半導(dǎo)體設(shè)備：機(jī)會和挑戰(zhàn)并存的一年

SEI預(yù)測223年半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模同比下滑6%MI預(yù)計3年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模同比下滑至2億美元而4年恢復(fù)成長至6億美元半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的核心增長驅(qū)動力是下游晶圓廠的資本開支，由于半導(dǎo)體行業(yè)的強(qiáng)周期屬性，晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏及資本開支同樣也呈現(xiàn)較強(qiáng)的周期性特征，帶動半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)一定的周期性。近年來，隨著先進(jìn)制程投資比例逐步加大，以及本地建廠的趨勢興起全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的周期性有所減弱呈現(xiàn)波動上行的趨勢。在經(jīng)歷了-1年高昂的資本開支后MI預(yù)計2年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模仍有望同比增長%至5億美元。但受下游需求及宏觀經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)弱影響，半導(dǎo)體自2H22進(jìn)入下行周期，臺積電、美光等半導(dǎo)體制造商宣布削減03年資本開支，MI預(yù)計年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將同比減少%至2億美元，而4年恢復(fù)成長至6億美元。圖表：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模

資料來源：Gtr，SEI,海外半導(dǎo)體設(shè)備4Q業(yè)績增速放緩，對23年指引保守。4Q22SM/LmReserch/AMT/L/eradne分別實現(xiàn)營業(yè)收入.6/83億美元，同比28.5%/24.9%/10.%/26.%/-17.%，環(huán)比1.%/4.0%/3.5%/+9.%/1.5%，均在前期財測指引之內(nèi)，其中前道設(shè)備廠MT說明獲利降低系原先替中國客戶提供的特庫存受到禁令影響所致后道設(shè)備廠中radne則因占比較高的記憶體終端導(dǎo)致收入下滑明顯；毛利率依舊維持高位，分別為5.8%/4.0%/4%/6.9%/57.%。AML/LmReserch/AMT/L/eradne分別給出67/35~4/62./22~2/5.56.3億美元的2Q1收入指引。半導(dǎo)體設(shè)備廠商均下調(diào)203全年WE預(yù)測。隨著景氣下行，半導(dǎo)體制造巨頭相繼削減23年資本開支同時由于美國對華出口管制新規(guī)，各設(shè)備廠商面臨不同程度的收入壓力，中國區(qū)收入占比高的廠商后續(xù)受影響尤其嚴(yán)重。mReserch特別提到了其預(yù)估3年的W（晶圓廠設(shè)備市場規(guī)模將從2年的0億美元衰退至0億美元約為%跌幅，這與MI預(yù)估的-19%大致吻合，公司提到衰退的主因是存儲行業(yè)，由于存儲行業(yè)的強(qiáng)周期屬性，因此受到終端消費、景氣的影響更甚邏輯設(shè)備，其中公司指出NND設(shè)支出衰退幅度將會超過DRAM設(shè)備支出。圖表：海外設(shè)備公司業(yè)績一覽資料來源：Gtr，SEI,A股設(shè)備公司Q4業(yè)績基本符合或略超市場預(yù)期仍維持高速增長從業(yè)績側(cè)角度不同于海外半導(dǎo)體公司3Q21以來營收增速的逐步下滑，國內(nèi)半導(dǎo)體公司營收持續(xù)保持高速增長1Q2/2Q2/3Q22國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司營收同比增速分別達(dá)到7%/13%/78%Q預(yù)告普遍維持%以上高增速。