第八章半導體存儲器

第8章半導體存儲器8.1概述8.2只讀存儲器8.3隨機存取存儲器8.1概述

數(shù)字系統(tǒng)中用于存儲大量二進制信息的器件是存儲器。穿孔卡片→紙帶→磁芯存儲器→半導體存儲器

半導體存儲器的優(yōu)點：容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長等。

半導體存儲器是一種由半導體器件構成的能夠存儲數(shù)據(jù)、運算結果、操作指令的邏輯部件。用于計算機的內(nèi)存及數(shù)字系統(tǒng)存儲部件。6.1概述

8.1.1半導體存儲器的特點及分類

分成TTL和MOS存儲器兩大類。TTL型速度快，MOS型工藝簡單、集成度高、功耗低、成本低等特點。按制造工藝不同分類：8.1概述

按存儲信號的原理不同：分為靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器兩種。8.1.1半導體存儲器的特點及分類靜態(tài)存儲器是以觸發(fā)器為基本單元來存儲0和1的，在不失電的情況下，觸發(fā)器狀態(tài)不會改變；動態(tài)存儲器是用電容存儲電荷的效應來存儲二值信號的。電容漏電會導致信息丟失，因此要求定時對電容進行充電或放電。稱為刷新。動態(tài)存儲器都為MOS型。按工作特點不同：分成只讀存儲器（Read-OnlyMemory，簡稱ROM）和隨機存取存儲器（RandomAccessMemory，簡稱RAM）。8.1概述

8.1.1半導體存儲器的特點及分類半導體存儲器的分類如圖所示。

半導體存儲器主要是用作微型計算機中的內(nèi)存儲器，用于存放系統(tǒng)中的程序和數(shù)據(jù)。此外，也可用來構成組合邏輯電路。

8.1.2半導體存儲器的主要技術指標：半導體存儲器有兩個主要技術指標

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存儲容量和存取時間。1、存儲容量：存儲器中存儲單元個數(shù)叫存儲容量，即存放二進制信息的多少。存儲器中二值代碼都是以字的形式出現(xiàn)的。一個字的位數(shù)稱做字長。例如，16位構成一個字，該字的字長為16位。一個存儲單元只能存放一位二值代碼，要存儲字長為16的一個字，就需要16個存儲單元。若存儲器能夠存儲1024個字，就得有1024×16個存儲單元。通常，存儲容量應表示為字數(shù)×位數(shù)。例如，某存儲器能存儲1024個字，每個字4位，那它的存儲容量就為1024×4=4096，即該存儲器有4096個存儲單元。存儲器寫入（存）或者讀出（?。r，每次只能寫入或讀出一個字。若字長為8位，每次必須選中8個存儲單元。選中哪些存儲單元，由地址譯碼器的輸出來決定。即由地址碼來決定。地址碼的位數(shù)n與字數(shù)之間存在2n=字數(shù)的關系。如果某存儲器有十個地址輸入端，那它就能存210=1024個字。2、存取周期

連續(xù)兩次讀（寫）操作間隔的最短時間稱為存取周期。（2）一次性可編程ROM（PROM）。出廠時，存儲內(nèi)容全為1（或全為0），用戶可根據(jù)自己的需要編程，但只能編程一次。8.2只讀存儲器(ROM)

一．ROM的分類按照數(shù)據(jù)寫入方式特點不同，ROM可分為以下幾種：（1）固定ROM。廠家把數(shù)據(jù)寫入存儲器中，用戶無法進行任何修改。（3）光可擦除可編程ROM（EPROM）。采用浮柵技術生產(chǎn)的可編程存儲器。其內(nèi)容可通過紫外線照射而被擦除，可多次編程。（5）快閃存儲器（FlashMemory）。也是采用浮柵型MOS管，存儲器中數(shù)據(jù)的擦除和寫入是分開進行的，數(shù)據(jù)寫入方式與EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/寫入100次以上。（4）電可擦除可編程ROM（E2PROM）。也是采用浮柵技術生產(chǎn)的可編程ROM，但是構成其存儲單元的是隧道MOS管，是用電擦除，并且擦除的速度要快的多（一般為毫秒數(shù)量級）。E2PROM的電擦除過程就是改寫過程，它具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時改寫（可重復擦寫1萬次以上）。8.2

