電子元器件知識演示文稿

電子元器件知識演示文稿現(xiàn)在是1頁\一共有71頁\編輯于星期日優(yōu)選電子元器件知識現(xiàn)在是2頁\一共有71頁\編輯于星期日

我們公司主要生產的產品是電源（power）就是轉換式開辟電源供應器，簡稱開關電源。它的英文全稱是SwitchingPowerSupply；簡寫為：S.P.S。開關電源(SPS)是由許多個各種電子元器件構成，要了解它的工作原理就要學會看電路圖，而學會看電路圖就要熟悉各電子元器件的主要性能參數(shù)，結構，工作原理，電路符號。下面就簡單的介紹一下開關電源用到的各種電子元器件。

現(xiàn)在是3頁\一共有71頁\編輯于星期日－、電阻器首先介紹電路中用的最多最常見的組件：電阻器。１．定義：在電路中，能對電流的流動起阻礙作用，產生電能轉化為熱能這種能量轉化的電子組件，稱為電阻器，簡稱電阻。在電路中用“R”表示。２．電路符號國際電阻器電路符號(b)國內電阻器電路符號

現(xiàn)在是4頁\一共有71頁\編輯于星期日３．電阻的單位：電阻的其本單位：歐姆（Ω）。常用的單位還有千歐（ＫΩ）、兆歐（ＭΩ）、吉歐（ＧΩ）。它們之間的換算關系是１ＧΩ＝ＭΩ＝ＫΩ＝Ω４．電阻(R)在電路中起阻礙電流即限流與分壓作用的，它與電壓(U)、電流(I)之間的關系為：I=U/R

此表達式為歐姆定律，它是電路中的基本定律之一,表示電流,電壓和電阻三者之間的關系.該定律既適用于直流電路,也適用于交流電路，注意：式中電壓和電流之方向必須一致。5.電阻的串聯(lián)與并聯(lián)

在實際電路中,電阻組件往往不止一個,它們根據(jù)不同的310610910現(xiàn)在是5頁\一共有71頁\編輯于星期日要求,按一定的方式聯(lián)接起來,其常用的聯(lián)接方式有串聯(lián),并聯(lián)和混聯(lián).

a.電阻一個接一個地串接起來,稱為串聯(lián)。(如下圖）

R1R2R3

+U1-+U2-+U3-

圖中串聯(lián)電路的總電阻

R=R1+R2+R3

各電阻兩端的電壓與電阻值的關系（分壓公式）U1:U2:U3=R1:R2:R3可見在串聯(lián)電路中電阻兩端的電壓值與電組值成正比

b.幾個電阻并排聯(lián)接在一起,稱為并聯(lián)

（如下圖）現(xiàn)在是6頁\一共有71頁\編輯于星期日

+II1I2I3

UR1R2R3

-

圖中并聯(lián)電路的總電流

I=I1+I2+I3并聯(lián)電路的總電阻R的倒數(shù)等于各個電阻倒數(shù)的和即：1/R=1/R1+1/R2+1/R3圖中,每個電阻中的電流分別為:

I1=U/R1I2=U/R2I3=U/R3

又I=U/R或U=IR將U代入支路電流表示式中,得:

I1=IR/R1I2=IR/R2I3=IR/R3

上式就是并聯(lián)電阻的分流公式。由此可見各電阻中的電流與電阻成反比?，F(xiàn)在是7頁\一共有71頁\編輯于星期日

c.電阻的混聯(lián)

一個實際電路中,電阻既有串聯(lián)又有并聯(lián)的聯(lián)接方式稱為電阻的混聯(lián)。(如下圖)

+IR1I1I2UR2R3

-圖中R2與R3并聯(lián)后再與R1串聯(lián).在實際運用中,我們只要掌握串聯(lián),并聯(lián)的特點.利用串并聯(lián)等效電阻的公式,J就可求出混聯(lián)電路的等效電阻。

6.電阻器的種類有:碳膜電阻,金屬氧化膜電阻,繞線電阻,貼片電阻,可調電阻,水泥電阻.現(xiàn)在是8頁\一共有71頁\編輯于星期日a:碳膜電阻47Ω1/8W5%立式3MΩ1/8W5%編帶240Ω1/8W5%編帶510Ω1/4W5%編帶10Ω1/4W5%編帶330Ω1/4W5%立式現(xiàn)在是9頁\一共有71頁\編輯于星期日220KΩ1/2W5%立式270Ω1/2W5%立式100Ω1/2W5%立式47KΩ1W5%立式1.8Ω2W5%立式100Ω2W5%立式(加熱縮套管)現(xiàn)在是10頁\一共有71頁\編輯于星期日10Ω2W5%立式1.3Ω2W5%立式1.5Ω2W5%立式15Ω2W5%立式

