單元2表面組裝元器件課件

1、電子元器件的主要參數(shù)2、電子元器件的命名與標(biāo)注3、常見(jiàn)電子元件誤差及耐壓表示方法4、標(biāo)稱值與標(biāo)稱系列5、表面組裝元器件的種類與規(guī)格6、常見(jiàn)的表面組裝元器件介紹7、項(xiàng)目訓(xùn)練單元2表面組裝元器件一、電子元器件的主要參數(shù)1、電子元器件的電氣性能參數(shù)2、電子元器件的使用環(huán)境參數(shù)3、電子元器件的機(jī)械結(jié)構(gòu)參數(shù)4、電子元器件的焊接性能5、電子元器件的壽命單元2表面組裝元器件1、電子元器件的電氣性能參數(shù)—用于描述電子元器件在電路中的電氣性能，主要包括電氣安全性能參數(shù)、環(huán)境性能參數(shù)和電氣功能參數(shù)電子元器件的主要參數(shù)1一反映了環(huán)境變化對(duì)元器件性能的影響。主要技術(shù)參數(shù)有溫度系數(shù)、電壓系數(shù)、頻率特性等環(huán)境性能參數(shù)：1電子元器件的主要參數(shù)溫度系數(shù)溫度每變化1℃，電子元器件的規(guī)格參數(shù)數(shù)值產(chǎn)生的相對(duì)變化叫做溫度系數(shù)，單位為1/℃。溫度系數(shù)有正負(fù)之分（主要取決于它們的制造材料、結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)條件。）1電子元器件的主要參數(shù)

噪聲電動(dòng)勢(shì)和噪聲系數(shù)噪聲主要來(lái)源：外部噪聲，如雷電干擾、宇宙干擾和工業(yè)干擾等；內(nèi)部噪聲，主要由各種電子元器件產(chǎn)生，由于這種噪聲是自由電子的熱運(yùn)動(dòng)所產(chǎn)生的，通常又把它叫做熱噪聲。還有其他類型的噪聲是由于電子元器件的制造材料、結(jié)構(gòu)及工藝不同而產(chǎn)生的。1電子元器件的主要參數(shù)頻率特性：由于在制造元器件時(shí)材料及工藝結(jié)構(gòu)的原因，當(dāng)工作頻率不同時(shí)，電子元器件會(huì)表現(xiàn)出不同的電路響應(yīng)。如下圖，線繞電阻在高頻的工作情況下有電感的特性；每?jī)稍牙@組之間也出現(xiàn)分布電容。1電子元器件的主要參數(shù)——表示元器件的電氣功能。不同的元器件，使用的主要功能參數(shù)是不一樣的。例：電阻的功能參數(shù)有阻值、額定功率、精度（允許偏差）等電氣性能參數(shù)：1電子元器件的主要參數(shù)氣候環(huán)境參數(shù)：——主要是指元器件的工作溫度、濕度和儲(chǔ)存溫度、濕度等。有時(shí)還需考慮周?chē)鷼怏w對(duì)元器件質(zhì)量的影響。1電子元器件的主要參數(shù)3、電子元器件的機(jī)械結(jié)構(gòu)參數(shù)機(jī)械結(jié)構(gòu)參數(shù)主要包括外形尺寸、引腳尺寸、機(jī)械強(qiáng)度等。例：電阻本體及引線的直徑、長(zhǎng)度等。1電子元器件的主要參數(shù)4、電子元器件的焊接性能——電子元器件引腳的可焊性是衡量元器件質(zhì)量的重要性能指標(biāo)之一，“虛焊”是引起整機(jī)失效最常見(jiàn)的原因。——元器件的耐焊接性元器件能否在短時(shí)間（5~10s）耐住焊接時(shí)的高溫是衡量元器件質(zhì)量的重要性能指標(biāo)之一1電子元器件的主要參數(shù)5、電子元器件的壽命——元器件能夠正常工作的時(shí)間，是衡量元器件性能穩(wěn)定可靠的重要指標(biāo)。電子元器件的電氣性能參數(shù)指標(biāo)與其性能穩(wěn)定可靠是兩個(gè)不同的概念。1電子元器件的主要參數(shù)單位是Fit（“菲特”），1Fit＝10-9/h。即一百萬(wàn)個(gè)元器件運(yùn)用一千小時(shí)，每發(fā)生一個(gè)失效，就叫做1Fit。失效率越低，說(shuō)明元器件的可靠性越高。1電子元器件的主要參數(shù)失效率函數(shù)曲線（浴盆曲線）1電子元器件的主要參數(shù)高溫多功能綜合老化系統(tǒng)1電子元器件的主要參數(shù)電子元器件的名稱應(yīng)該反映出它們的種類、材料、特征、型號(hào)、生產(chǎn)序號(hào)及區(qū)別代號(hào)，并且能夠表示出主要的電氣參數(shù)。電子元器件的名稱由字母（漢語(yǔ)拼音或英語(yǔ)字母）和數(shù)字組成。國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB2470對(duì)大多數(shù)國(guó)產(chǎn)電子元器件的種類命名做出了統(tǒng)一的規(guī)定。1、電子元器件的命名方法電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注22、型號(hào)及參數(shù)在電子元器件上的標(biāo)注常用的標(biāo)注方法有直標(biāo)法、文字符號(hào)法和色標(biāo)法三種。2電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注（1）直標(biāo)法表示其種類為耐潮披釉線繞可調(diào)電阻器，額定功率為50W，阻值為1.5kΩ，允許偏差為±10％；表示其種類為單向引線式鋁電解電容器，額定直流工作電壓為16V，標(biāo)稱容量為22μF電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2⑵電阻的基本標(biāo)注單位是歐姆（Ω），電容的基本標(biāo)注單位是皮法（pF），電感的基本標(biāo)注單位是微亨（μH）；用三位數(shù)字標(biāo)注元件的數(shù)值。⑶對(duì)于十個(gè)基本標(biāo)注單位以上的元件，前兩位數(shù)字表示數(shù)值的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示數(shù)值的倍率。十位數(shù)個(gè)位數(shù)倍率圖中阻值：R＝22×100＝22×（1±5％）Ω電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2⑷對(duì)于十個(gè)基本標(biāo)注單位以下的元件，用字母“R”表示小數(shù)點(diǎn)，其余兩位數(shù)字表示數(shù)值的有效數(shù)字。例：電阻3R9表示3.9Ω電容1R5表示1.5pF

電感6R8表示6.8μH電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2色環(huán)電阻阻值讀取：四色環(huán)電阻，以前兩色環(huán)對(duì)應(yīng)的數(shù)值為有效值，第三環(huán)為倍率，第四環(huán)為精密度；五色環(huán)電阻，以前三色環(huán)對(duì)應(yīng)的數(shù)值為有效值，第四環(huán)為倍率，第五環(huán)為精密度。電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2順德職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子工程系電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2色碼還可用來(lái)表示元器件的某項(xiàng)參數(shù)，原電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，用色點(diǎn)標(biāo)在半導(dǎo)體三極管的頂部，表示共發(fā)射極直流放大倍數(shù)β或hFE的分檔，其意義見(jiàn)下表：色點(diǎn)棕紅橙黃綠藍(lán)紫灰白黑β分檔0～1515～2525～4040～5555～8080～120120～180180～270270～400400以上電子元器件的命名標(biāo)注與標(biāo)注2誤差字母識(shí)別法:

FGJKMZ±1%±2%±5%±10%±20%+80%-20%耐壓字母識(shí)別法

斯比泰電子（深圳）有限公司

ABC25V50V100V常見(jiàn)電子元件誤差及耐壓表示方法3標(biāo)稱值用色環(huán)或文字符號(hào)標(biāo)志標(biāo)注在元件體上的數(shù)值標(biāo)稱值與標(biāo)稱系列4標(biāo)稱值系列（E6-E96）：

n=1,2,3…,kk為10內(nèi)標(biāo)稱數(shù)值的個(gè)數(shù)如：E6的k=6,10開(kāi)6次方得1.468則A1-A6為1；1.5；2.2；3.3；4.7；6.8元件特性數(shù)值標(biāo)稱系列系列E24E12E6E24E12E6標(biāo)志J(I)K(II)M(III)J(I)K(II)M(III)允許偏差±5％±10％±20％±5％±10％±20％特性標(biāo)稱數(shù)值1.01.81.12.01.22.21.32.41.52.71.63.01.01.21.51.82.22.71.0

1.5

2.23.35.63.66.23.96.84.37.54.78.25.19.13.33.94.75.66.88.23.34.76.8標(biāo)稱值與標(biāo)稱系列4EIA-24：前兩位數(shù)字是有效數(shù)字，第三位是倍率乘數(shù)。例如，電阻器上印有114，表示阻值110kΩ。精密電阻的標(biāo)稱數(shù)值用四位數(shù)字表示。圓柱形電阻器用三位或四位色環(huán)表示阻值的大小