只讀存儲器（ROM）1.固定ROM

只讀存儲器所存儲的內(nèi)容一般是固定不變的，正常工作時只能讀數(shù)，不能寫入，并且在斷電后不丟失其中存儲的內(nèi)容，故稱為只讀存儲器。ROM組成：地址譯碼器存儲矩陣輸出電路ROM結構方框圖

地址譯碼器有n個輸入端，有2n個輸出信息，每個輸出信息對應一個信息單元，而每個單元存放一個字，共有2n個字（W0、W1、…W2n-1稱為字線）。

每個字有m位，每位對應從D0、D1、…Dm-1輸出（稱為位線）。

存儲器的容量是2n×m(字線×位線)。

ROM中的存儲體可以由二極管、三極管和MOS管來實現(xiàn)。8.2

只讀存儲器（ROM）1.固定ROM二極管ROM

字的讀出方法

在對應的存儲單元內(nèi)存入的是1還是0，是由接入或不接入相應的二極管來決定的。存儲矩陣為了便于表達和設計，通常將圖6-5簡化如圖6-7所示。4×4ROM陣列圖

有存儲單元地址譯碼器二極管ROM

在編程前，存儲矩陣中的全部存儲單元的熔絲都是連通的，即每個單元存儲的都是1。用戶可根據(jù)需要，借助一定的編程工具，將某些存儲單元上的熔絲用大電流燒斷，該單元存儲的內(nèi)容就變?yōu)?，此過程稱為編程。熔絲燒斷后不能再接上，故PROM只能進行一次編程。2．可編程只讀存儲器（PROM）

