集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)5版圖_第1頁
集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)5版圖_第2頁
集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)5版圖_第3頁
集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)5版圖_第4頁
集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)5版圖_第5頁
已閱讀5頁，還剩107頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

第6CMOS

2

34 （Layout版圖與電路圖一致性檢驗(yàn)（LVS，LayoutVersus設(shè)計(jì)規(guī)則檢驗(yàn)（DRC，DesignRule電氣規(guī)則檢驗(yàn)（ERC，ElectricalRuleceandroute，自動 567

金屬 89InInAp-np-nCross-SectionalongA-

最小間距s最短露頭t離周邊最短距離d Same0

Different292 633232

orVia

233234 43 1

45145Metal Active

Metalto 222

注入：橫向注入導(dǎo)致np

n阱(nn阱(n 掩蔽n、p摻雜 p+=(pSelect)∩(Active)∩(nWell)∩(NOT(poly))

一條柵的邊與有源區(qū)邊界改變處 一條柵的邊與有源區(qū)邊界改變處SSggdac2Spac

溝道長度溝道寬度

F 2 6.5FETnFET和pFET

nCoxWn

L Ln

LLp

nWn/

/ 要使

rW

其中r

L

L Lp220cm2/V /V2n在此條件下，RchnRchpp220cm2/V /V2n

體管的常數(shù)為s(W/L)、R1x/s、sC1x

One

TwofingersLessdiffusion 平線，分別置于畫四個輸入的多晶硅柵，等間距畫pFET的有源區(qū)條和nFET的有源畫金屬線，按規(guī)定的邏輯進(jìn)行互 紅線與綠線交叉產(chǎn)生一個FET在黃色邊框內(nèi)為pFET，色 用頂點(diǎn)代表FET的漏和源，用邊代表FET半身和柵，根 電路關(guān)系連接頂點(diǎn)，由此形成

jCijCiCBX=C?(A+

LogicGraph

C

利

Wp Wp

WpWp

In3

WpWp

串聯(lián)的FET最好比單個 ffab gga(b

gg(ab)x xx ffabga(b bcadbcad bcadbcad (a)Logicgraphsfor (b)EulerPaths{abc

x

xabc(c)stickdiagramforordering{abc SFABS

Mirrored

MirroredMirro

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論