EIA-96：精密電阻用兩位數(shù)字代碼加一位字母代碼表示標(biāo)稱值與標(biāo)稱系列4代碼阻值代碼阻值代碼阻值代碼阻值代碼阻值代碼阻值011001714733215493166546481681021021815034221503246647582698031051915435226513326748783715041072015836232523406849984732051102116237237533486951185750061132216538243543577052386768071152316939249553657153687787081182417440255563747254988806091222517841261573837356289825101242618242267583927457690845111272718743274594027559091866121302819144280604127660492887131332919645287614227761993909141373020046294624327863494931151403120547301634427964995953161433221048309644538066596976EIA-96系列精密電阻代碼表標(biāo)稱值與標(biāo)稱系列4A=100，B=101，C=102，D=103，E=104，F(xiàn)=105，G=106，H=107，X=10-1，Y=10-2，Z=10-3例如：39X=249×10-1Ω=24.9Ω±1%標(biāo)稱值與標(biāo)稱系列4表面組裝元器件種類和規(guī)格表面組裝元器件又稱為片式元器件，也叫貼片元器件，是適應(yīng)當(dāng)代電子產(chǎn)品微小型化和大規(guī)模生產(chǎn)的需要發(fā)展起來(lái)的微型元器件，現(xiàn)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，具有體積小、重量輕、高頻特性好，無(wú)引線或短引線、安裝密度高、可靠性高、抗振性能好、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、適合表面組裝、成本低等特點(diǎn)。火柴/螞蟻/SMC5電阻電容集成電路電位器表面組裝元器件種類和規(guī)格5SMT元器件的分類從功能上分類為無(wú)源元件（SMC，SurfaceMountingComponent）、有源器件（SMD，SurfaceMountingDevice）和機(jī)電元件三大類無(wú)源元件包括片狀電阻器、電容器、電感器、濾波器和陶瓷振蕩器有源器件包括二極管、晶體管、集成電路等5表面裝配元器件的種類和規(guī)格表面裝配元器件的種類和規(guī)格功能分類：類別封裝器件種類無(wú)源元件電阻器厚膜電阻器、薄膜電阻器、熱敏器件、電位器等電容器多層陶瓷電容器、有機(jī)薄膜電容器、云母電容器、片式鉭電容器等電感器多層電感器、線繞電感器、片式變壓器等復(fù)合元件電阻網(wǎng)絡(luò)、電容網(wǎng)絡(luò)、濾波器等有源器件分立器件二極管、晶體管、晶體振蕩器等集成電路片式集成電路、大規(guī)模集成電路等機(jī)電元件開(kāi)關(guān)、繼電器紐子開(kāi)關(guān)、輕觸開(kāi)關(guān)、簧片繼電器等連接器片式跨接線、圓柱形跨接線、接插件連接器等微電機(jī)微型微電機(jī)等表面組裝元器件種類和規(guī)格5表面裝配元器件的種類和規(guī)格5表面裝配元器件的種類和規(guī)格5從結(jié)構(gòu)形狀分類，有薄片矩形、圓柱形、扁平異形等表面裝配元器件的種類和規(guī)格5長(zhǎng)方體SMC是根據(jù)其外形尺寸的大小劃分成幾個(gè)系列型號(hào)。歐美產(chǎn)品大多采用英制系列，日本產(chǎn)品大多采用公制系列，我國(guó)還沒(méi)有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，兩種系列都可以使用。典型SMC系列的外形尺寸（單位：mm/inch）表面裝配元器件的種類和規(guī)格5尺寸換算5表面裝配元器件的種類和規(guī)格1inch=1000mil；1inch=25.4mm，1mm≈40mil。

常見(jiàn)的表面組裝元器件介紹1、電阻器2、電容器3、電感器4、機(jī)電元器件5、表面組裝半導(dǎo)體器件6一、電阻器常見(jiàn)電阻器：貼片電阻貼片阻排插件電阻插件阻排電阻器的圖形符號(hào)1、電阻器的命名方法及圖形符號(hào)一、電阻器電阻器的命名方法（GB2470-81規(guī)定）主稱（R：一般電阻，W：電位器，M：敏感電阻）材料（有機(jī)實(shí)心）

分類（微調(diào)）序號(hào)區(qū)別代號(hào)WSW1A一、電阻器電阻器的材料、分類代號(hào)及其意義一、電阻器敏感電阻的材料、分類代號(hào)及其意義一、電阻器例如：RJ71主稱（電阻）材料（金屬膜）分類（精密）序號(hào)MF41主稱（熱敏電阻器）材料（負(fù)溫度系數(shù)熱敏材料）分類（旁熱）序號(hào)MF41旁熱式熱敏電阻器

RJ71型精密金屬膜電阻器

一、電阻器

表面組裝片式電阻器(1)表面組裝電阻器可分為矩形片式電阻器和圓柱形片式電阻器。矩形片式電阻器的電阻值的范圍是10Ω～3300kΩ，其外形尺寸長(zhǎng)為0.6mm～3.2mm，寬為0.3mm～2.7mm，厚為0.3mm～0.7mm。圓柱形片式電阻器的電阻值的范圍是4.7Ω～1000kΩ，外形尺寸長(zhǎng)為3.5mm～5.9mm，直徑為1.4mm～2.2mm。(2)表面組裝電阻器一般為黑色，外形太小的表面未標(biāo)出其阻值，而是標(biāo)記在包裝袋上，外形稍大的片式電阻器也有在外表標(biāo)出阻值大小。一、電阻器矩形片式電阻器的基本結(jié)構(gòu)

基本結(jié)構(gòu)是多層結(jié)構(gòu)。按照制造工藝可分為薄膜型（RN）和厚膜型（RK）。

厚膜型：第一層是扁平的高純度AL2O3陶瓷基片，第二層在基板上印刷金屬電阻體漿料（RuO2），燒結(jié)后經(jīng)光刻而成；第三層是低熔點(diǎn)玻璃釉保護(hù)層，另外在端面涂敷電極漿料制作成可焊端子，即為引線端。薄膜型電阻：是在基體上濺鍍一層鎳鉻合金而成，薄膜型電阻性能穩(wěn)定，阻值精度高，但價(jià)格較貴，由于在電阻層上涂覆特殊的低熔點(diǎn)玻璃釉涂層，故電阻在高溫，高溫下性能非常穩(wěn)定。

矩形片式電阻器的端電極結(jié)構(gòu)端電極有三層結(jié)構(gòu)，最內(nèi)層為銀鈀合金，它與陶瓷基有良好的結(jié)合力稱為內(nèi)電極，中間層為鍍鎳層，鎳的耐熱性和穩(wěn)定性好，可防止在焊接期間銀層的浸析，最外層為助焊層，不同的國(guó)家采用不同的材料，日本通常采用Sn-Pb合金，厚度為0.025mm，美國(guó)則采用Ag-Pd合金。矩形片式元器件焊盤(pán)尺寸焊盤(pán)設(shè)計(jì)原則（0805、1206型）焊盤(pán)寬度：A=Wmax-K電阻器焊盤(pán)長(zhǎng)度：B=Hmax+Tmax+K電容器焊盤(pán)長(zhǎng)度：B=Hmax+Tmax—K焊盤(pán)間距：G=Lmax-2Tmax-KK—常數(shù)，一般取0.25mm矩形片式電阻器的制造工藝流程矩形片式電阻器的標(biāo)識(shí)SMC元件的規(guī)格型號(hào)表示方法因生產(chǎn)廠商而不同。

華達(dá)電子廠矩形片式電阻的標(biāo)識(shí)：（1）元件上的標(biāo)注：

當(dāng)矩形片式電阻阻精度為5%時(shí)，采用3個(gè)數(shù)字表示?？缃泳€記為000，阻值小于10Ω，在兩個(gè)數(shù)字的間補(bǔ)加“R”表示，阻值在10Ω以上的，則最后一數(shù)值表示增加的零的個(gè)數(shù)。當(dāng)精度為1%時(shí)，則采用4個(gè)數(shù)字來(lái)表示，前3位為有效數(shù)字，第4位為倍率。阻值小于10Ω，仍在第二位補(bǔ)“R”，阻值為100Ω，則在第4位補(bǔ)“0”10Ω記為100（精度5%）10R0（精度1%）4.7Ω記為4R7（精度5%）4R70（精度1%）料盤(pán)上的標(biāo)注。

RC05K103JT種類尺寸溫度系數(shù)標(biāo)稱阻值阻值誤差包裝形式T-編帶包裝B-塑料盒散裝F-±25G-±50H-±100K-±250M-±50005-080503-0603F:±

1%G:±

2%J:±

5%K:±

10%M:±

20%矩形片式電阻器的標(biāo)識(shí)貼片元件的包裝通常采用園盤(pán)狀的塑料盤(pán)料盤(pán)料帶SMC的包裝W8：紙帶寬度8mmP4：紙帶兩孔距離4mmD7（D13）：紙帶卷裝的尺寸Φ1.0：TAPE孔徑1mm料盤(pán)識(shí)讀TYPE：元件類型品名LOT：生產(chǎn)批次QTY：每包裝數(shù)量P/N：元件編號(hào)VENDER：售賣(mài)者廠商代號(hào)P/ONO：定單號(hào)碼DESC：描述DELDATE：（選購(gòu)）生產(chǎn)日期DELNO：（選購(gòu)）流水號(hào)L/N：生產(chǎn)批次SPEC：描述SMC的包裝料盤(pán)識(shí)讀廠商尺寸精度阻值料號(hào)SMC的包裝料盤(pán)識(shí)讀廠商尺寸精度阻值料號(hào)SMC的包裝料盤(pán)識(shí)讀SMC的包裝某公司140系列的承認(rèn)書(shū)SMC的包裝某公司141承認(rèn)書(shū)（1）SMC的包裝某公司141系列的承認(rèn)書(shū)（2）SMC的包裝圓柱形片式電阻器圓柱形片式電阻器的基板與電阻材料及制作工藝等與矩形片式電阻器基本一樣。圓柱形片式電阻器的制造工藝制備電阻瓷棒→在電阻瓷棒上被覆電阻漿料層→壓裝金屬帽蓋→刻槽調(diào)整阻值→清洗→涂保護(hù)漆→打印標(biāo)記→測(cè)試分選→編帶包裝。圓柱形片式電阻的標(biāo)識(shí)圓柱形片式電阻器上用不同顏色的環(huán)來(lái)表示電阻的規(guī)格。其標(biāo)識(shí)如圖所示，不同顏色代表不同數(shù)字，以表示標(biāo)稱值和精度。標(biāo)稱阻值系列可參照(GB2691—8l)阻值允許偏差為J(±5％)，采用E24系列，用三條色環(huán)標(biāo)志：第一、二條表示有效數(shù)字，第三條表示前兩位有效數(shù)字乘以10的指數(shù)。ERO型金屬膜電阻器，阻值允許偏差為G(±2％)的采用E96系列，電阻值允許偏差為F(±1％)的采用E192系列，用五條色環(huán)標(biāo)志；第一、二、三條表示有效數(shù)字，第四條表示前三位有效數(shù)字乘以10的指數(shù)，第五條表示阻值允許偏差。電位器（可調(diào)電阻器）電位器

