標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 19922-2005 是一項由中國發(fā)布的國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法》。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了使用非接觸式方法來測量和評估硅片局部平整度的技術(shù)要求、測試原理、設(shè)備要求、測試步驟以及數(shù)據(jù)處理方法，以確保硅片質(zhì)量控制的一致性和可靠性。

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅或多晶硅制成的半導(dǎo)體硅片，特別是針對其表面及亞表面的微小凹凸不平進(jìn)行非破壞性的精確測量。這對于集成電路制造中對硅片表面質(zhì)量的高要求尤為重要。

測試原理

標(biāo)準(zhǔn)推薦的非接觸式測試方法通?；诠鈱W(xué)或激光干涉原理，如白光干涉法或激光散斑干涉法，這些技術(shù)能夠高靈敏度地檢測硅片表面極其微小的高度變化，而無需直接物理接觸樣品，避免了測試過程中的損傷風(fēng)險。

設(shè)備要求

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)說明了用于測試的儀器應(yīng)滿足的性能指標(biāo)，包括但不限于分辨率、精度、重復(fù)性及穩(wěn)定性等，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可比性。同時，要求測試環(huán)境控制在一定的溫度、濕度范圍內(nèi)，減少外界因素對測試結(jié)果的影響。

測試步驟

  1. 樣品準(zhǔn)備：確保硅片清潔無污染，按照規(guī)定要求放置于測試平臺上。
  2. 參數(shù)設(shè)置：根據(jù)硅片規(guī)格及測試需求，在測試設(shè)備上預(yù)設(shè)合適的掃描范圍、分辨率等參數(shù)。
  3. 數(shù)據(jù)采集：利用非接觸式測試設(shè)備對硅片表面進(jìn)行掃描測量，收集局部平整度的數(shù)據(jù)。
  4. 數(shù)據(jù)分析：運用規(guī)定的算法處理采集到的原始數(shù)據(jù)，計算出反映硅片平整度的關(guān)鍵指標(biāo)，如起伏度、粗糙度等。

數(shù)據(jù)處理與報告

標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)范了如何處理測試數(shù)據(jù)，包括數(shù)據(jù)濾波、統(tǒng)計分析方法等，并要求測試報告應(yīng)包含測試條件、測試結(jié)果、數(shù)據(jù)處理過程及結(jié)論，以便于結(jié)果的審核與追溯。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2005-09-19 頒布
  • 2006-04-01 實施
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GB/T 19922-2005硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19922—2005硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法Standardtestmethodsformeasuringsitefiatnessonsiliconwafersbynoncontactscanning2005-09-19發(fā)布2006-04-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T19922一2005本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ASTMF1530—94自動無接觸掃描測試硅片厚度、平整度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)檢測方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與ASTMF1530-—94相比.僅提供了其有關(guān)局部平整度測量的內(nèi)容.并在硅片尺寸及厚度上與其有所差異。相關(guān)術(shù)語及測試方法的精密度采用國家標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽單品硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所。本標(biāo)準(zhǔn)試驗驗證單位：北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：史、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會負(fù)責(zé)解釋本標(biāo)準(zhǔn)為首次發(fā)布

GB/T19922-2005硅片的局部平整度是直接影響到集成電路光刻等工藝線寬的質(zhì)量、成品率和可靠性的重要參數(shù)之為滿足我國硅材料的生產(chǎn)使用的實際需求，同時考慮到與國際的接軌.我們在對相關(guān)國外標(biāo)準(zhǔn)的充分理解、吸收的基礎(chǔ)上.綜合我國硅材料的生產(chǎn)使用情況及國際上硅材料的生產(chǎn)和微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀編制了本標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)是進(jìn)行硅片表面局部平整度測量的指導(dǎo)文件，目的是為硅片的供應(yīng)方與使用方提供一種通用的方法來更確切地了解硅片是否滿足規(guī)定的幾何要求。但在雙方進(jìn)行相關(guān)性測試比較之前不建議將此測試方法作為仲裁標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19922-2005硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感法測定硅片表面局部平整度的方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于無接觸、非破壞性地測量干燥、潔凈的半導(dǎo)體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250gm及以上的腐蝕、拋光及外延硅片規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注年代的引用文件.其隨后所有的修訂單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)。然而.鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語ASTMF1530—94自動無接觸掃描測試硅片厚度、平整度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)檢測方法術(shù)語和定義由GB/T14264確立的及以下半導(dǎo)體術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。局部平整度Siteflatncss當(dāng)硅片的背面為理想平面時,在硅片表面的局部定域內(nèi)，相對于特定參照平面的最大偏差，通常報告硅片上所有局部定域的最大值。如圖1所示。根據(jù)所選參照平面的不同，可分別用SF3R、SFLR、SFQR、SBIR或SF3D、SFLD、SFQD.SBID來表述。各術(shù)語的具體解釋詳見表1.表1術(shù)語SF3RSFLRSFQRSBIRSF3DSFLDSFQDSBID測量方式局部局部局部局部局部局部局部局部(S)(S)（S)(S)(S)（S）（S){S)參照表面正面正面背面正面正面正面正面背面(F)(F)(F)(B)（F)(F)(F)(B)三點總最佳局部最佳理想總最佳（L）局部最佳三點理想?yún)⒄掌矫妫↙)（Q)(3）(B

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