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本文格式為Word版,下載可任意編輯——北斗二代B1頻點(diǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)宇志通信抗干擾型衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)
SNP8000
目錄
第一部分硬件資源配置2其次部分各功能模塊硬件連接關(guān)系5
一、電源部分8二、DSP(TMS320C6713)部分9三、FPGA(EP4CE115F23I7N)部分20四、USB2.0(CY7C68013)接口部分20五、時(shí)鐘管理部分22六、RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路23七、RS232電路(UART)24八、RS422電路25九、四通道AD采樣部分26十、本振頻綜部分27十一、正交下變頻部分30十二、兩級(jí)前端低噪放(LNA)31十三、AGC控制電路(串行DA-AD5541)33
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宇志通信抗干擾型衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)
SNP8000
第一部分硬件資源配置
主要用途:
?雙通道抗干擾衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)開發(fā)?導(dǎo)航接收機(jī)雙通道運(yùn)動(dòng)載體神態(tài)測(cè)量?雙通道抗干擾型導(dǎo)航接收機(jī)算法研究?雙通道接收機(jī)多徑測(cè)量和算法研究?高動(dòng)態(tài)衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)算法研究和設(shè)計(jì)開發(fā)?高靈敏度衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)算法研究和設(shè)計(jì)開發(fā)?高精度衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)算法研究和設(shè)計(jì)開發(fā)?多模衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)算法研究和和設(shè)計(jì)開發(fā)
板上資源:
?采用TI公司的高速浮點(diǎn)型處理器TMS320C6713B,主頻300MHz,達(dá)
2400MIPS,具有強(qiáng)大的通信信號(hào)處理能力;
?采用兩片Altera公司的CycloneIV系列最大資源的FPGA芯片
EP4CE115F484I7N作為核心處理器,可滿足目前絕大多數(shù)的衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)/軟件無線電中通信信號(hào)處理硬件編程和控制能力。CycloneIV器件主要針對(duì)數(shù)字信號(hào)處理(DSP)和存儲(chǔ)器較多的應(yīng)用,它采用65mm工藝,CycloneIV
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宇志通信抗干擾型衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)
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EFPGA拓展了前一代CycloneIIIFPGA的低功耗優(yōu)勢(shì)。最新一代器件降低了內(nèi)核電壓,與前一代產(chǎn)品相比,總功耗降低了25%,本設(shè)計(jì)采用的EP4CE115芯片集成有114,480個(gè)LE單元,266個(gè)18×18乘法器,片上RAM達(dá)到3.9Mb的容量;
?板上集成四路AD采樣,AD采用AnalogDevice公司AD9265芯片,是一
款單芯片、16位、80MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),采用1.8V模擬電源供電,ADC內(nèi)核采用多級(jí)、差分流水線架構(gòu),并集成了輸出糾錯(cuò)規(guī)律。它具有寬帶寬、差分采樣保持模擬輸入放大器,支持用戶可選的各種輸入范圍。集成基準(zhǔn)電壓源可簡化設(shè)計(jì)。占空比穩(wěn)定器可用來補(bǔ)償ADC時(shí)鐘占空比的波動(dòng),使轉(zhuǎn)換器保持卓越的性能。ADC輸出數(shù)據(jù)格式為并行1.8VCMOS或LVDS(DDR)。,模擬帶寬最高可達(dá)650MHz,可做射頻直接帶通采樣。?雙通道模擬正交下變頻芯片AD8347,頻率覆蓋800MHz到2.7GHz,實(shí)現(xiàn)射