叫可調(diào)電阻器，其圖形符號(hào)如圖所示。電位器有三個(gè)引出端：其中兩個(gè)引出端為固定端，固定端之間的電阻值是固定的；另一個(gè)是滑動(dòng)端（也稱中心抽頭），滑動(dòng)端可以在固定端之間的電阻體上做機(jī)械運(yùn)動(dòng)，使其與固定端之間的電阻發(fā)生變化。電位器（可調(diào)電阻器）電位器類別電位器（可調(diào)電阻器）標(biāo)稱阻值額定功率滑動(dòng)噪聲分辨力機(jī)械零位電阻阻值變化規(guī)律起動(dòng)力矩與轉(zhuǎn)動(dòng)力矩電位器的軸長(zhǎng)與軸端結(jié)構(gòu)電位器的主要技術(shù)指標(biāo)電位器的軸長(zhǎng)與軸端結(jié)構(gòu)合成碳膜電位器WH148-1A-2-A50K-J-20-5主稱（電位器）復(fù)合膜額定電流雙聯(lián)指數(shù)標(biāo)稱值軸端結(jié)構(gòu)軸長(zhǎng)軸端長(zhǎng)度型號(hào)各種電位器性能比較表面組裝電位器表面組裝電位器又稱為片式電位器(ChipPotentiometer)是一種可連續(xù)調(diào)節(jié)的可變電阻器。其形狀有片狀、圓柱狀、扁平矩形等結(jié)構(gòu)的各類電位器，它在電路中起到調(diào)節(jié)分電路電壓和分電路電阻的作用。片式電位器有四種不同的外形結(jié)構(gòu)：（1）敞開(kāi)式結(jié)構(gòu)（2）防塵式結(jié)構(gòu)（3）微調(diào)式結(jié)構(gòu)（4）全密封式結(jié)構(gòu)片式電位器型號(hào)有3型、4型和6型片式微調(diào)電位器的外形尺寸和焊盤(pán)尺寸（圖2-12）片式電位器包裝大部分采用12mm塑料編帶包裝，也有采用棒式包裝的。片式電位器的焊盤(pán)尺寸電阻網(wǎng)絡(luò)電阻網(wǎng)絡(luò)可分為厚膜電阻網(wǎng)絡(luò)和薄膜片式電阻網(wǎng)絡(luò)兩大類。厚膜電阻網(wǎng)絡(luò)具有體積小、重量輕、機(jī)械強(qiáng)度高、高頻特性好、適應(yīng)再流焊與波峰焊、電性能穩(wěn)定、可靠性高、能與自動(dòng)裝貼設(shè)備匹配；符合RoHS指令要求等特點(diǎn)，符合小型化、高密度組裝要求。常見(jiàn)封裝外形有：

0.150英寸寬外殼形式（稱為SOP封裝）有8、14和16根引腳；0.220英寸寬外殼形式（稱為SOMC封裝）有14和16根引腳；0.295英寸寬外殼形式（稱為SOL封裝件）有16和20根引腳。

電阻排SOP（

SmallOutlinePackage）封裝電阻網(wǎng)絡(luò)電阻網(wǎng)絡(luò)的焊盤(pán)尺寸二、電容器電容器是存儲(chǔ)電荷的元件，具有通交流阻直流的特性，是電子線路中一種必不可少的很需要元件，在電路中的作用主要是耦合，隔直﹑濾波﹑諧振﹑保護(hù)﹑旁路﹑補(bǔ)償、調(diào)諧、選頻等。它的基本結(jié)構(gòu)是一層絕緣材料（介質(zhì)）間隔的兩片導(dǎo)體，在外加電壓下，電介質(zhì)發(fā)生極化，從而可以儲(chǔ)存一定量的電荷，儲(chǔ)存電荷的能力用電容量表示。常見(jiàn)電容器鉭質(zhì)電容(TantalumCapacitor)鉭質(zhì)電容(TantalumCapacitor)正極正極SMD電解電容塑料電容SMD電容SMD排容插件電解電容超小型金屬化聚脂電容器可調(diào)電容聚脂膜電容器電容器的技術(shù)參數(shù)⑴標(biāo)稱容量及偏差

電容量是電容的基本參數(shù)，其數(shù)值標(biāo)注在電容體上。某些電容器的體積過(guò)小，在標(biāo)注容量時(shí)常常不標(biāo)注單位符號(hào)，只標(biāo)注數(shù)值，這就需要根據(jù)電容器的材料、外形尺寸、耐壓等因素加以判斷，以讀出真實(shí)的容量。值。耐壓用色標(biāo)法的，位置靠近正極引出線的根部，所表示的意義如下表所示：顏色

黑

棕

紅

橙

黃

綠

藍(lán)

紫

灰

耐壓

4V

6.3V

10V

16V

25V

32V

40V

50V

63V例：3u3標(biāo)稱容量為：3.3uFp33標(biāo)稱容量為：0.33pFR56或u56標(biāo)稱容量為：0.56uF2n2或2200標(biāo)稱容量為：2200pF103標(biāo)稱容量為：0.01uF109標(biāo)稱容量為：0.1pF電容器的偏差一般較大，其誤差等級(jí)﹐一般采用六級(jí)±1％±2％±5％±10％±20％±80％-20%FGJKMZF332M1KVSEC容值/誤差生產(chǎn)廠商耐壓值溫度特性陶瓷電容（2）額定電壓（耐壓值）（3）損耗角正切圖中δ角是由于介質(zhì)損耗而引起的電流相移角度，叫做電容器的損耗角。損耗有功功率儲(chǔ)存無(wú)功功率tgδ真實(shí)表征了電容器的質(zhì)量?jī)?yōu)劣，不同類型的電容器，其tgδ的數(shù)值不同，一般為10-2~10-4。電容器的技術(shù)參數(shù)（4）穩(wěn)定性電容的主要參數(shù)受溫度、濕度、氣壓、震動(dòng)等環(huán)境因素的影響而發(fā)生變化，變化大小用穩(wěn)定性來(lái)衡量。溫度系數(shù)α0=1.△CC△t云母、瓷介質(zhì)電容穩(wěn)定性最好，溫度系數(shù)較小；電解電容溫度系數(shù)較大。電容器的技術(shù)參數(shù)電容器的命名與分類主稱（字母C）介質(zhì)材料（用字母表示，見(jiàn)附表）序號(hào)（用數(shù)字表示）特征（用字母表示，見(jiàn)附表）電容器的分類代號(hào)及其意義：例如CC1-63V-100P±10%CL11-63V-0.01MCY-100V-270JCTB-101K16CD71-50V-2.2uFPSR-50V-300±10%CYM1-1-4/27常用電容器的種類固定式

可變式

有機(jī)介質(zhì)

無(wú)機(jī)介質(zhì)

電解

可變：空氣、云母、薄膜

半可變：瓷介、云母

紙

介

有機(jī)薄膜

云

母

陶

瓷

玻

璃

鋁電解

鉭電解

鈮電解

普通紙介

金屬化紙介

滌淪

聚碳酸酯

聚苯乙烯

聚四氟乙烯

聚丙烯

漆膜

瓷片

瓷管

獨(dú)石

玻璃膜

玻璃釉

獨(dú)石

表面安裝電容器電容器是電子電路中不可缺少的元件，它在調(diào)諧電路、旁路電路、耦合電路、濾波電路中起著重要的作用。表面組裝用電容器簡(jiǎn)稱片式電容器，適用于表面組裝的電容器已發(fā)展到多品種、多系列的片式電容器。按外形、結(jié)構(gòu)和用途來(lái)分類，可達(dá)數(shù)百種，在實(shí)際應(yīng)用中，表面安裝電容器中有80%是多層片狀瓷介電容器，其次是表面安裝鋁電解電容器和鉭電解電容。多層片式瓷介電容器多層片式瓷介電容器(MultilayerCeramicCapacity,MLC)簡(jiǎn)稱陶瓷電容器，它以陶瓷為介質(zhì)，涂敷金屬薄膜(一般為銀)經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而形成電極，再在電極上焊上引出線，外表涂上保護(hù)漆，或用環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂封裝，即成為瓷介電容器。多層片式瓷介電容器瓷介電容器常用的陶瓷介質(zhì)材料有以下三類：