毛利率方面，-2年國內(nèi)設(shè)備公司穩(wěn)中有升，受益于規(guī)模效應(yīng)和費用管控，公司整體盈利水平改善，Q預(yù)告利潤增速顯著高于收入增速。圖表：A股設(shè)備公司業(yè)績一覽Q1 Q1 Q1 Q1 Q2 Q2 Q24Q22預(yù)告中位數(shù)收入（億元）SH拓荊科技SH盛美上海SH華海清科SZ長川科技SZ北方華創(chuàng)SH中微公司SH華峰測控SH芯源微SH至純科技6 568127 9856 3554 8 2275 67 2 898 0 4 4 5 7.2871417 40 4 3 4 5 27021114 684.408829 639 6 0 5 7 1.收入同比增速SH盛美上海SH華海清科. . . -%.-%-%SH芯源微-1--1-1凈利潤（億元）.8.863048757432231.1523623525275893539968458698455369958320326544332-1018凈利潤同比增速SH盛美上海SH華海清科SZ長川科技SZ北方華創(chuàng)SH中微公司SH華峰測控SH芯源微SH至純科技SH拓荊科技SH盛美上海SH華海清科SZ長川科技SZ北方華創(chuàng)SH中微公司SH華峰測控SH芯源微SH至純科技% % % -%% % -%% % % % % % % % % % % -%-%-%-%-%.-%% -%-%-%-%.資料來源Win,美國對中國限制愈演愈烈，政策問題成為設(shè)備板塊重要影響因素美國2年出臺《芯片和科技法案，法案禁止出口m及以下制程設(shè)備，并禁止未獲許可的美國公民在中國從事芯片開發(fā)或制造工作。除此之外，0月以來多家企業(yè)入列實清單，包括長江存儲、合肥萬億芯、寒武紀(jì)、深圳鵬芯微、上海微電子等。長江存儲列入美國實體清單，未來2層NNDFash高層數(shù)制程發(fā)展遭到鎖喉；上海微作為國內(nèi)光刻機(jī)先行者目前X60系列光刻機(jī)仍停留在m美對上海微的限制使中國芯片甚至45m全設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程受到阻礙。圖表：美國禁令限制中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展華及海等1家聯(lián)司限制中國際家聯(lián)司限、代氣、中通訊再限中興通限制商科技?？迪拗七m用1邏輯芯制造備出口限制適用1上存儲片制設(shè)出口《芯》訊圖科技家與華關(guān)的業(yè)統(tǒng)限制晶圓/M/存儲廠資料來源：產(chǎn)業(yè)面臨經(jīng)濟(jì)蕭條的沖擊，加上美國近期針對華制訂的新管制，導(dǎo)致新技術(shù)無法輸出中國大陸據(jù)Wnd數(shù)據(jù)受美國禁令影響2年0月中國半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口額顯著下滑至7億美元（同比-2.81%，環(huán)比-%，1月份持續(xù)削減至6億美元，同比銳減%，環(huán)比下滑7.1%，創(chuàng)0年5月以來新低。圖表：中國半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口金額及長情況（億美元） 半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口額 （右軸） （右軸

