半導(dǎo)體物理(3)載流子統(tǒng)計(jì)分布

2023/2/2第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

（CarrierStatistics）載流子濃度=(∫狀態(tài)密度g(E)×分布函數(shù)f(E)dE)/V狀態(tài)密度g(E)—單位能量間隔中的量子態(tài)數(shù)（能級(jí)數(shù)）分布函數(shù)f(E)—能量為E的量子態(tài)被一個(gè)粒子占據(jù)的幾率.*狀態(tài)密度(Densityofstates)：金屬自由電子g(E)半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子gc(E)1.Electornconcentration(導(dǎo)帶中的電子濃度)2023/2/2對(duì)于Si,Ge其中:Ge:s:thenumberofellipsoidalsurfaceslyingwithinthefirstBrillouin導(dǎo)帶底電子狀態(tài)密度有效質(zhì)量Si:s=6s=(1/2)8=42023/2/2*分布函數(shù)f(E)半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子按能量的分布服從費(fèi)米統(tǒng)計(jì)分布?！柶澛植糵ermifunction非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體（nondegeneratedsemiconductor）簡(jiǎn)并半導(dǎo)體（degeneratedsemiconductor）2023/2/2*導(dǎo)帶電子濃度n令Etop→∞則χtop→∞2023/2/2導(dǎo)帶的有效狀態(tài)密度Nc電子占據(jù)量子態(tài)Ec的幾率2023/2/2*狀態(tài)密度：2023/2/22.Holeconcentration(價(jià)帶中的空穴濃度)*分布函數(shù)fV(E）fV(E）表示空穴占據(jù)能態(tài)E的幾率，即能態(tài)E不被電子占據(jù)的幾率。*價(jià)帶空穴濃度p0價(jià)帶的有效狀態(tài)密度Nv價(jià)帶頂部EV態(tài)被空穴占據(jù)的幾率2023/2/22023/2/23.施主能級(jí)上的電子濃度*狀態(tài)密度=所摻施主雜質(zhì)的濃度ND(E=ED)*分布函數(shù)fD(E）:施主雜質(zhì)能級(jí)與導(dǎo)帶中的能級(jí)不同,只能是以下兩種情況之一:

(1)

被一個(gè)有任一自旋方向的電子所占據(jù);(2)不接受電子*施主能級(jí)上的電子濃度nD電離了的施主濃度(ionizeddonors)2023/2/22023/2/24.受主能級(jí)上的空穴濃度*狀態(tài)密度=所摻受主雜質(zhì)的濃度NA(E=EA)*受主能級(jí)上的空穴濃度PA：*分布函數(shù)fA(E）（空穴占據(jù)受主能級(jí)的幾率）:電離了的受主雜質(zhì)濃度(ionizedacceptors)2023/2/2分析：n0

、p0的大小

與T、EF有關(guān)EF

的高低反映了半導(dǎo)體的摻雜水平。2n0

與p0的乘積與EF無關(guān)即與摻雜無關(guān)。3.電中性關(guān)系(ChargeNeutralityRelationship)2023/2/21.intrinsicsemiconductor2.3CarrierconcentrationandEFCalculations2023/2/2本征半導(dǎo)體的電中性方程:n0=p0=

ni兩邊取對(duì)數(shù)并整理,得:（載流子濃度和EF的計(jì)算）結(jié)論:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)Ei基本位于禁帶中央.2023/2/2本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)EF一般用Ei表示2023/2/2Intrinsiccarrierconcentrationni

：

(本征載流子濃度)

結(jié)論:本征載流子濃度ni隨溫度升高而增加.lnni~1/T基本是直線關(guān)系.電中性方程:以只含施主為例來分析：分溫區(qū)討論：(1)低溫弱電離區(qū)電中性方程2.extrinsicsemiconductor(非本征/雜質(zhì)半導(dǎo)體)Freeze-out2023/2/2兩邊取對(duì)數(shù)并整理,得:ED起了本征情況下EV的作用載流子濃度:2023/2/22023/2/2(2)中溫強(qiáng)電離區(qū)電中性方程兩邊取對(duì)數(shù)并整理,得:載流子濃度:(本征激發(fā)不可忽略)電中性方程(3)過渡區(qū)n0---多數(shù)載流子p0---少數(shù)載流子2023/2/2(4)高溫本征區(qū)(本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子遠(yuǎn)多于雜質(zhì)電離產(chǎn)生的載流子)電中性方程載流子濃度:2023/2/2溫區(qū)低溫中溫高溫

費(fèi)米能級(jí)載流子濃度2023/2/2（1）n~T分析、討論2023/2/2（2）EF~T2023/2/2（3）EF~摻雜（T一定，則NC也一定）T一定，ND越大，EF越靠近ECT一定，NA越大，EF越靠近EV。2023/2/2例.一塊補(bǔ)償硅材料，已知摻入受主雜質(zhì)濃度NA=1×1015cm-3,室溫下測(cè)得其費(fèi)米能級(jí)位置恰好與施主能級(jí)重合，并測(cè)得熱平衡時(shí)電子濃度n0=5×1015cm-3

。已知室溫下硅本征載流子濃度ni=1.5×1010cm-3。試問：（1）熱平衡時(shí)空穴濃度為多少？（2）摻入材料中的施主雜質(zhì)濃度為多少？（3）電離雜質(zhì)中心為多少？（4）中性雜質(zhì)中心為多少？2023/2/22023/2/22.4簡(jiǎn)并半導(dǎo)體（degenrratedsemiconductor）

對(duì)于簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,導(dǎo)帶底部的量子態(tài)基本被電子占滿.電子分布函數(shù)不再能近似為玻爾茲曼分布函數(shù)了,而要用費(fèi)米分布描述1載流子濃度2023/2/2費(fèi)米積分P762023/2/2當(dāng)摻雜濃度很高時(shí),會(huì)使

EF接近或進(jìn)入了導(dǎo)帶.—半導(dǎo)體簡(jiǎn)并化了.EC-EF>2k0T非簡(jiǎn)并2簡(jiǎn)并化條件0<EC-EF<

2k0T弱簡(jiǎn)并EC-EF<0簡(jiǎn)并2023/2/23雜質(zhì)帶形成