標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》相比于其前版《GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新和改進(jìn)：

  1. 技術(shù)內(nèi)容的修訂：2009版標(biāo)準(zhǔn)對測量原理、儀器要求、樣品制備、測試步驟及數(shù)據(jù)處理等方面的技術(shù)細(xì)節(jié)進(jìn)行了調(diào)整和優(yōu)化，以更準(zhǔn)確地反映當(dāng)前技術(shù)水平和測量需求。這些修訂旨在提高測量精度和可重復(fù)性。

  2. 測量范圍與精度要求：新版本可能對測量范圍或測量精度提出了更嚴(yán)格或更明確的要求，以適應(yīng)科技進(jìn)步和行業(yè)發(fā)展的需要，確保測試結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性。

  3. 儀器設(shè)備與技術(shù)方法：隨著紅外光譜技術(shù)的發(fā)展，2009版標(biāo)準(zhǔn)可能引入了新的儀器規(guī)格、校準(zhǔn)方法或者數(shù)據(jù)分析技術(shù)，以提升檢測效率和自動化水平，同時也可能對儀器的性能指標(biāo)提出了更高要求。

  4. 術(shù)語與定義：為適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和標(biāo)準(zhǔn)化工作的需要，新版標(biāo)準(zhǔn)可能對一些關(guān)鍵術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂或新增，以便于更好地理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 采樣與樣品處理：針對樣品的采集、制備和保存條件，2009版標(biāo)準(zhǔn)可能給出了更為詳細(xì)的操作指導(dǎo)，以減少因樣品處理不當(dāng)導(dǎo)致的測量誤差。

  6. 質(zhì)量控制與驗(yàn)證：新版本加強(qiáng)了對測量過程的質(zhì)量控制要求，可能增設(shè)了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)、質(zhì)控樣品分析等環(huán)節(jié)，以確保實(shí)驗(yàn)室間結(jié)果的一致性和可比性。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)適用性說明：為了使標(biāo)準(zhǔn)更加適用和易于理解，2009版可能對標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍、限制條件以及與其他標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性做了更清晰的闡述。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１５５８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１５５８—１９９７

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊狌犫狊狋犻狋狌狋犻狅狀犪犾犪狋狅犿犻犮犮犪狉犫狅狀犮狅狀犮犲狀狋狅犳

狊犻犾犻犮狅狀犫狔犻狀犳狉犪狉犲犱犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１５５８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４的主要差異如下：

———本標(biāo)準(zhǔn)在結(jié)構(gòu)上主要依照我國國標(biāo)編制格式，與ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４有所不同；

———本標(biāo)準(zhǔn)未引用“偏差”、“關(guān)鍵詞”兩章內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１５５８—１９９７《硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要有以下變化：

———對測量的碳原子含量有效范圍進(jìn)行了修改，室溫下從硅中代位碳原子含量５×１０１５ａｔ·ｃｍ－３

（０．１ｐｐｍａ）到碳原子的最大溶解度，７７Ｋ時檢測下限為５×１０１４ａｔ·ｃｍ－３（０．０１ｐｐｍａ）；

———補(bǔ)充了“術(shù)語”、“干擾因素”“報告”三章；

———在“操作步驟”中增加了“儀器檢查”內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研

究所、峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：何秀坤、李靜、段曙光、梁洪。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１５５８—１９７９、ＧＢ／Ｔ１５５８—１９９７。

Ⅰ

書

犌犅／犜１５５８—２００９

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率高于３Ω·ｃｍ的ｐ型硅片及電阻率高于１Ω·ｃｍ的ｎ型硅片中代位碳原子

含量的測定，對于精密度要求不高的硅片，可以測量電阻率大于０．１Ω·ｃｍ的硅片中代位碳原子含量。

由于碳也可能存在于間隙位置，因而本方法不能測定總碳含量。

本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測定，但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測定。

本標(biāo)準(zhǔn)測量的碳原子含量的有效范圍：室溫下從硅中代位碳原子含量５×１０１５ａｔ·ｃｍ－３

（０．１ｐｐｍａ）到碳原子的最大溶解度，７７Ｋ時檢測下限為５×１０１４ａｔ·ｃｍ－３（０．０１ｐｐｍａ）。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ６６１８硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

背景光譜犫犪犮犽犵狉狅狌狀犱狊狆犲犮狋狉狌犿

在紅外光譜儀中，無樣品存在的情況下使用單光束測量獲得的譜線，通常包括氮?dú)?，空氣等信息?/p>

３．２

基線犫犪狊犲犾犻狀犲

從測量圖譜中碳峰的兩側(cè)最小吸光度處作出的一條切線，用來計(jì)算吸收系數(shù)α，如圖１所示。

３．３

基線吸收犫犪狊犲犾犻狀犲犪犫狊狅狉犫犪狀犮犲

與計(jì)算吸收峰高度的碳峰相對應(yīng)波數(shù)處的基線值。

３．４

傅里葉變換紅外光譜儀犉狅狌狉犻犲狉狋狉犪狀狊犳狅狉犿犻狀犳狉犪狉犲犱（犉犜犐犚）狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋犲狉

一種通過傅里葉變換將由干涉儀獲得的干涉圖轉(zhuǎn)換為振幅波數(shù)（或波長）光譜圖來獲取數(shù)據(jù)的紅

外光譜儀。

３．５

半高寬犳狌犾犾狑犻犱狋犺犪狋犺犪犾犳犿犪狓犻犿狌犿（犉犠犎犕）

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