常用電子元器件30385課件

2023/2/61常用電子元器件品保電子零件識別TTE2023/2/62一.電阻(RESISTOR)1.符號:2.簡寫代號:R3.阻值單位:OHM/Ω(歐姆)4.外觀形狀:標準型(散式)M型(U型)5.功用:限流,降壓

帶式(TAPING)F型SMD型2023/2/636.按素材不同分類:

1.炭素皮膜電阻器（淺色：淡綠色、淡藍色、淺棕色）

2.金屬膜、金屬氧化膜電阻器（紅色）

3.線繞電阻器（深綠色）

4.水泥電阻器

5.熱敏電阻器

6.其他電阻器碳素皮膜金屬膜線繞電阻水泥電阻熱敏電阻2023/2/658.按精密度分類:1.一般電阻器(5%,10%,20%)2.精密電阻器(0.5%…1%,2%)2023/2/669.色碼電阻器:以色碼來標示電阻器的阻值大小A.色碼(國際標準色碼)

無色碼:黑棕紅橙黃綠藍紫灰白金銀色數(shù)字:0123456789(5%)(10%)(20%)注：金（在第三位定為0.1）銀（在第三位定為0.01）2023/2/67B.一般色碼電阻器:以四個色碼來表示阻值大小,

誤差值為5%,10%,20%.

誤差色碼:金\銀\無色第三位碼:倍數(shù)碼c第二位碼:有效碼b第一位碼:有效碼a

阻值R=ab×10c

Ω2023/2/69例子:1.色碼為棕黑紅金的電阻器阻值R=10*102=1000Ω=1KΩR’=1000*5%=950--1050Ω誤差值為5%2.色碼為綠紅灰棕棕的電阻器阻值R=528*101=5280ΩR’=5280*1%=5227.2—5332.8Ω誤差值為1%

單位換算:1TΩ=103GΩ=106MΩ=109KΩ=1012Ω

太歐吉歐兆歐千歐歐姆(基本單位)2023/2/61010.熱敏電阻:對溫度變化相當敏感材料作成的電阻器

A.正溫度糸數(shù)熱敏電阻器

B.負溫度糸數(shù)熱敏電阻器隨溫度升高阻值變大隨溫度升高阻值變小阻值阻值溫度溫度C.功用:溫度補償,溫度檢知2023/2/61111.SMD電阻器(貼片電阻器):

A.阻值標示:

阻值R=10*101=100Ω

阻值R=101*102=10100Ω=10.1KΩ10110122023/2/61312.可調(diào)電阻器（電位器W）

有三個引出端，兩個為固定端，一個滑動端（中心抽頭）

A.半可調(diào)電阻器

B.可調(diào)電阻器2023/2/614二、電容器（CAPACITOR）1.符號:

A:*有極性電容器*E/C電解電容器*EC/LR低漏流器電解電容器*T/C鉭質(zhì)電容器

B:*無極性電容器*C/C陶瓷電容器*B/C基層電容器*M/C塑膠電容器＋－2023/2/615電容器（CAPACITOR）2.簡寫代號:C3.容量單位:*F(法拉)μF(微法)nF（納法）

pF(皮法)

換算:*1F=106μ

F

=109nF=1012pF

（基本單位）

特性：1通直流隔交流

2充電放電

作用:1.濾波2.耦合2023/2/617電容器的種類2.鉭質(zhì)電容器:漏電流小,單價貴

A:符號:B:外觀樣式:C:特性:*有正負極性*容量:10μF*耐壓:16V*精密電器使用

D:PCB上標示圖形:+-+-2023/2/618電容器的種類3.陶瓷電容器(CERAMICCAPACTION)

A:符號:B:外觀樣式:C:特性:*無正負極性*高頻傍路,消除雜訊*容量:1pF~0.1μFD:PCB上標示圖形:E:容量標示:*104表示容量10*104=100000pF=0.1μF*M表示誤差值±20%*默認單位為pF2023/2/619電容器的種類4.基層電容器

A:符號:B:外觀樣式:C:特性:*無正負極性*特性與C/C同*體積小*內(nèi)部以并聯(lián)方式制作

D:PCB上標示圖形:E:容量標示:*503表示容量50*103=50000pF=0.05μF*J表示誤差值5%2023/2/621電容器的種類6.低漏電解電容器(EC/LR)A:符號:B:外觀樣式:C:特性:*有正負極性*一般以橙色及黑色為外觀*漏電流小

