半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模分析

半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模分析半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模全球半導(dǎo)體光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球光刻膠平均水平，占比不斷提升。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模達(dá)24．71億美元，較上年同期增長19．49%，2015-2021年CAGR為12．03%。2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模約為18億美元，半導(dǎo)體光刻膠占整體光刻膠比重約21．9%，到2021年占比提升至26．85%。分地區(qū)看，中國大陸半導(dǎo)體光刻膠市場依舊保持著最快增速，2021年市場規(guī)模達(dá)到4．93億美元，較上年同期增長43．69%，超過全球半導(dǎo)體光刻膠增速的兩倍；中國占比全球半導(dǎo)體光刻膠市場比重也將從2015年約10．4%提升到2021年接近20%。半導(dǎo)體光刻膠按照曝光波長不同可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新興起的EUV光刻膠5大類。ArF（包括ArFi）光刻膠已是集成電路制造需求金額最大的光刻膠產(chǎn)品，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)超先進(jìn)制程持續(xù)發(fā)展，ArF光刻膠持續(xù)迎來廣闊市場機(jī)遇。光刻機(jī)：驗(yàn)證光刻膠的必需設(shè)備開發(fā)出的光刻膠是否滿足需求，需要光刻機(jī)來配合驗(yàn)證。光刻機(jī)，又名掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，是芯片光刻工藝的核心設(shè)備，發(fā)展至今集成了各種尖端科技，是現(xiàn)代精密科技的集大成者。從g線的436納米到EUV的13．5納米，隨著光源波長的不斷縮短，對科技的要求也越來越高。目前高端光刻機(jī)市場90%的市場份額均屬于荷蘭公司ASML，最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)目前也只有ASML有能力生產(chǎn)。一臺最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)的售價高達(dá)26億元人民幣。光刻工藝的流程按照先后順序可分為：前處理、涂膠、軟烘烤、對準(zhǔn)曝光、PEB、顯影、硬烘烤、檢驗(yàn)等八步。每一步對于工藝都有極高的要求。極其細(xì)微的差錯都有可能導(dǎo)致成品良品率的急劇下降。光刻膠是集成電路制造的核心材料。在集成電路制造工藝中，光刻的成本往往占到整個制造工藝35%，耗費(fèi)的時間則高達(dá)60%，光刻膠的質(zhì)量將直接影響集成電路制造成本、良率及性能。日本企業(yè)壟斷，頭部聚集效應(yīng)明顯整個行業(yè)呈現(xiàn)出集中度較高的現(xiàn)狀?？v觀全球半導(dǎo)體光刻膠供給端，除美國陶氏化學(xué)以外，其余頭部半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)均為日本企業(yè)，并且技術(shù)要求越高的光刻膠頭部聚集效應(yīng)越明顯。海外企業(yè)壟斷光刻膠原料，國內(nèi)企業(yè)逐步崛起。目前大部分原材料均為國外進(jìn)口，原材料企業(yè)日本占到47%，盡管中國的原材料企業(yè)位列全球第二，但大部分目前處于研發(fā)和布局階段，成熟材料供應(yīng)企業(yè)均來自日本和美國。中國企業(yè)如萬潤股份、圣泉集團(tuán)、強(qiáng)力新材等在原材料樹脂、感光劑等方面均有國產(chǎn)突破，但大部分仍屬于低端產(chǎn)能或者高端產(chǎn)量極為有限，爬坡較為緩慢。光刻膠發(fā)展迎來國產(chǎn)化機(jī)遇期客戶壁壘極高，客戶導(dǎo)入新供應(yīng)商意愿不高，過程繁瑣，耗時長。企業(yè)在研發(fā)成功后需要不斷進(jìn)行送樣、問題反饋和技術(shù)改進(jìn)等循環(huán)過程，此過程多達(dá)50次以上，完成整個客戶導(dǎo)入過程也因此需要2-3年時間。光刻膠廠商購買原材料后通過調(diào)配進(jìn)行光刻驗(yàn)證，得到大致實(shí)驗(yàn)結(jié)果后再進(jìn)行微調(diào)，不斷重復(fù)實(shí)驗(yàn)過程以達(dá)到客戶要求的性能數(shù)據(jù)，并適配客戶的產(chǎn)線，也因此光刻膠企業(yè)與客戶產(chǎn)生的粘性較高，客戶不愿意花費(fèi)時間導(dǎo)入其它供應(yīng)商。而為了加速驗(yàn)證過程及擁有自我驗(yàn)證能力，部分光刻膠企業(yè)選擇自購光刻機(jī)。