GB/T 5238-2019鍺單晶和鍺單晶片

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5238—2019

代替

GB/T5238—2009

鍺單晶和鍺單晶片

Monocrystallinegermaniumandmonocrystallinegermaniumslices

2019-06-04發(fā)布2020-05-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T5238—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替鍺單晶和鍺單晶片與相比除編輯性修改外

GB/T5238—2009《》。GB/T5238—2009,

主要技術(shù)變化如下

:

修訂了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍將外延襯底改為紅外光學(xué)部件見(jiàn)第章年版的第章

———,“”“”(1,20091);

規(guī)范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T1552、GB/T5254,GB/T1555、GB/T14264、

見(jiàn)第章年版的第章

GB/T14844、GB/T26074(2,20092);

增加了術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)第章

———(3);

修訂了牌號(hào)表示方法見(jiàn)年版的

———(4.1,20093.2);

增加了非摻雜鍺單晶的要求見(jiàn)第章

———(4);

斷面電阻率不均勻度改為徑向電阻率變化并修訂了其要求見(jiàn)年版的

———,(4.2.3,20093.3.1.1);

修訂了電阻率小于鍺單晶的少數(shù)載流子壽命要求見(jiàn)年版的

———1.0Ω·cm(4.2.4,20093.3.1.2);

修訂了鍺單晶晶體完整性的要求見(jiàn)年版的

———(4.2.6.1,20093.3.1.4);

修訂了直徑鍺單晶的直徑相對(duì)允許偏差的要求見(jiàn)年版的

———10mm~100mm(4.2.7,20093.3.2.1);

增加了直徑大于鍺單晶的要求見(jiàn)

———100mm(4.2.7);

刪除了長(zhǎng)度的要求見(jiàn)年版的

———(20093.3.2.1);

增加了鍺單晶表面質(zhì)量的要求見(jiàn)

———(4.2.8);

修訂了鍺單晶片幾何參數(shù)的要求見(jiàn)年版的

———(4.3.2,20093.3.2.2);

修訂了鍺單晶片表面質(zhì)量的要求見(jiàn)年版的

———(4.3.3,20093.3.3);

修訂了組批檢驗(yàn)項(xiàng)目取樣及檢驗(yàn)結(jié)果的判定見(jiàn)第章年版的第章

———、、(6,20095)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中鍺科技有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司廣東先導(dǎo)稀材股份有限公

:、、

司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人柯尊斌劉新軍惠峰朱劉尹士平楊素心肖宗鏞

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T5238—1985、GB/T5238—1995、GB/T5238—2009;

———GB/T15713—1995。

Ⅰ

GB/T5238—2019

鍺單晶和鍺單晶片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶和鍺單晶片的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)

、、、、、、、

及訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于制備半導(dǎo)體器件激光器組件紅外光學(xué)部件用的鍺單晶和鍺單晶片

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法

GB/T5252

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法

GB/T26074

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41牌號(hào)

.

鍺單晶和鍺單晶片的牌號(hào)表示應(yīng)符合的規(guī)定

GB/T14844。