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4.15霍爾式傳感器4.15.1霍爾式傳感器工作原理4.15.2霍爾元件的特性及其補(bǔ)償4.15.3霍爾集成電路4.15.4霍爾傳感器的應(yīng)用及實例4.15.1霍爾式傳感器工作原理霍爾式傳感器是基于某些半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)原理制成的。半導(dǎo)體薄片的兩端通以電流,而在垂直方向施加磁感應(yīng)強(qiáng)度,在半導(dǎo)體的兩側(cè)會產(chǎn)生電動勢,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng),見圖4-145a。產(chǎn)生的電動勢稱為霍爾電動勢;半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。圖4-145霍爾效應(yīng)及基本電路設(shè)霍爾元件為N型半導(dǎo)體材料制成,電子為多數(shù)載流子,施加電流后,多數(shù)載流子沿著相反的方向運動,電子在磁場中受到洛侖茲力的作用,即:式中,為電子電量;為電子的速度。在的作用下,電子向一側(cè)偏轉(zhuǎn),見圖4-145a的虛線所示。因此,在半導(dǎo)體薄片的一側(cè)有電子積累而帶負(fù)電荷,而另一側(cè)因缺少電子而帶正電荷,于是在半導(dǎo)體薄片兩側(cè)建立靜電場。作用于運動電子的電場力為:式中,為霍爾元件的寬度。霍爾元件的靈敏度是極為重要的參數(shù)。表示霍爾元件在單位電流、單位磁感應(yīng)強(qiáng)度作用下,元件輸出霍爾電勢的大小。一般要求愈大愈好。半導(dǎo)體的電子濃度適中,而且可通過摻雜來控制電子濃度,因此,毫不例外地應(yīng)采用半導(dǎo)體作為霍爾元件的材料。此外,愈小,愈大,但是不能做得太薄,否則增加霍爾元件的輸入和輸出電阻。式(4-157)是在磁感應(yīng)強(qiáng)度與元件平面垂直條件下導(dǎo)出的。若與元件平面法線成一角度,則作用于元件的有效磁感應(yīng)強(qiáng)度為,因此,式(4-157)變?yōu)椋夯魻栐幕具B接電路見圖4-145b。圖中,RP調(diào)節(jié)元件的電流;為霍爾元件的負(fù)載電阻,通常為放大器或測量電路的輸入阻抗。4.15.2霍爾元件的特性及其補(bǔ)償霍爾元件的特性:特性
磁感應(yīng)強(qiáng)度
為常數(shù),在一定溫度下,電流
與
之間的關(guān)系稱為元件的
特性,見圖4-146a。特性
電流
固定,霍爾元件開路輸出
與磁感應(yīng)強(qiáng)度
的關(guān)系稱為元件的
特性,見圖4-146b。特性
霍爾元件的輸入電阻或輸出電阻與磁感應(yīng)強(qiáng)度
的關(guān)系稱為元件的
特性,見圖4-146c。圖4-146霍爾元件的特性霍爾元件特性補(bǔ)償如前所述,霍爾元件用半導(dǎo)體材料制成。由于半導(dǎo)體的特性受環(huán)境溫度的影響較嚴(yán)重,故必須對霍爾元件的特性進(jìn)行補(bǔ)償。溫度補(bǔ)償圖4-147霍爾元件的特性補(bǔ)償a)恒流源b)熱敏電阻補(bǔ)償電流c)熱敏電阻補(bǔ)償
4.15.3霍爾集成電路隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,目前霍爾元件與測量電路已集成化,二者融為一體。霍爾集成塊有線性集成塊和開關(guān)集成塊兩種。線性集成塊又有內(nèi)部有線性化補(bǔ)償和內(nèi)部無線性化補(bǔ)償兩種。開關(guān)型集成電路
開關(guān)型霍爾集成電路內(nèi)部組成框圖見圖4-149a。線性集成電路
線性霍爾集成電路的組成框圖見圖4-149b?;魻柤呻娐返耐庑我妶D4-149c。使用時磁敏感面應(yīng)正對磁感應(yīng)強(qiáng)度。圖4-149霍爾集成電路框圖及其外形a)開關(guān)型集成電路框圖
b)線性集成電路框圖
c)外形圖4.15.4霍爾傳感器的應(yīng)用及實例圖4-150無觸點照明控制器原理電路無觸點照明控制器
該控制器電路原理見圖4-150。采用永久磁鋼開關(guān)和開關(guān)型集成霍爾傳感器UGN3040L。GTJ3-1A為具有高低壓隔離的光電固體繼電器。交直流鉗形數(shù)字電流表
儀表原理見圖4-151。在環(huán)形鉗口式磁集束器的空氣隙中放置一塊線性霍爾集成片。磁集束器的作用是將載流
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