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文檔簡介
第七章
晶體中電子在恒定電場磁場中的運(yùn)動一、準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動1.
波包的概念12.
準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動的基本方程
{
dt3.
電子的加速度
a
k
k
E
1
h2
k
k
E
F簡約區(qū)中自由電子能帶的表示法自由電子能量:
E(n0
)
k
E(n0)
k
+
Gn
k
+Gn
對于二維、三維晶體,
通常都是沿某對稱軸方向求出En(k)函數(shù)的表達(dá)式,
畫出En(k)
-k的曲線,給出相應(yīng)的簡并度。能態(tài)密度與費(fèi)米面1.
能態(tài)密度:
N
E
2r
k
等能面
dS
E
kN(E)在能帶底和能帶頂,電子的能態(tài)密度為零,而在能帶中的某處能態(tài)密度達(dá)到最大。v
緊束縛近似的能態(tài)密度(簡單立方的s帶)v近自由電子的能態(tài)密度N(E)EE若電子的能量函數(shù)E(k)已知,即可根據(jù)上式求出其能態(tài)密度。對于等能面為橢球面的情況,可先求出在能量為E的橢球中的能態(tài)總數(shù)Z(E):Z
E
2rk
k
空間中能量為E的橢球體積能態(tài)密度:
N
E
近自由電子的費(fèi)米面hN
2r
k
p
k
2
p
k
(二維)h:平均每個原子的價電子數(shù),
即電子濃度或電子-原子比S:二維晶體的面積簡約區(qū)內(nèi)切球(圓)的半徑k1簡約區(qū)內(nèi)切球(圓)的飽和電子濃度(飽和電子-原子比)F2F2h1N
2r
k
p
k12(二維)常用公式:Bloch函數(shù):
yk
r
eik
ruk
r
自由電子能量:
En
k
k
Gn
'
2布里淵區(qū)邊界處近自由電子的能量突變:
E
2
U
緊束縛近似:E
k
ej
J0
J
Rs
exp
ik
Rs
Rs
近鄰格矢能態(tài)密度:
N
E
2r
k
等能面價電子總數(shù):
hN
2
p
k
(三維)F3nv能態(tài)密度的一般表達(dá)式,給定E(k)函數(shù),求出相應(yīng)的能態(tài)密度及特殊形狀等能面的能態(tài)密度;v近自由電子的費(fèi)米面,
費(fèi)米面的構(gòu)造步驟與修正依據(jù);v給定晶體結(jié)構(gòu)和電子濃度(即平均每個原子貢獻(xiàn)的價電子數(shù)),求相應(yīng)自由電子的費(fèi)米半徑kF
,畫出相應(yīng)的近自由電子在簡約區(qū)中各能帶的費(fèi)米面圖形;v簡約區(qū)的內(nèi)切球(
圓)k1和外接球(
圓)半徑k2及其相應(yīng)的飽和電子濃度(即飽和電子-原子比)。在一般情況下,電子的加速度與所受的外場力的方向并不一致。
有效質(zhì)量概念
2
E倒有效質(zhì)量張量
2
E
E
ky
kz
22
2
E
kz
kx
2
E
k
z2
kx
ky
2
E
kx
kz
kx2
k
2
Ey2
k
k
2
Ez
yv倒有效質(zhì)量是對稱張量,存在主軸方向,沿張量的主軸方向,有效質(zhì)量可對角化;v有效質(zhì)量中包含了周期場對電子的影響;v在一般情況下,有效質(zhì)量是二階張量,特殊情況下也可退化為標(biāo)量;v有效質(zhì)量可大于電子的真實(shí)質(zhì)量,也可小于電子的真實(shí)質(zhì)量,還可以為負(fù)值;v在能帶底電子能量E(k)取極小值,所以m*>
0;在能帶頂E(k)取極大值,所以m*<
0。空穴的概念:v空穴是一種帶正電荷e
,具有正的有效質(zhì)量|m*|的準(zhǔn)粒子;v空穴反映的是近滿帶中所有電子的集體行為,它不能脫離晶體而單獨(dú)存在,只是一種準(zhǔn)粒子;v電子導(dǎo)電性:
導(dǎo)帶底有一些電子所產(chǎn)生的導(dǎo)電性;空穴導(dǎo)電性:
價帶頂缺少一些電子所產(chǎn)生的導(dǎo)電性;v金屬中的載流子既可以是電子也可以是空穴。導(dǎo)體、
絕緣體和半導(dǎo)體v導(dǎo)帶、滿帶和近滿帶的導(dǎo)電能力;v導(dǎo)體、
絕緣體和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)及其對導(dǎo)電性的影響;v半導(dǎo)體的本征導(dǎo)電性與非本征導(dǎo)電性;v金屬導(dǎo)體和半導(dǎo)體的本征導(dǎo)電率(或電阻率)隨溫度的變化規(guī)律有何不同?其導(dǎo)電機(jī)制有何不同?v
價堿土金屬之所以是金屬導(dǎo)體的原因是由于其最外層的ns能帶與其上面的能帶發(fā)生能帶重疊,如何從其X射線發(fā)射譜的譜線形狀來證實(shí)?vX射線發(fā)射譜:電子在價電子能帶中填充情況的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證;金屬與非金屬X射線發(fā)射譜有何不同(主要表現(xiàn)在高能端)。
電子在恒定電場和磁場中的運(yùn)動
電子在恒定電場中的運(yùn)動圖象v在k空間中的運(yùn)動圖象:
電子在k空間中作循環(huán)運(yùn)動電子速度作周期振蕩v在實(shí)空間中的運(yùn)動圖象:電子在實(shí)空間中作往返振蕩v電子的振蕩過程很難被觀察到,原因:電子在相鄰兩次碰撞間的平均自由時間t太短及加在樣品上的外電場不可能太強(qiáng)。
在恒定磁場中的運(yùn)動圖象v在k空間中的運(yùn)動圖象:在k空間中電子的運(yùn)動軌跡是一條垂直于磁場的等能線v在實(shí)空間中的運(yùn)動圖象:在實(shí)空間中電子的運(yùn)動軌跡是一條沿磁場方向的螺旋線
準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動方程:在k空間中及實(shí)空間中
自由電子的量子理論(推導(dǎo)過程不要求)圖象:實(shí)空間中垂直于磁場平面內(nèi)的勻速圓周運(yùn)動對應(yīng)于一簡諧振子,
其量子化能級稱為朗道能級晶體中電子的有效質(zhì)量近似電子回旋共振和De
Haas-Van
Alphen效應(yīng).電子回旋共振:基本原理:應(yīng)用:測量半導(dǎo)體導(dǎo)帶底附近的電子和價帶頂附近的空穴的有效質(zhì)量,研究其能帶結(jié)構(gòu)De
Haas-Van
Alphen效應(yīng)基本原理:與金屬費(fèi)米面附近的電子在低溫強(qiáng)磁場的行為有關(guān)應(yīng)用:研究金屬的費(fèi)米面結(jié)構(gòu)
1
1
2E
倒有效質(zhì)量張量的分量:
m
*
ab
h2
ka
kb
a
,
b
1,
2,3v
k
k
E
F
h
dv
1
Fdt
m
*
準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動的基本關(guān)系式:電子對外場的響應(yīng):常用公式:vX射線發(fā)射譜,電子在價電子能帶中的填充情況;v晶體中電子
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