頻信號(hào)混頻至中頻頻段。
?雙路本振芯片SI4133,獨(dú)立輸出本振信號(hào)供給兩路下變頻通道。
?雙路獨(dú)立兩級(jí)前端低噪放TQP3M9036(兼容SPF5122Z)級(jí)聯(lián),提供30dBm
級(jí)聯(lián)增益。
?板上提供高精度RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊,在-40°Cto+85°C溫度范圍內(nèi)提供±
3.5PPM精度。
?板上具有USB2.0高速傳輸接口功能,接口芯片為Cypress的CY7C68013-56,
支持480Mbits高速數(shù)據(jù)傳輸;
?板上采用10M1PPM溫補(bǔ)晶振,準(zhǔn)正弦輸出。
?1片×16Mb16位總線FLASH芯片,用于存儲(chǔ)DSP運(yùn)行代碼和大量用戶非易
失性數(shù)據(jù);
?1片×128Mb32位總線SDRAM,擴(kuò)展DSP外部存儲(chǔ)器資源;?4個(gè)用戶指示燈;
接口類型:
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?2個(gè)FPGAAS接口;?2個(gè)FPGAJTAG接口;?1個(gè)DSPJTAG接口;?2個(gè)RS232串行口;?1個(gè)差分422串行口;
?1個(gè)USB2.0接口,接口芯片為Cypress的CY7C68013,支持480Mbits高
速傳輸;?4個(gè)擴(kuò)展IO口;
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其次部分各功能模塊硬件連接關(guān)系
硬件連接結(jié)構(gòu)如下圖所示
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抗干擾型衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)-SNP8000硬件選用兩片主芯片F(xiàn)PGA型號(hào)為EP4CE115F484I7N,F(xiàn)PGA工作主時(shí)鐘推薦在100MHz以內(nèi)(默認(rèn)62MHz);主芯片DSP型號(hào)為TMS320C6713BGDP-300,DSP工作主時(shí)鐘最高可以達(dá)到
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300MHz。
從圖上可以看到,F(xiàn)PGA-A(抗干擾端)前端連接有4路AD采樣芯片(AD9265
芯片),分別采樣兩路正交下變頻后輸出的正交模擬中頻信號(hào),另外為了射端前端能正常工作,F(xiàn)PGA-A需通過IO口擴(kuò)展的SPI接口分別配置兩路射頻頻綜芯片SI4133以及控制兩路串行DA芯片的電壓輸出(調(diào)理AGC范圍),F(xiàn)PGA-A輸出端通過與FPGA-B(接收機(jī)端)互連的94個(gè)IO口進(jìn)行數(shù)據(jù)交互,把經(jīng)抗干擾處理后的信號(hào)傳輸FPGA-B(接收機(jī)端)做后續(xù)的衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)用途;
FPGA-B(接收機(jī)端)通過IO口擴(kuò)展有RS232,RS422,RTC接口以及USB2.0接口;另外DSP總線掛在FPGA-B(接收機(jī)端)上,并且DSP總線上分別掛有FLASH,SDRAM芯片,F(xiàn)LASH主要用于DSP脫離仿真器調(diào)試后,用于存儲(chǔ)DSP固化的代碼,每次硬件板上電后,DSP啟動(dòng)BootLoader加載程序,加載外部的FLASH固化代碼入內(nèi)部的RAM空間,加載完成后啟動(dòng)執(zhí)行程序。注意硬件板DSP能在每次上電后自動(dòng)加載FLASH代碼并能執(zhí)行需要滿足幾個(gè)條件
?供給DSP的IO電壓(3.3V)以及核電壓(1.4V)工作正常,這個(gè)條件在硬件
板正常工作的狀況下是滿足的;
?供給DSP的參考時(shí)鐘輸入是正常的(通過FPGA-A上電加載后輸出供給),這
