GB/T 13151-2005半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.20K46中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13151-2005/IEC60747-6-3：1993代替GB/T13151—1991半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-Discretedevices-Part6:thyristorsSectionthree-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriodethyristors.ambientandcase-rated,forcurrentsgreaterthan100A（IEC60747-6-3/QC750113:1993,IDT)2005-03-23發(fā)布2005-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇電流大于100A.環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13151-2005/1EC60747-6-3:1993中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：63787337、637874472005年6月第一版2005年7月電子版制作書(shū)號(hào)：155066·1-22494版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：(010)68533533

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993前本標(biāo)準(zhǔn)是品閘管空白詳細(xì)規(guī)范系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一.這一系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)包括-GB/T6352半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6590半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13150半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范-GB/T13151半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范-GB/T131535A以上環(huán)境或管殼額定可關(guān)斷品閘管空白詳細(xì)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60747-6-3:1993《半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇：電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范》英文版）本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13151—1991《100A以上環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范》本標(biāo)準(zhǔn)等同翻譯IEC60747-6-3:1993。為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)作了下列編輯性修改：“本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)”一詞改為“本標(biāo)準(zhǔn)"：引用的IEC標(biāo)準(zhǔn)一律改為等同或等效采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn);為與本國(guó)“前言”區(qū)別.IEC的“前言”稱"IEC前言”；在極限值表中補(bǔ)充了安裝力矩和安裝力的符號(hào)M和F：按照IEC標(biāo)準(zhǔn)中方括號(hào)的用法·將原文中*whereappropriat”加不加括號(hào)和加圓括號(hào)、方括號(hào)的不統(tǒng)一，統(tǒng)一成加方括號(hào),即為"適用時(shí)J"。本標(biāo)準(zhǔn)(本版)與前版(GB/T13151—1991)相比，主要變化如下：標(biāo)準(zhǔn)名稱中增加了引導(dǎo)要素文字：半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇“并作了個(gè)別文字修改(前版的封面和首頁(yè)：本版的封面和首頁(yè))增加了“前言"和"IEC前言".刪去了“附加說(shuō)明”前版的“附加說(shuō)明"；本版的“前言"和"IEC前育）刪去了第8章各表中的抽樣方案及附錄A追加抽樣表，增加了對(duì)A、B、C、D組抽樣要求的文字說(shuō)明(前版第8章各表和附錄A;本版第8章方括號(hào)中的文字)：在極限值參數(shù)表中，符號(hào)Va、Vo、Ir.di/d分別修改為Ve、Vw、lr、(dir/di)。（前版第4章;本版第4章)：在電特性參數(shù)表中，增加了a、Q..lrv和a四個(gè)特性參數(shù);符號(hào)dv/d修改為(dwu/d)a·laev和1mew分別修改為1ueu丶leuc和1mw、1nmne:前版第5章：本版第5章）；-A4分組中刪去"q"項(xiàng)目、C2e分組中刪去了di/d項(xiàng)目：C4分組中增加了“耐焊接熱”項(xiàng)目：B5分組和C7分組修改為均按空腔、非空腔器件分別規(guī)定檢驗(yàn)項(xiàng)目(前版第8章;本版第8章)。本標(biāo)準(zhǔn)中引用的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)如下：GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)記試驗(yàn)Q:密封GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(idtIEC60747-10:1984）GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法（idtIEC60749:1984）

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3：1993GB/T7581-1987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸(neqIEC60191-2：1974)GB/T12560-1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)GB/T15291-1994半導(dǎo)體器件第6部分晶閘管(eqvIEC60747-6:1983)本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)南車集團(tuán)棟洲電力機(jī)車研究所半導(dǎo)體廠、北京金自天正智能控制股份有限公司半導(dǎo)體部、北京變壓器有限公司、天津市整流器廠、中國(guó)北車集團(tuán)永濟(jì)電機(jī)廠元件分廠、襄樊臺(tái)基半導(dǎo)體有限公司、西安電力電子技術(shù)研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：童宗鑒、黎明、王伯升、韓立文、張紅衛(wèi)、顏家圣、秦賢滿。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布時(shí)間：1991年8月29日。

