GB/T 18858.3-2012低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備控制器-設(shè)備接口(CDI)第3部分：DeviceNet

ICS2913001

K30..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T188583—2012/IEC62026-32008

.代替:

GB/T18858.3—2002

低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備控制器-

設(shè)備接口CDI第3部分DeviceNet

():

Low-voltaeswitchearandcontrolear—Controller-deviceinterfaceCDI—

ggg()

Part3DeviceNet

:

(IEC62026-3:2008,IDT)

2012-11-05發(fā)布2013-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T188583—2012/IEC62026-32008

.:

目次

前言…………………………

Ⅰ

引言…………………………

Ⅱ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語(yǔ)和定義符號(hào)和縮略語(yǔ)………………

3、2

分類(lèi)………………………

47

特性………………………

59

產(chǎn)品信息…………………

666

常規(guī)服務(wù)安裝和運(yùn)輸條件……………

7,66

結(jié)構(gòu)和性能要求…………………………

868

測(cè)試………………………

991

參考文獻(xiàn)……………………

103

GB/T188583—2012/IEC62026-32008

.:

前言

低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備控制器設(shè)備接口分為個(gè)部分

GB/T18858《-(CDI)》3:

第部分總則

———1:;

第部分執(zhí)行器傳感器接口

———2:(AS-i);

第部分

———3:DeviceNet。

本部分為的第部分

GB/T188583。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備控制器設(shè)備接口第部

GB/T18858.3—2002《-(CDI)3

分

:DeviceNet》。

本部分與相比主要存在以下技術(shù)性差異

GB/T18858.3—2002,:

基礎(chǔ)報(bào)文協(xié)議中增加了新的服務(wù)

———5.2;

通過(guò)在中引用最新版的相關(guān)規(guī)定替代前一版本附錄中給出的詳細(xì)的應(yīng)

———5.3IEC61158(2007)

用層要求

;

新增了相應(yīng)的安全協(xié)議的要求通過(guò)引用

———5.6(IEC61784-3);

及中對(duì)電纜和連接器的連接規(guī)范的表現(xiàn)形式進(jìn)行了更改并增加了一個(gè)新的類(lèi)型

———8.28.4,;

及中新增加了對(duì)電磁兼容試驗(yàn)及邏輯試驗(yàn)的安全試驗(yàn)的引用

———8.109.3。

本部分等同采用低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備控制器設(shè)備接口第部分

IEC62026-3:2008《-3:

DeviceNet》。

本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本部分由全國(guó)低壓電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC189)。

本部分負(fù)責(zé)起草單位上海電器科學(xué)研究院上海電科電器科技有限公司

:、。

本部分參加起草單位常熟開(kāi)關(guān)制造有限公司浙江天正電氣股份有限公司杭州科豐電子有限公

:、、

司上海電器股份有限公司人民電器廠法泰電器江蘇股份有限公司上海電器設(shè)備檢測(cè)所中國(guó)質(zhì)量

、、()、、

認(rèn)證中心上海人民企業(yè)集團(tuán)溫州電器有限公司

、。

本部分主要起草人阮于東季慧玉章建兵

:、、。

本部分參加起草人邵建國(guó)李芃周志科李海兵丁高峰鄭靜張穎賈穎巍金靈滿

:、、、、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T18858.3—2002。

Ⅰ

GB/T188583—2012/IEC62026-32008

.:

引言

用于但不限于工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域這些應(yīng)用可包括限位開(kāi)關(guān)接近傳感器電力氣動(dòng)閥繼

DeviceNet,、、-、

電器電動(dòng)機(jī)起動(dòng)器操作面板模擬輸入模擬輸出和控制器

、、、、。

Ⅱ

GB/T188583—2012/IEC62026-32008

.:

低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備控制器-

設(shè)備接口CDI第3部分DeviceNet

():

1范圍

的本部分規(guī)定了單個(gè)或多個(gè)控制器與控制回路設(shè)備或開(kāi)關(guān)元件間的一種接口系統(tǒng)的

GB/T18858

技術(shù)要求

。

本部分適用于接口系統(tǒng)使用在同一根電纜內(nèi)的二對(duì)雙絞屏蔽線一對(duì)導(dǎo)線提供差動(dòng)通信介質(zhì)

———,

另一對(duì)導(dǎo)線提供設(shè)備電源這部分的目的在于制定一個(gè)使具有該接口的器件能夠互操作的技術(shù)要求

。。

本部分規(guī)定了的下列特定要求

DeviceNet:

控制器和開(kāi)關(guān)元件間的接口要求

———;

設(shè)備的正常工作條件

———;

結(jié)構(gòu)和性能要求

———。

驗(yàn)證一致性要求的試驗(yàn)

———。

這些特定要求是附加在之上的

GB/T18858.1。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

外殼防護(hù)等級(jí)代碼

GB4208—2008(IP)(IEC60529:2001,IDT)

工業(yè)科學(xué)和醫(yī)療射頻設(shè)備電磁騷擾特性限值和測(cè)量方法

GB4824—2004、(ISM)(CISPR11:

2003,IDT)

低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第部分控制電路電器和開(kāi)關(guān)元件接

GB/T14048.10—20085-2:

近開(kāi)關(guān)

(IEC60947-5-2:2004,IDT)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2006(IEC61000-4-2:2001,

IDT)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2006(IEC61000-4-

3:2002,IDT)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2008(IEC61000-

4-4:2004,IDT)

電磁兼容