I型電容器陶瓷（國(guó)內(nèi)型號(hào)為CC41）：它的介電常數(shù)一般小于100。

Ⅱ型電容器陶瓷（國(guó)內(nèi)型號(hào)為CT41）：它的介電常數(shù)一般大于1000。

Ⅲ型電容器陶瓷：它具有很高的介電常數(shù)，廣泛應(yīng)用于對(duì)容量穩(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合。多層片狀陶瓷電容器由片狀陶瓷膜疊起來(lái)燒結(jié)而成。由于它的每片陶瓷膜很薄，因此具有容量大、體積小的特點(diǎn)。片式瓷介電容器的特點(diǎn)（1）由于電容器的介質(zhì)材料為陶瓷，所以耐熱性能良好，不容易老化。（2）瓷介電容器能耐酸堿及鹽類的腐蝕，抗腐蝕性好。（3）低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大，因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。（4）陶瓷的絕緣性能好，可制成高壓電容器。（5）高頻陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關(guān)系很小，因而在高頻電路可選用高頻瓷介電容器。（6）陶瓷的價(jià)格便宜，原材料豐富，適宜大批量生產(chǎn)。（7）瓷介電容器的電容量較小，機(jī)械強(qiáng)度較低。多層片式瓷介電容器的結(jié)構(gòu)陶瓷介電體是根據(jù)不同的電性能參數(shù)專門(mén)配制而成。在陶瓷介電體內(nèi)部，根據(jù)不同電容量的需要有多層并聯(lián)的內(nèi)電極．內(nèi)電極由Pb、Rt、Au、Ag等貴金屬或它們的合金組成。目前也有用金屬Ni、Fe、Cu等制作內(nèi)電極。陶瓷介電體和內(nèi)電極構(gòu)成的坯體經(jīng)高溫?zé)Y(jié)為一個(gè)整體．故又稱為獨(dú)石電容器．片式瓷介電容器內(nèi)部電極一般采用交替層疊的形式,根據(jù)電容量的需要，少則二、三層，多則數(shù)十層。日本NEC制作電容量為0.1μF的MLC時(shí)，內(nèi)電極已達(dá)120層。MLC的制造工藝多層陶瓷電容器的制造工藝流程是先配制陶瓷漿料，后在流延機(jī)上制作陶瓷膜片，然后在若干片陶瓷薄膜坯上網(wǎng)印內(nèi)部電極槳料，經(jīng)疊合、粘接、層壓后一次繞結(jié)成一塊整體，再按事先設(shè)計(jì)好的路徑切割成條料，再涂敷外電極，經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)，獲得電容器芯子，然后用樹(shù)脂進(jìn)行封裝而成，最后印上標(biāo)識(shí)字符，就獲得小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型多層陶瓷電容器。表面組裝鋁電解電容器表面組裝鋁電解電容器，又叫片式鋁電解電容器。可分為液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器和固體電解質(zhì)片式鋁電容器兩大類。從結(jié)構(gòu)上分：要有臥式結(jié)構(gòu)和立式結(jié)構(gòu)兩種。臥式優(yōu)點(diǎn)為高度低，最高尺寸不超過(guò)4.5mm，缺點(diǎn)是貼裝面積大，不適宜高密度組裝；立式安裝面積小，適宜高密度組裝。目前片式鋁電解電容以立式結(jié)構(gòu)為主。按外形和封裝材料的不同，可分為矩形鋁電解電容器（樹(shù)脂封裝）和圓柱形電解電容器（金屬封裝）兩類。液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器的特點(diǎn)：它是由鋁圓筒做負(fù)極、里面裝有液體電解質(zhì)，插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點(diǎn)是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負(fù)極性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時(shí)，正、負(fù)極不能接反。液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器的結(jié)構(gòu)：電容器的陽(yáng)極箔：是用高純度的鋁箔（含鋁99.9％－99.99％）經(jīng)電解腐蝕(弱酸)陽(yáng)極氧化而成；陰極箔：用低純度的鋁箔（含鋁99.5％－99.8％）電解腐蝕獲得。用電解紙將陰陽(yáng)兩極隔離，繞成電容器的芯子，的后，將電容器芯子放入電解液（最常用普通鋁電解液是硼酸銨乙二醇系電解液，還有添加劑和溶劑。）中浸透、密封，鉚接鋁電極引線，最后用金屬鋁殼或耐熱環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝，獲得片式鋁電解電容器。液體電解質(zhì)鋁電解電容的制造工藝制備高純度鋁箔電化學(xué)腐蝕處理按設(shè)計(jì)裁剪成形鉚接鋁引線用電解紙作襯墊隔離卷繞成型浸漬電解液密封鉚接外引線裝配用環(huán)氧樹(shù)脂封裝檢測(cè)包裝。固體電解質(zhì)片式鋁電解電容器固體電解質(zhì)片式鋁電解電容器采用有機(jī)導(dǎo)電化合物作為工作電解質(zhì)，以導(dǎo)電有機(jī)高分子聚合物作為產(chǎn)品的實(shí)際陰極（實(shí)際上就是電解質(zhì)），具有高頻低阻抗、高溫穩(wěn)定、快速放電、減小體積、無(wú)漏液現(xiàn)象，與液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器比較具有大容量、低阻抗、無(wú)電解質(zhì)泄漏、高溫長(zhǎng)壽命(在85℃的工作環(huán)境中，壽命最高可達(dá)40,000小時(shí))等優(yōu)點(diǎn)，并具有耐反向電壓的能力。片式鉭電解電容器片式鉭電解電容器，是用金屬鉭做正極，用稀硫酸等配液做負(fù)極，用鉭表面生成的氧化膜作為介質(zhì)制成。矩形鉭電解電容外殼為有色塑料封裝，一端印有深色標(biāo)志線，為正極，在封面上有電容量的數(shù)值及耐壓值，一般有醒目的標(biāo)志，以防用錯(cuò)，其外形如圖所示。正極片式鉭電解電解器的電解質(zhì)是固體,并可以在其上直接連接引出線，因而體積小，使用壽命長(zhǎng),將逐步替代鋁電解電容器。鉭電解電容器單位體積容量大，電解質(zhì)響應(yīng)速度快，因此在需要高速運(yùn)算處理的大規(guī)模集成電路中應(yīng)用廣泛，如計(jì)算機(jī)主板，現(xiàn)在用在手機(jī)中的鉭電容器，約占36.2%，平均一部手機(jī)應(yīng)用鉭電解電容器從5只至20只不等；其次為AV影音產(chǎn)品，約占32%；筆記本電腦方面應(yīng)用占15.1%和其他穩(wěn)定性高的軍用和民用整機(jī)設(shè)備中。

片式云母電容器片式云母電容器其形狀多為方塊狀，云母電容器采用天然云母作為電容極間的介質(zhì)，其耐壓性能好。云母電容由于受介質(zhì)材料的影響，容量不能做的太大，一般容量在10PF-10000PF之間，而且造價(jià)相對(duì)其它電容器高。云母電容器可以做成很小的電容量，具有高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小的特點(diǎn)。其外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。云母電容器制造工藝：

將銀漿料印在云母上作為金屬極板，經(jīng)層疊、熱壓形成電容胚體，制作外電極，其端頭是典型的三層結(jié)構(gòu)。最后完成電極連接，封裝成型、打印標(biāo)記，編帶包裝。

云母電容器用途：用于高頻振蕩，脈沖等要求較高電路，實(shí)際電路中應(yīng)用不多。片式微調(diào)電容器片式微調(diào)電容器是電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個(gè)電容值的電容器，其外形如圖所示。片式微調(diào)電容器實(shí)際上就是微調(diào)電容器的片式化。隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展，微調(diào)電容的尺寸仍然在不斷縮小，應(yīng)用在一些體積小的場(chǎng)合，如有線電視、遙控器、報(bào)警器、對(duì)講機(jī)等領(lǐng)域。電感器(Inductor)凡是能產(chǎn)生電感作用的元件統(tǒng)稱為電感元件，也稱電感器，一般由線圈組成，又稱電感線圈。通過(guò)電感的電流不能突變，所以具有通直流阻交流的特性。在電路中主要起濾波，緩沖，起振，反饋的作用。線圈電感(Lxx)SMD電感（FBxx）SMD感排⑴電感量在沒(méi)有非線性導(dǎo)磁物質(zhì)存在的條件下，一個(gè)載流線圈的磁通量Ψ與線圈中的電流I成正比，其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用L表示，簡(jiǎn)稱電感。

L＝Ψ／I

電感的基本單位是H（亨利），實(shí)際常用單位有mH（毫亨）、μH（微亨）和nH（毫微亨）。電感器的基本參數(shù)⑵

固有電容即分布電容，等效電路如圖：由于固有電容的存在，使線圈有一個(gè)固有頻率或諧振頻率，記為f0，其值為Hz使用電感線圈時(shí)，應(yīng)使其工作頻率遠(yuǎn)低于線圈的固有頻率。為了減小線圈的固有電容，可以減小線圈骨架的直徑，用細(xì)導(dǎo)線繞制線圈，或者采用間繞法、蜂房式繞法。⑶品質(zhì)因數(shù)（Q值）Q值越高，損耗功率越小。諧振電路要求電感器的Q值高，以便獲得更好的選擇性。是指線圈在一個(gè)周期中儲(chǔ)存的能量與消耗的能量比值。它是線圈品質(zhì)的重要參數(shù)⑷額定電流電感線圈中允許通過(guò)的最大電流。當(dāng)電感線圈在供電回路里作為高頻扼流圈或在大功率諧振電路里作為諧振電感時(shí)，都必須考慮它的額定電流是否符合要求。ABCDE額定電流501503007001600（mA)⑸穩(wěn)定性線圈產(chǎn)生幾何變形、溫度變化引起的固有電容和漏電損耗增加，都會(huì)影響電感器的穩(wěn)定性。通常用電感溫度系數(shù)αL和不穩(wěn)定系數(shù)βL來(lái)衡量。⑴小型固定電感器幾種常用電感器結(jié)構(gòu):是在棒形、工字形或王字形的磁心上直接繞制一定匝數(shù)的漆包線或絲包線，外表裹覆環(huán)氧樹(shù)脂或封裝在塑料殼中。有些環(huán)氧樹(shù)脂封裝的固定電感器用色碼標(biāo)注其電感量，故也稱為色碼電感。特點(diǎn)：具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)牢固（耐震動(dòng)、耐沖擊）、防潮性能好、安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，常用在濾波、扼流、延遲、陷波等電路中。色環(huán)電感⑵平面電感結(jié)構(gòu)：主要采用真空蒸發(fā)、光刻電鍍及塑料包封等工藝，在陶瓷或微晶玻璃片上沉積金屬導(dǎo)線制成，見(jiàn)圖1.32。目前的工藝水平已經(jīng)可以在1cm2的面積上制作出電感量為2μH以上的平面電感。特點(diǎn)：平面電感的穩(wěn)定性、精度和可靠性都比較好，適用在頻率范圍為幾十MHz到幾百M(fèi)Hz的高頻電路中。⑶

