學(xué)習(xí)信息光存儲(chǔ)可擦重寫存儲(chǔ)系統(tǒng)ErasableDRAW

可擦重寫 系統(tǒng)(Erasable－DRAW- 磁光型可擦重寫 系相變型可擦重寫 系于或等于1m)作用下，會(huì)發(fā)生晶相非晶相或晶相I寫入信息激光功率較高，脈寬較短，晶相非晶相或晶相I晶相擦除信息激光功率較低，脈寬較長(zhǎng)，晶相非晶相或晶相I晶相信息相變型可擦重寫 的特寫入功低重寫次數(shù)（CD-RW:1k,DVD-激 的熱致相變機(jī)

半導(dǎo)體薄膜光吸收1、缺陷和雜質(zhì)2、網(wǎng)絡(luò)振動(dòng)吸3、本征吸4、激子吸光致晶化機(jī)1、熱致晶2、光致成核的熱致用低于能隙的較長(zhǎng)波段激光照射非晶半導(dǎo)體光能轉(zhuǎn)化為熱能導(dǎo)致晶化光致非晶化條件：功率密度大、脈沖寬度窄的激光照 。由于激光脈沖很窄，原光照區(qū)急劇冷卻，處于過冷狀態(tài)。材料粘度迅速增大，原子來不及規(guī)則排列 起來，形成非晶態(tài)PhasechangeMeltgetcold

Meltgetcold

WritingCD-RW,DVD-RW,DVD-RAM相變光盤的初用激光對(duì)相變光盤均勻照射使記錄膜全體處于均一的晶相變型可擦重寫 的讀寫及擦除過相變型可擦重寫 的直接重寫操激光功率調(diào)制軌道上寫入斑點(diǎn)重寫前后重寫后的讀出信 系統(tǒng)對(duì)相變光盤的最基本要相變光盤的膜層對(duì)記錄層介質(zhì)性質(zhì)的具介質(zhì)層的作用：保對(duì)反射層材料性質(zhì)的具不同相變形式的記錄層不同相變光盤的記錄層Ag-In-Te-Sb相變材料擦寫過程相變示意舉例：二元SbTe相變薄膜性能的改舉例：二元SbTe相變薄膜性能的改Hc磁光型可擦重寫 系Hc基本原理：利用熱磁效應(yīng)改變微小區(qū)域的磁化矢量取熱磁Tc:Tc:居里溫 磁 原激光

特垂直記錄方

HcHc

寫入：激光加熱記錄介讀出：激光照射介極化克爾效應(yīng)示上部磁磁光可防誤寫開

防誤寫開拉拉門軌拉門彈下部磁光盤磁 系統(tǒng)光學(xué)頭結(jié)磁 系統(tǒng)的讀磁光盤對(duì)磁 介質(zhì)材料的要 非晶稀土－過渡金屬合金磁光薄優(yōu)點(diǎn)飽和磁化強(qiáng)度、、 缺點(diǎn)Co/Pt優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)Co/Pt多層膜的克爾角與波長(zhǎng)的磁光記錄介質(zhì)膜層工藝：濺磁光可擦重寫 Vs相變可擦重寫MO(MagnetoOptical3.5MOMagneticRecordingMax.Crystal/AmorphousChangeMax.600℃PolarKerrLightintensityNolimitedwrite(Morethan10HigherdatatransferStabledataNomagnetoLimitedwritecycle(CD-RW: ;DVD- 10kLimitedrecording(Needshighpower磁光可擦重寫 Vs硬盤 系OpticalMagneticW/ROptical

MagneticDisk傳輸速度從過去的80ms到現(xiàn)在 傳輸速度《直接重寫直接重寫利 層和寫入層之間的交換耦合作 矯頑力溫度特

溫度降低 新技更高記錄密度容

商業(yè)成 技術(shù)發(fā)展歷衍射 d=0.61 技術(shù)發(fā)展方下一代下一代固體浸沒超分辨技 在只讀式在CDR和CDRW光盤的寫入和讀出時(shí)都可以實(shí)現(xiàn)超分辨,或者記錄時(shí)用短波長(zhǎng)激光器和大數(shù)值孔徑熱虹食的原光學(xué)常數(shù)的不均勻分布形成熱虹食.其中光斑內(nèi)的部分只讀式超分辨只讀超分辨光盤的膜層只讀式超分辨光盤的技術(shù)掩膜區(qū)要加熱到相變材料 溫度以上晶相區(qū)的反射比熔化區(qū)的反射大掩膜在熔化后的冷卻中要迅速回到晶態(tài)超分辨相變光信號(hào)的是掩膜材料的折射率隨溫度的變化.當(dāng)材 和虛部k)迅速降低,從而使掩膜對(duì)讀出或?qū)懭牍馍辖橘|(zhì)層：控制超分辨相變光盤的反射,下介質(zhì)層:控制超分辨相變光盤記錄膜的掩膜熔態(tài)的循環(huán)受到了限制，導(dǎo)致光盤的讀寫次數(shù)受到限制,激發(fā)電子占據(jù)時(shí),吸收達(dá)到飽和,因此通過半導(dǎo)體的透射光著光強(qiáng)的增大而增大.摻雜半導(dǎo)體玻璃超分辨掩膜透射變的響應(yīng)時(shí)間達(dá)到ns量級(jí)，可實(shí)現(xiàn)高數(shù)據(jù)傳輸速 近場(chǎng)超分辨光場(chǎng)分為兩個(gè)場(chǎng)到無窮遠(yuǎn)1992年，Tan和Kopelman并創(chuàng)建了一種被叫做近場(chǎng)光OpticalSuper-NearFieldCanreadpitlength<60Singlelayercapacity 定近場(chǎng)超分辨 示意近場(chǎng)超分辨相變光盤結(jié)構(gòu)光纖頭和記錄介質(zhì)為一整體,即光纖頭被介質(zhì)膜 在這種超分辨近場(chǎng)結(jié)構(gòu)superRENS)中,掩膜與記錄膜之間的距離小于50nm.由于Sb在晶態(tài)與非晶態(tài)間的響應(yīng)時(shí)間很短,因此用Sb膜作為掩膜Sb掩膜與Ge2Sb2Te5記錄膜間用SiN保護(hù)膜分開.在一定能量的會(huì)聚激光脈沖作用下,孔近場(chǎng)超分辨光盤近場(chǎng)超分辨光盤對(duì)掩膜響應(yīng)速度靈敏度透射率變化高穩(wěn)定散射型近場(chǎng)超分辨散射型近場(chǎng)超分辨光盤AgOx膜作為金屬探測(cè)器,當(dāng)激光時(shí),AgOx快速分解成Ag和O,當(dāng)射線離開,Ag和O又重新結(jié)合,分