0%0 0%5 0%0 0%5 0 2%5 4%Ja-0FJa-0Fb0M-0Ar20My-0Ju-0Jul0Ag20Sp20Oct20Nov20Dec20Ja-1Fb1M-1Ar21My-1Ju-1Jul1Ag21Sp21Oct21Nov21Dec21Ja-2Fb2M-2Ar22My-2Ju-2Jul2Ag22Sp22Oct22Nov22Wind美新規(guī)對中國區(qū)收入占比較大，尤其是存儲占比較大的海外設(shè)備廠商具有較大不利影響。222年10月7日美國商務(wù)部宣布修訂《出口管理條例，ML和LM對此表態(tài)不一，SML表示沒有直接影響3年發(fā)貨，或間接影響公司%積壓訂單，但這些訂單是符合美國出口管制條例的；而LM則表示或因此減少～5億美元收入，并明確向中國銷售設(shè)備需購買主體和相應(yīng)技術(shù)均不受限?？评诩瘓F(tuán)對其大陸地區(qū)的業(yè)務(wù)前景持悲觀態(tài)度，預(yù)估3年全球營收損失-9億美元新規(guī)影響不同或因此前ML已不得向中國銷售U，此次并未收緊美國對光刻機(jī)的出口管制，ML可繼續(xù)向中國晶圓廠銷售DU，而主要制了除光刻機(jī)以外的其他半導(dǎo)體設(shè)備。此外，本次新規(guī)主要限制了中國存儲廠商，LM存儲收入占比%，受影響較大。圖表：半導(dǎo)體設(shè)備公司中國內(nèi)地港澳收入占比中國內(nèi)地+港澳其他中國內(nèi)地+港澳其他0%0%0%0%0%東京電子 應(yīng)用材料 拉姆研

KA

泰瑞

阿斯麥注：時間截止22資料來源：各公司財報，DGTIES根據(jù)Gatner數(shù)據(jù)，綜合晶圓前后道加工，以及封測設(shè)備來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場中北美和日本則處于絕對的優(yōu)勢地位。就晶圓處理設(shè)備而言，美國公司實力非常強(qiáng)勁，其中美國的刻蝕設(shè)備離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備測試設(shè)備、程序控制、CMP等設(shè)備的制造技術(shù)位于世界前列；荷蘭憑借ML的高端光刻機(jī)在全球處于領(lǐng)先地位。在1年全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商前0名中美國公司占4席分別為MT/mReserch/L/eradne，市占率為%/16%/80%/3.6%排名日本公司在電子束描畫設(shè)備涂布顯影設(shè)備清洗設(shè)備氧化爐減壓CD設(shè)備等重要前端設(shè)備以劃片機(jī)為代表的重要后道封裝設(shè)備和以探針器為代表的重要測試設(shè)備環(huán)節(jié)競爭力強(qiáng)勁，1年全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商前0名中日本公司占4席，分別為TL/dvatest/cren/Htachi，市占率為%/3.8%/35%/2.4%，排名。中國半導(dǎo)體設(shè)備公司并未上榜，國半導(dǎo)體設(shè)備整體國產(chǎn)化率不足%。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司已進(jìn)入多個細(xì)分領(lǐng)域，但國產(chǎn)仍處于早期。當(dāng)前重要的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司涵蓋產(chǎn)品已涵蓋半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，包括清洗設(shè)備（盛美上海、北方華創(chuàng)、至純科技氧化設(shè)（屹唐股份北方華創(chuàng)光刻設(shè)（上海微涂光顯影設(shè)（芯源微、刻蝕設(shè)備（屹唐股份、北方華創(chuàng)、中微公司、去膠設(shè)備（屹唐股份、北方華創(chuàng)、離子注入設(shè)備（萬業(yè)企業(yè)、CMP設(shè)備（華海清科、過程控制設(shè)備（上海睿勵、中科飛測）等。