個(gè)條件在硬件板正常工作的狀況下是滿足的;
?供給DSP的復(fù)位信號(hào)是正常的(通過FPGA-A上電加載后輸出供給),這個(gè)條
件在硬件板正常工作的狀況下是滿足的;
?FLASH內(nèi)部固化有正確的程序代碼,這部分可以參考“北斗二代B1頻點(diǎn)衛(wèi)
星導(dǎo)航接收機(jī)-DSP程序固化工具〞。
?板上的J1-BOOTSEL短路帽是否未扣上(設(shè)置DSP上電加載FLASH程序模式
時(shí)短路帽是不扣上的,當(dāng)通過仿真器調(diào)試DSP時(shí)短路帽需要扣上),這部分可以參考“北斗二代B1頻點(diǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)-硬件平臺(tái)SNP8000使用說明書〞。
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一、電源部分
板上電源采用+5V外部供電,電源通過板上的20芯SCSI接口引入,如下圖1.1所示
圖1.1
+5V電源供電主要分兩部分,第一部分是數(shù)字基帶處理部分,主要供給DSP、FPGA以及外圍數(shù)字電路模塊芯片,其次部分是供應(yīng)射頻通道部分,主要供給前端低噪放、混頻模塊和本振模塊等。
數(shù)字基帶處理部分供電中:
?分別經(jīng)U40和U43產(chǎn)生D3.3V(3.3V)和D1.4V(1.4V),其中D3.3V分別
給DSP和FPGA的IO口及其周邊芯片供電,D1.4V給DSP的核電壓供電;?經(jīng)U39產(chǎn)生D1.2V(1.2V),分別給FPGA-A和FPGA-B的核電壓供電;?經(jīng)U48產(chǎn)生模擬2.5V電壓A2.5V,分別給FPGA-A和FPGA-B的編程電壓
等供電;
?經(jīng)U42和U43產(chǎn)生A1.8V電壓和D1.8V電壓,分別給U15、U16、U27和
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U28(AD9233)供應(yīng)模擬電壓和數(shù)字電壓;w
?經(jīng)U46產(chǎn)生模擬3.3V電壓OSC_3.3V供給10M溫補(bǔ)晶振;
?經(jīng)U44產(chǎn)生模擬4.4V電壓A5.0V_AMP供給10M溫補(bǔ)晶振輸出的AD8012
驅(qū)動(dòng)放大芯片;
?經(jīng)U47產(chǎn)生模擬3.3V(兼容3.0V)電壓A3.0V_DA供給串行DA芯片AD5541;
射頻通道中:
?分別經(jīng)U14和U26產(chǎn)生3.3V(3.0V)電壓,供給射頻通道頻綜模塊SI4133;?分別經(jīng)U12和U24產(chǎn)生4.6V電壓,供給正交下變頻芯片AD8347電路;?分別經(jīng)U11和U23產(chǎn)生4.6V電壓,供給射頻通道天線饋電電壓和前端低噪
放電路;
接收板正常工作消耗電流1800mA左右。
二、DSP(TMS320C6713)部分
TMS320C6713的存儲(chǔ)空間分派如表2-1:
存儲(chǔ)空間描述片內(nèi)L2RAM片內(nèi)L2RAM/Cache保存外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)寄放器L2寄放器保存HPI寄放器McBSP0寄放器McBSP1寄放器Timer0寄放器Timer1寄放器中斷向量寄放器
大?。ㄗ止?jié))192K64K24M-256K256K128K128K256K256K256K256K256K5129
地址空間0x00000000–0x0002FFFF0x00030000–0x0003FFFF0x00040000–0x017FFFFF0x01800000–0x0183FFFF0x01840000–0x0185FFFF0x01860000–0x0187FFFF0x01880000–0x018BFFFF0x018C0000–0x018FFFFF0x01900000–0x0193FFFF0x01940000–0x0197FFFF0x01980000–0x019BFFFF0x019C0000–0x019C01FF宇志通信抗干擾型衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)