光刻機(jī)購置成本極高，并且開機(jī)成本幾乎與購置成本相同，由于光刻機(jī)本身無法對光刻膠企業(yè)帶來任何利潤，由此帶來的資金成本投入也是極高的。國內(nèi)光刻膠進(jìn)口替代趨勢明顯國內(nèi)光刻膠進(jìn)口替代趨勢明顯。隨著電子信息產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移，美國對中國科技技術(shù)的打壓和配套產(chǎn)業(yè)鏈的完善，進(jìn)口替代是趨勢所向，其中大部分中低端產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，部分國內(nèi)企業(yè)已在光刻膠等高端產(chǎn)品進(jìn)口替代取得突破。下游需求推動國內(nèi)光刻膠市場規(guī)模持續(xù)加大。國內(nèi)光刻膠市場規(guī)模自2015年以來增速加快，2019年國內(nèi)光刻膠市場規(guī)模達(dá)159億元，增速15．22%。隨著下游需求發(fā)展，帶動光刻膠行業(yè)快速發(fā)展，光刻膠市場規(guī)模逐步擴(kuò)大。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。中國是PCB光刻膠主要生產(chǎn)國。1990年以前，全球PCB市場由歐美主導(dǎo)，自20世紀(jì)90年代中期開始，PCB產(chǎn)業(yè)開始轉(zhuǎn)移，2002年外資PCB光刻膠企業(yè)陸續(xù)在華建廠，至2017年，我國PCB產(chǎn)值占全球50．8%，PCB光刻膠產(chǎn)值占全球超70%。PCB光刻膠市場規(guī)模趨緩，高端市場仍依賴進(jìn)口。PCB光刻膠技術(shù)壁壘較半導(dǎo)體光刻膠和面板光刻膠較低，率先實(shí)現(xiàn)，而干膜光刻膠產(chǎn)品高度依賴進(jìn)口。2019年國內(nèi)PCB光刻膠市場規(guī)模為82億元，增速3．8%。從企業(yè)類型來看，2020年我國PCB光刻膠國產(chǎn)企業(yè)占比達(dá)61%。光刻膠占半導(dǎo)體晶圓制造材料價值的5%，光刻膠輔助材料占7%，合計占12%。光刻膠及輔助材料是僅次于硅片、電子特種氣體和光掩模的第四大半導(dǎo)體材料。全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模在2021年的時候約為19億美元，預(yù)計到2025年超過24億美元，年化增長率為6%以上。其中，我國作為未來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能增長的主力軍，預(yù)計到2025年，我國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模最少也是40億。另外，半導(dǎo)體光刻膠是配方型產(chǎn)品，技術(shù)壁壘極高，供應(yīng)市場集中度高，頭部企業(yè)基本為日本企業(yè)，國內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)份額僅占約5%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。由于當(dāng)年日本福島地震事件，信越化學(xué)光刻膠工廠至今尚未完全恢復(fù)生產(chǎn)，產(chǎn)能一直無法滿足市場需求。龐大的市場需求缺口提升了我國半導(dǎo)體光刻膠的進(jìn)度，疊加第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國遷移以及國家大基金二期的逐步落地，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化趨勢明顯。近年來，在政策大力助推下，半導(dǎo)體的也不斷顯現(xiàn)成效。以半導(dǎo)體設(shè)備為例，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為1026億元，近年來，受到中國晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)的推動，中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的全球占比一直在穩(wěn)健提升。當(dāng)前，我國正處于戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型期，對新材料的戰(zhàn)略需求更加突出，為新材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了難得的歷史機(jī)遇?！逗笔⌒虏牧袭a(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展十四五規(guī)劃》指出，要強(qiáng)化光芯屏端網(wǎng)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，圍繞電子信息材料產(chǎn)業(yè)國家戰(zhàn)略需求，加快重要原輔料及材料的研發(fā)與生產(chǎn)。