標準解讀

《JJF 1895-2021 半導體器件直流和低頻參數(shù)測試設(shè)備校準規(guī)范》與《JJG 725-1991 半導體分立器件參數(shù)測試儀檢定規(guī)程》相比,在多個方面進行了更新和完善,以適應(yīng)當前技術(shù)發(fā)展和實際應(yīng)用需求。具體變化包括但不限于:

  • 適用范圍調(diào)整:新標準明確了其適用于半導體器件(如二極管、三極管等)的直流及低頻參數(shù)測試設(shè)備的校準,而舊標準則更側(cè)重于半導體分立器件參數(shù)測試儀的檢定。

  • 術(shù)語定義更加明確:《JJF 1895-2021》對涉及的專業(yè)術(shù)語給出了更加詳細準確的定義,有助于提高理解和執(zhí)行的一致性。

  • 增加了新的測試項目:根據(jù)近年來半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢和技術(shù)進步,《JJF 1895-2021》中引入了一些新的測試內(nèi)容或方法,比如對于某些特定類型半導體器件特性的測量要求。

  • 校準方法和技術(shù)要求更新:針對不同類型的半導體器件及其參數(shù)測試設(shè)備,《JJF 1895-2021》提供了更為先進的校準流程和技術(shù)指標,確保了測試結(jié)果的準確性和可靠性。

  • 強調(diào)環(huán)境條件的影響:新版標準更加重視測試過程中周圍環(huán)境因素可能帶來的影響,并對此提出了相應(yīng)的控制措施建議。

  • 數(shù)據(jù)處理與不確定度評估:《JJF 1895-2021》加強了對實驗數(shù)據(jù)處理方法以及不確定度分析的要求,旨在提供更加科學合理的測試結(jié)果評價體系。

這些變化反映了隨著科學技術(shù)的進步和社會經(jīng)濟發(fā)展的需要,相關(guān)標準也在不斷優(yōu)化升級,以更好地服務(wù)于產(chǎn)業(yè)界的實際需求。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-02-23 頒布
  • 2021-08-23 實施
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JJF 1895-2021半導體器件直流和低頻參數(shù)測試設(shè)備校準規(guī)范_第3頁
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文檔簡介

中華人民共和國國家計量技術(shù)規(guī)范

JJF1895—2021

半導體器件直流和低頻參數(shù)

測試設(shè)備校準規(guī)范

CalibrationSpecificationforSemiconductorDevicesDCandLow

FrequencyParametersTestEquipments

2021-02-23發(fā)布2021-08-23實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

JJF1895—2021

半導體器件直流和低頻參數(shù)

??

測試設(shè)備校準規(guī)范???????????????

?JJF1895—2021?

??

?????????????

CalibrationSpecificationforSemiconductor?代替?

?JJG725—1991?

DevicesDCandLowFrequencyParameters

TestEquipments

歸口單位全國無線電計量技術(shù)委員會

:

主要起草單位中國電子技術(shù)標準化研究院

:

參加起草單位中國計量科學研究院

:

北京市科通電子繼電器總廠有限公司

中國電子科技集團公司第十三研究所

北京勵芯泰思特測試技術(shù)有限公司

本規(guī)范委托全國無線電計量技術(shù)委員會負責解釋

JJF1895—2021

本規(guī)范主要起草人

:

劉沖中國電子技術(shù)標準化研究院

()

李潔中國電子技術(shù)標準化研究院

()

張珊中國電子技術(shù)標準化研究院

()

參加起草人

:

高英中國計量科學研究院

()

李奇北京市科通電子繼電器總廠有限公司

()

喬玉娥中國電子科技集團公司第十三研究所

()

李力軍北京勵芯泰思特測試技術(shù)有限公司

()

JJF1895—2021

目錄

引言

………………………(Ⅱ)

范圍

1……………………(1)

概述

2……………………(1)

計量特性

3………………(1)

直流電阻

3.1……………(1)

電壓輸出

3.2……………(1)

電壓指示

3.3……………(1)

電流輸出

3.4……………(1)

電流指示

3.5……………(1)

低頻信號源

3.6…………(1)

低頻h參數(shù)

3.7………………………(1)

校準條件

4………………(2)

環(huán)境條件

4.1……………(2)

校準用設(shè)備

4.2…………(2)

校準項目和校準方法

5…………………(3)

校準項目

5.1……………(3)

外觀和工作正常性檢查

5.2……………(3)

直流電阻

5.3……………(3)

電壓輸出

5.4……………(4)

電壓指示

5.5……………(6)

電流輸出

5.6……………(7)

電流指示

5.7……………(9)

低頻信號源

5.8…………(10)

低頻h參數(shù)

5.9………………………(11)

校準結(jié)果表達

6…………(12)

復校時間間隔

7…………(12)

附錄原始記錄格式

A…………………(13)

附錄校準證書內(nèi)頁格式

B……………(18)

附錄主要項目校準不確定度評定示例

C……………(23)

附錄被校設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖面板及測試夾具端子說明示例

D、………(29)

JJF1895—2021

引言

本規(guī)范依據(jù)國家計量校準規(guī)范編寫規(guī)則和

JJF1071—2010《》JJF1059.1—2012

測量不確定度評定與表示編寫

《》。

本規(guī)范是在晶體管直流和低頻參數(shù)測試儀基礎(chǔ)上進行修訂與

JJG725—1991《》。

相比除編輯性修改以外主要技術(shù)變化如下

JJG725—1991,,:

修訂了電流輸出電流指示等校準項目

———、;

增加了主要項目校準結(jié)果不確定度評定的示例見附錄

———(C)。

本規(guī)范歷次版本發(fā)布情況

:

———JJG725—1991。

JJF1895—2021

半導體器件直流和低頻參數(shù)

測試設(shè)備校準規(guī)范

1范圍

本規(guī)范適用于半導體器件直流和低頻參數(shù)測試設(shè)備的校準

。

2概述

半導體器件直流和低頻參數(shù)測試設(shè)備以下簡稱被校設(shè)備由偏置電壓源偏置電

()、

流源電壓測量單元電流測量單元低頻信號源等組成主要用于各類半導體器件直

、、、,

流參數(shù)低頻參數(shù)的測試

、。

3計量特性

直流電阻

3.1

范圍最大允許誤差

:0.005Ω~20GΩ,:±(0.1%~1%)。

電壓輸出

3.2

直流電壓最大允許誤差

a):±(0.01V~10kV),:±(0.1%~3%);

交流電壓最大允許誤差頻率

b):±(0.1V~5000V),:±(1%~5%),:

50Hz。

電壓指示

3.3

直流電壓最大允許誤差

a):±(0.01V~10kV),:±(0.1%~3%);

交流電壓最大允許誤差頻率

b):±(0.1V~5000V),:±(1%~5%),:

50Hz。

電流輸出

3.4

直流電流最大允許誤差

a):±(1nA~10A),:±(0.1%~1%);

脈沖電流最大允許誤差單脈沖

b):±(1A~1200A),:±(0.5%~3%),

溫馨提示

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