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文檔簡(jiǎn)介

1.1PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?.半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性:(可做成溫度敏感元件,如熱敏電阻)。摻雜性:往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì),導(dǎo)電能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件,如二極管、三極管和晶閘管等)。光敏性:當(dāng)受到光照時(shí),導(dǎo)電能力明顯變化(可做成各種光敏元件,如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。熱敏性:當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)

對(duì)于元器件,重點(diǎn)放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標(biāo)和正確使用方法,不要過(guò)分追究其內(nèi)部機(jī)理。討論器件的目的在于應(yīng)用。第一節(jié)常用半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

將所有的物質(zhì)按照導(dǎo)電性能進(jìn)行分類(lèi),可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類(lèi)。導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體:另有一類(lèi)物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱為半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeSi現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。1.1.1本征半導(dǎo)體完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體,稱為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)共價(jià)健共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子,稱為價(jià)電子。

Si

Si

Si

Si價(jià)電子

Si

Si

Si

Si價(jià)電子

價(jià)電子在獲得一定能量(溫度升高或受光照)后,即可掙脫原子核的束縛,成為自由電子(帶負(fù)電),同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位,稱為空穴(帶正電)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)??昭囟扔?,晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子在外電場(chǎng)的作用下,空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ),而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴,其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)(相當(dāng)于正電荷的移動(dòng))。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理

當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí),在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流

(1)自由電子作定向運(yùn)動(dòng)電子電流

(2)價(jià)電子遞補(bǔ)空穴空穴電流注意:

(1)本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少,其導(dǎo)電性能很差;(2)溫度愈高,載流子的數(shù)目愈多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就愈好。所以,溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能影響很大。自由電子和空穴都稱為載流子。自由電子和空穴成對(duì)地產(chǎn)生的同時(shí),又不斷復(fù)合。在一定溫度下,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。1.1.2N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加,自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。摻入五價(jià)元素

Si

Si

Si

Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電子變?yōu)檎x子在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)(某種元素),形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。

在N

型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。動(dòng)畫(huà)1.1.2N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體

摻雜后空穴數(shù)目大量增加,空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。摻入三價(jià)元素

Si

Si

Si

Si

在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個(gè)電子變?yōu)樨?fù)離子空穴動(dòng)畫(huà)無(wú)論N型或P型半導(dǎo)體都是中性的,對(duì)外不顯電性。1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與

(a.摻雜濃度、b.溫度)有關(guān)。2.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子的數(shù)量與(a.摻雜濃度、b.溫度)有關(guān)。3.當(dāng)溫度升高時(shí),少子的數(shù)量(a.減少、b.不變、c.增多)。abc4.在外加電壓的作用下,P型半導(dǎo)體中的電流主要是

,N型半導(dǎo)體中的電流主要是。(a.電子電流、b.空穴電流)ba1.1.3PN結(jié)的形成載流子的兩種運(yùn)動(dòng)——擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng):電中性的半導(dǎo)體中,載流子從濃度高的區(qū)域向濃度較低區(qū)域的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng):在電場(chǎng)作用下,載流子有規(guī)則的定向運(yùn)動(dòng)。PN結(jié)的形成多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng),而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬??臻g電荷區(qū)也稱PN結(jié)擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,空間電荷區(qū)的厚度固定不變。----------------++++++++++++++++++++++++--------動(dòng)畫(huà)形成空間電荷區(qū)1.1.4PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)加正向電壓(正向偏置)PN結(jié)變窄P接正、N接負(fù)外電場(chǎng)IF內(nèi)電場(chǎng)被削弱,多子的擴(kuò)散加強(qiáng),形成較大的擴(kuò)散電流。

PN結(jié)加正向電壓時(shí),PN結(jié)變窄,正向電流較大,正向電阻較小,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。內(nèi)電場(chǎng)PN------------------++++++++++++++++++動(dòng)畫(huà)+–1、了解PN結(jié)的形成濃度差

多子擴(kuò)散空間電荷區(qū)(雜質(zhì)離子)

內(nèi)電場(chǎng)

促使少子漂移

阻止多子擴(kuò)散

PN結(jié)的實(shí)質(zhì):PN結(jié)=空間電荷區(qū)=耗盡層1.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性三、PN結(jié)2、掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦?1)PN結(jié)加正向電壓(正向偏置)PN結(jié)變窄

P接正、N接負(fù)

外電場(chǎng)I內(nèi)電場(chǎng)被削弱,多子的擴(kuò)散加強(qiáng),形成較大的擴(kuò)散電流。PN結(jié)加正向電壓時(shí),正向電流較大,PN結(jié)導(dǎo)通。內(nèi)電場(chǎng)PN------------------+++++++++++++++++++–RI(2)PN結(jié)加反向電壓(反向偏置)外電場(chǎng)P接負(fù)、N接正內(nèi)電場(chǎng)PN+++------+++++++++---------++++++---–+2、掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)變寬外電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng),少子的漂移加強(qiáng),由于少子數(shù)量很少,形成很小的反向電流。ISP接負(fù)、N接正溫度越高少子的數(shù)目越多,反向電流將隨溫度增加。–+PN結(jié)加反向電壓時(shí),PN結(jié)變寬,反向電流較小,反向電阻較大,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)電場(chǎng)PN+++------+++++++++---------++++++---正向?qū)?,反向截?、掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦?2)PN結(jié)加反向電壓(反向偏置)IS二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電

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