標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 11071-1989 區(qū)熔鍺錠》是中國(guó)一項(xiàng)關(guān)于區(qū)熔鍺錠的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了區(qū)熔鍺錠的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求。以下是標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的具體展開(kāi):
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范圍:本標(biāo)準(zhǔn)適用于以金屬鍺為原料,通過(guò)區(qū)域熔煉法生產(chǎn)的鍺錠。它明確了標(biāo)準(zhǔn)的適用對(duì)象,即區(qū)熔法制備的鍺錠產(chǎn)品。
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引用標(biāo)準(zhǔn):列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)所依據(jù)或參考的其他相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),確保各項(xiàng)測(cè)試和評(píng)判有據(jù)可依。
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定義:對(duì)“區(qū)熔鍺錠”等專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行明確界定,幫助讀者理解標(biāo)準(zhǔn)中涉及的概念。
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技術(shù)要求:
- 化學(xué)成分:規(guī)定了鍺錠中鍺的純度要求以及其他雜質(zhì)元素的最大允許含量,確保材料的高質(zhì)量。
- 外觀:描述了鍺錠應(yīng)具備的外觀特征,如表面應(yīng)平整、無(wú)裂紋、夾雜物等缺陷。
- 尺寸、重量和形狀:規(guī)定了鍺錠的標(biāo)準(zhǔn)尺寸、允許的重量范圍及形狀要求,便于統(tǒng)一生產(chǎn)和使用。
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試驗(yàn)方法:
- 化學(xué)分析:提供了測(cè)定鍺錠中各種元素含量的具體分析方法,確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
- 物理性能測(cè)試:包括但不限于密度、晶體結(jié)構(gòu)等的測(cè)試方法,用以評(píng)估鍺錠的物理特性是否符合標(biāo)準(zhǔn)。
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檢驗(yàn)規(guī)則:
- 抽樣:說(shuō)明了如何進(jìn)行產(chǎn)品抽樣,以確保檢驗(yàn)的代表性。
- 合格判定:依據(jù)試驗(yàn)結(jié)果,制定了產(chǎn)品合格與否的判定準(zhǔn)則。
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標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存:
- 標(biāo)志:要求在鍺錠或包裝上清晰標(biāo)注產(chǎn)品信息,如生產(chǎn)廠名、批號(hào)、凈重、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)等。
- 包裝:規(guī)定了包裝材料、方式及標(biāo)識(shí)要求,以保護(hù)產(chǎn)品在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中的安全和質(zhì)量。
- 運(yùn)輸:提出了運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)避免的條件和操作要求,以防產(chǎn)品損壞。
- 儲(chǔ)存:說(shuō)明了適宜的儲(chǔ)存環(huán)境條件,以維持鍺錠的原有品質(zhì)。
該標(biāo)準(zhǔn)旨在統(tǒng)一區(qū)熔鍺錠的產(chǎn)品質(zhì)量和檢驗(yàn)流程,為生產(chǎn)、交易及應(yīng)用提供技術(shù)依據(jù),保障市場(chǎng)秩序和產(chǎn)品質(zhì)量安全。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替
- 1989-03-31 頒布
- 1990-02-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
UDC669.783H81中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB11071-89熔錯(cuò)鏡區(qū)Zone-refinedgermaniumingot1989-03-31發(fā)布1990-02-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)區(qū)GB11071-89Zone-retinedgermaniumingot主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了區(qū)熔錯(cuò)的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于以還原錯(cuò)鍵及錯(cuò)單品返料為原料,經(jīng)區(qū)熔提純而制得的錯(cuò)鍵。產(chǎn)品供制備半導(dǎo)體錯(cuò)單晶、光學(xué)用錯(cuò)晶體和錯(cuò)合金等用。引用標(biāo)準(zhǔn)GB4326非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法GB5253鋪單品電阻率直流兩探針測(cè)量方法GB11070還原錯(cuò)徒3產(chǎn)品分類(lèi)3.1牌號(hào)表示為:ZGe表示區(qū)熔錯(cuò)鏡阿拉伯?dāng)?shù)字表示產(chǎn)品等級(jí)。3.2錯(cuò)鏡的橫截面為梯形,其外形尺寸如表1.同一根籠的最大與最小截面之差不大于平均截面的15%。mm請(qǐng)?bào)业奶菪螜M截面尺寸上寬不小于下寬,不小于商不小手262123100~5003.3對(duì)錯(cuò)鍵尺寸和形狀有特殊要求時(shí),供需雙方可另行商定。3.4產(chǎn)品按物理參數(shù)分為ZGe-1和ZGe-2兩個(gè)牌號(hào)。4.技術(shù)要求41產(chǎn)品的牌號(hào)、電阻率和檢測(cè)單品的載流子濃度和載流子遷移率應(yīng)符合表2的規(guī)定中國(guó)有色金層工
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