GB/T 40071-2021納米技術(shù)石墨烯相關(guān)二維材料的層數(shù)測(cè)量光學(xué)對(duì)比度法

ICS1718030

CCSA.50.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T40071—2021

納米技術(shù)石墨烯相關(guān)二維材料的

層數(shù)測(cè)量光學(xué)對(duì)比度法

Nanotechnologies—Measurementofthenumberoflayersofgraphene-

relatedtwo-dimensional2Dmaterials—Oticalcontrastmethod

()p

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T40071—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)科學(xué)院提出

。

本文件由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)納米材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279/SC1)。

本文件起草單位泰州巨納新能源有限公司東南大學(xué)泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)有限公司中國(guó)科

:、、、

學(xué)院半導(dǎo)體研究所哈爾濱工業(yè)大學(xué)威海冶金工業(yè)信息標(biāo)準(zhǔn)研究院江南大學(xué)華東師范大學(xué)深圳

、()、、、、

技術(shù)大學(xué)

。

本文件主要起草人倪振華梁錚丁榮譚平恒王英英安旭紅于遠(yuǎn)方李倩南海燕吳幸

:、、、、、、、、、、

陳麗瓊

。

Ⅰ

GB/T40071—2021

引言

石墨烯相關(guān)二維材料層數(shù)不多于的碳基二維材料包括石墨烯雙層石墨烯少層石墨烯氧化

(10,、、、

石墨烯等具有優(yōu)異的電學(xué)光學(xué)力學(xué)熱學(xué)等性能在學(xué)術(shù)及工業(yè)界都引起了人們廣泛的興趣石墨

)、、、,。

烯相關(guān)二維材料的層數(shù)是影響其性能的關(guān)鍵參數(shù)準(zhǔn)確測(cè)量層數(shù)是研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用石墨烯相關(guān)二維

。、

材料的核心問(wèn)題光學(xué)對(duì)比度法作為一種快速無(wú)損和高靈敏度的測(cè)量方法已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于測(cè)量石

。、,

墨烯雙層石墨烯少層石墨烯等石墨烯相關(guān)二維材料的層數(shù)

、、。

在利用光學(xué)對(duì)比度法測(cè)量層數(shù)的過(guò)程中測(cè)量結(jié)果會(huì)受到硅襯底表面二氧化硅層的厚

,(Si)(SiO2)

度顯微物鏡的數(shù)值孔徑數(shù)據(jù)的處理方法等各種測(cè)試條件的影響需要對(duì)其進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化

,,,。

Ⅱ

GB/T40071—2021

納米技術(shù)石墨烯相關(guān)二維材料的

層數(shù)測(cè)量光學(xué)對(duì)比度法

警示———使用本文件的人員應(yīng)該有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)本文件并未指出所有可能的安全

。

問(wèn)題本文件規(guī)定的一些試驗(yàn)過(guò)程可能會(huì)導(dǎo)致危險(xiǎn)情況使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧┎?/p>

。,,

保證符合國(guó)家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件

。

1范圍

本文件規(guī)定了光學(xué)對(duì)比度法包括反射光譜法和光學(xué)圖片法測(cè)量石墨烯相關(guān)二維材料的層數(shù)的儀

()

器設(shè)備樣品準(zhǔn)備測(cè)量步驟測(cè)試報(bào)告等內(nèi)容

、、、。

本文件適用于利用機(jī)械剝離法或化學(xué)氣相沉積法制得的晶體質(zhì)

(CVD:chemicalvapordeposition)

量高橫向尺寸不小于層數(shù)不多于的石墨烯薄片及石墨烯薄膜的層數(shù)測(cè)量其他方法制得的

、2μm、5。

石墨烯薄片及石墨烯薄膜可參照本文件執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文件僅

。,,

該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

;,()。

納米科技術(shù)語(yǔ)第部分石墨烯及相關(guān)二維材料

GB/T30544.1313:

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T30544.13。

31

.

石墨烯相關(guān)二維材料graphene-related2DmaterialGR2M

;

層數(shù)不多于的碳基二維材料

10。

注包括石墨烯雙層石墨烯少層石墨烯氧化石墨烯等

:、、、。

32

.

石墨烯薄片grapheneflake

石墨烯納米片graphenenanoplategraphenenanoplateletGNP

;;

由石墨烯層構(gòu)成的納米片

。

注常見(jiàn)厚度小于橫向尺寸范圍約為