D:PCB上標示圖形:E:容量標示:*220表示容量220μF*200表示耐壓值200V+--+2023/2/622電容器的種類7.無極性電解電容器(CRN)

A:符號:B:外觀樣式:C:特性:*無正負極性*一般都以黃色為外觀

D:PCB上標示圖形:E:容量標示:*100u表示容量100μF*16表示耐壓值16V2023/2/623電容器的種類8.溫度補償電容器(CNPO)

A:符號:B:外觀樣式:C:特性:*無正負極性*高頻溫度補償用

D:PCB上標示圖形:E:容量標示:*1n0表示容量1000pF*n10表示容量100pF1n02023/2/62510貼片電容A、無極性電容B、電解電容

容量為22μF(默認)

耐壓為25V2023/2/626電容器誤差值表示方法代號\容量≦10pF≧10pFB±0.1pFC±0.25pFD±0.5pFE±25%F±1pF±1%G±2%H±2.5%J±5%K±10%M±20%P-0%~+100%Z-20%~+80%2023/2/627三、電感器(INDUCTOR)1.符號:2.簡寫代號：L3.感量單位:H(亨利)mH(毫亨)μH(微亨)

1H=103mH=106μH

（基本單位）4.外觀形狀:A:電阻型小電感器(電感量μH)B:帶式電感器(μH)2023/2/629中周線圈

1.結(jié)構(gòu)：由磁芯、磁罩、塑料骨架和金屬屏蔽殼組成貼片電感2023/2/630四、二極體(DIODE)1.半導體簡介:A.半導體基本素材:四價元素----硅、鍺

B.P型半導體:四價元素+三價元素三價元素:硼、鋰、鎵、銦、鉈

C.N型半導體:四價元素+五價元素五價元素:碳、磷、砷、銻、鉍*所謂四價元素就是原子核內(nèi)電子排列，最外軌道只剩四個電子。*電子在各軌道排列的方式：2n2

2023/2/6312.一般二極體:A.符號:B.簡寫代號：DC.外觀形狀:IN4148(玻璃)IN4002(塑料)

D.功用:*整流*隔離*檢波紅色+

黑色-

黑色+

灰色-2023/2/632

E.特性曲線:Vr:順向切入電壓硅:0.6~0.8V

鍺:0.2~0.3VF.編號:a.1S***:日本規(guī)格.1S133b.OA***:歐洲規(guī)格

c.1N***:美國規(guī)格.1N4003VIVRVr2023/2/633G.二極體編號與規(guī)格:編號規(guī)格編號規(guī)格1N400150V/1A1N540150V/3A1N4002100V/1A1N5402100V/3A1N4003200V/1A1N5403200V/3A1N4004400V/1A1N5404300V/3A1N4005600V/1A1N5405500V/3A1N4006800V/1A1N5406600V/3A1N40071000V/1A1N5407800V/3A1N54081000V/3A注：1N4002可以替代1N4001

但1N4001不可替代1N40022023/2/6343.穩(wěn)壓二極體（ZENERDIODE）A.符號：B.簡寫代號:ZDC.外觀形狀:D.特性曲線：E.功能：＊.穩(wěn)壓＊.截波IVZV綠色環(huán)為正極2023/2/635F.編號：

a.NEC（日本電氣）編號：

EX:RD5.1EB1RD:ZENERDIODE代號

5.1：穩(wěn)壓中心值5.1VEB1:下限值：4.85~5.03VEB2:中間值：4.97~5.18VEB3:上限值：5.12~5.35V2023/2/636b.HITACHI（日立）編號：

EX:123

HZ5A4.3-4.54.4-4.64.5-4.7

B4.6-4.84.7-4.94.8-5.0C4.9-5.15.0-5.25.1-5.32023/2/637發(fā)光二極體（LIGHT-EMITTINGDIODE）A.符號：B.特性曲線：C.外觀形狀：IVrv腳長的為正極2023/2/638發(fā)光二極體（LIGHT-EMITTINGDIODE）D.LED發(fā)光基色：a.紅色（鉀）

b.黃色（磷）

c.綠色（鈉）

E.LED發(fā)光原理：能量不滅定理是利用LED順向?qū)〞r，由高能階變成低能階，其能量變化以光及熱的方式散發(fā)出來，再配合不同材料，即可發(fā)出不同顏色光。

