標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14847-1993》是一項(xiàng)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),全稱為《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法》。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了如何利用紅外反射技術(shù)來(lái)測(cè)定在重?fù)诫s硅基板上生長(zhǎng)的輕摻雜硅外延層的厚度,旨在為半導(dǎo)體工業(yè)中的材料分析和質(zhì)量控制提供一種精確、可靠的測(cè)量手段。
標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽
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范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的范圍,即適用于評(píng)估那些在高濃度摻雜的硅襯底上形成的低濃度摻雜硅外延層的厚度。這種結(jié)構(gòu)常見(jiàn)于特定的微電子器件和集成電路制造過(guò)程中。
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引用標(biāo)準(zhǔn):列出了實(shí)施本測(cè)量方法所需遵循的其他相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),確保測(cè)量過(guò)程的一致性和可比性。
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術(shù)語(yǔ)和定義:對(duì)涉及的專業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了解釋,幫助讀者理解如“重?fù)诫s”、“輕摻雜”、“外延層”、“紅外反射”等關(guān)鍵概念。
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原理:闡述了紅外反射測(cè)量的基本物理原理,即不同材質(zhì)和厚度的半導(dǎo)體層對(duì)紅外光的反射特性存在差異,通過(guò)分析反射光譜可以反推出外延層的厚度。
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儀器與設(shè)備:詳細(xì)描述了進(jìn)行測(cè)量所需的儀器類型、規(guī)格及校準(zhǔn)要求,確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
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樣品制備與處理:說(shuō)明了樣品的選取、切割、清洗以及必要的預(yù)處理步驟,以保證測(cè)量不受外來(lái)因素干擾。
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測(cè)量步驟:給出了詳細(xì)的測(cè)量操作流程,包括如何設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù)、進(jìn)行反射率測(cè)試、數(shù)據(jù)采集與處理等具體指導(dǎo)。
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數(shù)據(jù)處理與分析:介紹了如何根據(jù)收集到的紅外反射數(shù)據(jù),運(yùn)用特定的計(jì)算方法或模型來(lái)確定外延層的厚度,可能涉及光譜擬合、對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)曲線等方法。
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精度與誤差:討論了測(cè)量過(guò)程中可能出現(xiàn)的誤差來(lái)源及其對(duì)結(jié)果的影響,并提供了評(píng)估測(cè)量不確定度的方法。
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試驗(yàn)報(bào)告:規(guī)定了試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含的信息內(nèi)容,如樣品信息、測(cè)試條件、測(cè)量結(jié)果及不確定性評(píng)估等,以確保結(jié)果的透明度和可追溯性。
實(shí)施意義
本標(biāo)準(zhǔn)為半導(dǎo)體行業(yè)提供了一種標(biāo)準(zhǔn)化的方法學(xué),有助于提高不同實(shí)驗(yàn)室間測(cè)量結(jié)果的一致性和互認(rèn)性,對(duì)于優(yōu)化半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、提升生產(chǎn)效率及產(chǎn)品質(zhì)量控制具有重要價(jià)值。它不僅促進(jìn)了技術(shù)交流,也為新材料和工藝的研發(fā)奠定了基礎(chǔ)。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14847-2010
- 1993-12-24 頒布
- 1994-09-01 實(shí)施
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GB/T 14847-1993重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
UDC669.782:535.39-15王21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14847-93重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法TestmethodforthicknessofJightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance1993-12-24發(fā)布1994-09-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號(hào)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)重接雜襯底上輕接雜硅外延層厚度的紅紅外反射測(cè)量方法GB/T14847-93中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼:100045htp://電話:63787337、637874471994年7月第一版2004年12月電子版制作書(shū)號(hào):155066·1-10796版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話:(010)68533533
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層GB/T14847-93厚度的紅外反射測(cè)量方法Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了取摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于襯底室溫電阻率小于0.02·cm和外延層室溫電阻率大于0.1Q·cm且外延層厚度大于2Pm的硅外延層厚度的測(cè)量。2引用標(biāo)準(zhǔn)側(cè)試方法的精密度GB6379、通過(guò)實(shí)驗(yàn)室間試驗(yàn)確定標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法的重復(fù)性和再現(xiàn)性方法原理村底和外延層光學(xué)常數(shù)的差異導(dǎo)致試樣反射光譜出現(xiàn)連續(xù)極大極小光學(xué)干涉現(xiàn)象,根據(jù)極值波長(zhǎng)、外延層與襯底光學(xué)常數(shù)和入射角計(jì)算外延層厚度。4測(cè)量?jī)x器4.1紅外光譜儀4.1.1村里葉變換紅外光譜儀或雙光束紅外分光光度計(jì)。4.1.2被長(zhǎng)范圍2~60rm.本法常用波長(zhǎng)范圍為6~25mm。4.1.3被長(zhǎng)重復(fù)性不大于0.05mn.4.1.4波長(zhǎng)精度為士0.05m。4.2儀器附件4.2.1和儀器相匹配的反射附件,入射角不大于30°。4.2.2掩模由非反射材料制成,透光孔徑不大于8mm.5試樣要求5.1襯底和外延層導(dǎo)電類型及襯底電阻率應(yīng)是已知的。5.2試樣應(yīng)具有良好的光學(xué)表面以保證高的反射率,不應(yīng)有大面積的鈍化層.5.3正常工藝沉積
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