SNP8000配置寄放器保存EDMARAM和EDMA寄放器保存GPIO寄放器保存IIC0寄放器IIC1寄放器保存McASP0寄放器McASP1寄放器保存PLL寄放器保存Emulation寄放器保存QDMA寄放器保存保存McBSP0數(shù)據(jù)端口McBSP1數(shù)據(jù)端口保存McASP0數(shù)據(jù)端口McASP1數(shù)據(jù)端口保存EMIFCE0EMIFCE14256K-516256K768K16K240K16K16K16K16K16K160K8K264K256K4M5216M-52720M64M64M64M1M1M1G+62M256M256M10
0x019C0200–0x019C02030x019C0204–0x019FFFFF0x01A00000–0x01A3FFFF0x01A40000–0x01AFFFFF0x01B00000–0x01B03FFF0x01B04000–0x01B3FFFF0x01B40000–0x01B43FFF0x01B44000–0x01B47FFF0x01B48000–0x01B4BFFF0x01B4C000–0x01B4FFFF0x01B50000–0x01B53FFF0x01B54000–0x01B7BFFF0x01B7C000–0x01B7DFFF0x01B7E000–0x01BBFFFF0x01BC0000–0x01BFFFFF0x01C00000–0x01FFFFFF0x02000000–0x020000330x02000034–0x02FFFFFF0x03000000–0x2FFFFFFF0x30000000–0x33FFFFFF0x34000000–0x37FFFFFF0x38000000–0x3BFFFFFF0x3C000000–0x3C0FFFFF0x3C100000–0x3C1FFFFF0x3C200000–0x7FFFFFFF0x80000000–0x8FFFFFFF0x90000000–0x9FFFFFFF
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SNP8000EMIFCE2EMIFCE3保存256M256M1G表2-1
0xA0000000–0xAFFFFFFF0xB0000000–0xBFFFFFFF0xC0000000–0xFFFFFFFFDSP正常工作的連接除了IO電壓3.3V和核電壓1.4V供電之外,還需設(shè)計(jì)如下幾個(gè)方面的電路:◆工作模式◆復(fù)位控制◆鎖相環(huán)供電電路◆時(shí)鐘
◆JTAG調(diào)試接口配置
工作模式:
工作模式配置如圖2.1所示,配置內(nèi)容參考TMS320C6713的數(shù)據(jù)手冊(cè),查看相應(yīng)引腳的功能配置。
圖2.1
在這里要注意的是,J1通過是否扣短路帽來設(shè)置用于選擇仿真器調(diào)試模式還是FLASH加載模式,實(shí)際使用中要特別引起注意。
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TMS320C6713提供了2種引導(dǎo)方式:主機(jī)加載和外接FLASH(ROMBoot)加載。
選中擇主機(jī)加載(hostboot)模式時(shí),核心CPU停留在復(fù)位狀態(tài),芯片其余部分保持正常狀態(tài)。引導(dǎo)過程中,外部主機(jī)通過主機(jī)接口(HPI)初始化CPU的存儲(chǔ)空間。完成所有的初始化工作后,主機(jī)向接口(HPI)控制寄放器DSPINT位(位于HPIC寄放器)寫1,終止引導(dǎo)過程。此時(shí)CPU退出復(fù)位狀態(tài),開始執(zhí)行地址0處的指令。主機(jī)加載模式下,可以對(duì)DSP所有的存儲(chǔ)空間進(jìn)行讀/寫。
選中擇FLASH加載模式時(shí),CPU在復(fù)位信號(hào)無效之后,仍保持復(fù)位狀態(tài),此時(shí)位于外部CE1空間的FLASH中的1KB代碼通過EDMA被搬入地址0處,搬移的位數(shù)大小由bootmode的配置確定。
傳輸完成后,CPU退出復(fù)位狀態(tài),開始執(zhí)行地址0處的指令。用戶可以指定外部加載FLASH的存儲(chǔ)寬度,由bootmode的配置確定,EMIF會(huì)自動(dòng)將相鄰的8bit/16bit數(shù)據(jù)合成為32bit的指令。FLASH中的程序存儲(chǔ)格式應(yīng)當(dāng)與芯片的Endian模式設(shè)置一致。
在實(shí)際應(yīng)用中,為了獲得較高的運(yùn)行速度,尋常要把低速FLASH中的代碼傳送到高速RAM中執(zhí)行,但大部分應(yīng)用程序都要超出1KB,顯然上述的FLASH引導(dǎo)過程不能滿足全部程序傳輸?shù)男枰?,這就需要開發(fā)人員自己編寫一段“二級(jí)引導(dǎo)程序〞來完成剩下的傳輸工作。需要注意的是,“二級(jí)引導(dǎo)程序〞要被放在CE1空間FLASH的起始處。整個(gè)FLASH引導(dǎo)方式的工作過程如下:①設(shè)備復(fù)位,CPU從CE1空間的起始處拷貝1KB數(shù)據(jù)到地址0處。所拷貝的這些數(shù)據(jù)就包含用戶編寫的二級(jí)引導(dǎo)程序。