圖表：1年半導(dǎo)體制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈圖硅片硅片晶片表面洗氧化涂光膠光刻顯影蝕刻清洗設(shè)備熱處理/氧化擴(kuò)散光刻膠光刻設(shè)備顯影設(shè)備刻蝕設(shè)備過程控制清洗設(shè)2021全球市場空間42億 熱處理/氧化擴(kuò)散設(shè)備2021全光刻設(shè)備2021全球市美元 球市場空間：20億美元 空間：231億美元SCREEN 盛美上(688082 T屹唐股份(待上市) ASMLTEL CH) VECO北方華創(chuàng)(002371 SEMES 北方華(002371 ) 全球市場空間：34億元TELSEMSSCREEN芯源微CH)刻蝕設(shè)2021全球市場空間200億美元LamResearchTELAMAT過程控制設(shè)備(未上市)LamResearchCH)至純科(603690屹唐股份(待上市)北方華創(chuàng)(002371CH)中微公司(688012CH)過程控制設(shè)備2021全球市：AT上海睿勵(未上市)金屬濺射 化學(xué)機(jī)械拋光 原子層沉積 氣相沉積 離子注入 光刻膠去除 中科飛測（待上市）靶材 CMP設(shè)備 電子氣體 CVD&PVD 離子注入設(shè)備 去膠設(shè)備CMP設(shè)備2021全球市場空間：28億美元A華海清科(688120CH)AMAT爍科精微（未上市）CVD2021年全球市場空間：135億美元AMATLamResearchTEL北方華創(chuàng)(002371CH)拓荊科技(688072CH)離子注入設(shè)備2021全球市場空間：22億元去膠設(shè)備2021全球市場空間：7億美元PSK屹唐股份(待上市)PVD2021年全球市場空間：36億美元AMATEvatecUVAC北方華創(chuàng)(002371CH)AMATSMIT萬業(yè)企業(yè)(600641CH)Hitachi北方華創(chuàng)(002371CH)LamResearchULVAC資料來源：Gtr，SEI,受下行周期及美對華出口管制影響中國大陸3年資本開支或下滑不同于全球半導(dǎo)體本開支放緩趨勢，國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)能仍持續(xù)擴(kuò)張，進(jìn)而拉升對上游設(shè)備廠商的需求。根據(jù)各公司公開披露數(shù)據(jù)，國內(nèi)內(nèi)資晶圓廠/IDM存儲廠2年資本開支有望從1年的億美元提升至9億美元，同比增長%，較1年同比增速提升3.pc。在03年，雖然中芯國際、華虹仍保持資本開支強(qiáng)度，同時由于美國出口管制影響，長江存儲自主技術(shù)進(jìn)展與量產(chǎn)能力將受阻礙最新Xtakng3.0架構(gòu)3DNND技術(shù)也面臨較大障礙并可能推遲部分產(chǎn)線的建設(shè)。我們預(yù)測3年中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備資本開支下滑%，仍有望接近0億美元，224年同比提升%。圖表：3年中國內(nèi)資晶圓廠整體持?jǐn)U張（等效8英寸） 圖表：中國內(nèi)資晶圓廠IM存儲廠E資本開支內(nèi)資晶圓廠合計產(chǎn)能（折合寸同比（右軸）km內(nèi)資晶圓廠合計產(chǎn)能（折合寸同比（右軸）,00,00,00,00,00,00,000

08 09 00 01 02

5%0%5%0%5%0%

百萬0,00元)中國大陸內(nèi)資晶圓廠元)中國大陸內(nèi)資晶圓廠資本開支YOY0,005,000,00,000

0%0%0%0%0%2%4%050607080900010506070809000102E03E04E美對長江存儲等廠商的限制或?qū)鴥?nèi)設(shè)備公司產(chǎn)生不利影響而長江存儲作為華海清科盛美上海、中微公司、拓荊科技等國產(chǎn)設(shè)備廠商的大客戶，美對其限制將對中國設(shè)備廠商營收產(chǎn)生較大影響，但從另一個層面講，美國新規(guī)未來或?qū)⑼苿釉O(shè)備國產(chǎn)化率在客戶端的提高。圖表：國內(nèi)設(shè)備廠商來自長江存儲收入比（1）資料來源：各公司公告，為避免半導(dǎo)體發(fā)展掣肘于海外，實現(xiàn)設(shè)備自主可控是關(guān)鍵。半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率整體處于低位，據(jù)我們統(tǒng)計1年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商收入僅占中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的%。