中周線圈結(jié)構(gòu)：由磁心、磁罩、塑料骨架和金屬屏蔽殼組成，線圈繞制在塑料骨架上或直接繞制在磁心上，骨架的插腳可以焊接到印制電路板上。有些中周線圈的磁罩可以旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)，有些則是磁心可以旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)。調(diào)整磁心和磁罩的相對(duì)位置，能夠在±10％的范圍內(nèi)改變中周線圈的電感量。特點(diǎn)：廣泛應(yīng)用在調(diào)幅、調(diào)頻接收機(jī)、電視接收機(jī)、通信接收機(jī)等電子設(shè)備的振蕩調(diào)諧回路中。其技術(shù)參數(shù)是根據(jù)接收機(jī)的設(shè)計(jì)要求確定，并直接影響接收機(jī)的性能指標(biāo)，所以各種接收機(jī)中的中周線圈的參數(shù)都不完全一致。為了正確選用，應(yīng)該針對(duì)實(shí)際情況，查閱有關(guān)資料。⑷鐵氧體磁心線圈鐵氧體鐵磁材料具有較高的導(dǎo)磁率，常用來(lái)作電感線圈的磁心，制造體積小而電感量比較大的電感器（5）其他電感器半導(dǎo)體收音機(jī)的磁性天線，電視機(jī)的偏轉(zhuǎn)線圈、振蕩線圈兩個(gè)電感線圈相互靠近，就會(huì)產(chǎn)生互感現(xiàn)象。因此從原理上來(lái)說(shuō)，各種變壓器都屬于電感器。變壓器在電子產(chǎn)品中能夠起到交流電壓變換、電流變換、傳遞功率和阻抗變換的作用，是不可缺少的重要元件之一。變壓器表1（1）常用變壓器的種類及特點(diǎn)（2）變壓器的主要性能參數(shù)①額定功率。②變壓比。③效率。④溫升。⑤絕緣電阻和抗電強(qiáng)度。⑥空載電流。⑦信號(hào)傳輸參數(shù)。片式電感器片式電感器亦稱表面貼裝電感器，它與其它片式元器件（SMC及SMD）一樣，是適用于表面貼裝技術(shù)（SMT）的新一代無(wú)引線或短引線微型電子元件，其引出端的焊接面在同一平面上。在電路中起扼流、退耦、濾波、調(diào)諧、延遲、補(bǔ)償?shù)茸饔?，外形如圖示。繞線型片式電感器繞線型片式電感器通常采用微小工字型磁芯，經(jīng)繞線、焊接、電極成型，塑封等工序制成，如圖所示。這種類型片式電感器具有生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，電性能優(yōu)良，適合大電流通過(guò)，具有可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。另一種繞線型片式電感器，是采用H型陶瓷芯，經(jīng)過(guò)繞線、焊接、涂復(fù)、環(huán)氧樹(shù)脂封裝等工藝制成。由于電極已預(yù)制在陶瓷芯體上，制造工藝更為簡(jiǎn)單，而且可進(jìn)一步微小型化，最小體積為2.5×2.0×1.8mm。這類電感器電感值較小，但自諧頻率高,更適合高頻使用。氧化鋁陶瓷疊層片式電感器氧化鋁陶瓷疊層片式電感器具有體積小，無(wú)引線，適合于高密度、高速度貼片組裝。具有高的自諧振頻率，在高頻下Q值高，電感值穩(wěn)定，無(wú)交叉耦合等特性。包裝形式通常為編帶包裝?？蓮V泛應(yīng)用于高清晰數(shù)字電視、高頻頭、計(jì)算機(jī)板卡等領(lǐng)域。其外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。多層片式電感器的外形尺寸多層片式電感器的端電極結(jié)構(gòu)如疊層型電感器不用繞線，是用鐵氧體漿料和導(dǎo)電漿料，交替進(jìn)行多層印刷，然后通過(guò)高溫共燒結(jié)，形成有閉合磁路的電感線圈，或者將微米級(jí)鐵氧體薄片進(jìn)行疊層，每個(gè)磁性層有印刷的導(dǎo)體圖案和孔，孔中填充導(dǎo)體材料，從而把上層圖案和下層圖連結(jié)起來(lái)，經(jīng)過(guò)加壓，燒結(jié)，形成一體化的多層電感器，這類電感器制作工藝更適合尺寸微小型化，容易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化大生產(chǎn)，現(xiàn)在最小尺寸已能制成1005型（1.0mm×0.5mm×0.5mm)，其電感值為0.047μH～10μH，工作頻率最高可達(dá)12GHz,可適合移動(dòng)電話向高頻化，網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展的需要。疊層型電感器與繞線型相比，主要特點(diǎn)是磁路封閉，抗EMI性能好，直流電阻小，電感量和可允許額定電流相對(duì)較小，更適合高頻下使用。具有良好的耐熱性和可焊性、有很高的可靠性，適合于高密度自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)。流延穿孔法的流程如下：制造柔性鐵氧體薄片在鐵氧體薄片上打出通孔用絲網(wǎng)在薄片上印上導(dǎo)電漿料疊層

加壓切割加熱、燒結(jié)

涂端電極燒結(jié)在端電極上鍍鎳后再鍍錫鉛

成型電感芯子。層疊印刷法的流程如下：漿料配制流延制膜用絲網(wǎng)在薄片上印上導(dǎo)電漿料疊層

加壓切割排膠燒結(jié)在端電極上鍍鎳后再鍍錫鉛

成型電感芯子。片式電感器的標(biāo)識(shí)片式電感的標(biāo)識(shí)方法，不同的廠家有不同的標(biāo)注方法以華達(dá)電子廠狀電感器的標(biāo)識(shí)方法為例：

HDW

UC

2012

R10

K

G

T（1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）代號(hào)含義：（1）

產(chǎn)品代號(hào)：HDW（2）

芯片類型：UC（UC為陶瓷芯，UF為鐵氧體芯）（3）

尺寸代號(hào)：2012（4）電感量代號(hào)：R10（R10為0.1uH）

（5）偏差代號(hào)

：K（6）端頭代號(hào)：G為端頭（G為金端頭，S為錫端頭）（7）包裝代號(hào)：T為包裝方式（T為編帶包裝，B為散包裝）。片式磁珠片式磁珠是目前應(yīng)用、發(fā)展很快的一種抗干擾元件，廉價(jià)物美，濾除高頻噪聲效果顯著。片式磁珠由軟磁鐵氧體構(gòu)成，多用于信號(hào)回路，主要用于抑制電磁輻射干擾。磁珠外形如圖和內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。磁珠現(xiàn)專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。片式濾波器片式濾波器主要用來(lái)濾除信號(hào)中無(wú)用的頻率成分，片式濾波器的種類較多，按性能來(lái)分，有片式抗電磁干擾濾波器（EMI），片式表面波濾波器等。按結(jié)構(gòu)來(lái)分有閉磁路片式LC濾波器、金屬外殼型片式LC濾波器、片式多層LC濾波器等。片式抗電磁干擾濾波器（EMI）抗電磁干擾（EMI）濾波器，是由電感、電容組成的無(wú)源器件?？梢詾V除信號(hào)中的電磁干擾，抑制同步信號(hào)中的高次諧波，避免數(shù)字電路信號(hào)失真。它能在阻帶（通常大于10KHz）范圍內(nèi)衰減射頻能量而讓工頻無(wú)衰減或很少衰減地通過(guò)。EMI結(jié)構(gòu)主要由矩形鐵氧體磁珠和片式電容器組成。經(jīng)內(nèi)外端子連接，外用環(huán)氧樹(shù)脂封裝，形成一體，具有體積小、可靠性高、適合于自動(dòng)化表面貼裝的特點(diǎn)。EMI制造工藝：制備鐵氧體磁芯在鐵氧體磁芯端頭鍍Ag安裝內(nèi)電極組裝電容形成EMI芯子連接內(nèi)外電極進(jìn)行外部封裝打印字符檢驗(yàn)包裝。片式多層LC濾波器片式多層濾波器是新近開(kāi)發(fā)的一種新型復(fù)合組件，它是利用低溫共燒陶瓷技術(shù)將若干個(gè)電感器、電容器以及電阻器集成到一個(gè)陶瓷基體上而制成。其中片式多層濾波器是國(guó)內(nèi)外正在大力發(fā)展的一個(gè)品種。片式多層濾波器具有體積小、獨(dú)石結(jié)構(gòu)、磁屏蔽、工作頻率范圍寬、衰減特性好、便于電路的小型化、微型化，有利于元器件高密度安裝，而且形狀規(guī)整，適合于自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)，可靠性高等特點(diǎn)。片式表面波濾波器片式表面波濾波器的工作原理是利用表面彈性波進(jìn)行濾波的帶通濾波器，它是利用石英、鈮酸鋰、鈦酸鋇晶體等具有壓電效應(yīng)的性質(zhì)做成的。片式表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)是在單晶體鉭酸鋰或鈮酸鋰壓電體的表面或在玻璃板上鍍上氧化鋅膜壓電體的表面，分別設(shè)置輸入、輸出的梳狀電極，對(duì)梳狀電極施加脈沖電壓，在壓電效應(yīng)的作用下，由相鄰電極間的逆相位失真而產(chǎn)生表面波振動(dòng)。表面波濾波器的結(jié)構(gòu)如圖2-42所示制造工藝：制備陶瓷基板積淀金屬內(nèi)電極制備梳狀電極組裝梳狀電極與基板上內(nèi)電極互連作氣密封裝檢驗(yàn)印制標(biāo)記入庫(kù)。多層片式氧化鋅壓敏電阻器多層片式氧化鋅壓敏電阻器結(jié)構(gòu)：該電阻器在結(jié)構(gòu)上類似獨(dú)石電容器，由多個(gè)分立壓敏電阻器并聯(lián)構(gòu)成。多層片式氧化鋅壓敏電阻器有兩種類型：一類是外形尺寸為0402、0603、0805、1206的表面安裝型；另一類是外形尺寸為0405、0508、0612等陣列型，陣列型由多個(gè)分立壓敏電阻器并聯(lián)構(gòu)成。多層片式氧化鋅壓敏電阻器外形和尺寸如圖所示。氧化鋅壓敏電阻器在筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)電話MP3等IT產(chǎn)品中有廣泛的應(yīng)用