②拷貝終止,CPU退出復(fù)位狀態(tài),從地址0處開始運(yùn)行二級(jí)引導(dǎo)程序。該引導(dǎo)程序按要求將FLASH中的應(yīng)用程序拷貝到RAM的指定位置。完成后,引用C程序入口函數(shù)c_int00()。
③c_int00()函數(shù)初始化C語言運(yùn)行環(huán)境,然后開始運(yùn)行應(yīng)用程序。
復(fù)位控制:
復(fù)位控制電路通過FPGA-A(抗干擾端)的IO輸出來控制。
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鎖相環(huán)供電電路:
TMS320C6713的PLL鎖相環(huán)輸入電壓通過L1磁珠濾波之后給入給PLLHV管腳(如圖2.3),以減少時(shí)鐘輸出的相位噪聲。
圖2.3
時(shí)鐘:
開發(fā)板中,CLKMODE0上拉至3.3V為高,CLKIN(DSP工作時(shí)鐘)和ECLKIN(ExternalEMIFinputclocksource外部存儲(chǔ)器接口輸入時(shí)鐘)為62MHZ。根據(jù)DSP的PLL控制器可以配置不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)用于CPU的內(nèi)核,外部存儲(chǔ)器、McASP、數(shù)據(jù)地址總線等外設(shè)。6713的時(shí)鐘結(jié)構(gòu)如圖2.4:
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圖2.4
TMS320C6713的時(shí)鐘配置可以由PLL控制/狀態(tài)寄放器PLLCSR、倍頻系數(shù)PLLM以及PLLDIVx和OSCDIV1等相關(guān)寄放器進(jìn)行設(shè)置。相關(guān)寄放器的描述如表2-2、表2-3、表2-4、表2-5。
表2-2
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表2-3
表2-4
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表2-5
JTAG連接:
JTAG具體連接可詳細(xì)參考TMS320C6713的數(shù)據(jù)手冊(cè)“TMS320C6000PeripheralsReferenceGuide.pdf〞第699頁(注意:布線時(shí)JTAG口與DSP連線應(yīng)盡量短)(如圖2.5)。
圖2.5
EMIF接口,存儲(chǔ)空間的配置:
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EMIF接口由CE0、CE1、CE2、CE3共4個(gè)存儲(chǔ)空間,每個(gè)存儲(chǔ)空間尋址范圍為256M字節(jié),數(shù)據(jù)總線寬度為32bit,支持的存儲(chǔ)器類型有SDRAM、SBSRAM、SRAM、Flash等。其輸入時(shí)鐘由外部ECLKIN引腳提供或內(nèi)部SYSCLK3提供。
EMIF接口相關(guān)信號(hào)如圖2.6:
圖2.6
ECLKIN:為EMIF外部時(shí)鐘輸入;
ECLKOUT:為EMIF工作時(shí)鐘有2個(gè)來源:ECLKIN和SYSCLK3,可由EKSRC寄放器(DEVCFG.[4])配置選擇,EKSRC=0時(shí),選中SYSCLK3(默認(rèn))EKSRC=1時(shí),選中ECLKIN;
ED[31:0]:為32位數(shù)據(jù)總線,對(duì)應(yīng)原理圖中的TED[31:0]網(wǎng)絡(luò);EA[21:2]:為20位地址總線,對(duì)應(yīng)原理圖中的TEA[31:0]網(wǎng)絡(luò);
CE[3:0]:為存儲(chǔ)空間選擇信號(hào),對(duì)應(yīng)原理圖中的TCE0n、TCE1n、TCE2n、TCE3n、網(wǎng)絡(luò);
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對(duì)應(yīng)原理圖中的TBE0n、TBE1n、TBE2n、TBE3nBE[3:0]:為字節(jié)使能信號(hào),ARDY:異步存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)就緒信號(hào);
