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PAGEPAGE2晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)[選題細(xì)目表]考查知識點根底題中檔題較難題1.晶體的特征和性質(zhì)1、22.晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)間的關(guān)系34、63.常見晶體的空間結(jié)構(gòu)5、74.晶體微粒數(shù)目、密度的相關(guān)計算85.晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)知識的綜合應(yīng)用910、11一、選擇題(此題包括7個小題,每題6分,共42分,每題僅有一個選項符合題意)1.以下關(guān)于晶體的說法錯誤的選項是()A.晶體中粒子呈周期性有序排列,有自范性,而玻璃體中原子排列相對無序,無自范性B.含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體C.晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的根本單元,晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律作周期性重復(fù)排列D.晶體盡可能采取緊密堆積方式,以使其變得較穩(wěn)定解析:含有金屬陽離子的晶體不一定是離子晶體,如氯化鋁含有金屬陽離子但屬于分子晶體。答案:B2.以下說法中正確的選項是()A.離子晶體中每個離子周圍均吸引著6個帶相反電荷的離子B.金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子,電子定向運動C.分子晶體的熔、沸點很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)D.原子晶體中的各相鄰原子都以共價鍵相結(jié)合解析:A項,離子晶體中每個離子周圍不一定吸引6個帶相反電荷的離子,如CsCl晶體中每個Cs+吸引8個Cl-;B項,金屬晶體中的自由電子不是因為外電場作用產(chǎn)生的;C項,分子晶體不一定是液態(tài)或氣態(tài),可能為固態(tài),如I2、S8等。答案:D3.以下各物質(zhì)中,按熔點由高到低的順序排列正確的選項是()A.CH4>SiH4>GeH4>SnH4B.KCl>NaCl>MgCl2>MgOC.Rb>K>Na>LiD.金剛石>SiO2>Na>冰解析:A項中均為分子晶體且結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量越大,溶、沸點越高;B項均為離子晶體,離子半徑越小,電荷越多,離子鍵就越強;C項均為金屬晶體,金屬鍵強弱與金屬原子半徑成反比,與價電子數(shù)成正比。答案:D4.以下各物質(zhì)熔化時,所克服的粒子間作用力相同的是()A.Na2O和SO3 B.Mg和SiC.NaOH和NaCl D.AlCl3和MgCl2解析:Na2O、NaOH、NaCl、MgCl2熔化時破壞離子鍵;SO3和AlCl3熔化時克服分子間作用力;Mg熔化時克服金屬鍵;Si熔化時克服共價鍵。答案:C5.下面有關(guān)晶體的表達(dá)中,不正確的選項是()A.金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,由共價鍵形成的碳原子環(huán)中,最小的環(huán)上有6個碳原子B.氯化鈉晶體中,每個Na+周圍距離相等的Na+共有6個C.氯化銫晶體中,每個Cs+周圍緊鄰8個Cl-D.干冰晶體中,每個CO2分子周圍緊鄰12個CO2分子解析:氯化鈉晶體中,每個Na+周圍距離相等的Na+共12個。每個Na+周圍距離相等且最近的Cl-共有6個。答案:B6.氮氧化鋁(AlON)屬原子晶體,是一種超強透明材料,以下描述錯誤的選項是()A.AlON和石英的化學(xué)鍵類型相同B.AlON和石英晶體類型相同C.AlON和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同D.AlON和Al2O3晶體類型相同解析:AlON與石英(SiO2)均為原子晶體,所含化學(xué)鍵均為共價鍵,故A、B項正確;Al2O3是離子晶體,晶體中含離子鍵,不含共價鍵,故C項正確、D項錯誤。答案:D7.以下關(guān)于CaF2的表述正確的選項是()A.Ca2+與F-間僅存在靜電吸引作用B.F-的離子半徑小于Cl-,那么CaF2的熔點高于CaCl2C.陰、陽離子比為2∶1的物質(zhì),均與CaF2晶體構(gòu)型相同D.CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電解析:Ca2+與F-之間既有靜電引力作用,也有靜電排斥作用,A錯誤;離子所帶電荷相同,F(xiàn)-的離子半徑小于Cl-,所以CaF晶體的晶格能大,熔點高,B錯誤;晶體構(gòu)型還與離子的大小有關(guān),所以陰、陽離子比為2∶1的物質(zhì),不一定與CaF晶體構(gòu)型相同,C錯誤;CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,CaF2在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,D正確。答案:D二、非選擇題(此題包括4個小題,共58分)8.(2022·全國Ⅲ卷)(14分)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。答復(fù)以下問題:(1)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因_____________________________________________________________________________________________________________。(2)GaAs的熔點為1238℃,密度為ρg·cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖。