(聲速為5900m/s) ( )6.6mm12.8mm16.6mmd） 17.2mmTOC\o"1-5"\h\z80%滿屏高信號和10%滿屏高信號之間相差多少dB? （ ）a） 12dBb） 14dBc） 16dBd） 18dB探頭頻率提高，則 （ ）a） 分辨率提高，信噪比提高b） 分辨率提高，信噪比降低c） 分辨率降低，信噪比提高d） 分辨率降低，信噪比降低TOFD檢測時，通過減小以下哪個參數(shù)可以降低掃查表面盲區(qū)高度？ （ ）a）探頭頻率b） 探頭中心間距c） 濾波設(shè)置d）增益在TOFD靈敏度設(shè)置時，通過： （ ）a） 設(shè)置直通波波幅高度b） 設(shè)置底面反射波波幅高度c） 設(shè)置晶粒噪聲的波幅d） 以上都對相控陣檢測中，以下哪些因素對柵瓣效應(yīng)有影響？ （ ）a） 晶片的間隙和數(shù)量b） 頻率c）損壞的晶片d） 以上所有因素都會影響柵瓣二．判斷題（每題1分，共10分）TOC\o"1-5"\h\zTOFD檢測波形信號包含：全部橫波、全部縱波、一部分縱波和橫波的混合 （ ）TOFD非平行掃查是波束方向與掃查方向平行。 （ ）TOFD數(shù)據(jù)中表面開口型缺陷沒有缺陷上尖端衍射信號和直通波信號。 （ ）TOFD檢測只有平行和非平行掃查2種掃查方式。 （ ）脈沖電壓的寬度通常設(shè)置為晶片振動的1個周期。 （ ）相控陣常用探頭的幾何外形有：1D線形和環(huán)形陣列、2D矩形和扇形陣列。 （ ）相控陣的掃查方式分為：線形掃查、扇形掃查和深度聚焦3種。 （ ）扇形掃查在同一組晶片上使用不同的聚焦法則激發(fā)產(chǎn)生不同的角度進行檢測。 （ ）相控陣能在近場區(qū)以外產(chǎn)生真實的聚焦。 （ ）TOFD的檢波方式采用射頻信號，相控陣則采用全波信號的檢波方式。 （ ）三．問答題（每題15分，共30分）1.TOFD圖像中，缺陷起始端往往形成由下而上的弧形，試分析其原因。（15分）15分）215分）四．計算題（20分）TOFD探頭