集成電路工程領(lǐng)域

集成電路工程領(lǐng)域《半導(dǎo)體器件物理》課程教學(xué)大綱錯(cuò)誤!未定義書簽。《微電子制造工藝》課程教學(xué)大綱錯(cuò)誤未定義書簽?！赌M集成電路設(shè)計(jì)》課程教學(xué)大綱錯(cuò)誤未定義書簽?！稊?shù)字集成電路設(shè)計(jì)》課程教學(xué)大綱錯(cuò)誤未定義書簽?！冻笠?guī)模集成電路基礎(chǔ)》課程教學(xué)大綱錯(cuò)誤未定義書簽?！栋雽?dǎo)體器件物理》課程教學(xué)大綱課程名稱（中文）：半導(dǎo)體器件物理學(xué)分?jǐn)?shù)：2課程名稱（英文）：SemiconductorDevices課內(nèi)學(xué)時(shí)數(shù)：60上機(jī)時(shí)數(shù)：10課外學(xué)時(shí)數(shù)：60教學(xué)方式：授課及上機(jī)教學(xué)規(guī)定：使學(xué)生掌握微電子學(xué)中半導(dǎo)體器件基本原理、物理機(jī)制和特性，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)有關(guān)器件的專門知識(shí)以及IC設(shè)計(jì)打下必要的基礎(chǔ)。課程重要內(nèi)容：（字以內(nèi)）雙極晶體管（含異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET以及相關(guān)器件量子效應(yīng)和熱電子器件教材名稱：現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理，施敏，科學(xué)出版社。重要參考書：半導(dǎo)體器件物理，施敏，電子工業(yè)出版社。預(yù)修課程:半導(dǎo)體物理合用專業(yè)：電子與通信《微電子制造工藝》課程教學(xué)大綱課程名稱（中文）：微電子制造技術(shù)學(xué)分?jǐn)?shù)：2課程名稱（英文）：MicroelectronicManufacturingTechnology課內(nèi)學(xué)時(shí)數(shù)：32?40課外學(xué)時(shí)數(shù)：工藝實(shí)驗(yàn)教學(xué)方式：課堂授課教學(xué)規(guī)定：通過本課程的教學(xué)使學(xué)生對(duì)集成電路制造工藝、工藝原理有進(jìn)一步的理解;熟悉和了解集成電路制造的全過程，涉及硅片制造、硅片測(cè)試/揀選、裝配和封裝以及終測(cè)。課程重要內(nèi)容：（字以內(nèi)）本課程的重要內(nèi)容是系統(tǒng)介紹集成電路的制造工藝及工藝原理，具體描述了集成電路制造的全過程，即硅片制造、硅片測(cè)試/揀選、裝配和封裝以及終測(cè)。配合大量精美的圖片、圖表及具體詳實(shí)的數(shù)據(jù)。對(duì)立志從事微電子技術(shù)工作，而又未能體驗(yàn)集成電路制造過程的人來(lái)說，無(wú)疑是一位良師益友。通過本課程的學(xué)習(xí)可認(rèn)為學(xué)生將來(lái)從事集成電路的設(shè)計(jì)和與微電子學(xué)相關(guān)的工作打下良好的基礎(chǔ)。教材名稱：韓鄭生譯《半導(dǎo)體制造技術(shù)》電子工業(yè)出版社，2023重要參考書：1、PeterVanZant《MicrochipFabrication》電子工業(yè)出版社，20232、曾瑩譯《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》電子工業(yè)出版社，20233、黃漢堯主編：《半導(dǎo)體工藝原理》國(guó)防工業(yè)出版社，1980預(yù)修課程：固體物理，半導(dǎo)體物理合用專業(yè)：微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)《模擬集成電路設(shè)計(jì)》課程教學(xué)大綱課程名稱（中文）：模擬集成電路設(shè)計(jì)學(xué)分?jǐn)?shù)：2課程名稱（英文）：DesignofAnalogIntegratedCircuits課內(nèi)學(xué)時(shí)數(shù)：60上機(jī)時(shí)數(shù)：30課外學(xué)時(shí)數(shù)：60教學(xué)方式：授課及上機(jī)教學(xué)規(guī)定：通過對(duì)CMOS基本模擬電路和模擬系統(tǒng)的原理的學(xué)習(xí)，分析和掌握各種CMOS模擬電路，達(dá)成可以獨(dú)立設(shè)計(jì)運(yùn)放、比較器和有關(guān)模擬系統(tǒng)的目的。課程重要內(nèi)容：（字以內(nèi)）MOS晶體管模型；CMOS放大器及差動(dòng)放大器；運(yùn)放和比較器；D/A和A/D轉(zhuǎn)換器；開關(guān)電容濾波器；振蕩器和鎖相環(huán)；版圖設(shè)計(jì)。教材名稱：CMOS集成電路設(shè)計(jì)，西安交通大學(xué)出版社，陳貴燦，邵志標(biāo)等。重要參考書：1、DesignofAnalogCMOSIntegratedCircuit安交通大學(xué)出版社。2、CMOS模擬電路設(shè)計(jì)（中譯本），科學(xué)出版社。預(yù)修課程:1、數(shù)字和模擬電子學(xué)基礎(chǔ)2、高級(jí)程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言合用專業(yè)：微電子，信息與通信，計(jì)算機(jī)，自動(dòng)控制，儀器和儀表。