干法刻蝕、清洗、去膠設(shè)備等均已實現(xiàn)較高比例國產(chǎn)設(shè)備采用率，且在-222年維持較高水平，CM、薄膜沉積、量測等設(shè)備2年國產(chǎn)設(shè)備采用率均有提高。國內(nèi)在尚獲得突破的設(shè)備主要為光刻設(shè)備另外8m及以下薄膜沉積刻蝕量測檢測離子入和涂膠顯影等環(huán)節(jié)中國產(chǎn)設(shè)備僅覆蓋環(huán)節(jié)的幾個步驟，目前尚未完成整個環(huán)節(jié)的覆蓋，且部分國產(chǎn)設(shè)備良率較低會對fb廠商形成較大的成本壓力高國產(chǎn)化線目前難以形成益平衡，供應(yīng)鏈安全問題依舊十分嚴(yán)重，技術(shù)優(yōu)化、突破與國產(chǎn)化替代均刻不容緩。圖表：各半導(dǎo)體制造設(shè)備招標(biāo)國產(chǎn)化率況（）0%5%0%5%0%5%0%5%0%干法去膠機(jī) 清洗設(shè)備 拋光設(shè)備 刻蝕設(shè)備 爐管設(shè)備后道檢測設(shè)備沉積設(shè)備 涂膠顯影機(jī)前道檢測設(shè)備離子注入機(jī) 光刻機(jī)資料來源：中國國際招標(biāo)網(wǎng)，根據(jù)各個環(huán)節(jié)所需設(shè)備的市場空間及國產(chǎn)化率，我們將目前的半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程劃分為三大環(huán)節(jié)：國產(chǎn)程度較高的環(huán)節(jié)、正在實現(xiàn)國產(chǎn)的環(huán)節(jié)、易被“卡脖子”的亟待突破的重點環(huán)節(jié)。去膠設(shè)備及清洗設(shè)備國產(chǎn)程度較高，屹唐半導(dǎo)體、盛美上海等占據(jù)領(lǐng)先地位去膠設(shè)備1年去膠設(shè)備的全球市場空間為7億美元國內(nèi)市場空間為2億美元目去膠設(shè)備工藝以干法去膠為主其中屹唐半導(dǎo)體為干法去膠設(shè)備全球龍頭企業(yè)，221年球市占率達(dá)%位列第一，其他主要競爭對手為比思科日立高新、LmResec。屹唐半導(dǎo)體的干法去膠設(shè)備可用于90m到5m邏輯芯片、1y到2xm系列DM芯片以及2層到8層D閃存芯片制造中若干關(guān)鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)。清洗設(shè)備1年清洗設(shè)備全球市場空間達(dá)2億美元國內(nèi)市場空間達(dá)4億美元目前我國半導(dǎo)體清洗設(shè)備的國產(chǎn)化率已達(dá)，預(yù)計到0年有望翻倍。全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)高度集中，龍頭企業(yè)主要是迪恩士、T、韓國EME、LmReserch等等。近年來盛美上海、至純科技、北方華創(chuàng)等國產(chǎn)設(shè)備公司不斷在單片、槽式等清洗設(shè)備上有所突破盛美上海已率先研發(fā)出1m清洗設(shè)備并處于客戶驗證中7/m在研至純科技、北方華創(chuàng)芯源微已具備m制程技術(shù)1m在研盛美上海1年全球市占率達(dá)%。國產(chǎn)設(shè)備有望在刻蝕、M、薄膜沉積等領(lǐng)域率先突破刻蝕設(shè)備1年刻蝕設(shè)備全球市場空間達(dá)0億美元由mReserchTMT三巨頭主導(dǎo)市場國內(nèi)市場空間為8億美元主要玩家包括北方華創(chuàng)中微公司等目前國產(chǎn)化率已達(dá)北方華創(chuàng)以硅刻蝕金屬刻蝕為主ICP刻蝕機(jī)領(lǐng)域國內(nèi)領(lǐng)先等離子硅刻蝕機(jī)在客戶端通過多道制程工藝驗證，已實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。