PROM的可編程存儲單元3．可擦可編程ROM（EPROM）

最早出現(xiàn)的是用紫外線照射擦除的EPROM。浮置柵MOS管（簡稱FAMOS管）的柵極被SiO2絕緣層隔離，呈浮置狀態(tài)，故稱浮置柵。

當浮置柵帶負電荷時，F(xiàn)AMOS管處于導通狀態(tài)，源極－漏極可看成短路，所存信息是0。

若浮置柵上不帶有電荷，則FAMOS管截止，源極－漏極間可視為開路，所存信息是1。

浮置柵EPROM(a)浮置柵MOS管的結構

(b)EPROM存儲單元帶負電-導通-存0不帶電-截止-存1浮置柵EPROM出廠時，所有存儲單元的FAMOS管浮置柵都不帶電荷，F(xiàn)AMOS管處于截止狀態(tài)。寫入信息時，在對應單元的漏極與襯底之間加足夠高的反向電壓，使漏極與襯底之間的PN結產(chǎn)生擊穿，雪崩擊穿產(chǎn)生的高能電子堆積在浮置柵上，使FAMOS管導通。當去掉外加反向電壓后，由于浮置柵上的電子沒有放電回路能長期保存下來，在的環(huán)境溫度下，７０％以上的電荷能保存１０年以上。如果用紫外線照射FAMOS管１０～３０分鐘，浮置柵上積累的電子形成光電流而泄放，使導電溝道消失，F(xiàn)AMOS管又恢復為截止狀態(tài)。為便于擦除，芯片的封裝外殼裝有透明的石英蓋板。圖(a)Flotox管結構及符號圖(b)Flotox管存儲單元采用了一種叫做Flotox（FloatinggateＴunnelOxide）的浮柵隧道氧化層的MOS管，簡稱Flotox管。Flotox管與SIMOS管相似,它也屬于N溝道增強型的MOS管,并且有兩個柵極一一控制柵Gc和浮置柵Gf，其結構及符號如圖所示。4、E2PROMFlotox管的浮置柵與漏區(qū)之間有一個氧化層極薄的隧道區(qū)。當隧道區(qū)的電場強度大到一定程度時,便在漏區(qū)和浮置柵之間出現(xiàn)導電隧道,電子可以雙向通過,形成電流。這種現(xiàn)象稱為隧道效應。為了提高擦、寫的可靠性,并保護隧道區(qū)超薄氧化層,在E2PROM的存儲單元中除Ｆlotox管以外還附加了一個選通管,如圖(b),T2為普通的N溝道增強型MOS管(也稱選通管)。根據(jù)浮置柵上是否充有負電荷來區(qū)分單元的1或0狀態(tài)。由于存儲單元用了兩只MOS管。限制了E2PROM集成度的提高?？扉W存儲器吸收了EPROM結構簡單、編程可靠的優(yōu)點,又保留了E2ROM用隧道效應擦除的快捷特性,而且集成度可以作得很高。下圖是快閃存儲器采用的疊柵MOS管的結構示意圖及符號。5．快閃存儲器(FlashMemory)圖快閃存儲器中的MOS管浮置柵一源區(qū)間的電容要比浮置柵一控制柵間的電容小得多。當控制柵和源極間加上電壓時,大部分電壓都將降在浮置柵與源極之間的電容上?？扉W存儲器的存儲單元就是用這樣一只單管組成的,如圖所示。圖快閃存儲器中的MOS單元電路5．快閃存儲器(FlashMemory)快閃存儲器糅合了PROM的特點，具有集成度高、容量大、成本低和使用方便優(yōu)點。產(chǎn)品的集成度在逐年提高,目前,快閃存儲器已經(jīng)成為較大容量磁性存儲器(例如PC機中的軟磁盤和硬磁盤等)的替代產(chǎn)品。5．快閃存儲器(FlashMemory)二極管固定ROM舉例（1）電路組成：由二極管與門和或門構成。與門陣列組成譯碼器，或門陣列構成存儲陣列。（2）輸出信號表達式與門陣列輸出表達式：（3）ROM存儲內(nèi)容的真值表或門陣列輸出表達式：1.作函數(shù)運算表電路【例7.2—1】試用ROM構成能實現(xiàn)函數(shù)y=x2的運算表電路，x的取值范圍為0～15的正整數(shù)。ROM的應用【解】（1）分析要求、設定變量自變量x的取值范圍為0～15的正整數(shù)，對應的4位二進制正整數(shù)，用B=B3B2B1B0表示。根據(jù)y=x2的運算關系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二進制數(shù)Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。（2）列真值表—函數(shù)運算表Y7=m12+m13+m14+m15（3）寫標準與或表達式Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15Y3=m3+m5+m11+m13Y1=0Y2=m2+m6+m10+m14(4)畫ROM存儲矩陣結點連接圖為做圖方便，我們將ROM矩陣中的二極管用節(jié)點表示。Y0=m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15【解】

（1）寫出各函數(shù)的標準與或表達式：按A、B、C、D順序排列變量，將Y1、Y2、Y4擴展成為四變量邏輯函數(shù)。2.實現(xiàn)任意組合邏輯函數(shù)【例7.2—2】試用ROM實現(xiàn)下列函數(shù)：（2）選用16×4位ROM，畫存儲矩陣連線圖：8.3隨機存取存儲器（RAM）

隨機存取存儲器又叫隨機讀/寫存儲器，簡稱RAM，指的是可以從任意選定的單元讀出數(shù)據(jù)，或將數(shù)據(jù)寫入任意選定的存儲單元。

優(yōu)點：讀寫方便，使用靈活。

缺點：掉電丟失信息。

分類：

SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）

DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）

由存儲矩陣、地址譯碼器、讀寫控制器、輸入/輸出控制、片選控制等幾部分組成。8.3隨機存取存儲器（RAM）8.３.１RAM的基本結構片選及輸入/輸出控制電路當選片信號CS＝1時，G5、G4輸出為0，三態(tài)門G1、G2、G3均處于高阻狀態(tài)，輸入/輸出（I/O）端與存儲器內(nèi)部完全隔離，存儲器禁止讀/寫操作，即不工作；當CS＝0時，芯片被選通：當＝1時，G5輸出高電平，G3被打開，于是被選中的單元所存儲的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O端，存儲器執(zhí)行讀操作；當＝0時，G4輸出高電平，G1、G2被打開，此時加在I/O端的數(shù)據(jù)以互補的形式出現(xiàn)在內(nèi)部數(shù)據(jù)線上，存儲器執(zhí)行寫操作。六MOS管組成存儲單元圖六管NMOS靜態(tài)存儲單元8.3.２靜態(tài)RAMT1、T2、T3、T4基本RS觸發(fā)器，T5、T6為門控管，當Xi為1時，T5、T6導通，觸發(fā)器輸出與位線連接；當Xi為0時，T5、T6截止，觸發(fā)器輸出與位線斷開。T7、T8門控管，當Yj=1時，T7、T8導通，位線和數(shù)據(jù)線接通；Yj=0時，位線與數(shù)據(jù)線斷開。T7、T8是數(shù)據(jù)存入或讀出存儲內(nèi)容的控制通道。

