標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14142-2017 硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法》相比于《GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢查方法 腐蝕法》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)范圍：2017版標(biāo)準(zhǔn)可能對適用的硅材料類型、外延層厚度或應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了更明確或擴(kuò)展的定義，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和市場需求的變化。

  2. 術(shù)語和定義：根據(jù)科技進(jìn)步和行業(yè)共識，新版標(biāo)準(zhǔn)可能引入了新的術(shù)語，或?qū)υ行g(shù)語給出了更加準(zhǔn)確和詳細(xì)的定義，以便于讀者理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)。

  3. 檢驗方法和步驟：更新的標(biāo)準(zhǔn)很可能會包括新的檢測技術(shù)和改進(jìn)的檢驗流程，以提高檢測的準(zhǔn)確性和效率。這可能涉及到更精確的腐蝕劑配方、優(yōu)化的腐蝕時間控制、以及先進(jìn)的顯微鏡觀察技術(shù)等。

  4. 評判準(zhǔn)則：2017版標(biāo)準(zhǔn)可能會提供更具體、量化或圖像化的評判標(biāo)準(zhǔn)來評估硅外延層的晶體完整性，幫助用戶更客觀地判斷樣品質(zhì)量。

  5. 精度和誤差要求：為了提高檢驗結(jié)果的一致性和可比性，新標(biāo)準(zhǔn)可能對檢測設(shè)備的精度、測量誤差的允許范圍給出了更嚴(yán)格的規(guī)定。

  6. 安全和環(huán)境要求：隨著對實驗室安全和環(huán)境保護(hù)意識的提升，新版標(biāo)準(zhǔn)可能加入了更多關(guān)于腐蝕劑使用安全、廢棄物處理等方面的指導(dǎo)和要求。

  7. 參考標(biāo)準(zhǔn)和文獻(xiàn)：考慮到科技文獻(xiàn)和技術(shù)規(guī)范的更新，2017版標(biāo)準(zhǔn)引用的參考文獻(xiàn)和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)為最新或更為權(quán)威的資料，以確保檢驗方法的先進(jìn)性和科學(xué)性。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-04-01 實施
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文檔簡介

ICS77040

H25.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14142—2017

代替

GB/T14142—1993

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

Testmethodforcrystallographicperfectionofepitaxiallayersinsilicon—

Etchingtechnique

2017-09-29發(fā)布2018-04-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T14142—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142—1993《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要技術(shù)變化如下

GB/T14142—1993,:

修訂了方法提要見第章年版第章

———(4,19932);

增加了干擾因素見第章

———(5);

增加了無鉻溶液及其腐蝕方法見

———(5.2、6.13、9.2.2)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國盛電子有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶駱紅楊帆劉小青陳赫張海英

:、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14142—1993。

Ⅰ

GB/T14142—2017

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用化學(xué)腐蝕顯示并用金相顯微鏡檢驗硅外延層晶體完整性的方法

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅外延層中堆垛層錯和位錯密度的檢驗硅外延層厚度大于缺陷密度的測試

,2μm,

范圍-2

0~10000cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅材料原生缺陷圖譜

GB/T30453

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264GB/T30453。

4方法提要

用鉻酸氫氟酸混合液或氫氟酸硝酸乙酸硝酸銀的混合溶液腐蝕試樣硅外延層晶體缺陷被優(yōu)

、、、、,

先腐蝕用顯微鏡觀察試樣腐蝕表面可觀察到缺陷特征并對缺陷計數(shù)

。,。

5干擾因素

51腐蝕液放置時間過長有揮發(fā)沉淀物現(xiàn)象出現(xiàn)影響腐蝕效果

.,、,。

52不同腐蝕液有鉻無鉻的選擇可能會造成部分硅外延片的腐蝕效果不同

.(、),。

53腐蝕時間過短如果缺陷特征不明顯或未出現(xiàn)蝕坑則腐蝕時間應(yīng)加長同時監(jiān)控硅外延層厚度

.,,,,。

54腐蝕時間過長腐蝕坑放大同時表面粗糙會造成顯微鏡下背景不清晰缺陷特征也不明顯

.,,,,。

55一次性腐蝕片以上外延片易造成腐蝕溫度升高腐蝕速率快反應(yīng)物易吸附在試樣表面影響缺

.2,,,

陷觀察應(yīng)注意需一次性腐蝕外延片的腐蝕液比例

,。

56腐蝕操作間溫度高低腐蝕溶液配比量等均會影響腐蝕溫度腐蝕速率從而影響對腐蝕效果的

.、、,

觀察

。

57檢測硅外延層厚度不大于的層錯或位錯缺陷時可以參考本標(biāo)準(zhǔn)需要仔細(xì)操作嚴(yán)格控制

.2μm,,,

腐蝕速率

。

58硅外延片清洗或淀積過程未能去除的污染在優(yōu)先腐蝕后可能會顯現(xiàn)出來

.,。

59擇優(yōu)腐蝕時如腐蝕液配液時攪拌不充分可能出現(xiàn)析出物易與晶體缺陷混淆

.,,,。

510顯微鏡視野區(qū)域的校準(zhǔn)會直接影響缺陷密度計量的精確度

.

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