中微半導(dǎo)體以介質(zhì)刻蝕為主已經(jīng)成功生產(chǎn)出nm的刻蝕機(jī)，并開始獲得臺積電及長江存儲等公司的刻蝕設(shè)訂單。目前國內(nèi)刻蝕設(shè)備雖已實現(xiàn)一定的國產(chǎn)，但開發(fā)能夠處理這些工藝的干式蝕刻技術(shù)和原子層刻蝕設(shè)備成為當(dāng)務(wù)之急。CMP設(shè)備：CMP在半導(dǎo)體前道設(shè)備中占比較低，僅為%。1年CMP設(shè)備全球市場空間為8億美元，MT聯(lián)合日本荏原合計占據(jù)了全球%以上的市場空間。華海清科為國產(chǎn)CMP設(shè)備龍頭占據(jù)全球市場的份額國產(chǎn)化率達(dá)目前在國內(nèi)成熟制程領(lǐng)域華海清科2m及以上制程的主要CMP設(shè)備與國際龍頭已不存在明顯技術(shù)差距而在先進(jìn)制程領(lǐng)域，美國MT與日本荏原分別已實現(xiàn)5m制程和部分材質(zhì)5m制程的工藝應(yīng)用，華海清科的m制程工藝技術(shù)正處于驗證中。熱處理氧化擴(kuò)散設(shè)備1年全球市場規(guī)模達(dá)0億美元MT壟斷近%的份額屹唐半導(dǎo)體與北方華創(chuàng)分別占比1%/2%1年國產(chǎn)化率達(dá)屹唐半導(dǎo)體的快速熱處理設(shè)備達(dá)到國際領(lǐng)先水平，技術(shù)突破至1m，已覆蓋臺積電、三星電子、中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲等知名廠商。薄膜沉積設(shè)備：1年薄膜沉積設(shè)備全球市場空間達(dá)0億美元，國內(nèi)市場空間達(dá)0億美元，1年國產(chǎn)化率達(dá)。薄膜沉積設(shè)備是目前半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的重要突破口，國產(chǎn)空間廣闊，主要包括D/D/LD三大類，全球市場中MT/LM/TL占據(jù)主導(dǎo)，國內(nèi)企業(yè)中拓荊科技的CD設(shè)備已適配-m邏輯芯片1/1nmDRAM及層FLH制造工藝CD設(shè)備適配2英寸m及8英寸m以上的邏輯芯片制造工藝D設(shè)備也已適配-m邏輯芯片制造工藝需求基本達(dá)到國際廠商設(shè)備水準(zhǔn)北方華創(chuàng)在D領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)高端薄膜制備設(shè)備零的突破2mHarmakD、-PadD設(shè)備已率先進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系，覆蓋-1nm多個制程。涂膠顯影設(shè)備涂膠顯影設(shè)備是配合光刻機(jī)工作的核心工藝設(shè)備1年全球市場規(guī)模達(dá)4億美元，長期被TL壟斷，國產(chǎn)化率為處于低位。目前芯源微是國內(nèi)唯一可提供前道高端量產(chǎn)涂膠顯影設(shè)備的廠商，尚處于產(chǎn)業(yè)化初期，221年全球市占率為，公司可全面覆蓋蓋、ar、OC、OD、-n、rF、rF等工藝，rFi處于研發(fā)驗證中ofne-buckI線k線等工藝通過客戶驗證公司浸沒式高產(chǎn)能涂膠顯影機(jī)可覆蓋及以上工藝節(jié)點，國產(chǎn)化率有望進(jìn)一步提升。離子注入設(shè)備：1年全球市場規(guī)模為2億美元被應(yīng)用材料xces壟斷國產(chǎn)設(shè)備仍相對空缺處于快速起步期，國產(chǎn)化率僅為。萬業(yè)企業(yè)旗下的凱世通制造的C離子入機(jī)迎來商業(yè)客戶及多款設(shè)備訂單的重大突破，電科裝備旗下的爍科中科信的中束流離子注入機(jī)已經(jīng)在2英寸和8英寸產(chǎn)線量產(chǎn)或dmo驗證超過數(shù)十臺套大束流離子注入機(jī)已實現(xiàn)多臺銷售，正在陸續(xù)進(jìn)入客戶端。