標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 6589-2002 是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)半導(dǎo)體器件中的分立器件進(jìn)行了規(guī)定,具體而言是信號(hào)(包括開關(guān))二極管、調(diào)整二極管以及電壓基準(zhǔn)二極管(但不涵蓋溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)。此標(biāo)準(zhǔn)提供了一個(gè)空白詳細(xì)規(guī)范模板,旨在幫助制造商和用戶為上述類型的二極管制定詳細(xì)的性能和技術(shù)要求。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,它涵蓋了這些二極管的基本參數(shù)、電氣特性、環(huán)境條件下的性能表現(xiàn)等方面。對(duì)于信號(hào)與開關(guān)二極管來說,可能會(huì)涉及到正向?qū)妷?、反向擊穿電壓等關(guān)鍵指標(biāo);而對(duì)于調(diào)整二極管及電壓基準(zhǔn)二極管,則更側(cè)重于其穩(wěn)定輸出電壓的能力,在不同工作條件下保持恒定或可預(yù)測(cè)變化的能力。


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  • 2002-12-04 頒布
  • 2003-05-01 實(shí)施
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GB/T 6589-2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范_第1頁
GB/T 6589-2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范_第2頁
GB/T 6589-2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范_第3頁
GB/T 6589-2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范_第4頁

文檔簡(jiǎn)介

ICS31.080.10L41中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6589—2002/IEC60747-3-2:19860C750005代替GB/T6589—1986半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范SemiconductorDevices-Discretedevices-Part3-2:Signal(includingswitching)andregulatordiodes-Blankdetailspecificationforvoltage-regulatordiodesandvoltage-referencediodes(excludingtemperature-compensatedprecisionreferencediodes)(IEC60747-3-2:1986,IDT)2002-12-04發(fā)布2003-05-01實(shí)施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T6589—2002/IEC60747-3-2:1986前GB/T6589是等同采用IEC60747-3-2:1986(QC750005)《電壓調(diào)整和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范》英文版)本部分代替(B/T6589—1986《電壓調(diào)整和電壓基準(zhǔn)二極管(包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范》。本部分與GB/T6589—1986的主要差別是:本部分適用范圍不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管,2在標(biāo)準(zhǔn)文本前面增加了前言。因引用的標(biāo)準(zhǔn)更改而修訂的地方有:全全文中涉及到"總規(guī)范"處由GB/T4936.1—1985《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》,改為IEC60747-10:1991《半導(dǎo)體器件第10部分分立器件和集成電路總規(guī)范》:第第7章中要求的篩選順序由按GB/T4936.1—1985《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》.改為按GB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》:第8章中測(cè)試方法由按GB/T4936.1—1985《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》.改為按GB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》第8章中抽樣要求由按GB/T4936.1—1985《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》.改為按GB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》:-B8、C8分組中電耐久性由按GB/T4938—1985(半導(dǎo)體分立器件接收和可靠性).改為按GB/T6571一1995《半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管》:-B3、B4、B5分組和C3、C4分組試驗(yàn)由按GB/T4937—1985《半導(dǎo)體分立器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》.改為按GB/T4937—1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》;B5分組中交變濕熱由按GB/T2423.4—1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法》.改為按GB/T4937—1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》取消了4.5.1和4.5.2的符號(hào)1mm、.根據(jù)GB/T6571—1995對(duì)1個(gè)電參數(shù)名稱進(jìn)行了修改:原版4.5中"最大反向恒定(直流)電流”改為“最大反向直流電流”6)5.8中"最大等效噪聲電壓"改為"最大噪聲電壓”7第7章中要求的篩選順序原為GB4936.1的3.6.2,本版為GB/T12560的3.7.第8章中測(cè)試方法原引用GB4936.1的6.1.1,本版為GB/T12560的第4章。9)第8章中抽樣要求原引用GB4936.1的3.6.2,本版為GB/T12560的3.8。10)根據(jù)原文含義將4.5.1中"Pac(T)”改為"Po”。11)B組表注中電耐久性試驗(yàn)原引用GB4936.1的3.4.3.1,本版為GB/T12560的3.2.3.1。本部分與IEC60747-3-2的主要差別是:本部分第7章中條號(hào)“3.8”和“3.7"在IEC60747-3-2中為"3.7"和"3.6"。2)根據(jù)原文含義將4.3.1中"Po"改為"Pa(T)"。3)根據(jù)原文含義將4.3.2、4.5.1中"Pa"改為"Pmm”。GB/T6589是半導(dǎo)體器件系列國家標(biāo)準(zhǔn)之一。下面列出了這些國家標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)計(jì)結(jié)構(gòu)及其對(duì)應(yīng)的國際標(biāo)準(zhǔn),以及將代替的國家標(biāo)準(zhǔn):-GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986半導(dǎo)體器件GB/T12560-1999分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985,代替GB/T12560—1990)GB/T17573—1998半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分:總則(idtIEC60747-1:1983)GB/T4023-1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管(eqvIEC60747-2:1983)GB/T6571-1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管(idtIEC60747-3:1985)-B/T6588—2000半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管第1篇信號(hào)二極管、開關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-3-1:1986.代替GB/T6588-—1986)-CB/T6589—2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范(idtIEC60747-3-2:1986.代替GB/T6589-1986)半導(dǎo)體器件GB/TXXXX—××××分立器件第4部分:微波二極管和品體管(IEC60747-4:1991)GB/T15291-1994半導(dǎo)體器件第6部分:晶閘管(eqvIEC60747-6:1991)GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管(eqvIEC60747-7:1988代替GB/T4587-1984和GB/T6801—1986)-GB/T7576—1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極型品體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范(idtIEC60747-7-4:1991,代替GB/T7576—1987)GB/T4586—1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)品體管(idtIEC60747-8:1984.代替GB/T4586-1984)GB/TXXXX×—××××半導(dǎo)體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極型品體管(IEC60747-9:1998)本部分引用的國家標(biāo)準(zhǔn)和IEC標(biāo)準(zhǔn)是:-GB/T2423.23—1995電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封(idtIEC68-2-17:1978)GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法(idtIEC60749:1984)GB/T6571—1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管(idtIEC60747-3:1985)GGB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)IEC60191-2:1966半導(dǎo)體器件機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分尺寸IEC60747-10(QC700000):1991半導(dǎo)體器件第10部分分立器件和集成電路總規(guī)范本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出本部分由全國半導(dǎo)體器件分立器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本部分起草部位:中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所(CESI)本部分主要起草人:趙英。本部分首次發(fā)布時(shí)間:1986年7月24日。

GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范引育IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系遵循IEC章程并在IEC授權(quán)下工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評(píng)定程序,以這種方式使一個(gè)參加國按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有參加國同樣接受本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一.并應(yīng)與下列國家標(biāo)準(zhǔn)和IEC標(biāo)準(zhǔn)一起使用。GB/T12560-1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)華導(dǎo)體器件第10部分IEC60747-10(QC700000):1991分立器件和集成電路總規(guī)范要求的資料本頁及下頁方括號(hào)內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的信息相對(duì)應(yīng)·這些信息應(yīng)填入相應(yīng)欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別【1授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱【27詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號(hào)「37總規(guī)范、分規(guī)范的編號(hào)及版本號(hào)「4詳細(xì)規(guī)范的國家編號(hào)、發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的任何資料器件的識(shí)別【57器件型號(hào)。【6典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。

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