GB/T 6588-2000半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管第1篇信號二極管、開關二極管和可控雪崩二極管空白詳細規(guī)范

ICS31.080.10L41中華人民共和國國家標準GB/T6588—2000eavIEC74731:1986QC750001半導體器件分立器件第3部分:信號(包括開關)和調(diào)整二極管第1篇信號二極管、開關二極管和可控雪崩二極管空白詳細規(guī)范SemiconductordevicesDiscretedevicesPart3：Signal（includingswitching)andregulatordiodesSectionOneBlankdetailspecificationforsignaldiodesswitchingdiodesandcontrolled-avalanchediodes2000-10-17發(fā)布2001-10-01實施國家質量技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6588-2000本標準等效采用IEC747-3-1:1986《半導體器件分立器件第3部分：信號（包括開關)和調(diào)整二極管第1篇——信號二極管、開關二極管和可控雪崩二極管空白詳細規(guī)范》對GB/T6588—1986《通用信號和(或）開關半導體二極管空白詳細規(guī)范》進行修訂。由于IEC747-3-1引用的IEC747-11《半導體器件第11部分：半導體器件分規(guī)范》是1985年版本.在此之后IEC747-11進行了多次修改.我國已等同采用IEC747-11:1996修訂了GB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》為了使標準更具有先進性和可操作性，本標準引用了GB/T12560—1999.本標準與GB/T6588—1986的主要差別如下：在標準文本前面增加了前言與IEC前言因引用的標準更改而修改的內(nèi)容有：引用標準處GB/T6588-1986本標準全文中涉及到“總GB/T4936.1—1985《半導體分立GB/T4589.1-1989《半導體器件規(guī)范“處器件總規(guī)范》分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984）B8、C8分組電耐GB/T4938—1985《半導體分立器GB/T6571-1995《半導體器件件接收和可靠性》人性分立器件第3部分：信號（包括開關）和調(diào)整二極管》IEC747-3:1985）B3、B4、B5分組GB/T4937—1985《半導體分立器GGB/T4937—1995《半導體器件機C3、C4分組件機械和氣候試驗方法》誠和氣候試驗方法》（IEC749：1984)B5分組GB/T2423.4—1981《電工電子產(chǎn)GGB/T4937—1995《半導體器件機交變濕熱品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Db:交變械和氣候試驗方法》（IEC749：1984）濕熱試驗方法》增加了4.4.3“正向浪涌電流”增加了可控雪崩二極管的技術內(nèi)容根據(jù)GB/T6571—1995對2個電參數(shù)名稱進行了修改：原版4.3.1中“恒定(直流)反向電壓”改為"反向直流電壓”原版4.4.1中“恒定(直流）正向電流”改為“正向直流電流”根據(jù)原文對幾個電參數(shù)名稱和符號或測試條件進行的修改：GB/T6588-1986本規(guī)范4.4.1中心F（T）”4.5.1中*Pm（T）”4.6和C2分組中*WRRNRsw'ERRNRSM5.10中心尺康”Rigant)/Rmiem/Rttiad)B5.B8、C4、C6、C8、C9分組中測試條件“A2分組A2b分組C7分組的最后測試“/a、Ve、Vuck"按規(guī)定

GB/T6588-2000取消了原附錄A《雪崩和可控雪崩整流二極管反向峰值功率和反向瞬態(tài)能量的測試方法》參考件）本標準與IEC747-3-1:1986的主要差別是：1本標準第7章引用GB/T12560—1999的條號在IEC747-3-1中為"3.7"和"3.6”.根據(jù)GB/T12560改為“3.8”和“3.7°。2B組、C組最后測試在IEC747-3-1中為“/a、Ve".根據(jù)A組檢驗項目本規(guī)范改為“/a、Ve"。IEC747-3-1第5章"5.10熱阻"沒有對試驗分組進行規(guī)定,則該條沒有意義.根據(jù)GB/T12560中規(guī)定.本標準在第5章"5.10熱阻”中規(guī)定試驗分組為"C2d",同時在C組中增加此分組?！?1EC747-3-1第5章"5.10熱阻”沒有規(guī)定結到引線規(guī)定點的熱阻符號，本規(guī)范規(guī)定為Kuura.5B5分組“密封”的條件欄IEC747-3-1中為"7.2.7.3或7.4”,根據(jù)GB/T4937改為"7.3或7.4.7.5”。本標準引用的國際標準是：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗規(guī)程第2部分：試驗試驗Q:密封IEC191-2:1966半導體器件機械標準化第2部分：尺寸IEC747-3-1引用的標準對應于國家標準是：GB/T6571—1995半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管(IEC747-3:1985）GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法（IEC749:1984）本標準由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標準由全國半導體分立器件標準化分技術委員會歸口本標準由信息產(chǎn)業(yè)部電子工業(yè)標準化研究所負責起草。本標準主要起草人：趙英。本標準首次發(fā)布時間：1986年7月

GB/T6588-2000IEC前言1）IEC(國際電工委員會)在技術問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議是由對這些問題特別關切的國家委員會參加的技術委員會制定，對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標準的形式供國際上使用,并在此意義上為各國家委員會認可。3）為了促進國際間的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會.在本國條件許可的情況下，采用IEC標準的文本作為其國家標準。IEC標準與相應國家標準之間的差異，應盡可能地在國家標準中指出。本標準由國際電工委員會第47技術委員會：半導體器件技術委員會制定。本標準是信號二極管、開關二極管和可控雪崩二極管空白詳細規(guī)范。本標準文本以下列文件為依據(jù)：6個月法表決報告47（C0）89647（C0）939表決批準本標準的詳細資料可在上表所列的表決報告中查閱。本標準封面上的QC號為國際電工委員會電子元器件質量評定體系（IECQ)的規(guī)范號本標準中引用的其他IEC出版物：68-2-17（1978):基本環(huán)境試驗規(guī)程第2部分：試驗試驗Q:密封191-2（1966):半導體器件機械標準化第2部分：尺寸747-3(1985)：半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管749（1984）：半導體器件機械和氣候試驗方法

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第3部分：信號(包括開關)和調(diào)整二極管第1篇信號二極管、開關二極管和GB/T6588-—2000CvIC74731：1666可控雪崩二極管空白詳細規(guī)范0C750001代替GB/T6588—1986Semiconductordevices-DiscretedevicesPart3:Signal(includingswitching)andregulatordiodesSectionOne-Blankdetailspecificationforsignaldiodes.switchingdiodesandcontrolled-avalanchediodesIEC電子元器件質量評定體系遵循IEC章程并在IEC授權下工作。該體系的目的是確定質量評定程序·以這種方式使一個參加國按有關規(guī)范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受。本空白詳細規(guī)范是半導體器件的一系列空白詳細規(guī)范之一.并應與下列國家標準一起使用。GB/T4589.1—1989半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(idtIEC747-10:1984)GB/T12560—1999半導體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC747-11:1996）要求的資料本頁及下頁方括號內(nèi)的數(shù)字與下列各項要求的資料相對應.這些資料應填入相應欄中。詳細規(guī)范的識別【17授權發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構名稱L2詳細規(guī)范的IECQ編號?！?7總規(guī)范、分規(guī)范的編號及版本號?！?7詳細規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標準體系要求的任何資料器件的識別【57器件型號「67典型結構和應用資料。如果一種器件有幾種應用,則應在詳細規(guī)范說明。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應予以滿足。如果器