《數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)》課程教學(xué)大綱課程名稱（中文）：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)學(xué)分?jǐn)?shù)：3課程名稱（英文）：DesignofDigitalIntegratedCircuits課內(nèi)學(xué)時(shí)數(shù)：60上機(jī)時(shí)數(shù)：30課外學(xué)時(shí)數(shù)：60教學(xué)方式：授課、上機(jī)教學(xué)規(guī)定：通過對(duì)數(shù)字電路及其系統(tǒng)原理的學(xué)習(xí)，能分析和掌握各種數(shù)字電路，達(dá)成以硬件描述語(yǔ)言（HDL）設(shè)計(jì)各種數(shù)字電路的目的。課程重要內(nèi)容：（字以內(nèi)）MOS晶體管工作原理及核比例縮小理論；靜態(tài)邏輯門電路，信號(hào)傳輸延遲及功耗；動(dòng)態(tài)邏輯電路和時(shí)序電路；VHDL語(yǔ)言；MOS存儲(chǔ)器及微解決器系統(tǒng)。教材名稱：CMOS集成電路設(shè)計(jì)（西安交通大學(xué)出版社），陳貴燦，邵志標(biāo)等，2023年。重要參考書：1、數(shù)字CMOSVLSI分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（北京大學(xué)出版社，甘學(xué)溫）；2、WestN,EshraghianK.,PrinciplesofCMOSVLSI—AignstemPerspectived.2ReadingMassachusetts:Addi—OfesleyPublishingCompany,1993.預(yù)修課程：1、數(shù)字與模擬電子學(xué)基礎(chǔ)2、高級(jí)程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言合用專業(yè)：微電子，信息與通信，計(jì)算機(jī)，自動(dòng)控制，儀器與儀表?！冻笠?guī)模集成電路基礎(chǔ)》課程教學(xué)大綱課程名稱：《超大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)》以超大規(guī)模集成電路（VLSI）為表征的微電子技術(shù)是信息時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)之一。它是技術(shù)進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要因素，作為計(jì)算機(jī)技術(shù)、自動(dòng)控制、通信技術(shù)的基礎(chǔ)技術(shù)的VLSI不只是微電子類工程師所掌握，而應(yīng)為越來(lái)越多的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師所了解和掌握。本課程系統(tǒng)介紹集成電路設(shè)計(jì)中的基礎(chǔ)問題、MOS晶體管、特性與分析、CMOS集成電路設(shè)計(jì)與制造、寄生效應(yīng)與延時(shí)，工藝和版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，集成電路各種電路類型、分析和設(shè)計(jì)方法以及電路、版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化等基本問題。通過本課程學(xué)習(xí)，將為非微電子專業(yè)的工程研究生從事集成電路開發(fā)設(shè)計(jì)和VLSI的應(yīng)用開發(fā)打下較為全面的必要的專業(yè)基礎(chǔ)。*注：總計(jì)58學(xué)時(shí)參考書：超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，清華大學(xué)出版社，2023年VLSI設(shè)計(jì)概論，清華大學(xué)出版社，2023年《VLSI（超大規(guī)模集成電路）基礎(chǔ)》課程概況介紹第1章集成電路概述（5學(xué)時(shí)）發(fā)展進(jìn)程、特點(diǎn)、設(shè)計(jì)規(guī)定，分類，設(shè)計(jì)方法第2章VLSI和MOS器件（5學(xué)時(shí)）集成電路結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)型MOS管，耗盡型MOS管，體效應(yīng)，閂鎖，閥值電壓第3章CMOS技術(shù)（5學(xué)時(shí)）基本制造技術(shù)，CMOS工藝，設(shè)計(jì)規(guī)則，合格率第4章MOS基本電路（8學(xué)時(shí)）MOSFET開關(guān)，基本門電路，復(fù)雜門電路，傳輸門邏輯多路選擇器，存儲(chǔ)單元，電路設(shè)計(jì)考慮（大負(fù)載扇出驅(qū)動(dòng)，電遷移，互連線延遲）第5章電路性能分析（10學(xué)時(shí)）集成電路電阻（矩形、非矩形導(dǎo)體電阻，溝道電阻，MOSFET電阻），電容（柵極電容，擴(kuò)散電容，互連線電容），導(dǎo)線長(zhǎng)度限制，延遲時(shí)間（邏輯門的上升時(shí)間，下降時(shí)間，延遲時(shí)間計(jì)算），直流轉(zhuǎn)移特性，噪聲容限，功率消耗（動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗），CMOS和NMOS邏輯電路比較。第6章CMOS電路設(shè)計(jì)（14學(xué)時(shí)）邏輯電路設(shè)計(jì)（時(shí)鐘靜態(tài)邏輯：移位寄存器，主從式D觸發(fā)器、鐘控CMOS；動(dòng)態(tài)CMOS邏輯：動(dòng)態(tài)電路結(jié)構(gòu)、單相控制，四相控制，多米諾邏輯，np-CMOS邏輯，流水線電路）；設(shè)計(jì)優(yōu)化（晶體管尺寸，門輸入端頭數(shù)、漏源擴(kuò)散區(qū)電容）；輸入輸出電路結(jié)構(gòu)；特殊CMOS電路：偽NMOS電路，傳輸門電路，差分共