小型化30Ω3W5%立式47Ω2W5%立式

小型化現(xiàn)在是11頁\一共有71頁\編輯于星期日b.金屬氧化膜電阻（即精密電阻）11.3KΩ1/4W1%立式1.5KΩ1/8W1%5.1KΩ1/8W1%68.1KΩ1/8W1%22.1KΩ1/8W1%510Ω1/8W1%現(xiàn)在是12頁\一共有71頁\編輯于星期日c:繞線電阻d.可調電阻7.電阻的標注方法:直標法：數(shù)字型SMD貼片或大功率電阻使用這種方法色標法

色標法是用色環(huán)或色點來表示電阻的標稱阻值,誤差。色環(huán)有四道環(huán)和五道環(huán)兩種。讀色環(huán)時從電阻器離色環(huán)最近的一端讀起,在色標法中,色標顏色表示數(shù)字如下:現(xiàn)在是13頁\一共有71頁\編輯于星期日顏色黑棕紅橙黃綠藍紫灰白金銀數(shù)字0123456789-1-2

在四色環(huán)中,第一,二道色環(huán)表示標稱阻值的有效值,第三道色環(huán)表示倍數(shù),第四道色環(huán)表示允許偏差；在五色環(huán)中,前三道表示有效值,第四到為倍數(shù),第五道為允許誤差，精密電阻常用此法。第一環(huán)第二環(huán)第三環(huán)第四環(huán)第一環(huán)第二環(huán)第三環(huán)第四環(huán)第五環(huán)例：色環(huán)為：黃紫紅金阻值=47×=4700Ω=4.7KΩ誤差為±5%色環(huán)為：棕黑綠金阻值＝１０×＝１MΩ誤差為±5%210510現(xiàn)在是14頁\一共有71頁\編輯于星期日

色環(huán)為：棕綠黑棕棕阻值＝150×＝1.5KΩ誤差為±1%

色環(huán)為：藍灰棕紅棕阻值＝681×=68.1KΩ誤差為±1%ＳＭＤ貼片電阻阻值的識別（直標法）一般從電阻本體絲印上可以辨別Ａ.對于幾點幾歐，一般在兩個數(shù)字之間用點分開或以“Ｒ”字符Ｂ.一般以三位數(shù)定表示，為普通電阻Ｃ.一般以四位數(shù)定表示，為精密電阻例:本體標識為”４R7”阻值為47×=4.7Ω本體標識為”103”阻值為10×=10KΩ本體標識為”2001”阻值為200×=2KΩ8.誤差的表示法（如下表）顏色綠棕紅金銀無色誤差±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%310210110110-110現(xiàn)在是15頁\一共有71頁\編輯于星期日9.我公司用到的非歐姆型電阻器

(1)．熱敏電阻器：由半導體材料制成，無極性，一般有正溫度系數(shù)型(PTC)、負溫度系數(shù)型(NTC)兩種，可用于溫度測量、溫度警報、溫度補償，也可用阻容振蕩器的回搖電路中，當振蕩幅度過大時，透過增加負回接量可穩(wěn)定振蕩幅度。也可分直接式、旁熱式兩種直接式是由周圍環(huán)境溫度控制電阻，旁路式是由自己產生熱量控制電阻．我司使用的為負溫度系數(shù)型熱敏電阻，抑制開機瞬間的尖鋒脈沖電流

現(xiàn)在是16頁\一共有71頁\編輯于星期日安規(guī)機種用到帶套管的熱敏電阻溫控(TC)電路用到的熱敏電阻現(xiàn)在是17頁\一共有71頁\編輯于星期日(2)．壓敏電阻器(突波吸收器)：一般以氧化鋅為主要原材料制造，無極性的陶瓷組件，它具有電壓、電流對稱特性電壓性電阻器。當在壓敏電阻兩端施加電壓時,電壓達到某一個閥值時，壓敏電阻器的電阻值迅速變小從而在電子(電力)線路中起降壓作用。以達到保護其它組件作用，同時也可保護電子組件免受開關或雷聲誘發(fā)產生的突破影響?，F(xiàn)在是18頁\一共有71頁\編輯于星期日二、電容器

