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文檔簡介

第七章

晶體中電子在恒定電場磁場中的運動一、準經(jīng)典運動1.

波包的概念12.

準經(jīng)典運動的基本方程

{

dt3.

電子的加速度

a

k

k

E

1

h2

k

k

E

F簡約區(qū)中自由電子能帶的表示法自由電子能量:

E(n0

)

k

E(n0)

k

+

Gn

k

+Gn

對于二維、三維晶體,

通常都是沿某對稱軸方向求出En(k)函數(shù)的表達式,

畫出En(k)

-k的曲線,給出相應的簡并度。能態(tài)密度與費米面1.

能態(tài)密度:

N

E

2r

k

等能面

dS

E

kN(E)在能帶底和能帶頂,電子的能態(tài)密度為零,而在能帶中的某處能態(tài)密度達到最大。v

緊束縛近似的能態(tài)密度(簡單立方的s帶)v近自由電子的能態(tài)密度N(E)EE若電子的能量函數(shù)E(k)已知,即可根據(jù)上式求出其能態(tài)密度。對于等能面為橢球面的情況,可先求出在能量為E的橢球中的能態(tài)總數(shù)Z(E):Z

E

2rk

k

空間中能量為E的橢球體積能態(tài)密度:

N

E

近自由電子的費米面hN

2r

k

p

k

2

p

k

(二維)h:平均每個原子的價電子數(shù),

即電子濃度或電子-原子比S:二維晶體的面積簡約區(qū)內(nèi)切球(圓)的半徑k1簡約區(qū)內(nèi)切球(圓)的飽和電子濃度(飽和電子-原子比)F2F2h1N

2r

k

p

k12(二維)常用公式:Bloch函數(shù):

yk

r

eik

ruk

r

自由電子能量:

En

k

k

Gn

'

2布里淵區(qū)邊界處近自由電子的能量突變:

E

2

U

緊束縛近似:E

k

ej

J0

J

Rs

exp

ik

Rs

Rs

近鄰格矢能態(tài)密度:

N

E

2r

k

等能面價電子總數(shù):

hN

2

p

k

(三維)F3nv能態(tài)密度的一般表達式,給定E(k)函數(shù),求出相應的能態(tài)密度及特殊形狀等能面的能態(tài)密度;v近自由電子的費米面,

費米面的構造步驟與修正依據(jù);v給定晶體結(jié)構和電子濃度(即平均每個原子貢獻的價電子數(shù)),求相應自由電子的費米半徑kF

,畫出相應的近自由電子在簡約區(qū)中各能帶的費米面圖形;v簡約區(qū)的內(nèi)切球(

圓)k1和外接球(

圓)半徑k2及其相應的飽和電子濃度(即飽和電子-原子比)。在一般情況下,電子的加速度與所受的外場力的方向并不一致。

有效質(zhì)量概念

2

E倒有效質(zhì)量張量

2

E

E

ky

kz

22

2

E

kz

kx

2

E

k

z2

kx

ky

2

E

kx

kz

kx2

k

2

Ey2

k

k

2

Ez

yv倒有效質(zhì)量是對稱張量,存在主軸方向,沿張量的主軸方向,有效質(zhì)量可對角化;v有效質(zhì)量中包含了周期場對電子的影響;v在一般情況下,有效質(zhì)量是二階張量,特殊情況下也可退化為標量;v有效質(zhì)量可大于電子的真實質(zhì)量,也可小于電子的真實質(zhì)量,還可以為負值;v在能帶底電子能量E(k)取極小值,所以m*>

0;在能帶頂E(k)取極大值,所以m*<

0??昭ǖ母拍睿簐空穴是一種帶正電荷e

,具有正的有效質(zhì)量|m*|的準粒子;v空穴反映的是近滿帶中所有電子的集體行為,它不能脫離晶體而單獨存在,只是一種準粒子;v電子導電性:

導帶底有一些電子所產(chǎn)生的導電性;空穴導電性:

價帶頂缺少一些電子所產(chǎn)生的導電性;v金屬中的載流子既可以是電子也可以是空穴。導體、

絕緣體和半導體v導帶、滿帶和近滿帶的導電能力;v導體、

絕緣體和半導體能帶結(jié)構及其對導電性的影響;v半導體的本征導電性與非本征導電性;v金屬導體和半導體的本征導電率(或電阻率)隨溫度的變化規(guī)律有何不同?其導電機制有何不同?v

價堿土金屬之所以是金屬導體的原因是由于其最外層的ns能帶與其上面的能帶發(fā)生能帶重疊,如何從其X射線發(fā)射譜的譜線形狀來證實?vX射線發(fā)射譜:電子在價電子能帶中填充情況的實驗驗證;金屬與非金屬X射線發(fā)射譜有何不同(主要表現(xiàn)在高能端)。

電子在恒定電場和磁場中的運動

電子在恒定電場中的運動圖象v在k空間中的運動圖象:

電子在k空間中作循環(huán)運動電子速度作周期振蕩v在實空間中的運動圖象:電子在實空間中作往返振蕩v電子的振蕩過程很難被觀察到,原因:電子在相鄰兩次碰撞間的平均自由時間t太短及加在樣品上的外電場不可能太強。

在恒定磁場中的運動圖象v在k空間中的運動圖象:在k空間中電子的運動軌跡是一條垂直于磁場的等能線v在實空間中的運動圖象:在實空間中電子的運動軌跡是一條沿磁場方向的螺旋線

準經(jīng)典運動方程:在k空間中及實空間中

自由電子的量子理論(推導過程不要求)圖象:實空間中垂直于磁場平面內(nèi)的勻速圓周運動對應于一簡諧振子,

其量子化能級稱為朗道能級晶體中電子的有效質(zhì)量近似電子回旋共振和De

Haas-Van

Alphen效應.電子回旋共振:基本原理:應用:測量半導體導帶底附近的電子和價帶頂附近的空穴的有效質(zhì)量,研究其能帶結(jié)構De

Haas-Van

Alphen效應基本原理:與金屬費米面附近的電子在低溫強磁場的行為有關應用:研究金屬的費米面結(jié)構

1

1

2E

倒有效質(zhì)量張量的分量:

m

*

ab

h2

ka

kb

a

,

b

1,

2,3v

k

k

E

F

h

dv

1

Fdt

m

*

準經(jīng)典運動的基本關系式:電子對外場的響應:常用公式:vX射線發(fā)射譜,電子在價電子能帶中的填充情況;v晶體中電子

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