在電子化學(xué)品方面，規(guī)劃提出要重點(diǎn)突破高分辨率光刻膠、高純均質(zhì)靶材、外延工藝氣體和前驅(qū)體、清洗液和蝕刻液等電子化學(xué)品。重點(diǎn)發(fā)展集成電路、平板顯示器、新能源電池、印制電路板等領(lǐng)域相配套的電子化學(xué)品。重點(diǎn)突破精細(xì)磷系、氟系化工產(chǎn)品，電子級氫氟酸、電子級氟化銨、無水氟化氫、氟化鉀、磷酸鐵以及磷酸鐵鋰等。大力發(fā)展鋁蝕刻液、剝膜液、顯影液等芯片用超高純電子級化學(xué)品，電子級雙氧水、精細(xì)硫化鋅、高純氯化鋇、電子級高純氫氧化鋇、高純硫酸鋇等產(chǎn)品。目前，我國光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈雛形初現(xiàn)，從上游原材料、中游成品制造到下游應(yīng)用均在逐步完善，且隨著下游需求的逐漸擴(kuò)大，光刻膠市場規(guī)模顯著增長。數(shù)據(jù)顯示，我國光刻膠市場規(guī)模由2017年58．7億元增至2020年84億元，年均復(fù)合增長率為12．7%，預(yù)計2023年我國光刻膠市場規(guī)?？蛇_(dá)109．2億元。按照下游應(yīng)用，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠、PCB光刻膠，其中，面板光刻膠包括觸控用光刻膠、彩色光刻膠、黑色光刻膠等，占比28%。PCB光刻膠占比23%，可分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠和PCB光成像阻焊油墨三類。半導(dǎo)體光刻膠主要應(yīng)用于半導(dǎo)體元器件制作中，市場占比22%。光刻膠上游原材料主要包括溶劑、樹脂、光引發(fā)劑、單體等，目前，我國樹脂和感光劑高度依賴進(jìn)口，國產(chǎn)化率較低，光刻膠市場被東京應(yīng)化、杜邦、JSR、住友化學(xué)等國外巨頭所壟斷。其中，東京應(yīng)化市場份額占比最高達(dá)26%，杜邦、JSR、住友化學(xué)市場份額占比分別為17%、16%、10%。半導(dǎo)體光刻膠：技術(shù)難度最高，增速最快全球半導(dǎo)體光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球光刻膠平均水平，占比不斷提升。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模達(dá)24．71億美元，較上年同期增長19．49%，2015-2021年CAGR為12．03%。2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模分別為約為18億美元，半導(dǎo)體光刻膠占整體光刻膠比重約21．9%，到2021年占比提升至26．85%。大陸半導(dǎo)體光刻膠增速超全球兩倍。分地區(qū)看，中國大陸半導(dǎo)體光刻膠市場依舊保持著最快增速，2021年市場規(guī)模達(dá)到4．93億美元，較上年同期增長43．69%，超過全年半導(dǎo)體光刻膠增速的兩倍；中國占比全球半導(dǎo)體光刻膠市場比重也將從2015年約10．4%提升到2021年接近20%。中國半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。受益于5G大規(guī)模建設(shè)，以及2020年新冠疫情導(dǎo)致遠(yuǎn)程辦公、網(wǎng)絡(luò)直播等應(yīng)用普及，全球集成電路行業(yè)發(fā)展迅猛，根據(jù)Frost&Sullivan數(shù)據(jù)，2013年集成電路市場規(guī)模為2518億美元，到2019年集成電路市場規(guī)模高達(dá)3334億美元，年復(fù)合增長率為4．79%。2019年全球集成電路市場規(guī)模有所下滑，主要系全球貿(mào)易摩擦、存儲供需變化以及智能手機(jī)、服務(wù)器等產(chǎn)品需求下滑因素影響。預(yù)計到2025年，全球集成電路市場規(guī)模將達(dá)到4750億美元，2020-2025年CAGR為6．02%。我國集成電路行業(yè)起步較晚，但發(fā)展迅速。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2013年中國集成電路銷售收入為2508億元，2019年達(dá)到7562億元，年均復(fù)合增速達(dá)到20．2%，在5G和新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶動下，如汽車電子行業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的推動下，中國集成電路行業(yè)市場規(guī)模將不斷擴(kuò)大，預(yù)計到2025年，我國集成電路市場規(guī)模將達(dá)到18932億元，2020-2025年CAGR為16．22%。按曝光波長分，全球ArF/EUV光刻膠占比超50%，為國際主流。