光刻機(jī)及過程控制設(shè)備是易被“卡脖子”的亟待突破的重點環(huán)節(jié)光刻設(shè)備光刻機(jī)是芯片制造與光刻膠研發(fā)中的核心工藝設(shè)備1年全球市場份額高達(dá)1億美元，ML市占率達(dá)%，是全球唯一銷售高端光刻機(jī)-UV的廠商。國內(nèi)市場規(guī)模達(dá)7億美元但國產(chǎn)化率仍接近于零極大程度上依賴海外光刻設(shè)備在國產(chǎn)光刻機(jī)領(lǐng)域中上海微電子產(chǎn)品主要采用rrF和-ne光源目前只能達(dá)到m制程量產(chǎn)，且主要用于C的后道封裝和面板領(lǐng)域，公司正在攻關(guān)m制程。過程控制設(shè)備：貫穿于集成電路領(lǐng)域生產(chǎn)過程的質(zhì)量控制環(huán)節(jié)可分為前道檢測、中道檢測和后道測試，檢測和量測環(huán)節(jié)貫穿制造全過程，是保證芯片生產(chǎn)良品率非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。221年全球市場規(guī)模為3億美元，競爭格局相對集中，全球范圍內(nèi)主要檢測和量測設(shè)備企業(yè)包括LMT日立等國內(nèi)設(shè)備國產(chǎn)化率較低僅為左右目前上海睿勵2英寸光學(xué)測量設(shè)備可滿足m及以上應(yīng)用，m正在驗證，存儲芯片領(lǐng)域已覆蓋4層3DNND芯片的生產(chǎn)6層DNAND芯片并正在驗證精測電子膜厚量測設(shè)備已量產(chǎn)，電子束OCD產(chǎn)品通過國內(nèi)客戶驗證硅片應(yīng)力測量設(shè)備明場缺陷檢測設(shè)備也均有突破但國內(nèi)企業(yè)目前在過程控制設(shè)備產(chǎn)品線上的覆蓋廣度與深度仍與國際龍頭存在較大差距，仍存在較大的國產(chǎn)空間。圖表：國產(chǎn)半導(dǎo)體前道制造設(shè)備基本覆蓋nm及以上制程且其他性能基達(dá)到國際水平精測電子精測電子Win，公司公告，全球半導(dǎo)體觀察，自0月7日美國宣《出口管制條例后設(shè)備板塊估值下滑根據(jù)Wnd一致市場預(yù)期，當(dāng)前時點設(shè)備板塊估值中樞為5倍23年，我們認(rèn)為當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備板塊估值或已消化資本開支下滑預(yù)期。我們建議投資者關(guān)注國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備公司由于設(shè)備國產(chǎn)化率提升以及新品類拓張平臺化布局帶來的業(yè)績增長以及政策面驅(qū)動因素。圖表：可比公司估值表（截至3年2月1日）PE（倍）PB（倍）PS（倍）證券代碼可比公司收盤價（元）總市值（百萬）2E2E2E 2E2E2E271CH812CH882CH800CH837CH820CH872CH390CH004CH北方華中微公盛美上華峰測芯源微華海清拓荊科至純科長川科技9.58.2.92.68.75.80.2.2.96,50,7,5,8,4,5,4,6,4.0.7.0.2.8.2.9.79.5.0.2.8.0.3.2.7.73.0.5 .7.4 .1.8 .1.9 .6.0 .4.8 .7.3 .9.0 .6.4 .3.4.8.0.9.9.9.5.0.0.0.3.4.7.3.1.0.4.4平均中位--.7.1.4.7.8 .6.8 .7.5.9.2.3注:北方華創(chuàng)、盛美上海、華海清科、拓荊科技預(yù)測數(shù)據(jù)為華泰預(yù)測，其余可比公司預(yù)測數(shù)據(jù)來自Wind一致預(yù)期Win，預(yù)測板塊建議估值或已消化資本開支下行預(yù)期建議關(guān)注政策催化以及國產(chǎn)突破近年來，國內(nèi)設(shè)備廠商持續(xù)拓寬產(chǎn)品廣度和挖掘產(chǎn)品深度，平臺化布局有利于其后續(xù)規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)張。