標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 19501-2013 微束分析 電子背散射衍射分析方法通則》相比于其前版《GB/T 19501-2004 電子背散射衍射分析方法通則》，主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整：

  1. 范圍擴展：2013版標(biāo)準(zhǔn)在適用范圍上可能有所拓展，不僅涵蓋了更廣泛的樣品類型和分析需求，還可能納入了近年來技術(shù)進步帶來的新應(yīng)用領(lǐng)域。

  2. 術(shù)語和定義更新：隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，相關(guān)專業(yè)術(shù)語和定義可能有所變化或新增，以更準(zhǔn)確地反映當(dāng)前的理論和技術(shù)狀態(tài)。這有助于統(tǒng)一行業(yè)內(nèi)的溝通和理解。

  3. 技術(shù)內(nèi)容細(xì)化：新版標(biāo)準(zhǔn)可能對電子背散射衍射（EBSD）的實驗條件、數(shù)據(jù)采集、處理和分析方法給出了更為詳細(xì)和具體的規(guī)定，包括但不限于探測器技術(shù)、成像分辨率、數(shù)據(jù)分析軟件的使用指南等，以提高分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  4. 質(zhì)量控制與校準(zhǔn)：為了確保測試結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性，2013版標(biāo)準(zhǔn)可能加強了對儀器校準(zhǔn)、系統(tǒng)性能驗證及數(shù)據(jù)分析過程中的質(zhì)量控制要求，包括引入新的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)或程序。

  5. 數(shù)據(jù)解釋和報告：針對如何解釋EBSD圖譜、晶粒度測定、織構(gòu)分析等，新版標(biāo)準(zhǔn)可能提供了更加詳盡的指導(dǎo)原則，并對測試報告的格式和內(nèi)容提出了更具體的要求，便于信息的交流和比較。

  6. 安全與環(huán)境考量：考慮到實驗室操作的安全性和環(huán)境保護的重要性，2013版標(biāo)準(zhǔn)可能增添了關(guān)于實驗操作安全規(guī)范、樣品處理及廢棄物處置的相關(guān)指導(dǎo)。

這些變更旨在適應(yīng)科技進步，提升分析工作的標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化水平，促進微束分析技術(shù)在材料科學(xué)、地質(zhì)學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等多個領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-07-19 頒布
  • 2014-03-01 實施
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GB/T 19501-2013微束分析電子背散射衍射分析方法通則_第1頁
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文檔簡介

ICS7104050

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19501—2013

代替

GB/T19501—2004

微束分析電子背散射衍射分析方法通則

Microbeamanalysis—Generalguideforelectronbackscatterdiffractionanalysis

2013-07-19發(fā)布2014-03-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T19501—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替電子背散射衍射分析方法通則

GB/T19501—2004《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要內(nèi)容變化如下

GB/T19501—2004,:

增加了規(guī)范性引用文件見第章

———(2);

增加或修改了部分術(shù)語刪除晶粒夾角見第章

———,(3);

增加了分析步驟內(nèi)容見第章

———(4);

增加分析結(jié)果發(fā)布補充內(nèi)容見第章

———(5);

增加了附錄資料性附錄

———A();

修改了測量條件見第章

———(4);

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中試樣的制備

———;

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中分析步驟

———;

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中測量誤差

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寶鋼集團中央研究院

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人姚雷田青超鄭芳顧佳卿陳家光

:、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T19501—2004。

Ⅰ

GB/T19501—2013

微束分析電子背散射衍射分析方法通則

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子背散射衍射分析方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于安裝了電子背散射衍射附件的掃描電鏡和電子探針進行物相識別晶體取向顯微織

、、

構(gòu)以及晶界特性等方面的分析

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子探針定量分析方法通則

GB/T15074

檢測和校準(zhǔn)實驗室能力的通用要求

GB/T27025

微束分析電子背散射衍射取向測定方法通則

ISO24173(Microbeamanalysis—Guidelinesfor

orientationmeasurementusingelectronbackscatterdiffraction)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

電子背散射衍射electronbackscatterdiffractionEBSD

;

當(dāng)入射電子束照射到高傾斜的晶體樣品時其背散射電子與原子面發(fā)生的衍射

,。

32

.

電子背散射花樣electronbackscatterpatternEBSP

;

由電子背散射衍射產(chǎn)生的具有準(zhǔn)線性特征的并被探測器截獲的圖案即菊池帶可將其顯示在熒

、,,

光屏或照相膠片上

。

33

.

花樣中心patterncentrePC

;

熒光屏平面上的一點其垂線過電子束轟擊樣品點

,。

34

.

試樣與熒光屏的距離specimen-to-screendistanceSSD

;

花樣中心與試樣表面電子束轟擊點之間的距離

。

注如果試樣與熒光屏之間的距離變小那么將會向花樣中心方向縮小會觀察到更多的菊池帶

:,EBSP,。

35

.

Hough變換Houghtransform

能自動探測圖像內(nèi)特殊形狀特征的一種圖像處理的數(shù)學(xué)技術(shù)

。

注在中線性變換用于識別菊池帶在中的位置及取向使得花樣指數(shù)可以標(biāo)定每個菊池帶

:EBSD,HoughEBSP,。

在空間中被轉(zhuǎn)化為最大值而被識別這種變換本質(zhì)上是變換的一種特例一般情況下

Hough

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