標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 15615-1995是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),全稱(chēng)為《硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法》。此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)定硅片抗彎強(qiáng)度的具體試驗(yàn)步驟、所用設(shè)備要求、試樣制備方法以及測(cè)試結(jié)果的處理方式,旨在為硅材料及其制品的質(zhì)量控制和性能評(píng)估提供統(tǒng)一的測(cè)試指導(dǎo)。
標(biāo)準(zhǔn)適用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅或多晶硅切割而成的硅片,主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。它為這些硅片的機(jī)械強(qiáng)度,特別是抗彎強(qiáng)度的測(cè)定提供了標(biāo)準(zhǔn)化流程。
測(cè)試原理
測(cè)試基于三點(diǎn)彎曲法原理,通過(guò)在硅片表面施加集中載荷,直至硅片發(fā)生斷裂,以此來(lái)測(cè)量其抵抗彎曲破壞的能力。抗彎強(qiáng)度通過(guò)計(jì)算最大載荷與試樣截面的最小矩形面積之比獲得。
設(shè)備要求
- 彎曲測(cè)試機(jī):需具備穩(wěn)定加載速率和足夠精度以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
- 支撐座與加載頭:確保測(cè)試過(guò)程中試樣的支撐穩(wěn)固且加載點(diǎn)準(zhǔn)確。
- 測(cè)微計(jì)或電子天平:用于測(cè)量試樣尺寸和重量,以便計(jì)算截面面積。
- 夾具:適配硅片尺寸,保證加載均勻且不易滑脫。
試樣制備
- 試樣應(yīng)從完整的硅片上切割獲取,要求邊緣平整、無(wú)明顯缺陷。
- 規(guī)定試樣尺寸,通常包括長(zhǎng)度、寬度和厚度的具體要求。
- 對(duì)試樣進(jìn)行編號(hào)記錄,確保測(cè)試數(shù)據(jù)的可追溯性。
測(cè)試步驟
- 試樣安裝:將試樣放置于測(cè)試機(jī)的兩個(gè)支撐點(diǎn)之間,確保中心對(duì)齊。
- 加載測(cè)試:以恒定速率施加垂直力至試樣斷裂,記錄最大載荷。
- 數(shù)據(jù)記錄:測(cè)量斷裂后的試樣尺寸,計(jì)算抗彎強(qiáng)度。
結(jié)果處理
- 根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)計(jì)算每個(gè)試樣的抗彎強(qiáng)度,并統(tǒng)計(jì)分析所有試樣的平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差等統(tǒng)計(jì)指標(biāo)。
- 對(duì)異常數(shù)據(jù)進(jìn)行識(shí)別和處理,必要時(shí)進(jìn)行原因分析。
重復(fù)性和再現(xiàn)性
標(biāo)準(zhǔn)中可能包含有關(guān)測(cè)試重復(fù)性和再現(xiàn)性的要求或建議,以確保不同實(shí)驗(yàn)室間測(cè)試結(jié)果的一致性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
查看全部
- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1995-07-12 頒布
- 1996-02-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
9D.669.782-41:620.173.26百23中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15615—1995硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices1995-07-12發(fā)布1996-02-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法GB/T15615-1995Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片、研磨片和地光片(簡(jiǎn)稱(chēng)硅片)的抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向?yàn)?lt;111>和<100>的直拉、懸浮區(qū)熔硅單晶片的常溫下抗彎強(qiáng)度的測(cè)量。硅片厚度為250~900rm。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB12964硅單晶拋光片GB12965硅單晶切割片和研磨片3術(shù)語(yǔ)3.1抗彎強(qiáng)度f(wàn)lexurestrength試樣破碎時(shí)的最大彎曲應(yīng)力,對(duì)脆性材料通常是凸表面最大徑向張應(yīng)力,表征抗破碎的性能、3.22小攪度Iittledeflection圓片受到中心載荷彎曲時(shí),圓片中心面彎曲前后的最大位移與圓片厚度比為小量方法原理本標(biāo)準(zhǔn)采用簡(jiǎn)支圓片集中載荷沖擊法測(cè)定硅片抗彎強(qiáng)度。用一鋼球從1/4圓形軌道上滾下,沖擊軌道末端垂直放置的硅圓片試樣,不斷升高鋼球高度直到打碎硅片為止。根據(jù)由薄板理論及彈性力學(xué)理論推導(dǎo)出的公式(1)計(jì)算試樣抗彎強(qiáng)度:·(1)式中:0-硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試值,N/mm2;P-鋼球質(zhì)量kg;A試樣簡(jiǎn)支半徑:mm;試樣厚度,m田打破試樣時(shí)鋼球下滾垂直高度,mm;X(kg·mm-")、Y、Z:與硅材料彈性模量和泊松比有關(guān)的系數(shù),對(duì)<111)硅單晶片,分別為182.0.621及1.146;對(duì)<100)硅單晶片,分別為207,0.621及1.146。公式(1)是在薄板小曉度情況下導(dǎo)出,即要求圓片破碎時(shí)的最大抗度與試樣厚度比小于1/5,因此對(duì)不符合小攪度條
溫馨提示
- 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個(gè)人學(xué)習(xí)、研究之用,未經(jīng)授權(quán),嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等,侵權(quán)必究。
- 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本(可閱讀打?。驍?shù)字商品的特殊性,一經(jīng)售出,不提供退換貨服務(wù)。
- 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁(yè),非文檔質(zhì)量問(wèn)題。
最新文檔
- 2024年電子商務(wù)平臺(tái)軟件開(kāi)發(fā)與運(yùn)營(yíng)服務(wù)合同2篇
- 網(wǎng)管業(yè)務(wù)培訓(xùn)課程設(shè)計(jì)
- 八年級(jí)歷史下冊(cè)復(fù)習(xí)提要課件
- 抽樣調(diào)查課程設(shè)計(jì)
- 無(wú)主燈教學(xué)課程設(shè)計(jì)
- 花草移植課程設(shè)計(jì)
- 2024年藝術(shù)的語(yǔ)錄
- 水源熱泵課程設(shè)計(jì)
- 醫(yī)務(wù)科護(hù)士處理醫(yī)務(wù)事務(wù)
- 食品行業(yè)客服工作者感悟
- 教育學(xué)院院長(zhǎng)述職報(bào)告范文
- 杭州市西湖區(qū)2024年三年級(jí)數(shù)學(xué)第一學(xué)期期末學(xué)業(yè)質(zhì)量監(jiān)測(cè)試題含解析
- 2022-2023學(xué)年廣東省廣州市花都區(qū)六年級(jí)(上)期末英語(yǔ)試卷(含答案)
- 2024年湖南省高中學(xué)業(yè)水平合格考物理試卷真題(含答案詳解)
- 機(jī)動(dòng)車(chē)檢測(cè)站質(zhì)量手冊(cè)(根據(jù)補(bǔ)充技術(shù)要求修訂)
- 2024年(學(xué)習(xí)強(qiáng)國(guó))思想政治理論知識(shí)考試題庫(kù)與答案
- 上海上海市醫(yī)療急救中心招聘筆試歷年典型考題及考點(diǎn)附答案解析
- 《大數(shù)據(jù)分析技術(shù)》課程標(biāo)準(zhǔn)
- 2024年河南農(nóng)業(yè)職業(yè)學(xué)院?jiǎn)握新殬I(yè)適應(yīng)性測(cè)試題庫(kù)及參考答案
- 期末考試-公共財(cái)政概論-章節(jié)習(xí)題
- AED急救知識(shí)課件
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論