該晶體的類型為________,Ga與As以________鍵相結(jié)合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,原子半徑分別為rGapm和rAspm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,那么GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_________________________。解析:(1)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是GaF3是離子晶體,GaCl3是分子晶體,(2)GaAs的熔點為1238℃,其熔點較高,據(jù)此推知GaAs為原子晶體,Ga與As原子之間以共價鍵相結(jié)合。分析GaAs的晶胞結(jié)構(gòu),4個Ga原子處于晶胞體內(nèi),8個As原子處于晶胞的頂點、6個As原子處于晶胞的面心,結(jié)合“均攤法〞計算可知,每個晶胞中含有4個Ga原子,含有As原子個數(shù)為8×1/8+6×1/2=4(個),Ga和As的原子半徑分別為rGapm=rGa×10-10cm,rAspm=rAs×10-10cm,那么原子的總體積為V原子=4×eq\f(4,3)π×[(rGa×1010cm)3+(rAs×10-10cm)3]=eq\f(16π,3)×10-30(req\o\al(3,Ga)+req\o\al(3,As))cm3。又知Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,晶胞的密度為ρg·cm-3,那么晶胞的體積為V晶胞=eq\f(4〔MGa+MAs〕,ρNA)cm3,故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為eq\f(V原子,V晶胞)×100%=eq\f(\f(16π,3)×10-30〔req\o\al(3,Ga)+req\o\al(3,As)〕cm3,\f(4〔MGa+MAs〕,ρNA)cm3)×100%=eq\f(4π10-30×NAρ〔req\o\al(3,Ga)+req\o\al(3,As)〕,3〔MGa+MAs〕)×100%。答案:(1)GaF3為離子晶體,GaCl3分子晶體(2)原子晶體共價eq\f(4π10-30×NAρ〔req\o\al(3,Ga)+req\o\al(3,As)〕,3〔MGa+MAs〕)×100%9.(2022·全國Ⅰ卷)(際法4分)鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。答復(fù)以下問題:(1)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、三鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是_____________________________________________________________________________________________________________。(2)比擬以下鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因_____________________________________________________________________________________________________________。工程GeCl4GeBr4GeI4熔點/℃-49.526146沸點/℃83.1186約400(3)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為______________,微粒之間存在的作用力是____________________。(4)晶胞有兩個根本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。以下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2),0,\f(1,2)));C為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2),\f(1,2),0))。那么D原子的坐標(biāo)參數(shù)為________。②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為____________g·cm-3(列出計算式即可)。解析:(1)鍺雖然與碳為同族元素,但比碳多了兩個電子層,因此鍺的原子半徑大,原子間形成的σ單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成π鍵。(2)由鍺鹵化物的熔、沸點由Cl到I呈增大的趨勢且它們的熔、沸點較低可判斷出它們均為分子晶體,而相同類型的分子晶體,其熔、沸點取決于相對分子質(zhì)量的大小,因為相對分子質(zhì)量越大,分子間的作用力就越大,熔、沸點就越高。(3)Ge單晶為金剛石型結(jié)構(gòu),金剛石中碳原子的雜化方式為sp3,因此Ge原子的雜化方式也為sp3。微粒之間存在的作用力為共價鍵。(4)①根據(jù)題給圖示可知,D原子的坐標(biāo)參數(shù)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4),\f(1,4),\f(1,4)))。②每個晶胞中含有鍺原子8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)+4=8(個),每個晶胞的質(zhì)量為eq\f(8×73g·mol-1,NA),晶胞的體積為(565.76×10-10cm)3,所以晶胞的密度為eq\f(8×73g·mol-1,NA×〔565.76×10-10cm〕3)。答案:(1)Ge原子半徑大,原子間形成的σ單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成π鍵(2)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似,分子量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強(3)sp3共價鍵(4)①eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4),\f(1,4),\f(1,4)))②eq\f(8×73,6.02×565.763)×10710.