GB/T 12962-2015硅單晶

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T12962—2015

代替

GB/T12962—2005

硅單晶

Monocrystallinesilicon

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅單晶

GB/T12962—2015

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20163

*

書號

:155066·1-53125

版權專有侵權必究

GB/T12962—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅單晶本標準與相比主要變化如下

GB/T12962—2005《》。GB/T12962—2005,:

增加了直徑小于或等于直拉硅單晶及要求見

———50.8mm(5.1.1);

增加了直徑區(qū)熔硅單晶及要求見

———200mm(5.1.1);

增加了對直拉硅單晶的載流子壽命要求見

———(5.2.1);

修訂了型區(qū)熔高阻硅單晶電阻率范圍的要求見

———n(5.2.1);

增加了摻雜比為的中子嬗變摻雜硅單晶的要求見

———F5(5.2.1);

修訂了摻雜比為的中子嬗變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化及少數(shù)載流子壽命要求

———F10

見

(5.2.1);

修訂了氣相摻雜區(qū)熔硅單晶的直徑電阻率及少數(shù)載流子壽命等要求見

———、(5.2.1);

金屬含量要求中刪除了重摻雜直拉硅單晶的基硼基磷含量由供需雙方商定提供內容見

———“”“、”(

5.8);

取樣由文字描述改為表

———6;

增加了訂貨單內容見第章

———(9)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研新材料股份有限公司天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司浙江中晶科技

:、、

股份有限公司浙江省硅材料質量檢驗中心杭州海納半導體有限公司萬向硅峰電子股份有限公司浙

、、、、

江金瑞泓科技股份有限公司上海合晶硅材料有限公司中國有色金屬工業(yè)標準計量質量研究所廣東

、、、

泰卓光電科技股份有限公司

。

本標準主要起草人孫燕張果虎張雪囡黃笑容樓春蘭王飛堯朱興萍何良恩徐新華

:、、、、、、、、、

楊素心由佰玲李麗妍

、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。

Ⅰ

GB/T12962—2015

硅單晶

1范圍

本標準規(guī)定了硅單晶的牌號及分類要求檢驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存質量證明書

、、、、、、、、

和訂貨單或合同內容等

()。

本標準適用于直拉法懸浮區(qū)熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于的

、()200mm

硅單晶產(chǎn)品主要用于制作半導體元器件

。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻率測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073—2007

硅單晶拋光片

GB/T12964