高能階低能階以光和熱散發(fā)出來2023/2/639發(fā)光二極體（LIGHT-EMITTINGDIODE）F.功用：*.指示燈*.顯示2023/2/6405.光二極體（PHOTODIODE）A.符號：B.特性:PD受到光線照射時，其漏電流會增加。C.功用：光電控制。6.S.I.R(紅外線發(fā)光二極體）：

*順向?qū)〞r，會發(fā)射紅外線光波。*作用：光電控制。2023/2/641五.電晶體、三極體（Transistor）1.簡寫代號：*.Q*.TR2.符號與結(jié)構(gòu)：

C(集電極)E(發(fā)射極)B(基極)PNPNPNC(集電極)E(發(fā)射極)B(基極)B：BASEC：COLLECTE：EMITTER2023/2/6423.外觀形狀：5.作用：*放大*開關(guān)2023/2/6435.電晶體編號：

A.日本規(guī)格

EX:2SA945K第一項第二項第三項第四項第五項

2SA945K2023/2/644第一項第二項第三項第四項第五項

2SA945K第一項數(shù)字的意義：

0：光電晶體光二極體

1：二極體

2：三極體如：電晶體FETSCRUJTPUT3:四極體如：雙閘極FETSCSSUS…..b:第二項文字意義：

S表示半導體SEMICONDUCTOR意思。2023/2/645第一項第二項第三項第四項第五項

2SA945Kc.第三項文字意義：表示用途及極性

A:PNP高頻用電晶體

B:PNP低頻用電晶體

C:NPN高頻用電晶體

D:NPN低頻用電晶體

F:S.C.RG:P.U.TH:U.J.TJ:P通道FETK:N通道FETM:TRIAC2023/2/646第一項第二項第三項第四項第五項

2SA945Kd.第四項文字意義：表示電晶體之序號，按照廠商向日本電子電機工會登記的順序編號.由11號開始.e.第五項文字意義：表示電晶體的放大倍數(shù).2023/2/647六.IC(INTEGRATEDCIRCUIT)積體電路：1.依功用區(qū)分：

A.穩(wěn)壓IC:78**78L**B.線性IC:AFRFPA如LA3160…C.數(shù)位IC：40497490……D.微處理IC:Z8080488748—CPUE.專用IC：TT-9320,TT-9206…..2.依材料不同區(qū)分：

A.T.T.L–ICB.PMOS–ICC.NMOS–ICD.CNOS–IC2023/2/6483.外觀形狀:凹點處為第1腳,逆時針排列穩(wěn)壓IC2023/2/649七.繼電器（RELAY）：1.符號:*.NC:NORMALCLOSE（常關(guān)）*.NO:NORMALOPEN（常開）*.COM:COMMON（共同點）2.外觀形狀：2023/2/6503.RY種類：

A.DC-RY（直流）

B.AC-RY（交流）4.RY規(guī)格：

A.線圈:DC9V12V24V….

AV110V220V..B.接點:12V/10A12V/15A24V/10A24V/15A…5.作用：作開關(guān)控制（自動控制）.6.啟動電壓：RY接點吸下之電壓，一般為額定電壓的70％.

釋放電壓：RY接點彈開之電壓，一般為額定電壓的30％.2023/2/651

八.突波吸收器：

1.符號:2簡寫代號:ZB3.外觀形狀:4.功用：用於防止過電壓保護.

2023/2/652九.振蕩器（CRYSTAL）：1.符號:2簡寫代號:XT3.外觀形狀:4.功用：振蕩（頻率高穩(wěn)定性佳）陶瓷振蕩器晶體振蕩器2023/2/653十.喇叭（SPEAKER）:A.符號：B.簡寫代號:SPC.規(guī)格*OHM值：4816*W(功率)數(shù)：12W.D.外觀形狀：E.功用：AF信號加於兩端時，發(fā)出音頻聲音.2023/2/654十一.嗡鳴器(BUZZER)：1.符號：2.簡寫代號:BZ3.外觀形狀：4.功用：信號加於兩端時，發(fā)出共振聲音2023/2/655十二.開關(guān)（SWITCH）：1.符號：2.簡寫代號：SW3.外觀形狀：4.功用：作ON/OFF控制.接觸開關(guān)鈕子開關(guān)直鍵開關(guān)