標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測(cè)試方法》與《GB/T 6619-1995 硅片彎曲度測(cè)試方法》相比，在多個(gè)方面進(jìn)行了修訂和完善。這些變化主要包括術(shù)語(yǔ)定義的更新、測(cè)量設(shè)備要求的明確化、以及測(cè)試步驟和數(shù)據(jù)處理方式的具體化。

在術(shù)語(yǔ)部分，《GB/T 6619-2009》對(duì)“硅片彎曲度”等關(guān)鍵概念給出了更加準(zhǔn)確的定義，確保了行業(yè)內(nèi)外對(duì)于該標(biāo)準(zhǔn)的理解一致性。同時(shí)，新版本還增加了對(duì)不同種類硅片（如單晶硅片、多晶硅片）適用性的說(shuō)明，擴(kuò)大了標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍。

關(guān)于測(cè)量設(shè)備，《GB/T 6619-2009》不僅指定了使用哪種類型的儀器進(jìn)行檢測(cè)，而且詳細(xì)規(guī)定了其精度要求和技術(shù)參數(shù)，這有助于提高測(cè)試結(jié)果的一致性和可靠性。此外，新版標(biāo)準(zhǔn)還強(qiáng)調(diào)了環(huán)境條件控制的重要性，比如溫度和濕度等因素如何影響最終的測(cè)量值。

測(cè)試程序方面，《GB/T 6619-2009》細(xì)化了樣品準(zhǔn)備、放置位置、讀數(shù)記錄等一系列操作流程，并且引入了更為科學(xué)的數(shù)據(jù)分析方法來(lái)評(píng)估硅片的彎曲程度。通過(guò)這種方式，可以更精確地反映硅片的實(shí)際狀態(tài)，減少人為因素造成的誤差。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６１９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５

硅片彎曲度測(cè)試方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犫狅狑狅犳狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅片彎曲度測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—２００９

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本８８０×１２３０１／１６印張０．７５字?jǐn)?shù)１６千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號(hào)：１５５０６６·１３９５６０

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書

犌犅／犜６６１９—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６《硅片彎曲度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６相比，主要變化如下：

———本標(biāo)準(zhǔn)接觸式測(cè)量方法格式按ＧＢ／Ｔ１．１格式編排；

———本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)我國(guó)實(shí)際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５《硅片彎曲度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５相比，主要有如下變動(dòng)：

———擴(kuò)大了可測(cè)量硅片范圍為直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于

２５０的圓形硅片；

———增加了引用文件、術(shù)語(yǔ)、意義用途、測(cè)量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié)；

———修改了儀器校正的內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：劉玉芹、蔣建國(guó)、馮校亮、張靜雯。

本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６１９—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１９—２００９

硅片彎曲度測(cè)試方法

方法１接觸式測(cè)量方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡(jiǎn)稱硅片）彎曲度的接觸式測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于２５０的圓形

硅片的彎曲度。本測(cè)試方法的目的是用于來(lái)料驗(yàn)收和過(guò)程控制。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片

彎曲度。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體

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