芯片制造各階段所需設(shè)備種類不同，具體涵蓋清洗設(shè)備、氧化設(shè)備、光刻設(shè)備、涂光顯影設(shè)備、刻蝕設(shè)備、去膠設(shè)備、離子注入設(shè)備、CP設(shè)備、過程控制設(shè)備等，中國設(shè)備廠商往往僅專注于其中-2種設(shè)備。我們認(rèn)為，拓寬現(xiàn)有設(shè)備的覆蓋工藝及道次將為公司營收增長提供更多可能性，有助于國內(nèi)設(shè)備廠商規(guī)模的擴(kuò)張。此外，挖掘產(chǎn)品深度，在特定細(xì)分設(shè)備領(lǐng)域中持續(xù)推出性能更佳的新產(chǎn)品將有助于公司在該細(xì)分領(lǐng)域市占率的提升，也有利于公司整體營收規(guī)模的提升。?????????????????????????????設(shè)備/公司北方華創(chuàng)中微公司盛美上海屹唐半導(dǎo)體上海微電子芯源微萬業(yè)企業(yè)至純科技華海清科 沈陽拓荊上海睿勵 中科飛測光刻?涂膠顯影??熱處刻蝕清洗去膠CMPCVDPVD電鍍離子注入

? ???? ?量測??21年中國市占率21年全球市占率.4%.7%.5%.4%.7%.2%.4%.4%N.A.N.A..4%.1%.0%.0%.8%.2%.4%.1%.3%.1%N.A.N.A..1%.0%注：黃色表示1年該細(xì)分領(lǐng)域有新產(chǎn)品推出，紅色表示1年公司新切入該細(xì)分領(lǐng)資料來源：各公司官網(wǎng)及公告，圖表：重點推薦公司一覽表收盤價目標(biāo)價市值百萬)EPS元)PE倍)股票名稱股票代碼投資評級當(dāng)?shù)貛欧N)當(dāng)?shù)貛欧N)當(dāng)?shù)貛欧N)212E2E2E212E2E2E拓荊科技872CH買入0.29.0,4.54.98.26.040.2.4.6.2盛美上海882CH買入.96.0,5.61.33.55.049.6.5.6.6北方華創(chuàng)271CH買入9.55.06,53.04.15.09.467.8.0.6.0華海清科820CH買入5.88.0,5.86.26.43.722.3.5.9.6注：數(shù)據(jù)截至23//1資料來源：Blombr，預(yù)測拓荊科技（2CH，買入，目標(biāo)價：6元：薄膜沉積設(shè)備龍頭進(jìn)口替代加速拓荊科技成立于0年，專注于薄膜沉積領(lǐng)域，是國內(nèi)唯一一家實現(xiàn)CD和CD產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的公司，同時在LD領(lǐng)域也處于國內(nèi)龍頭地位。公司目前已進(jìn)入到中芯國際長江存儲等國內(nèi)頭部制造企業(yè)，同時在海外客戶拓展上有所突破。薄膜沉積作為半導(dǎo)體制造三大核心工藝之一，目前國產(chǎn)化率不足%，未來替代空間較大，公司作為國內(nèi)頭部企業(yè)將核心受益。我們預(yù)計公司2-4年收入為1.927./3.0億元，歸母凈利潤為3./4.17.6億元給予買入評級目標(biāo)價6元基于7倍3年（估值日期：223/220）風(fēng)險提示：）管理層美籍人士研發(fā)運營活動受影響；2）半導(dǎo)體下行周期對應(yīng)設(shè)備廠新增訂單縮減風(fēng)險中美貿(mào)易摩擦升級導(dǎo)致收入不達(dá)預(yù)期風(fēng)險；薄膜沉積設(shè)備行業(yè)競爭加劇風(fēng)險。盛美上海（2CH，買入，目標(biāo)價：5元：清洗設(shè)備龍頭發(fā)力涂膠顯影CD盛美上海發(fā)布公告預(yù)計2年營收-9億元中位數(shù)o+72.7%,23年營收預(yù)計為-5億元中位數(shù)o+4.1%2年公司順利切入涂膠顯影及CD設(shè)備實現(xiàn)將年潛在市場空間總和從0億美元翻至0億美元我們看好公“平臺化差異化全球化核心競爭力但考慮到3年中國設(shè)備資本開支存在不確定性下調(diào)我們預(yù)計2/23/4年收入為/.8億元，維持“買入，考慮到公司涂膠顯影、CVD未來對收入的提升，以行業(yè)Wnd一致預(yù)期均值1.x23S為基礎(chǔ)給一定的溢價，基于8倍3年，給于目標(biāo)價5元（估值日期：2）風(fēng)險提示：