圖2-45氧化鋅壓敏電阻器實(shí)物及應(yīng)用片式熱敏電阻層疊片式負(fù)溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻NTC熱敏電阻是由Co、Mn、Ni、Cu、Fe、Al等過(guò)渡金屬氧化物混合燒結(jié)而成，其阻值隨溫度的升高呈指數(shù)型下降，阻值/溫度系數(shù)一般在百分之幾，這么高的靈敏度使其能夠探測(cè)極小的溫度變化。NTC熱敏電阻結(jié)構(gòu)：NTC熱敏電阻結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，主要有單層片和多層疊片式兩種內(nèi)結(jié)構(gòu)形式。主要部件為陶瓷敏感體和附屬電極。片式開(kāi)關(guān)輕觸開(kāi)關(guān)：是一種適合用于表面組裝的片式開(kāi)關(guān)，輕觸開(kāi)關(guān)是一種電子開(kāi)關(guān)，使用時(shí)輕輕點(diǎn)按開(kāi)關(guān)按鈕就可使開(kāi)關(guān)接通，當(dāng)松開(kāi)手時(shí)開(kāi)關(guān)即斷開(kāi)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是靠金屬?gòu)椘芰梽?dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)通斷。這類開(kāi)關(guān)體積小、結(jié)構(gòu)緊湊，適合高密度表面組裝，可進(jìn)行回流焊，可承受260°C的回流溫度。用于各種音響設(shè)備、VCR、通訊設(shè)備、照相機(jī)、汽車(chē)等各種電器中。片式連接器連接器，國(guó)內(nèi)亦稱作接插件、就是插頭和插座。其作用通常是連接兩個(gè)有源元器件以傳輸電流或信號(hào)。一種連接器是IC插座，其作用是將IC封裝引腳與PCB的連接，另一類連接器是印制電路與導(dǎo)線或與印制板之間的連接。片式連接器有間距0.5、0.635、1、1.27mm等多個(gè)規(guī)格品種，其特點(diǎn)是體積小、精密度高、適合表面組裝。1、連接器按外形結(jié)構(gòu)分：有圓形和矩形（橫截面）兩種。

2、按工作頻率分：可分為低頻和高頻（以3MHz為界）兩類。

通常印制電路連接器屬于矩形連接器，圓形連接器多為同軸連接器。

3、連接器還可以按用途、安裝方式、特殊結(jié)構(gòu)、特殊性能等來(lái)分類，可分出許多不同的類型，如①低頻圓形連接器；②矩形連接器；③印制電路連接器；④射頻連接器；⑤光纖連接器等。連接器通常經(jīng)過(guò)再流焊工藝將其組裝在PCB上，使用時(shí)將IC的引腳直接插入到連接器的實(shí)現(xiàn)機(jī)電連接。表面貼裝變壓器表面貼裝變壓器是一種小型集成化的新型機(jī)電零件。在電子線路中應(yīng)用廣泛，主要起電壓變換和阻抗變換的作用。用于表面組裝的片式變壓器主要有電源變壓器和變頻變壓器兩大類。圖2-52所示為多層片式壓電陶瓷變壓器外形和焊盤(pán)尺寸。這種變壓器，其厚度僅１.５至２.５毫米，體積僅是傳統(tǒng)變壓器的１／３，具有能量轉(zhuǎn)換率高、體積小、無(wú)電磁干擾等特點(diǎn)。表面貼裝繼電器適合表面組裝的繼電器具有微小型化和很高的抗振性、可靠性。其結(jié)構(gòu)已經(jīng)完全固體化，這樣可防電磁干擾和射頻干擾，提高靈敏度。隨著小外形封裝SOP技術(shù)的突破，在繼電器內(nèi)部將各種放大、延時(shí)、消觸點(diǎn)抖動(dòng)、滅弧、遙控、等電路功能集成到一起，從而實(shí)現(xiàn)繼電器的多功能和能高智能化。固體繼電器的應(yīng)用將更趨廣泛，價(jià)格將繼續(xù)下降，并向高可靠、小體積、高抗浪涌電流沖擊和抗干擾性發(fā)展。表面組裝繼電器種類繁多，分類方法各不相同，有按作用原理、外形尺寸、產(chǎn)品用途等來(lái)分類。1、按作用原理分類可分為：

（1）電磁繼電器：在輸入電路內(nèi)電流的作用下，由機(jī)械部件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生預(yù)定響應(yīng)的一種繼電器。

（2）固態(tài)繼電器：輸入、輸出功能由電子元件完成而無(wú)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的一種繼電器。

（3）時(shí)間繼電器：當(dāng)加上或除去輸入信號(hào)時(shí)，輸出部分需延時(shí)或限時(shí)到規(guī)定的時(shí)間才閉合或斷開(kāi)其被控線路的繼電器。

（4）溫度繼電器：當(dāng)外界溫度達(dá)到規(guī)定值時(shí)而動(dòng)作的繼電器.

（5）舌簧繼電器：利用密封在管內(nèi)，具有觸電簧片和銜鐵磁路雙重作用的舌簧的動(dòng)作來(lái)開(kāi),閉或轉(zhuǎn)換線路的繼電器等。（其本質(zhì)是電磁繼電器的一種）我國(guó)機(jī)電部四十所研制的適合表面組裝的片式繼電器SMR-01型外形如圖所示，有兩種引腳形式。現(xiàn)在尺寸和引腳間距尺寸已經(jīng)進(jìn)有了一步的縮小。表面組裝半導(dǎo)體器件表面組裝半導(dǎo)體器件SMD（SurfaceMountedDevices）：是一種有源電子器件，是在原有雙列直插（DIP）器體的基礎(chǔ)上發(fā)展來(lái)的，是通孔技術(shù)（THT）向SMT發(fā)展的重要標(biāo)志，主要分為片式晶體管和集成電路兩大類。在DIP以后出現(xiàn)的封裝形式比較多，其焊端或引腳都是制作在同一平面內(nèi)，適合表面組裝。從SMD端子形狀來(lái)分，其主要有下列三種形狀。1、鷗翼形引線具有吸收應(yīng)力的特點(diǎn)，因此與PCB匹配性好，這類器件端子共面性差，特別是多端子細(xì)間距的QFP，端子極易損壞，貼裝過(guò)程應(yīng)特別小心。

2、J形引線剛性好且間距大，共面性好，但由于端子在元件本體的下，故有陰影效應(yīng)，焊接溫度不易調(diào)節(jié)。

3、球形柵格陣列芯片I/O端子呈陣列式分布在器件底面上，并呈球狀，適應(yīng)于多端子數(shù)器件的封裝，常見(jiàn)的有BGA、CSP、CB等，這類器件焊接時(shí)也存在陰影效應(yīng)。表面組裝晶體管

用于表面組裝的晶體管管有三種封裝形式，第一種是圓柱形二極管，其封裝結(jié)構(gòu)是將二極管芯片裝在具有內(nèi)部電極的細(xì)玻璃管中，玻璃管兩端裝上金屬帽分別做成正負(fù)電極，外形尺寸有1.5mm×3.5mm和2.7×5.2mm兩種，通常用于齊納二極管、高速二極管和通用二極管，采用塑料編帶包裝。第二種是片狀二極管為模塑封裝矩形薄片，各種型號(hào)的外形尺寸個(gè)不相同?？捎迷赩HF頻段到S頻段，采用塑料編帶包裝。第三種是SOT-23封裝形式的片狀二極管，多用于封裝復(fù)合型二極管。小外形封裝晶體管的封裝形式主要有SOT-23、SOT-89、SOT-143、TO-252幾種。SOT-23封裝有三條“翼形”端子，端子材質(zhì)為42號(hào)合金，強(qiáng)度好，但可焊性差。這種封裝常見(jiàn)的有小功率晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管和帶電阻網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合晶體管。外形如圖2-60所示，結(jié)構(gòu)如圖2-61所示，外形尺寸如圖2-62所示。

SOT-89是適用于中功率的晶體管(300mw～2w)，具有三條薄的短端子分布在晶體管的一端，晶體管芯片粘貼在較大的銅片上，以增加散熱能力。這類封裝常見(jiàn)于硅功率表面安裝晶體管。SOT-143有4條“翼形”短端子，端子中寬大一點(diǎn)的是集電極。這類封裝常見(jiàn)雙柵場(chǎng)效應(yīng)及高頻晶體管。外形如圖2-64所示。SOT-252三端穩(wěn)壓電路采用的封裝形式如圖2-65所示，其結(jié)構(gòu)如圖2-66所示，外形尺寸如圖2-67所示。這種封裝也適用于大功率晶體管，在管子的一側(cè)有三條較粗的引線，芯片貼在散熱銅片上。其他各種功率晶體管都可以采用這種封裝形式。集成電路

表面組裝型混合集成電路是為了適應(yīng)電子整機(jī)對(duì)小型、輕量、薄型化需求而發(fā)展的一種新的復(fù)合功能型表面組裝器件，它的基本封裝形式，是將集成電路芯片和內(nèi)引線封裝于塑料或陶瓷殼體之內(nèi)，從殼體內(nèi)引出相應(yīng)的焊端或短引線，以適應(yīng)表面組裝的需要。表面組裝集成電路因封裝不同，可分為：SOJ、PLCC、LCCC、QFP、BGA、CSP、FC、MCM等。小外型塑料封裝(SOP)IC方型扁平封裝QFP

QFP這種封裝的集成電路引腳較多，多用于高頻電路，中頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路等，其外形如圖2-71所示。它是專為細(xì)間距引線的表面安裝集成電路而研制。引線形狀為翼型的稱為QFP；帶有J型引線的稱為QFJ。引線間距：0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.25mm。引線數(shù)范圍為：80～500條。芯片載體封裝塑料有引線封裝PLCC帶引線的塑料芯片載體是表面貼裝型的器件封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84條。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC外形如圖2-72所示。陶瓷無(wú)引線封裝LCCCLCCC的特點(diǎn)是：無(wú)引線，引出端是陶瓷外殼，四側(cè)的鍍金凹槽(常被稱作：城堡式)，凹槽的中心距有1.0mm和1.27mm兩種。其實(shí)物和外形如圖所示球柵陣列封裝BGA門(mén)陣列式球形封裝（BallGridArry），即I/O引腳在芯片的底部。具有體積小、I/O多、電氣性能優(yōu)越（適合高頻電路）、散熱好等的優(yōu)點(diǎn)。圖示為BGA器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

