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文檔簡介
《 大學電子綜合基礎考研復習精編注重聯(lián)系,強化。復習指南分析各章節(jié)在考試中的地位和作用,并將各章節(jié)對知識的,提取和應用。緊張等心理問題而出現(xiàn)遺忘的現(xiàn)象,做到胸有成竹考場??忌鶥:電子綜合又多又雜,樂群版復習精編將這些整理得挺清楚的,對知識考生C:圖文并用,比較實用,質(zhì)量杠杠的。樂群版復習精編對分析的透徹,對我目I序言II必III復習方略IV考試分析V復習指南VI考點解第一章基礎知識第二章PN結(jié)和二極管第四章場效應晶體管第六章放大器的單元電路第九章負反饋第十一章整流與穩(wěn)壓第二章門電路第六章脈沖波形的產(chǎn)生和整形第八章數(shù)字系統(tǒng)設計EDA及硬件描述語言初步第十章數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換VII往年試卷與答案解專業(yè)課專業(yè)課輔導班指《模擬電路基礎》第五 放大器的工作原理和分析方一、本章復習提示二、本章知識框架圖放大器的工作
Ⅵ考點解《模擬電路基礎》第五 放大器的工作原理和分析方一、放大器的基本概念和主要參數(shù)V0tAvVit,其中Av是電壓增益,它等于輸出電壓V0t與輸入電壓Vit之比。電壓增益是放大器的一個重要參數(shù),理想放大器的輸出與輸入P AP0VOIOPPP p Iip(4)在電路中,電壓增益和功率增益常用分貝(dB)表示:電壓增益:100000倍,只要說下圖的簡單模型來表示,其中Ri是輸入阻抗,R0是輸出阻抗,如果電抗為零,則它們分別代VAV iiR 的信號為:ViRRV0
R R 顯然,RiR0的存在不但造成信號損失,而且當負載和信號源內(nèi)阻變化時,放大器二、放大電路的組成和工作原理ECEB使發(fā)RBIBRC把把集電極電流的變化變成定的直流電流和直流電壓,分別以IBQ、VBEQ、ICQ、VCEQ表示QIBQ,VBEQ和QICQ,VCEQ點,如下圖所示,稱作直流工作點,或靜Ⅶ往年試卷與答案解析往年考研試卷大學2009 入學考試試 注意:請將所有答案寫在答題紙上,答在此試題上無什么是MOS管閾值電壓VTVBE0.6V,VCES0.0V。計算輸出電壓V0計算V0二極管的正向?qū)▔航禐閂D0.1Vom,參考電壓Vf0.2VomR12R22R3。畫出V0隨Vi大(500),基區(qū)體電阻rb0,厄利電壓VA為無限大,VBE0.5V,VCES0.0V,re,電源電壓為12V,輸入信號的峰峰值200mVRL為15K。(12分)如附圖所示,已知運算放大器的最大輸出幅度為Vom,其它參數(shù)為理想計算輸入電壓Vi的允許范圍A.YBAB B.YABBCCYABCAB DYABAD率fImax的關(guān)系是(。A.N- D.PROM的()陣列可編程,PAL的()陣列可編程,GAL的OLMC中異或門的作用((15分)FFABBDDCEDA(用代數(shù)法FABCDABCDCABCDABC(),約束條件為:m10m11m12m13m4m150整除時,電路輸出F=1,否則F=0往 解大學2009 入學考試試題與答案解 注意:請將所有答案寫在答題紙上,答在此試題上無一、簡略回答(每小題5分,共15分什么是MOS管閾值電壓VT4章的考點,MOS管的工作狀態(tài),工作原理是考試的重要知識點,本題所考查識。對MOS管的知識點要掌握透徹,是每年幾乎必考的知識點。對于增強型NMOS,當柵極加正電壓時,柵極下面硅片的表面將感應出電子,即反型層,此時的電壓叫閾值電壓,用VT表示。業(yè)一、簡 二、使用說明活運用所有的重要內(nèi)容,結(jié)合《復習精編》中的“考點解析”迅速找到知識體系中的“盲材料、表格,同時需仔細研讀“復試”、“復試經(jīng)驗談”、“導師部分”,對復試指定書三、內(nèi)部資③《2016大學電子綜合基礎考研模擬五套卷與答案解析》樂群編 樂群編⑤《2016大學電子信息與光學考研復試一本通》樂群編四、考研必備推1.2.3.碩考碩考網(wǎng)6.導查缺補習方法指導+章節(jié)知識串講+重難點勾畫+考點串講+知識點查漏復習方法指導+章節(jié)知識串講+重難點勾畫+考點串講+知識點查漏補缺+強化面授+精選講解+解題方法點撥+傳授+復試導+基礎知識結(jié)構(gòu)梳理及講解+重難點勾畫及精講+考點串講+專題精講+查缺補漏+精選講解+掃除盲點+??键c分析+考點考全程一對一教學+全程個性化復習計劃制定調(diào)整+復習方法指導+知識結(jié)構(gòu)梳理及講解+重難點勾畫及精講+考點串講+專題精講+查缺補漏+精選講解+掃除盲點+??键c分析+考點考題預
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