標準解讀
《GB/T 14031-1992 半導體集成電路模擬鎖相環(huán)測試方法的基本原理》作為一項技術(shù)標準,規(guī)定了模擬鎖相環(huán)集成電路的測試原則、測試環(huán)境、測試信號要求及測試項目等內(nèi)容,旨在為該類器件的性能評估提供統(tǒng)一的方法和依據(jù)。不過,您提供的對比項似乎不完整,沒有明確指出要與哪個具體的標準或版本進行比較。因此,直接對比其變更點較為困難。
若假設對比目標是該標準后續(xù)的修訂版或其他相關(guān)標準,一般而言,更新的標準可能會包含以下幾類變更內(nèi)容:
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測試技術(shù)的更新:隨著技術(shù)進步,新的測試方法和設備可能被引入,以提高測試精度、效率或覆蓋范圍,老標準中的測試技術(shù)描述會相應調(diào)整。
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參數(shù)定義的修訂:為了適應技術(shù)發(fā)展或國際標準化的要求,一些關(guān)鍵參數(shù)的定義、測量單位或容差范圍可能會有所變化。
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新增測試項目:針對新型鎖相環(huán)電路特性,可能會增加相應的測試項目,以確保全面評估其性能。
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環(huán)境條件和測試條件的調(diào)整:考慮到實際應用環(huán)境的變化和對測試準確性的新要求,測試環(huán)境的溫度、濕度等條件標準,以及測試信號的規(guī)格可能有所更新。
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標準適用范圍的擴展或限定:根據(jù)技術(shù)演進,標準可能會擴大適用的產(chǎn)品類型,或者對特定類型的鎖相環(huán)提出更專門的測試要求。
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術(shù)語和定義的規(guī)范化:為了與國際標準或行業(yè)共識保持一致,標準中的專業(yè)術(shù)語和定義可能會得到修訂和完善。
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參考標準的更新:引用的其他國家標準、國際標準或技術(shù)文獻可能會被更新到最新版本,以確保標準的時效性和準確性。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1992-12-18 頒布
- 1993-08-01 實施
文檔簡介
DDg.621.382L55中華人民共和國國家標準GB/T14031-92半導體集成電路模擬鎖相環(huán)測試方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsofanaloguephase-loopforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18發(fā)布1993-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標準半導體集成電路模擬鎖相環(huán)測試方法的基本原理CB/r14031-92Ceneralprinciplesofmeasuringmethodsofanalogucphase-loopforsemiconductorintegraledcircuits本標準規(guī)定了半導體集成電路模擬鎖相環(huán)(以下簡稱器件或模擬鎖相環(huán))電參數(shù)測試方法的基本原模擬鎖相環(huán)與數(shù)字電路相同的靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)測試可參照GB3439半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理》。模擬鎖相環(huán)與運算放大器相同的靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)測試可參照GB3442《半導體集成電路運算(電壓)放大器測試方法的基本原理》總要求1.1若無特殊說明,測試期間,環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應符合詳細規(guī)范的規(guī)定,1.2測試期間,應避免外界干擾對測試精度的影響,測試設備引起的測試誤差應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。1.3測試期間,施于被測器件的電參量的精度應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。14被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時,不應超過器件的使用極限條件。1.5若有要求時,應按器件詳細規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。1.6,測試期間.被測器件應按器件詳細規(guī)范的規(guī)定連接外圍網(wǎng)絡。鎖相環(huán)處于閉環(huán)狀態(tài)。1.7測試期間,被測器件應避免出現(xiàn)自激現(xiàn)象。1.8若電參數(shù)值是由幾步測試的結(jié)果經(jīng)計算確定的,這些測試的時間間隔應盡可能短。2參數(shù)測試2.1跟蹤輔入電壓VkTrA2.1.1目的在規(guī)定中心頻率和規(guī)定頻偏下,測試鎖相環(huán)保持跟蹤的最小輸入電壓.2.1.2測試原理鎖相環(huán)接成閉環(huán),跟蹤輸入
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