BGA器件底面焊球點(diǎn)陣外形圖BGA的特點(diǎn)：

（1）BGA與QFP相比較，在同樣的引腳情況下，可減小封裝尺寸，提高I/O數(shù)。如BGA313和QFP304器件相比。少占34%面積，封裝尺寸同為20mm20mm、引間距為0.5mm的QFP的器件I/O數(shù)為156個(gè)，而B(niǎo)GA器件為1521個(gè)。

（2）BGA的優(yōu)點(diǎn)散熱特性好，芯片工作溫度低。

（3）BGA引線短，導(dǎo)線的自感和互感很低，元件管腳間信號(hào)干擾小，頻率特性好。

(4)器件設(shè)計(jì)、制造和裝配相對(duì)容易。封裝可靠性高，再流焊，焊點(diǎn)的間的張力能產(chǎn)生良好的自對(duì)中效果，允許有50%的貼片精度誤差。焊后管腳水平面同一性較易保證，與SMT設(shè)備兼容。

（5）BGA的缺點(diǎn)是印制電路板的成本增加，焊后檢測(cè)困難、返修困難，PBGA對(duì)潮濕很敏感。封裝件和襯底容易開(kāi)裂裂開(kāi)。

裸芯片組裝裸芯片組裝是將大規(guī)模集成電路的芯片直接焊接在電路基板上，焊接方法有下列幾種。1、芯片載體封裝COB(chipOnboard)COB是將裸芯片直接粘在電路基板上，用引線鍵合達(dá)到芯片與SMB的連接，然后用灌封材料包封，這種形式主要用在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。2、載帶自動(dòng)鍵合TAB(TapeAutomatedBonding)TAB是芯片－基板間的一種電氣互連形式，其本質(zhì)是將芯片焊接到與其連接的基板上的技術(shù)。載帶實(shí)際上是一種基材為聚酰亞胺薄膜，在其表面覆蓋上銅箔后，用化學(xué)的方法腐蝕出事先設(shè)計(jì)好的精細(xì)的引線圖形的一種承載帶。參與連接的芯片是一種經(jīng)過(guò)在芯片引出點(diǎn)上鍍Au、Cu或Sn/Pn合金，形成高度為20-30m的微凸點(diǎn)電極的芯片。其組裝的方法就是將芯片粘貼在載帶上，將凸點(diǎn)電極與載帶的引線鍵合連接，然用樹(shù)脂封裝，其結(jié)構(gòu)如圖2-75所示。這種器件適用于大批量自動(dòng)化生產(chǎn)。TAB的引線間距可較QFP進(jìn)一步縮小至0.2mm或更細(xì)。圖2-75TAB結(jié)構(gòu)倒裝芯片F(xiàn)C(FlipChip)

倒裝芯片和TAB芯片一樣，是一種事先在芯片引出點(diǎn)上制成凸點(diǎn)電極的微組裝芯片，組裝時(shí)將裸芯片倒裝在SMB基板上(芯片凸點(diǎn)電極與SMB上相應(yīng)的焊接部位對(duì)準(zhǔn))，用再流焊技術(shù)連接而成。倒裝芯片的互連技術(shù)，由于焊點(diǎn)可分布在裸芯片全表面，并直接與基板焊盤(pán)連接，更適應(yīng)微組裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，是目前研究和發(fā)展最為活躍的一種裸芯片組裝技術(shù)。其結(jié)構(gòu)如圖2-76所示。倒裝芯片F(xiàn)C(FlipChip)倒裝芯片和TAB芯片一樣，是一種事先在芯片引出點(diǎn)上制成凸點(diǎn)電極的微組裝芯片，組裝時(shí)將裸芯片倒裝在SMB基板上(芯片凸點(diǎn)電極與SMB上相應(yīng)的焊接部位對(duì)準(zhǔn))，用再流焊技術(shù)連接而成。倒裝芯片的互連技術(shù)，由于焊點(diǎn)可分布在裸芯片全表面，并直接與基板焊盤(pán)連接，更適應(yīng)微組裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，是目前研究和發(fā)展最為活躍的一種裸芯片組裝技術(shù)。其結(jié)構(gòu)如圖所示。芯片尺寸封裝CSP實(shí)際上是在BGA封裝小型化過(guò)程中形成的，所以也將CSP稱的為微型球柵陣列(μBGA)，芯片尺寸封裝是根據(jù)美國(guó)EIA協(xié)會(huì)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)JEDEC的JSTK一012標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積的120%的產(chǎn)品稱的為CSP。CSP技術(shù)可確保VLSI在高性能、高可靠性的前提下實(shí)現(xiàn)芯片的最小尺寸封裝(接近裸芯片的尺寸)，而相對(duì)成本卻更低，因此符合電子產(chǎn)品小型化的發(fā)展潮流，是一種高密度封裝形式。CSP具有封裝小、阻抗低、干擾小、噪聲低、屏蔽效果好、互連短，更適合高頻領(lǐng)域應(yīng)用的特點(diǎn)。但CSP的缺點(diǎn)是：底部需要填充，焊后檢測(cè)和返修比較困難，封裝成本貴。IC類材料的包裝通常用TRAY盤(pán)來(lái)包裝,TRAY的規(guī)格通常是根據(jù)TRAY盤(pán)能夠裝IC的(寬與長(zhǎng))個(gè)數(shù)來(lái)表示.TRAY盤(pán)TRAY盤(pán)的規(guī)格是(4X10)SMT飛達(dá)半導(dǎo)體芯片制造工藝半導(dǎo)體器件制造分五個(gè)不同階段，第一階段是材料準(zhǔn)備即硅片制備階段，主要是如何將沙子提煉并純化成為圓晶的階段。第二個(gè)階段是硅片制造階段，包括清洗、成膜、光刻、刻蝕及摻雜極端。第三個(gè)階段是硅片檢測(cè)與分揀階段，第四個(gè)階段是切割硅片裝配并封裝階段，最后是終檢階段，完成半導(dǎo)體器件制造。1、材料準(zhǔn)備

主要是用一種純度很高的沙子轉(zhuǎn)變成晶體的過(guò)程，用碳加熱硅砂可制備冶金級(jí)硅，再通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將冶金級(jí)硅提純?yōu)槿裙柰椤Ｔ偻ㄟ^(guò)將三氯硅烷與氫氣反應(yīng)，得到半導(dǎo)體級(jí)硅。下一步是要進(jìn)行圓晶制造，硅晶圓是一切集成電路芯片的制作母材。制造硅晶圓以細(xì)小顆粒狀硅作為原料，制造晶圓要經(jīng)過(guò)純煉與結(jié)晶的程序。目前晶體化的制程，大多是采柴可拉斯基拉晶法。拉晶時(shí)，將特定晶向的晶種，浸入過(guò)飽和的純硅熔液中，并同時(shí)旋轉(zhuǎn)拉出，硅原子便依照晶種晶向，一層層成長(zhǎng)上去，而得到晶棒，如圖2-78所示。

2、硅片制造階段

1）薄膜制備：獲得的硅片要在高于或等于1050℃的爐管中，通入氧氣或水汽，以便使硅晶的表面氧化，生長(zhǎng)出所謂干氧層或濕氧層，作為電子組件電性絕緣層或制成掩膜用。氧化層的厚度一般不超過(guò)2微米。

2）摻雜：在半導(dǎo)體材料中攙雜n型或p型導(dǎo)電雜質(zhì)來(lái)調(diào)變阻值，形成PN結(jié)，這是制造出二極管、晶體管、集成電路的基礎(chǔ)。摻雜是通過(guò)擴(kuò)散來(lái)進(jìn)行，雜質(zhì)由高濃度向低濃度方向擴(kuò)散，而獲得一定的攙雜量。擴(kuò)散工藝通常采用批量生產(chǎn)、此法可以降低成本，但在擴(kuò)散區(qū)域的邊緣有側(cè)向擴(kuò)散誤差，故限制其在次微米制程上的應(yīng)用。

圖2-80芯片制造工藝流程圖3）蝕刻：光刻是利用光刻膠的感光性和耐蝕性，在各種薄膜上復(fù)印并刻蝕出與掩摸版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。以實(shí)現(xiàn)選擇性摻雜和金屬膜布線的目的。

蝕刻分為兩類：

①濕蝕刻：濕蝕刻是最普遍、也是設(shè)備成本最低的蝕刻方法。

②干蝕刻：干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。它是利用等離子(plasma)來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的蝕刻加工。

4）離子注入

離子注入就是注入離子進(jìn)行摻雜，就是將III族或IV族的雜質(zhì)，以離子的型式，經(jīng)加速后沖擊進(jìn)入晶圓表面，經(jīng)過(guò)一段距離后，大部份停于離晶圓表面0.1微米左右的深度，然后進(jìn)一步利用驅(qū)入（drive-in）法來(lái)調(diào)整濃度分布，并對(duì)離子撞擊過(guò)的區(qū)域，進(jìn)行結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)，完成摻雜工序。在擴(kuò)散制程的描述中，已經(jīng)提到擴(kuò)散區(qū)域邊緣有側(cè)向擴(kuò)散的誤差，故限制其在次微米制程上的應(yīng)用。用離子植入法來(lái)進(jìn)行摻雜，可以獲得圖案更精細(xì)，濃度更為稀少精準(zhǔn)的雜質(zhì)攙入。如圖2-81所示。離子注入的方法可直接用光阻來(lái)定義植入的區(qū)域。詳細(xì)的工藝流程如圖2-76所示。圖2-81離子注示意圖5）化學(xué)氣相沉積CVD化學(xué)氣相沉積的本質(zhì)是成膜工藝，前面介紹了以高溫爐管來(lái)進(jìn)行二氧化硅層的成長(zhǎng)。至于其它如多晶硅、氮化硅、鎢或銅金屬等薄膜材料，如何在硅晶圓上成膜？實(shí)際上，形成這些膜仍然是采用高溫爐管，只是有著不同的化學(xué)沉積過(guò)程，有著不同的工作溫度、壓力與反應(yīng)氣體，統(tǒng)稱為化學(xué)氣相沉積。按化學(xué)氣相沉積的研發(fā)歷程，分別簡(jiǎn)介常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、及等離子體輔助化學(xué)氣相沉積的工藝。6）金屬鍍膜（物理鍍膜PVD）6）金屬鍍膜

