標準解讀

《GB/T 14139-2009 硅外延片》相比于《GB/T 14139-1993 硅外延片》,主要在以下幾個方面進行了更新與調整:

  1. 技術指標的提升:2009版標準對硅外延片的電學性能、表面質量、厚度均勻性以及微缺陷控制等方面提出了更嚴格的要求,反映了隨著半導體技術的發(fā)展,對外延片性能要求的提高。

  2. 檢測方法的改進:新標準引入了更先進的檢測技術和方法,如使用高精度儀器進行厚度測量、光散射技術評估表面質量和晶體缺陷等,以確保測試結果的準確性和可靠性。

  3. 分類和命名規(guī)則的優(yōu)化:2009版標準對硅外延片的分類體系進行了細化,根據不同的應用需求,對外延片進行了更明確的分類,并規(guī)范了命名規(guī)則,便于生產和使用中的識別與交流。

  4. 增加了環(huán)保和安全要求:考慮到環(huán)境保護和生產安全的重要性,新標準加入了對外延片生產過程中材料選擇、廢棄物處理及操作安全的相關規(guī)定,體現了標準制定中對可持續(xù)發(fā)展的關注。

  5. 標準適用范圍的擴展:相較于1993版,2009版標準擴大了適用的硅外延片類型和尺寸范圍,以適應半導體器件多樣化和集成度不斷提高的需求。

  6. 術語和定義的更新:為了與國際標準接軌并反映技術進步,新標準對一些專業(yè)術語進行了修訂或新增,提高了標準的國際化水平和可操作性。


如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發(fā)布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新標準代替,建議下載現行標準GB/T 14139-2019
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
?正版授權
GB/T 14139-2009硅外延片_第1頁
GB/T 14139-2009硅外延片_第2頁
GB/T 14139-2009硅外延片_第3頁
免費預覽已結束,剩余9頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 14139-2009硅外延片-免費下載試讀頁

文檔簡介

犐犆犛29.045

犎80

中華人民共和國國家標準

犌犅/犜14139—2009

代替GB/T14139—1993

硅外延片

犛犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪狓犻犪犾狑犪犳犲狉狊

20091030發(fā)布20100601實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

犌犅/犜14139—2009

前言

本標準代替GB/T14139—1993《硅外延片》。

本標準與原標準相比,主要有如下變動:

———刪除了引用標準YS/T23《硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法》和YS/T28《硅片包裝》;

———增加了引用標準GB/T14141《硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針

法》和GB/T14847《重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》;

———修改了產品規(guī)格規(guī)范,去除原標準中50.8mm、80mm、90mm三個規(guī)格,增加了直徑尺寸

125mm和150mm;

———在產品牌號中增加襯底摻雜內容;

———襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷(P);

———對外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進行了修訂,對其允許偏差進行加嚴;

———修改了外延層厚度測量方法,對外延片表面缺陷檢測方法進行加嚴;

———修改了合格質量水平(AQL)規(guī)定,增加了表面質量、位錯等檢驗項目合格質量水平規(guī)定。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位:寧波立立電子股份有限公司。

本標準主要起草人:許峰、劉培東、李慎重、諶攀。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T14139—1993。

犌犅/犜14139—2009

硅外延片

1范圍

本標準規(guī)定了硅外延片的產品分類、技術要求、試驗方法和檢驗規(guī)則及標志、包裝運輸、貯存等。

本標準適用于在N型硅拋光片襯底上生長的n型外延層(N/N+)和在p型硅拋光片襯底上生長的

P型外延層(P/P+)的同質硅外延片。產品主要用于制作硅半導體器件。其他類型的硅外延片可參照

使用。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。

GB/T2828.1計數抽樣檢驗程序第1部分:按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃

(GB/T2828.1—2003,ISO28591:1999,IDT)

GB/T6617硅片電阻率測定擴展電阻探針法

GB/T6624硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T12962硅單晶

GB/T12964硅單晶拋光片

GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規(guī)程

GB/T14141硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14142硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14145硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法

GB/T14146硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14246半導體材料術語

GB/T14847重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

YS/T24外延釘缺陷的檢驗方法

3技術要求

3.1產品分類

3.1.1導電類型

產品按導電類型分為

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用,未經授權,嚴禁復制、發(fā)行、匯編、翻譯或網絡傳播等,侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本(可閱讀打印),因數字商品的特殊性,一經售出,不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁,非文檔質量問題。

評論

0/150

提交評論