標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 41076-2021 微束分析 電子背散射衍射 鋼中奧氏體的定量分析》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),旨在提供一種基于電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)對鋼材樣品中的奧氏體進(jìn)行精確量化的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于需要通過微觀結(jié)構(gòu)分析來確定材料性能的研究或工業(yè)應(yīng)用場合。
標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了從樣品準(zhǔn)備到數(shù)據(jù)處理的一系列步驟,確保不同實驗室間結(jié)果具有良好的可比性和重復(fù)性。它首先介紹了適用范圍,明確了哪些類型的鋼和在什么條件下可以使用本方法進(jìn)行奧氏體量的測定。接著,對于實驗前準(zhǔn)備工作給予了指導(dǎo),包括如何正確選取代表性區(qū)域、切割及拋光樣品表面以獲得最佳的EBSD信號質(zhì)量等。
隨后,《GB/T 41076-2021》規(guī)定了具體的測試條件與參數(shù)設(shè)置建議,比如加速電壓的選擇、掃描步長以及數(shù)據(jù)采集時間等關(guān)鍵因素,這些都是為了保證能夠準(zhǔn)確地捕捉到足夠數(shù)量且清晰度高的Kikuchi花樣圖譜。此外,還提供了關(guān)于如何利用專業(yè)軟件對收集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理的方法說明,這一步驟對于識別晶粒邊界、計算相分?jǐn)?shù)至關(guān)重要。
最后,該文件強(qiáng)調(diào)了報告編寫的重要性,并給出了一個基本框架,要求所有相關(guān)方按照統(tǒng)一格式記錄實驗過程、使用的設(shè)備信息、得到的結(jié)果及其不確定度估計等內(nèi)容,以便于他人理解和復(fù)現(xiàn)研究工作。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的程序,研究人員可以獲得更加可靠穩(wěn)定的奧氏體含量測量值,進(jìn)而為材料科學(xué)領(lǐng)域內(nèi)的進(jìn)一步探索奠定堅實基礎(chǔ)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2021-12-31 頒布
- 2022-07-01 實施
文檔簡介
ICS7104040
CCSG.04.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T41076—2021
微束分析電子背散射衍射
鋼中奧氏體的定量分析
Microbeamanalysis—Electronbackscatterdiffraction—
Quantitativedeterminationofausteniteinsteel
2021-12-31發(fā)布2022-07-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T41076—2021
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
方法概述
4…………………2
設(shè)備
5………………………2
取樣和試樣制備
6…………………………3
測量步驟
7…………………3
數(shù)據(jù)處理
8…………………4
檢驗報告
9…………………6
附錄資料性鋼中奧氏體的定量分析實例
A()TRIP590EBSD………7
GB/T41076—2021
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1》
起草
。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本文件起草單位首鋼集團(tuán)有限公司牛津儀器科技上海有限公司鋼鐵研究總院
:、()、。
本文件主要起草人孟楊鞠新華崔桂彬楊小鵬李繼康張玉成陳鷹尹立新任群嚴(yán)春蓮
:、、、、、、、、、、
其其格賈惠平
、。
Ⅰ
GB/T41076—2021
微束分析電子背散射衍射
鋼中奧氏體的定量分析
1范圍
本文件規(guī)定了采用電子背散射衍射法測量鋼中奧氏體體
(electronbackscatterdiffraction,EBSD)
積分?jǐn)?shù)和形態(tài)的方法設(shè)備取樣和試樣制備測量步驟數(shù)據(jù)處理和檢驗報告
、、、、。
本文件適用于分析含有晶粒尺寸以上奧氏體的中低碳鋼及中低碳合金鋼
50nm、、。
本文件不適用于分析晶粒尺寸小于的奧氏體奧氏體晶粒尺寸小于會嚴(yán)重影響定量
50nm,50nm
分析結(jié)果的準(zhǔn)確性
。
注晶粒尺寸下限是可觀察到的最小奧氏體晶粒尺寸晶粒尺寸下限取決于設(shè)備條件和操作參數(shù)
:。。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
金屬顯微組織檢驗方法
GB/T13298
微束分析電子背散射衍射分析方法通則
GB/T19501
微束分析掃描電子顯微術(shù)術(shù)語
GB/T23414
金相學(xué)術(shù)語
GB/T30067
微束分析電子背散射衍射取向分析方法導(dǎo)則
GB/T30703
微束分析電子背散射衍射金屬及合金的相分析方法
GB/T34172
微束分析電子背散射衍射平均晶粒尺寸的測定
GB/T38532
金屬試樣的電解拋光方法
YB/T4377
3術(shù)語和定義
和界定的以及下
GB/T19501、GB/T23414、GB/T30067、GB/T30703、GB/T34172GB/T38532
列術(shù)語和定義適用于本文件
。
31
.
等效圓直徑equivalentcirclediameterECD
;
與晶粒截面積等值的圓的直徑
。
32
.
橫縱比aspectratio
r
晶粒截面擬合橢圓的短軸與長軸之比
。
溫馨提示
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