標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17574.10-2003 半導(dǎo)體器件　集成電路　第2-10部分：數(shù)字集成電路　集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范》這一標(biāo)準(zhǔn)主要針對數(shù)字集成電路中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的空白芯片制定了詳細(xì)的技術(shù)要求和測試方法。然而，您提供的信息中沒有直接給出另一個具體的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行對比，因此無法直接列出與某個特定前版或后續(xù)版本的具體變更內(nèi)容。

不過，通常此類標(biāo)準(zhǔn)的更新會涉及以下幾個方面：

  1. 技術(shù)參數(shù)更新：可能會調(diào)整存儲器的性能指標(biāo)，如訪問速度、功耗、數(shù)據(jù)保持能力、刷新周期等，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和市場需求。
  2. 測試方法優(yōu)化：隨著測試技術(shù)的發(fā)展，新的測試方法會被引入，以更準(zhǔn)確、高效地評估存儲器的性能和可靠性。
  3. 封裝形式和引腳定義：隨著封裝技術(shù)的進(jìn)步，標(biāo)準(zhǔn)可能會增加對新封裝形式的規(guī)定，或調(diào)整引腳排列和功能定義。
  4. 兼容性和互操作性要求：為了確保不同廠家的產(chǎn)品間能夠良好配合使用，標(biāo)準(zhǔn)可能會加入或修改兼容性及互操作性的相關(guān)規(guī)定。
  5. 安全與環(huán)境要求：考慮到環(huán)境保護(hù)和用戶安全，標(biāo)準(zhǔn)可能會新增或加強(qiáng)關(guān)于材料、有害物質(zhì)限制、能耗等方面的要求。

如果需要了解該標(biāo)準(zhǔn)與某一特定前版或后續(xù)版的具體變更詳情，建議直接查閱標(biāo)準(zhǔn)修訂說明或官方發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)比較文檔，這些資料會明確列出所有增刪改之處。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。

....

查看全部

  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2003-11-24 頒布
  • 2004-08-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 17574.10-2003半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范_第1頁
GB/T 17574.10-2003半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范_第2頁
GB/T 17574.10-2003半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范_第3頁
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束，剩余17頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 17574.10-2003半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17574.10-2003/IEC60748-2-10：1994QC790107集成電路半導(dǎo)體器件第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-Integratedcircuits-Part2-10:DigitalintegratedcircuitsBlankdetailspecificationforintegratedcircuitdynamicread/writememoriesCIEC60748-2-10:1994.SemiconductordeviceslntegratedcircuitsPart2:DigitalintegratedcircuitsSection10:Blankdetailspecificationforintegratedcircuitdynamicread/writememories,IDT)2003-11-24發(fā)布2004-08-01實(shí)施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T17574.10—2003/IEC60748-2-10:1994《半導(dǎo)體器件集成電路、數(shù)寧集成電路》分為十三個部分：GB/T5965—2000半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第一篇雙極型單片數(shù)字集成電路門電路(不包括自由邏輯陣列)空白詳細(xì)規(guī)范（idtIEC748-2-1：1991)GGB/T9424—1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路·第五篇（CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細(xì)規(guī)范（idtIEC748-2-5:1992)-GB/T17023—1997半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第二篇HHCMOS數(shù)字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族規(guī)范（idtIEC748-2-2：1992）—GB/T17024—1997半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第三篇HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC、54774HCT、54/74HCU系列空白詳細(xì)規(guī)范（idtIEC748-2-3:1992)-GB/T17572—1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第四篇CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列族規(guī)范(idtIEC748-2-4:1992)-IEC60748-2-6半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第六篇：微處理器集成電路空白詳細(xì)規(guī)范：第2部分：數(shù)字集成電路IEC60748-2-7半導(dǎo)體器件集成電路第七篇：熔絲式可編程雙極只讀存儲器集成電路空白詳細(xì)規(guī)范一IEC60748-2-8半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第八篇：集成電路靜態(tài)/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范集成電路第2部分：數(shù)字集成電路-IEC60748-2-9半導(dǎo)體器件第九篇：MOS紫外線擦除電可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范IEC60748-2-10:1994半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第十篇：集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范第2部分：數(shù)字集成電路-IEC60748-2-11半導(dǎo)體器件集成電路第十一篇；單電源電可擦和可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范——IEC60748-2-12半導(dǎo)體器件集集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第十二篇：可編程邏輯器件(PLDs)空白詳細(xì)規(guī)范第2部分：數(shù)字集成電路——IEC60748-2-20半導(dǎo)體器件集成電路第二十篇：低氣壓集成電路族規(guī)范本部分為第10部分，等同采用IEC60748-2-10:1994（QC790107）《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第10篇：集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范》英文版）本部分作了如下編輯性修改：1）刪除IEC原文中的前言。2）將所有引用文件放入本部分正文.已經(jīng)等同轉(zhuǎn)化為國家標(biāo)準(zhǔn)的引用國家標(biāo)準(zhǔn)，否則引用IEC原文。本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所（CESI)歸口。本部分起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所（CESI)本部分主要起草人：王琪、李燕榮。

GB/T17574.10—2003/IEC60748-2-10:1994半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范引言1EC電子元器件質(zhì)量評定體系遵循IEC的章程,并在IEC的授權(quán)下進(jìn)行工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評定程序.以這種方式使一個參加國按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有參加國同樣接受。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一.并且與下列標(biāo)準(zhǔn)一起使用。GB/T4728.12一1996電氣簡圖用圖形符號第12部分：二進(jìn)制邏輯元件(idtIEC617-12:1991)GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法(idtIEC749:1984，修改單1(1991).修改單2(1993））GB/T17574-1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路（idtIEC748-2：1985，修改單1（1991））IEC60068-2-17：1978環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封IEC60134:1961電子管、電真空管和類似的半導(dǎo)體器件的額定值體系IEC60747-10:1991/QC700000半導(dǎo)體器件：分立器件和集成電路子第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范1EC60748-11:1990/QC790100華導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)要求的資料本頁和下頁括號內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的資料相對應(yīng)，這些資料應(yīng)填入本規(guī)范相應(yīng)的欄中詳細(xì)規(guī)范的識別【1」授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱。C21詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號?？傄?guī)范和分規(guī)范的編號及版本號詳細(xì)規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的其他資料器件的識別【57主要功能和型號L67典型結(jié)構(gòu)(材料、主要工藝)和封裝資料。器件若具有若干種派生產(chǎn)品·則應(yīng)指出其特性差異詳細(xì)規(guī)范應(yīng)給出包括以下的簡短描述：-工藝(NM

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個人學(xué)習(xí)、研究之用，未經(jīng)授權(quán)，嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等，侵權(quán)必究。
  • 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數(shù)字商品的特殊性，一經(jīng)售出，不提供退換貨服務(wù)。
  • 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質(zhì)量問題。

評論

0/150

提交評論