GB/T 35008-2018串行NOR型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35008—2018

串行NOR型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范

SpecificationforserialNORflashinterface

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35008—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

物理接口

4…………………1

引出端功能定義

4.1……………………1

數(shù)據(jù)接口類型

4.2………………………2

存儲(chǔ)陣列架構(gòu)

5……………3

存儲(chǔ)架構(gòu)

5.1……………3

狀態(tài)寄存器

5.2…………………………3

器件保護(hù)功能

5.3………………………4

器件自毀功能

5.4………………………4

指令定義

6…………………5

指令集說明

6.1…………………………5

指令集描述

6.2…………………………7

指令格式模式

6.3………………………25

參數(shù)表說明

7………………26

參數(shù)表頭定義

7.1………………………26

參數(shù)列表定義

7.2………………………26

附錄資料性附錄塊保護(hù)描述

A()………………………29

GB/T35008—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國

:、、

電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所清華大學(xué)微電子學(xué)研究所深圳市中興微電子技術(shù)有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉超劉會(huì)娟蘇志強(qiáng)高碩李錕趙桂林吳華強(qiáng)武鵬

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T35008—2018

串行NOR型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了串行或非型快閃存儲(chǔ)器以下稱為器件的物理接口存儲(chǔ)陣列架構(gòu)指令定

(NOR)()、、

義和參數(shù)表說明等

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于地址為位的串行型快閃存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和使用

24NOR。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T17574—1998。

31

.

狀態(tài)寄存器statusregister

存儲(chǔ)器內(nèi)部標(biāo)志內(nèi)部狀態(tài)的寄存器

。

4物理接口

41引出端功能定義

.

器件引出端功能定義見表

1。

表1引出端功能定義

引出端輸入輸出描述

/

輸入片選信號(hào)輸入低電平有效

CS#,

輸入輸出串行數(shù)據(jù)輸出端串行數(shù)據(jù)端

SO/SIO1//1

輸入輸出寫保護(hù)端低電平有效串行數(shù)據(jù)端

WP#/SIO2/,/