(2022·全國Ⅱ卷)(15分)A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的四種元素,A2-和B+具有相同的電子構(gòu)型;C、D為同周期元素,C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍;D元素最外層有一個未成對電子。答復(fù)以下問題:(1)四種元素中電負(fù)性最大的是________(填元素符號),其中C原子的核外電子排布式為____________。(2)單質(zhì)A有兩種同素異形體,其中沸點高的是______(填分子式),原因是_____________________________________________;A和B的氫化物所屬的晶體類型分別為________和________。(3)C和D反響可生成組成比為1∶3的化合物E,E的立體構(gòu)型為________,中心原子的雜化軌道類型為________。(4)化合物D2A的立體構(gòu)型為________,中心原子的價層電子對數(shù)為________,單質(zhì)D與濕潤的Na2CO3反響可制備D2A(5)A和B能夠形成化合物F,其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖,晶胞參數(shù)a=0.566nm,F(xiàn)的化學(xué)式為__________;晶胞中A原子的配位數(shù)為________;列式計算晶體F的密度(g·cm-3)_____________________。解析:C核外電子總數(shù)是最外層電子數(shù)的3倍,那么C為P元素。A、B的原子序數(shù)小于C,且A2-和B+具有相同的電子構(gòu)型,那么A為O元素,B為Na元素。C、D為同周期元素,且D元素最外層有一個未成對電子,那么D為Cl元素。(1)O、Na、P和Cl四種元素中,O元素的電負(fù)性最大。P原子核外有15個電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3。(2)O元素形成O2和O3兩種同素異形體,固態(tài)時均形成分子晶體,而分子晶體中,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,物質(zhì)的沸點越高,故O3的沸點高于O2。O元素形成的氫化物有H2O和H2O2,二者均能形成分子晶體。Na元素形成的氫化物為NaH,屬于離子晶體。(3)P和Cl元素形成的組成比為1∶3的化合物E為PCl3,中心原子P形成3個σ鍵且含有1對未成鍵的孤電子對,故P原子采取sp3雜化,分子構(gòu)型為三角錐形。(4)化合物D2A為Cl2O,其中O原子形成2個σ鍵且含有2對未成鍵的孤電子對,那么O原子采取sp3雜化,故Cl2O為V形結(jié)構(gòu),中心原子O的價層電子對數(shù)為4。Cl2與濕潤的Na2CO3反響可生成Cl2O,據(jù)氧化復(fù)原反響規(guī)律可知,還生成復(fù)原產(chǎn)物NaCl,反響的化學(xué)方程式為2Cl2+2Na2CO3+H2O=2NaCl+Cl2O+2NaHCO3(或2Cl2+Na2CO3=Cl2O+CO2(5)O2-半徑大于Na+半徑,由F的晶胞結(jié)構(gòu)可知,大球代表O2-,小球代表Na+,每個晶胞中含有O2-個數(shù)為8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4,含有Na+個數(shù)為8,故O2-、Na+離子個數(shù)之比為4∶8=1∶2,從而推知F的化學(xué)式為Na2O。由晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個O原子周圍有8個Na原子,故O原子的配位數(shù)為8。晶胞參數(shù)a=0.566nm=0.566×10-7cm,那么晶胞的體積為(0.566×10-7cm)3,從而可知晶體F的密度為eq\f(4×62g·mol-1,〔0.566×10-7cm〕3×6.02×1023mol-1)=2.27g·cm-3。答案:(1)O1s22s22p63s23p3(或[Ne]3s23p3)(2)O3O3相對分子質(zhì)量較大,范德華力大分子晶體離子晶體(3)三角錐形sp3(4)V形42Cl2+2Na2CO3+H2O=Cl2O+2NaHCO3+2NaCl(或2Cl2+Na2CO3=Cl2O+CO2+2NaCl)(5)Na2O8eq\f(4×62g·mol-1,〔0.566×10-7cm〕3×6.02×1023mol-1)=2.27g·cm-311.(2022·海南卷)(15分)M是第四周期元素,最外層只有1個電子,次外層的所有原子軌道均充滿電子。元素Y的負(fù)一價離子的最外層電子數(shù)與次外層的相同。答復(fù)以下問題:(1)單質(zhì)M的晶體類型為________,晶體中原子間通過________作用形成面心立方密堆積,其中M原子的配位數(shù)為________。(2)元素Y基態(tài)原子的核外電子排布式為__________,其同周期元素中,第一電離能最大的是________(寫元素符號)。元素Y的含氧酸中,酸性最強的是________(寫化學(xué)式),該酸根離子的立體構(gòu)型為________。(3)M與Y形成的一種化合物的立方晶胞如下圖。①該化合物的化學(xué)式為____________,晶胞參數(shù)a=0.542nm,此晶體的密度為______________g·cm-3(寫出計算式,不要求計算結(jié)果,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)。②該化合物難溶于水但易溶于氨水,其原因是______________。此化合物的氨水溶液遇到空氣那么被氧化為深藍(lán)色,深藍(lán)色溶液中陽離子的化學(xué)式為__________
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