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993IEC前育1）國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)是世界范圍的標(biāo)準(zhǔn)化組織,它由各國(guó)家電工委員會(huì)(IEC國(guó)家委員會(huì))組成。IEC的目的是促進(jìn)在電氣、電子領(lǐng)域有關(guān)所有標(biāo)準(zhǔn)化問(wèn)題的國(guó)際合作。為此目的并開(kāi)展了另外一些活動(dòng)，IEC發(fā)布了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)的制定委托給各技術(shù)委員會(huì).對(duì)標(biāo)準(zhǔn)涉及的問(wèn)題感興趣的任何IEC國(guó)家委員會(huì)可以參加有關(guān)的制定工作。國(guó)際上,政府和非政府組織與IEC聯(lián)絡(luò)也可參加有關(guān)的制定工作。IEC與ISO(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織)按照兩個(gè)組織一致決定的條件密切協(xié)作。2）由各技術(shù)委員會(huì)制定的技術(shù)問(wèn)題的IEC正式?jīng)Q議或協(xié)議，是所有國(guó)家委員會(huì)特別感興趣的，并盡可能就涉及的各種問(wèn)題表示、表達(dá)了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。33）這些決議和協(xié)議用標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)報(bào)告或?qū)t的形式發(fā)表,以推薦方式為國(guó)際上采用,并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所接受。4）為促進(jìn)國(guó)際上的一致,IEC各國(guó)家委員會(huì)承諾了在本國(guó)標(biāo)準(zhǔn)或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)中,以最大限度的可能、透明地采用IEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。IEC標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)的任何分歧之處，應(yīng)在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)中清楚地指出。IEC60747-6-3國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)由IEC的TC47《半導(dǎo)體器件》技術(shù)委員會(huì)制定，本標(biāo)準(zhǔn)是電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范.本標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容基于如下文件：國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)草案表決報(bào)告47（C0135047（C0)1347表決贊成本標(biāo)準(zhǔn)的完整投票情況可在上表指出的表決報(bào)告中查閱本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC編號(hào)是IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系（IECQ)的規(guī)范編號(hào)。本標(biāo)準(zhǔn)引用了下列IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC60068-2-17(1978）環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)Q密封第4號(hào)修訂件（1991）1EC60191-2（1966)半導(dǎo)體器件機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸（正在修訂中)IEC60747-6（1983)半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第6部分：晶閘管第1號(hào)修訂件(1991）IEC60747-10(1991）半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路：第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范TEC60747-11(1985半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第11部分：分立器件分規(guī)范第1號(hào)修訂件(1991)IEC60749(1984半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第1號(hào)修訂件(1991）

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范引育國(guó)際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系（IECQ)遵循國(guó)際電工委員會(huì)的章程.在國(guó)際電工委員會(huì)授權(quán)下開(kāi)展工作。評(píng)定體系的目的是以這樣一種方式確定質(zhì)量評(píng)定程序.即一個(gè)成員國(guó)按照符合適用規(guī)范要求所放行的電子元器件在其他所有成員國(guó)無(wú)需再試驗(yàn)同樣為合格。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件一系列空白詳細(xì)規(guī)范的一個(gè)，應(yīng)與下列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)一起使用。GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范-GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范要求的資料本頁(yè)及下頁(yè)方括號(hào)內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的內(nèi)容相對(duì)應(yīng)，這些內(nèi)容應(yīng)填入相應(yīng)空欄中詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別[1授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱L27詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號(hào)。【37總規(guī)范和分規(guī)范的編號(hào)和版本號(hào)【47詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家編號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的任何更多的資料器件的識(shí)別L57器件的型號(hào)?！?7典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足幾