YS/T 719-2009平面磁控濺射靶材光學(xué)薄膜用硅靶

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６３

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

犢犛／犜７１９—２００９

平面磁控濺射靶材

光學(xué)薄膜用硅靶

犉犾犪狋犿犪犵狀犲狋犻狀犵狊狆狌狋狋犲狉犻狀犵狋犪狉犵犲狋—

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２００９１２０４發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

書

犢犛／犜７１９—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：利達(dá)光電股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李智超、楊太禮、付勇、段玉玲、張向東、趙倫。

Ⅰ

書

犢犛／犜７１９—２００９

平面磁控濺射靶材

光學(xué)薄膜用硅靶

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存

及訂貨單（或合同）內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ２０４０銅及銅合金板材

ＧＢ／Ｔ５１２１（所有部分）銅及銅合金化學(xué)分析方法

ＧＢ／Ｔ５２３１加工銅及銅合金化學(xué)成分和產(chǎn)品形狀

ＧＢ／Ｔ１２９６３硅多晶

３術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

搭接率犫狅狀犱犻狀犵狆犲狉犮犲狀狋犪犵犲

硅板與背板之間的實(shí)際接合面積占應(yīng)接合面積的百分比。

４要求

４．１材質(zhì)

銅板（背板）和硅板。

４．２化學(xué)成分

硅板的化學(xué)成分應(yīng)由供需雙方商定；銅板的牌號(hào)及化學(xué)成分符合ＧＢ／Ｔ５２３１的規(guī)定。

４．３靶材的尺寸及其允許偏差

靶材尺寸及其允許偏差由供需雙方協(xié)商，應(yīng)符合雙方簽訂的技術(shù)圖樣。

４．４表面狀況

靶材表面粗糙度及平面度由供需雙方協(xié)商。

４．５外觀質(zhì)量

硅板和銅板的外觀質(zhì)量應(yīng)分別符合ＧＢ／Ｔ１２９６３和ＧＢ／Ｔ２０４０的規(guī)定。

４．６