T1、T2、T3、T4基本RS觸發(fā)器，T5、T6為門控管，當Xi為1時，T5、T6導通，觸發(fā)器輸出與位線連接；當Xi為0時，T5、T6截止，觸發(fā)器輸出與位線斷開。T7、T8門控管，當Yj=1時，T7、T8導通，位線和數(shù)據(jù)線接通；Yj=0時，位線與數(shù)據(jù)線斷開。T7、T8是數(shù)據(jù)存入或讀出存儲內(nèi)容的控制通道。8.３.３動態(tài)RAM動態(tài)RAM與靜態(tài)RAM的區(qū)別在于：信息的存儲單元是由門控管和電容組成。用電容上是否存儲電荷表示存1或存0。為防止因電荷泄漏而丟失信息，需要周期性地對這種存儲器的內(nèi)容進行重寫，稱為刷新。動態(tài)MOS存儲單元電路主要是三管和單管結構。右圖是單管動態(tài)MOS存儲單元電路，由門控管T和CS構成。寫入信息時，字線為高電平，T導通，對電容CS充電，相當于寫入1信息。讀出信息時，字線仍為高電平，T導通CS上信號電壓VS經(jīng)過T對C0提供電荷，CS上的電荷將在CS、C0上重新分配，讀出電壓VR為：１.單管動態(tài)存儲單元單管動態(tài)MOS存儲器因為C0>>CS，所以讀出電壓比VS小得多，而且每讀一次，CS上電荷要少很多，造成破壞性讀出。所以通常要求將讀出的數(shù)據(jù)重新寫入原單元。１.單管動態(tài)存儲單元單管動態(tài)MOS存儲器單管電路的結構簡單，但需要使用較靈敏的讀出放大器，而且每次讀出后必須刷新，因而外圍控制電路比較復雜。動態(tài)存儲單元的電路結構比靜態(tài)存儲單元的結構簡單，所以可達到很高的集成度。但不如靜態(tài)存儲器使用方便，速度也比靜態(tài)存儲器慢得多。１.單管動態(tài)存儲單元

２.三管動態(tài)存儲單元三管動態(tài)MOS存儲單元如所示。T2為存儲管，T3為讀門控管，T1為寫門控管，T4為同一列公用的預充電管。代碼以電荷的形式存儲在T2管的柵極電容C中，C上的電壓控制T2管的狀態(tài)。讀出數(shù)據(jù)：輸入預充電脈沖，T4通，CD充電到VDD，讀數(shù)據(jù)線置1。讀選擇線置1，若C上原來有電荷，T2、T3通，CD放電，數(shù)據(jù)線輸出0。若C上沒電荷，T2止，CD無放電回路，讀數(shù)據(jù)線為1，相當反碼輸出。經(jīng)讀放大器放大并反相后輸出即為讀出數(shù)據(jù)。寫入數(shù)據(jù)：令寫選擇線為高電平，T1導通，當寫入1時，數(shù)據(jù)線為高電平，通過T1對C充電，1信號便存到C上。三管電路的讀、寫選擇線和數(shù)據(jù)線是分開的，刷新操作需要通過外圍電路控制，所以電路比較復雜，存儲單元與外圍電路的連線也較多。8.3.4存儲器容量的擴展存儲器的容量：字數(shù)×位數(shù)

將多片存儲器經(jīng)適當?shù)倪B接，組成位數(shù)增多、字數(shù)不變的存儲器。⑴位擴展（即字長擴展）：①多個單片RAM的I/O端并行輸出。②多個R