GB/T 36401-2018表面化學(xué)分析X射線光電子能譜薄膜分析結(jié)果的報(bào)告

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

表面化學(xué)分析X射線光電子能譜

薄膜分析結(jié)果的報(bào)告

Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—

Reportingofresultsofthin-filmanalysis

(ISO13424:2013,IDT)

2018-06-07發(fā)布2019-05-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

縮略語

4……………………1

薄膜分析綜述

5XPS………………………1

引言

5.1…………………1

常規(guī)

5.2XPS……………2

變角

5.3XPS……………3

峰形分析

5.4……………3

可變光子能量

5.5XPS…………………3

濺射深度剖析

5.6XPS…………………3

樣品處理

6…………………3

儀器和操作條件

7…………………………3

儀器校準(zhǔn)

7.1……………3

操作條件

7.2……………4

方法實(shí)驗(yàn)條件分析參數(shù)和分析結(jié)果的報(bào)告

8XPS、、……………………4

薄膜分析方法

8.1XPS…………………4

實(shí)驗(yàn)條件

8.2……………4

分析參數(shù)

8.3……………5

匯總表示例

8.4…………………………6

分析結(jié)果

8.5……………8

附錄資料性附錄常規(guī)

A()XPS…………9

附錄資料性附錄變角

B()XPS………………………15

附錄資料性附錄峰形分析

C()…………20

附錄資料性附錄濺射深度剖析

D()XPS……………30

參考文獻(xiàn)

……………………32

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析射線光電子能譜薄膜分析結(jié)果

ISO13424:2013《X

的報(bào)告

》。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位廈門荷清教育咨詢有限公司清華大學(xué)化學(xué)系

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人湯丁亮李展平岑丹霞姚文清劉芬王水菊

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

引言

射線光電子能譜廣泛運(yùn)用于材料表面的表征特別是基材上的覆蓋層薄膜可以使用

X(XPS),。

測定薄膜近表面區(qū)的化學(xué)組成如果薄膜具有均勻的厚度并且該厚度小于所測量光電子平均逃

XPS。,

逸深度的大約倍通過變角或者峰形分析可以測定薄膜的膜厚度以及膜中元素或者元

(MED)3,XPS,

素化學(xué)狀態(tài)的深度剖析對于較厚的膜采用濺射深度剖析可以獲得膜中元素的深度剖析如果

。,。XPS

系統(tǒng)具有足夠的橫向分辨率則可以測定膜厚度或者深度剖面中可能的橫向不均勻性這些應(yīng)用

,。XPS

對于薄膜納米結(jié)構(gòu)的表征特別有價(jià)值因?yàn)閷τ谠S多物質(zhì)材料和常規(guī)測量條件而言通常小

,XPS,MED

于

5nm。

本標(biāo)準(zhǔn)的第章和第章為儀器的操作者在測定基材上覆蓋層薄膜的有意義的化學(xué)組成和

67XPS

膜厚度時(shí)所進(jìn)行的有效測量提供了指導(dǎo)本標(biāo)準(zhǔn)的第章指出了數(shù)據(jù)的測量和分析報(bào)告中應(yīng)包

。8XPS

括的信息附錄附錄附錄和附錄對于薄膜樣品的不同類型測量的數(shù)據(jù)分析方法提供

。A、B、CDXPS

了補(bǔ)充信息

。

Ⅱ

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

表面化學(xué)分析X射線光電子能譜

薄膜分析結(jié)果的報(bào)告

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)給出了采用對基材上薄膜的分析報(bào)告所需的最少信息量要求的說明這些分析涉及

XPS。

化學(xué)組成和均勻薄膜厚度的測量以及采用變角濺射深度剖析峰形分析和可變光子能量

,XPS、XPS、

的方式對非均勻薄膜作為深度函數(shù)的化學(xué)組成的測量

XPS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析詞匯第部分通用術(shù)語及譜學(xué)術(shù)語

ISO18115-1:20101:(Surfacechemicalanaly-

sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3術(shù)語和定義

中界定的術(shù)語和定義適用于本文件

ISO18115-1:2010。

4縮略語

俄歇電子能譜

AES:(Augerelectronspectroscopy)

變角射線光電子能譜

ARXPS:X(Angle-resolvedX-rayphotoelectronspectroscopy)

非彈性平均自由程

IMFP:(Inelasticmeanfreepath)

平均逃逸深度

MED:(Meanescapedepth)

相對靈敏度因子

RSF:(Relativesensitivityfactor)

遷移平均自由程

TRMFP:(Transportmeanfreepath)

射線光電子能譜

XPS:X(X-rayphotoelectronspectroscopy)

5XPS薄膜分析綜述

51引言

.

基材上薄膜的分析可以提供化學(xué)組成隨深度變化以及薄膜厚度的信息如果總膜厚小于所

XPS。

檢測的光電子的