AOE/SDRAS/SSOE:為異步存儲(chǔ)器讀出訪能信號(hào)/SDRAM行選通信號(hào)/SBSRAM讀出訪能信號(hào),對(duì)應(yīng)原理圖中的TSDRASn網(wǎng)絡(luò);
ARE/SDCAS/SSADS:為異步存儲(chǔ)器讀使能信號(hào)/SDRAM列選通信號(hào)/
SBSRAM地址選通信號(hào),對(duì)應(yīng)原理圖中的TSDCASn網(wǎng)絡(luò);
AWE/SDWE/SSWE:為異步存儲(chǔ)器寫使能信號(hào)/SDRAM寫使能信號(hào)/SBSRAM寫使能信號(hào),對(duì)應(yīng)原理圖中的TSDWEn網(wǎng)絡(luò);
HOLD:EMIF總線保持請(qǐng)求信號(hào);HOLDA:EMIF總線已保持確認(rèn)信號(hào);BUSREQ:EMIF總線請(qǐng)求標(biāo)志信號(hào)。
在開發(fā)板上,DSP與外部存儲(chǔ)器件的通信主要通過EMIF接口總線來完成,如圖2.7所示
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圖2.7
U2(MT48LC4M32B2B5)為1Mx32x4Banks共128Mbits的SDRAM,配置為DSP的CE0空間,地址范圍為0x80000000-0x81000000,其地址總線、數(shù)據(jù)總線與控制線與DSP接口實(shí)現(xiàn)無縫連接。SDRAM行列地址的配置參考如表2-6:
表2-6
U3(39VF1601)為1Mx16bit的FLASH,接在DSP的CE1空間,地址范圍為0x90000000-0x90200000,與DSP地址總線TEA21~T220根地址總線剛好完全匹配。對(duì)FLASH進(jìn)行寫操作時(shí),首先需要對(duì)它進(jìn)行擦除之后才能寫操作,而這中間涉及到擦除和寫的命令控制字,具體參考SST39VF1601的數(shù)據(jù)手冊(cè)。
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在使用EMIF接口訪問外部存儲(chǔ)器件時(shí),根據(jù)外部存儲(chǔ)器件的特性,還需要配置相關(guān)的寄放器GBLCTL、CExCTL、SDCTL、SDTIM、SDEXT等,具體的配置參數(shù)請(qǐng)參考相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)。
此外,DSP的地址總線、數(shù)據(jù)總線及控制線與FPGA相連,因此與FPGA的數(shù)據(jù)交互也是通過EMIF總線訪問來完成。
三、FPGA(EP4CE115F23I7N)部分
FPGA的JTAG和AS的配置電路如圖3.1,AS配置芯片采用EPCS64,這里需要注意的是FPGA的時(shí)鐘接口,其內(nèi)部的PLL輸入需要專用時(shí)鐘引腳輸入。
圖3.1
FPGA-B與DSP、USB、RS232、RS422等的連接用IO的配置來完成,開發(fā)
當(dāng)中只需找到它們之間的連接關(guān)系即可。
四、USB2.0(CY7C68013)接口部分
USB2.0接口采用CY7C68013-56接口芯片,它的外圍電路簡單,其16位數(shù)
據(jù)FIFO總線及各控制線連線引到FPGA的IO口上(如圖4.1),便利可編程芯片對(duì)其數(shù)據(jù)傳輸進(jìn)行控制。而與計(jì)算機(jī)的接口通過USB2.0接口線與一四芯USB
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插座相連。
圖4.1
USB接口尋常采用同步讀寫方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,圖4.2分別是其從FIFO模
式異步讀寫時(shí)序
圖4.2(1)從FIFO同步讀
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圖4.2(2)從FIFO同步寫
此外,詳細(xì)的開發(fā)文檔參考CY7C68013的數(shù)據(jù)手冊(cè)及FX2TechRefManual資料。
五、時(shí)鐘管理部分
時(shí)鐘管理部分電路如圖5.1
圖5.1