半導(dǎo)體光刻膠按照曝光波長不同可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新興起的EUV光刻膠5大類，高端光刻膠指KrF、ArF和EUV光刻膠，等級越往上其極限分辨率越高，同一面積的硅晶圓布線密度越大，性能越好。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，從市場分布看，2021年ArFi+ArF光刻膠占全球光刻膠市場規(guī)模的比例為48．1%，KrF占比34．7%，G/I線占14．7%。ArF（包括ArFi）光刻膠已是集成電路制造需求金額最大的光刻膠產(chǎn)品，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)超先進(jìn)制程持續(xù)發(fā)展，ArF光刻膠持續(xù)迎來廣闊市場機(jī)遇。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，制造工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，KrF和ArF光刻膠市場需求量更大，增速更快，是推動當(dāng)下光刻膠市場快速增長的主要因素。從市場規(guī)模增速來看，EUV光刻膠發(fā)展最快，但處于發(fā)展初期體量較小，2021年僅約0．51億美元，預(yù)計到2025年達(dá)到1．97億美元，2020-2025CAGR達(dá)48．8%；增速第二快的是KrF光刻膠，其2021年全球市場規(guī)模為6．9億美元，預(yù)計到2025年達(dá)到9．07億美元，2020-2025年CAGR為8．2%。ArF光刻膠（ArF+ArFi）2021年全球市場規(guī)模為9．55億美元，預(yù)計到2025達(dá)到10．72億美元，2020-2025CAGR為3．5%；較為低端的g/i線光刻膠預(yù)計市場規(guī)模變化不大，占比縮小。從應(yīng)用產(chǎn)品看，2021年邏輯占比超63．5%，是第一大應(yīng)用領(lǐng)域。非易失性存儲器（NVM）是一種計算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲器，增速最快。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2021年邏輯用光刻膠需求超過595萬升，占比超過63．5%，到2025年需求量提升到約677萬升，2021-2025年CAGR為3．3%，由于NVM對光刻膠需求的快速提升（2021-2025CAGR12．8%），預(yù)計2025年邏輯占比略降低到59．5%，NVM占比提升到26．4%。對非易失性存儲器（NVM）的需求是主要由于移動設(shè)備所需要的存儲容量大幅提升，尤其是相機(jī)、智能手機(jī)和平板電腦。半導(dǎo)體光刻膠市場格局對于技術(shù)壁壘最高的半導(dǎo)體光刻膠市場，ArF光刻膠與其他浸沒式光刻膠合起來占據(jù)了整個市場的52%。日本企業(yè)在半導(dǎo)體光刻膠市場占據(jù)主導(dǎo)地位。根據(jù)東京應(yīng)化公布的數(shù)據(jù)，2019年日本企業(yè)合計市場份額為69%，東京應(yīng)化（TOK）占比為25%。全球百億美金市場，顯示+PCB+IC三大應(yīng)用推動發(fā)展全球市場持續(xù)擴(kuò)容，2023年有望突破百億美金。光刻膠作為制造關(guān)鍵原材料，隨著未來汽車、人工智能、國防等領(lǐng)域的快速發(fā)展，全球光刻膠市場規(guī)模將有望持續(xù)增長。根據(jù)Reportlinker數(shù)據(jù)，全球光刻膠市場預(yù)計2019-2026年復(fù)合年增長率有望達(dá)到6．3%，至2023年突破100億美金，到2026年超過120億美元。大陸市場增速高于全球，2022年有望超過百億人民幣。疊加產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移因素，中國光刻膠市場的增長速度超過了全球平均水平。根據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2021年中國光刻膠市場達(dá)93．3億元，16-21年CAGR為11．9%，21年同比增長11．7%，高于同期全球光刻膠增速5．75%。隨著未來PCB、LCD和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國轉(zhuǎn)移，中國光刻膠市場有望不斷擴(kuò)大，占全球光刻膠市場比例也將持續(xù)提升，預(yù)計到2026年占比有望從2019年的15%左右提升到19．3%。顯示、PCB、IC是三大應(yīng)用領(lǐng)域，合計占比超70%。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠可分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。根據(jù)Reportlinker數(shù)據(jù)，2019年P(guān)CB、半導(dǎo)體和平板