分為蒸鍍與濺鍍兩種：①蒸鍍就是在真空條件下，用加熱蒸發(fā)的方法使鍍料轉(zhuǎn)化為氣相，然后凝聚在基體表面的方法稱為蒸發(fā)鍍膜，簡(jiǎn)稱蒸鍍就加熱方式差異，分為電阻式與電子槍式兩類。圖示為電阻蒸發(fā)源的真空蒸鍍示意圖。其中1-鍍膜室、2-工件、3-金屬蒸汽流線、4-電極蒸發(fā)源5-電極、6-電極密封絕緣體、7-排氣系統(tǒng)、8-交流電源。②濺鍍是PVD薄膜制備技術(shù)的一種，主要分為四大類：直流濺鍍、交流濺鍍、反應(yīng)濺鍍和磁控濺鍍。原理如圖2-83所示。用帶電粒子轟擊靶材，加速的離子轟擊固體表面時(shí)，發(fā)生表面原子碰撞并發(fā)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，使靶材原子從表面逸出并淀積在襯底材料上的過(guò)程。圖2-83濺鍍?cè)韴D7）晶片切割：為了把圓晶片轉(zhuǎn)換成可用的形式,要將其分割，將圓晶片安放在工作臺(tái)的環(huán)形框架的金屬薄片上,如圖所示。把圓晶片緊固在可移動(dòng)的切割卡盤(pán)上,依靠刀具的內(nèi)部計(jì)算程序?qū)A晶片位置進(jìn)行檢測(cè)并加以校準(zhǔn)，在校準(zhǔn)圓晶片的位置后,通過(guò)移動(dòng)卡盤(pán)與安裝在圓晶片上方轉(zhuǎn)軸,快速旋轉(zhuǎn)的鉆石螺旋刀片接觸,進(jìn)行實(shí)際的切割。硅片鋸切割硅片3、封裝

IC封裝按照使用材料可分為陶瓷和塑料封裝兩種，而目前應(yīng)用較多的是以塑料封裝為主。工藝流程的關(guān)鍵技術(shù)解釋：

1）粘帖芯片：是用點(diǎn)膠機(jī)在印刷線路板放置IC的位置上涂上適量的貼片膠，再用防靜電設(shè)備(真空吸筆)將IC裸片正確放在貼片膠上，將粘好裸片的PCB放入熱循環(huán)烘箱中的大平面加熱板上，恒溫靜置一段時(shí)間實(shí)現(xiàn)固化，也可以靜置自然固化。

2）焊接引線/壓焊：是采用鋁絲焊線機(jī)將晶片與PCB板上對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)鋁絲進(jìn)行焊接。工廠中也叫(綁定或打線)。

3）模塑封裝：在模塑封裝前，用點(diǎn)膠機(jī)將調(diào)配好的AB膠適量地點(diǎn)到邦定好的晶片上進(jìn)行固定，然后用塑料按要求進(jìn)行封裝，封裝好的PCB印刷線路板放入熱循環(huán)烘箱中恒溫靜置，根據(jù)要求可設(shè)定不同的烘干時(shí)間。

4）剪切/成形：剪切的目的是將安裝完成的晶片獨(dú)立分開(kāi)，並把不需要的連接用材料及部份凸出的樹(shù)脂切除。成形的目的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好的形狀，以便組裝到電路板上使用。

5）打印標(biāo)記：打印標(biāo)記是將元器件的相關(guān)字符印刷在器件的塑料外形表面上。其目的在于注明器件的規(guī)格及生產(chǎn)廠家。

6）檢測(cè)：是將封裝好的PCB印刷線路板再用專用的檢測(cè)工具進(jìn)行電氣性能測(cè)試，以鑒別質(zhì)量好壞。

對(duì)封裝的基本要求：

①封裝對(duì)芯片要能起到保護(hù)作用，封裝后使芯片不受外界因素的影響而損壞，不因外部條件變化而影響芯片的正常工作；

②封裝后芯片通過(guò)外引出線(或稱引腳)與外部系統(tǒng)能方便和可靠的電連接；

③將芯片在工作中產(chǎn)生的熱能通過(guò)封裝外殼散播出去，從而保證芯片溫度保持在最高額定溫度之下；

④使芯片與外部系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)可靠的信號(hào)傳輸，保持信號(hào)的完整性判定SMT材料正確性的標(biāo)準(zhǔn)1.材料的料盤(pán)上編碼必須與客戶清單上的編碼相對(duì)應(yīng)。2.材料的型號(hào)必須與客戶清單上的型號(hào)要求相對(duì)應(yīng)。3.材料的規(guī)格要符合客戶清單上的要求。4.材料的誤差要符合客戶清單上的要求。5.材料實(shí)物上的絲印與客戶清單上的要求相一致,若不一致則必須有客戶有效的文件支持.6.有特殊要求看廠家的材料,材料的廠家必須滿足客戶的要求SMT元器件的包裝編帶的尺寸標(biāo)準(zhǔn)表面裝配元器件的基本要求⑴裝配適應(yīng)性——要適應(yīng)各種裝配設(shè)備操作和工藝流程。

SMT元器件在焊接前要用貼裝機(jī)貼放到電路板上，所以，元器件的上表面應(yīng)該適用于真空吸嘴的拾取。表面組裝元器件的下表面（不包括焊端）應(yīng)保留使用膠粘劑的能力。尺寸、形狀應(yīng)該標(biāo)準(zhǔn)化，并具有良好的尺寸精度和互換性。包裝形式適應(yīng)貼裝機(jī)的自動(dòng)貼裝。具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，能承受貼裝應(yīng)力和電路基板的彎曲應(yīng)力。⑵焊接適應(yīng)性——要適應(yīng)各種焊接設(shè)備及相關(guān)工藝流程。元器件的焊端或引腳的共面性好，適應(yīng)焊接條件。元器件的材料、封裝耐高溫性能好，適應(yīng)焊接條件（再流焊235±5℃，焊接時(shí)間2±0.2S；波峰焊260±5℃，焊接時(shí)間5±0.5S）可以承受焊接后采用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗，封裝材料及表面標(biāo)識(shí)不得被溶解。⑴表面組裝元器件存放的環(huán)境條件：環(huán)境溫度庫(kù)存溫度＜40℃；生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)溫度＜30℃；環(huán)境濕度＜RH60%；環(huán)境氣氛庫(kù)存及使用環(huán)境中不得有影響焊接性能的硫、氯、酸等有毒氣體；防靜電措施要滿足SMT元器件對(duì)防靜電的要求；元器件的存放周期從元器件廠家的生產(chǎn)日期算起，庫(kù)存時(shí)間不超過(guò)兩年；整機(jī)廠用戶購(gòu)買(mǎi)后的庫(kù)存時(shí)間一般不超過(guò)一年；假如是自然環(huán)境比較潮濕的整機(jī)廠，購(gòu)入SMT元器件以后應(yīng)在三個(gè)月內(nèi)使用。使用SMT元器件的注意事項(xiàng)⑵對(duì)有防潮要求的SMD器件，開(kāi)封后72小時(shí)內(nèi)必須使用完畢，最長(zhǎng)也不要超過(guò)一周。如果不能用完，應(yīng)存放在RH20%的干燥箱內(nèi)，已受潮的SMD器件要按規(guī)定進(jìn)行去潮烘干處理。⑶在運(yùn)輸、分料、檢驗(yàn)或手工貼裝時(shí)，假如工作人員需要拿取SMD器件，應(yīng)該佩帶防靜電腕帶，盡量使用吸筆操作，并特別注意避免碰傷SOP、QFP等器件的引腳，預(yù)防引腳翹曲變形。類型選擇：選擇元器件時(shí)要注意貼片機(jī)的精度。鉭和鋁電容器主要用于電容量大的場(chǎng)合。

PLCC芯片的面積小，引腳不易變形，但維修不夠方便。

LCCC的可靠性高但價(jià)格高，主要用于軍用產(chǎn)品中，并且必須考慮器件與電路板之間的熱膨脹系數(shù)是否一致的問(wèn)題。機(jī)電元件最好選用有引腳的元件。SMT元器件的選擇SMD器件封裝的發(fā)展與前瞻

TODIPLCCQFPBGACSPMCM封裝形式：封裝比：芯片面積/封裝面積COB（ChipOnBoard）板載芯片bondingBGA（ballgridarray）球柵陣列填空題1.常用的電子元件有_____、______、______、______、_____。2.元器件參數(shù)的標(biāo)注方式有________、________、________。3.電容性能參數(shù)有:________、________、________、________。4.IC常見(jiàn)的封裝形式有:______、_______、_______、_______。5.貼片電阻的絲印為542，其電阻值是:_________。1562的電阻值是_______。330的電阻值是________。6.貼片電感絲印為221，其感量應(yīng)是________。貼片電感絲印為綠紫紅，其感量應(yīng)是_________。作業(yè)1串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源圖所示是一個(gè)串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源。⑴請(qǐng)改正圖中的錯(cuò)誤，在錯(cuò)誤處畫(huà)“×”并改畫(huà)正確。⑵從給出的元器件庫(kù)存表內(nèi)，選擇合適的型號(hào)填入元件清單表中（其中電阻只須選擇正確的標(biāo)稱值填入）。作業(yè)2元器件庫(kù)存表編號(hào)型號(hào)編號(hào)型號(hào)編號(hào)型號(hào)12AP993DD01A17CD11-6.3V-220μ22CZ82103DK418CA-16V-47μ32CK44113AX2219CD11-10V-470μ42CW14123CT620CJ11-63V-0.01μ53CG2113CS2B21CD11-16V-1000μ63DG614CCW3-1-5/20p22CL10-63V-0.01μ73AG1515CBM-X-270p23CD11-25V-1000μ83AD18A16CJ10-160V-0.1μ24CD11-16V-220μ元器件清單R1RT-0.125-b-±5％C1~C4R2RT-0.125-b-±10％C5R3RT-0.125-b-±10％C6R4RT-0.