U32為-20oC~+70oC穩(wěn)定度1ppm的10MHz準(zhǔn)正弦輸出溫補(bǔ)晶振,輸出幅度在500mVpp左右,通過U31(AD8012)的整形和放大之后生成兩路10MHz驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘:
1)一路生成SYN_CLKREF_IN,供給兩路射頻頻綜芯片SI4133,做為時(shí)鐘參考輸入;
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2)另一路驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘芯片F(xiàn)IN1027,產(chǎn)生兩路差分時(shí)鐘:
?差分時(shí)鐘DIFFCLK_P_A,DIFFCLK_N_A,供給P2-FPGA(抗干擾端),做為
全局時(shí)鐘輸入;
?差分時(shí)鐘DIFFCLK_P_B,DIFFCLK_N_B,供給P1-FPGA(接收機(jī)端),做為
全局時(shí)鐘輸入;
關(guān)于時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)部分,需要額外補(bǔ)充的是:
?AD采樣時(shí)鐘,通過P2-FPGA(抗干擾端)的IO輸出供給,可通過FPGA的內(nèi)
部鎖相環(huán)進(jìn)行頻率配置之后輸出;
?DSP的主時(shí)鐘輸入通過P2-FPGA(抗干擾端)的IO輸出供給,可通過FPGA
的內(nèi)部鎖相環(huán)進(jìn)行頻率配置之后輸出;
?P1-FPGA(接收機(jī)端)做為接收機(jī)開發(fā)來講,建議內(nèi)部工作主時(shí)鐘可以通過
DSP輸出的TECLKOUT供給,這樣FPGA與DSP的EMIF總線接口時(shí)鐘和接收機(jī)工作主時(shí)鐘可以統(tǒng)一在一起。
六、RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路
RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路如圖6.1所示
圖6.1
DS3234是一款超高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC),帶有SPI總線控制接口,是Maxim的首款高精度、SPI接口RTC。
DS3234將高度穩(wěn)定的TCXO與RTC組合在一起,提供256字節(jié)用戶配置
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SRAM、數(shù)字溫度傳感器和集成晶體,可有效節(jié)省系統(tǒng)成本。無需用戶校準(zhǔn)即可在整個(gè)工業(yè)級(jí)溫度范圍(-40°C至+85°C)內(nèi)達(dá)到優(yōu)于±1.8分鐘/年(宇志通信抗干擾型衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)
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IO相連,RS422差分電平端輸入/輸出兩根差分電平信號(hào)供對(duì)外接口。
九、四通道AD采樣部分
板上AD采用AnalogDevice公司AD9265芯片,是一款單芯片、16位、80MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),采用1.8V模擬電源供電,ADC內(nèi)核采用多級(jí)、差分流水線架構(gòu),并集成了輸出糾錯(cuò)規(guī)律。ADC輸出數(shù)據(jù)格式為并行1.8VCMOS或LVDS(DDR),模擬帶寬最高可達(dá)650MHz,可做射頻直接帶通采樣。采用差分驅(qū)動(dòng)時(shí),AD9265能夠?qū)崿F(xiàn)最正確性能,如圖9.1所示
圖9.1
如下圖,模擬中頻信號(hào)(具有+1.0V共模電壓)經(jīng)33歐限流電阻后輸入AD差分采樣端,AD9265輸入時(shí)鐘為差分輸入,通過U17(FIN1027)獲得。
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十、本振頻綜部分
本設(shè)計(jì)中采用SI4133做為射頻本振頻綜芯片,Si4133數(shù)字鎖相式頻率合成器芯片的基本模塊框圖如圖10.1所示。它包含3路PLL(鎖相環(huán)路)。每路PLL由PD(相位檢測(cè)器)、LF(環(huán)路濾波器)、VCO和可編程分頻器構(gòu)成。
圖10.1
