標準解讀
《GB/T 26071-2018 太陽能電池用硅單晶片》相較于《GB/T 26071-2010 太陽能電池用硅單晶切割片》在多個方面進行了更新和調(diào)整。首先,新標準的名稱由“太陽能電池用硅單晶切割片”變更為“太陽能電池用硅單晶片”,這一變化反映了技術(shù)進步帶來的生產(chǎn)方式多樣化,不再局限于切割工藝。
在適用范圍上,《GB/T 26071-2018》更加廣泛地涵蓋了不同類型和規(guī)格的硅單晶片,包括但不限于通過線鋸切割、激光切割等方法制備的產(chǎn)品。此外,對于硅片的質(zhì)量要求也有所提高,增加了對表面缺陷如微裂紋、劃痕等的具體描述及檢測方法,旨在進一步保障產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可靠性。
針對幾何尺寸與偏差,《GB/T 26071-2018》給出了更嚴格的控制指標,并且引入了新的測量技術(shù)和設(shè)備來確保精度。同時,在電學(xué)性能方面新增了一些測試項目,比如少數(shù)載流子壽命的測定,這對于評估硅片材料的質(zhì)量及其應(yīng)用于太陽能電池時的效率至關(guān)重要。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-09-17 頒布
- 2019-06-01 實施
文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標準
GB/T26071—2018
代替
GB/T26071—2010
太陽能電池用硅單晶片
Monocrystallinesiliconwafersforsolarcells
2018-09-17發(fā)布2019-06-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T26071—2018
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替太陽能電池用硅單晶切割片與相比主要
GB/T26071—2010《》。GB/T26071—2010,
技術(shù)變化如下
:
將標準名稱太陽能電池用硅單晶切割片修改為太陽能電池用硅單晶片見封面年
———《》《》(,2010
版的封面
);
修改了范圍中本標準適用性的描述見第章年版的第章
———(1,20101);
修改了電阻率測定引用標準替代了見第章年版的第章
———,GB/T1551GB/T1552(2,20102);
增加引用標準和
———GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859、GB/T30860、GB/T30869YS/T28
見第章年版的第章
(2,20102);
刪除了線痕的定義見年版
———(20103.1);
增加了產(chǎn)品牌號的表示方法見
———(4.1);
將產(chǎn)品分類中按外形可分為準方形和圓形兩種修改為按外形可分為準方形和方形兩種
———“”“”,
標準中刪除了圓形分類及其要求增加了方形見年版的
,(4.2.2,20104.1);
產(chǎn)品尺寸由準方形硅片按其邊長分為修改為準方形
———“125mm×125mm、156mm×156mm”“
硅片按其邊長分為見
100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm”(
年版的
4.2.2,20104.2);
刪除了圓形硅片的尺寸增加了方形硅片按其尺寸可分為
———,“100.75mm、125.75mm、
的要求見年版的
156.75mm、210.75mm”(4.2.2,20104.2);
增加了理化性能即硅片的晶體完整性氧含量和碳含量應(yīng)符合的規(guī)定如有
———,“、GB/T25076。
需要由供方提供各項檢驗結(jié)果見
,”(5.1);
增加了硅片厚度相對應(yīng)的要求刪除了硅片厚度
———“130±15、140±15、150±15、170±20”;“220±
相對應(yīng)的要求修改了翹曲度指標要求見年版的
20、240±20”;(5.2.1,20104.3.1);
修改了準方形硅片尺寸的要求見年版的
———(5.2.2,20104.3.2);
增加了方形硅片尺寸的要求見
———(5.2.3);
刪除了硅片的導(dǎo)電類型摻雜劑少數(shù)載流子壽命和晶體完整性應(yīng)符合的規(guī)定
———“、、GB/T25076”
見年版的
(20104.3.3.1);
電學(xué)性能參數(shù)中的電阻率范圍下限由改為型型見
———0.5Ω·cmP0.2Ω·cm,N0.1Ω·cm(
年版的
5.3.2,20104.3.3.2);
修改了晶向偏離度的要求見年版的
———(5.4,20104.3.4);
修改了硅片線痕深度崩邊缺口的要求見年版的
———、、(5.5,20104.3.5);
修改了導(dǎo)電類型和晶向的檢查水平見表年版的表
———(6,20106)。
本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心有研半導(dǎo)體材料有限公司泰州隆基樂葉光伏科技
:、、
有限公司蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司隆基綠能科技股份有限公司內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司宜
、、、、
昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院
、。
本標準主要起草人樓春蘭毛衛(wèi)中鄒劍秋汪新華孫燕楊素心劉培東宮龍飛鄧浩李建弘
:、、、、、、、、、、
徐博許國華張軍
、、。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T26071—2010。
Ⅰ
GB/T26071—2018
太陽能電池用硅單晶片
1范圍
本標準規(guī)定了太陽能電池用硅單晶片簡稱硅片的牌號及分類要求試驗方法檢驗規(guī)則標志
()、、、、、
包裝運輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容等
、、、()。
本標準適用于由直拉法制備的硅單晶加工成的準方形或方形硅片產(chǎn)品用于制作太陽能電池的襯
,
底片
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法
GB/T1550
硅單晶電阻率測定方法
GB/T1551
半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
GB/T1555
計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣
GB/T2828.1—20121:(AQL)
計劃
半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法
GB/T6616
硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T6618
硅片彎曲度測試方法
GB/T6619
硅片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T6
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