場效應管教程課件

1.4.1結型場效應管1.4.3場效應管的主要參數(shù)1.4.4場效應管與晶體管的比較1.4.2絕緣柵型場效應管1.4場效應管

場效應半導體三極管是僅由一種載流子參與導電的半導體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。

從場效應三極管的結構來劃分，它有兩大類。1.結型場效應三極管JFET

(JunctiontypeFieldEffectTransister)2.絕緣柵型場效應三極管IGFET(InsulatedGateFieldEffectTransister)IGFET也稱金屬氧化物半導體三極管MOSFET（MetalOxideSemiconductorFET）電子技術論壇電子發(fā)燒友1.4場效應管N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類：1.4.1結型場效應三極管結構它是在N型半導體硅片的兩側擴散高濃度P離子區(qū)，形成兩個PN結夾著一個N型溝道的結構。P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。

導電溝道：漏源之間的非耗盡層區(qū)域。

源極，用S或s表示N型導電溝道漏極，用D或d表示

P型區(qū)P型區(qū)柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號符號JFET的結構和工作原理結構：#

符號中的箭頭方向表示什么？一、結型場效應三極管的工作原理

根據(jù)結型場效應三極管的結構，只能工作在反偏的條件下，

N溝道結型場效應三極管只能工作在負柵壓（uGS<0）區(qū)，

P溝道的只能工作在正柵壓區(qū)，否則將會出現(xiàn)柵流。同時uDS>0，實現(xiàn)柵源電壓對漏極電流的控制?，F(xiàn)以N溝道為例說明其工作原理。

2、漏源電壓對溝道的控制作用

uGS=固定值（UGS(off)～0），uDS對iD的影響：

uDS=0，iD＝0

漏源電壓uDS>0，漏、源間將形成多子的漂移運動，產(chǎn)生漏極電流iD，（負值）uGD=uGS-uDS將隨之變化（減?。?。

靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從左至右呈楔形分布，如圖所示。當uDS增加，uGD反偏電壓增加，溝道電阻取決于（柵源電壓一定）uGS，iD隨uDS線性增大，漏源間呈電阻特性。（負值）uGD=（負值）UGS(off)時，靠漏極處出現(xiàn)預夾斷，如圖

(b)所示。當uDS繼續(xù)增加，漏極處的夾斷繼續(xù)向源極方向生長延長。（負值）uGD<（負值）UGS(off)時，溝道夾斷使iD減??；漏源間電場使iD增大。則uDS變化iD幾乎不變，只與uGS有關。恒流特性。綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導電，

所以場效應管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受uGS控制預夾斷前iD與uDS呈近似線性關系；預夾斷后，iD趨于飽和。#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？

JFET柵極與溝道間的PN結是反向偏置的，因

此iG0，輸入電阻很高。

JFET的特性曲線有兩條，一是轉移特性曲線，二是輸出特性曲線。它與MOSFET的特性曲線基本相同，MOSFET的柵壓可正、可負，結型場效應三極管的柵壓只能是P溝道