下面以1路PLL為例,簡要介紹該芯片工作原理。參考頻率fin從XIN腳輸入,通過放大器、R分頻器后,得到頻率fin/R,同時(shí),這路VCO的輸出頻率fout經(jīng)過一個(gè)N分頻器后,得到頻率fout/N,2個(gè)頻率輸入到PD進(jìn)行相位比較,產(chǎn)生誤差控制電壓,該誤差電壓經(jīng)過LF可得一誤差信號(hào)的直流分量作為VCO的輸入,用于調(diào)整VCO的輸出信號(hào)頻率,使VCO分頻后的信號(hào)頻率fout/N向fin/R近于相等,直至最終兩者頻率相等而相位同步實(shí)現(xiàn)鎖定。環(huán)路鎖定時(shí),PD的輸人頻差為0,即fin/R=fout/N,fout=Nfin/R,可以通過改變輸出信號(hào)的分頻系數(shù)N和參考信號(hào)的分頻系數(shù)R來改變輸出信號(hào)的頻率。
該芯片3路PLL的VCO的中心頻率由外部電感決定,PLL可在VCO中心頻率±5%范圍內(nèi)調(diào)理輸出頻率。
三路PLL中兩路用來進(jìn)行射頻輸出,這兩路射頻PLL是時(shí)分復(fù)用的,即在一個(gè)給定時(shí)間內(nèi)只有一路PLL起作用。每路射頻PLL工作時(shí),其射頻輸出頻率可在VCO的中心頻率內(nèi)調(diào)理,所以通過給相應(yīng)的N分頻器進(jìn)行簡單編程就可達(dá)
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到對(duì)射頻輸出進(jìn)行控制,從而工作在兩個(gè)獨(dú)立的頻段。兩個(gè)射頻VCO中心頻率最優(yōu)化設(shè)置分別在947MHz和1.72GHz之間以及在789MHz和1.429GHz之間。三路PLL中另一路用來進(jìn)行中頻頻率合成,該電路的VCO的中心頻率可通過接在IFLA和IFLB引腳的外部電感來調(diào)整。PLL中頻輸出頻率可在VCO中心頻率的±5%內(nèi)調(diào)理。電感數(shù)值不確切可通過Si4133的自動(dòng)調(diào)理算法進(jìn)行補(bǔ)償。中頻VCO的中心頻率可以在526MHz和952MHz之間調(diào)理。假使需要,可以通過分頻降低IF的輸出頻率。
以Si4133為核心的頻率合成器電路原理如圖10.2所示
圖10.2
設(shè)計(jì)中采用10MHz1PPM溫補(bǔ)晶振做為基準(zhǔn)頻率源,射頻輸出通過LC串聯(lián)匹配網(wǎng)絡(luò)匹配到負(fù)載。射頻1通道的外部電感的范圍是0~4.6nH,射頻2通道的外部電感的范圍是0.3nH~6.2nH。
VCO中心頻率決定于與各自VCO相連的外部電感值,考慮到外部電感值有±10%的偏差,Si4133可通過自調(diào)理算法補(bǔ)償電感的誤差。由于電感值為nH數(shù)
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量級(jí),在確定電感值時(shí)須考慮封裝問題。每個(gè)VCO的總電感Ltot是外部電感Lext與封裝電感Lpkg之和,與總電感并聯(lián)一個(gè)標(biāo)稱電容,如圖10.3所示。
圖10.3
中心頻率計(jì)算公式為:
Si4133有16個(gè)22位的數(shù)據(jù)寄放器,寄放器0~寄放器8可編程,它們是:主設(shè)置寄放器、鑒相器增益寄放器、掉電寄放器、射頻1和射頻2的N分頻器寄放器、中頻的N分頻器寄放器、射頻1和射頻2的R分頻器寄放器、中頻的R分頻器寄放器。寄放器9~寄放器15為保存不寫。每個(gè)寄放器22位串行字包括18位數(shù)據(jù)碼和4位地址碼,通過串行通信寫寄放器,可以設(shè)置RF、IF頻率以及參考頻率的分頻系數(shù),以得到最終需要的RF和IF頻率;同時(shí),也可以控制PD的增益(又稱鑒相靈敏度)。通過設(shè)置PWDN引腳電平以及內(nèi)部相關(guān)寄放器,可以分別設(shè)置RF和IF的低功耗工作模式、選擇需要工作的電路。AUXOUT引腳可輸出頻率失鎖信號(hào),VCO的增益和LF的增益是不可編程設(shè)置的。
在進(jìn)行PLL頻率合成器設(shè)計(jì)時(shí)要考慮使相位噪聲達(dá)到電路指標(biāo),消除相位噪聲帶來的影響。一般,環(huán)路的帶內(nèi)相位噪聲由鑒相器、分頻器和晶振的噪聲決定,而帶外相位噪聲主要由VCO決定。對(duì)于晶振參考源、M分頻器、鑒相器、N分頻器的相位噪聲,其傳遞函數(shù)為低通形式,而對(duì)VCO而言,
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