１、定義：由兩金屬極板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的組件稱為電容器２、電路符號及代號：

(a)表示為無極性電容器的電路符號,(b)表示有極性的電容器的電路符號電容器的電路代號為“C”３、單位：電容器是儲存電荷的容器.它的其基本單位是：法拉(F)，經常用到的單位是：微法(uF)納法(nF)皮法(pF)．它們之間的換算關系是：1F=uF=nF=pF４、特性：通交流、阻直流因電容由兩金屬片構成，中間有絕緣物，直流電無法流過電容，但通上交流電時，由于電容能充放電所致，所以能通上交流５、作用：濾波、耦合交變信號、旁路等＋－6109101210現(xiàn)在是19頁\一共有71頁\編輯于星期日6.電容的分類：電容器可分為:陶瓷電容,電解電容,安規(guī)電容,貼片電容,塑料電容

我司主要使用之電容：1).電解電容低壓濾波電容現(xiàn)在是20頁\一共有71頁\編輯于星期日低壓濾波電容現(xiàn)在是21頁\一共有71頁\編輯于星期日濾波電容現(xiàn)在是22頁\一共有71頁\編輯于星期日導針型高壓電容現(xiàn)在是23頁\一共有71頁\編輯于星期日牛角型高壓電容現(xiàn)在是24頁\一共有71頁\編輯于星期日2).陶瓷電容包括一般陶瓷電容、Y電容、積層電容、SMD電容a.一般陶瓷電容現(xiàn)在是25頁\一共有71頁\編輯于星期日現(xiàn)在是26頁\一共有71頁\編輯于星期日b.Y電容普通及CE機種所用的Y電容現(xiàn)在是27頁\一共有71頁\編輯于星期日安規(guī)機種所用的Y電容現(xiàn)在是28頁\一共有71頁\編輯于星期日安規(guī)機種所用帶套管的Y電容c:積層電容現(xiàn)在是29頁\一共有71頁\編輯于星期日3).塑料薄膜電容(包括金屬薄膜電容、X電容、麥拉電容)

a:金屬薄膜電容105K400V現(xiàn)在是30頁\一共有71頁\編輯于星期日b:X電容現(xiàn)在是31頁\一共有71頁\編輯于星期日c:麥拉電容現(xiàn)在是32頁\一共有71頁\編輯于星期日7.標注方法

(1)直標法:直接表示容量、單位、工作電壓等。電解電容、X電容等常用這種標注方法。如：1uF/50V,330uF/200V，470uF/200V,330uF/450V(2)代碼標注法:用數(shù)字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等。陶瓷電容、Y電容、麥拉電容、積層電容、金屬薄膜電容等常用這種標注方法如：104Z“104”表示容量為“100000pF”“Z”表示容量誤差“+80%-20%”“

”表示工作電壓“50V”103M/1KV“103”表示容量為“10000pF”“M”表示容量誤差“±20%”“1KV”表示工作電壓“1KV”電容的誤差表示方法（如下表）字母FGJKMZ誤差(%)±1%±2%±5%±10%±20%+80%-20%現(xiàn)在是33頁\一共有71頁\編輯于星期日

8.電容的串聯(lián)、并聯(lián)計算

a:串聯(lián)電路中，總容量=1÷各電容容量倒數(shù)之和

1/C總=1/C1+1/C2+1/C3

例：電容C1、C2的電容量都為10uF,串聯(lián)后的等效電容量C總=5uF

b:并聯(lián)電路中，總容量=各電容容量之和

C總=C1+C2+C3

例：電容C1、C2的電容量都為1uF,并聯(lián)后的等效電容量

C總=C1+C2=1uF+1uF=2uF現(xiàn)在是34頁\一共有71頁\編輯于星期日三、電感1.定義：由導體線圈繞制而成，能夠存儲能量的電子組件叫電感。電路代號:”L”2.基本單位：亨利（H）

單位換算關系是:

1H(亨)=1000mH(毫亨)=1000000uH(微亨)3.電路符號

(普通電感無極性)４．電感的特性：通直流、阻交流當線圈通入變動電流時,線圈就會產生變動的磁場,而變動的磁場又會使線圈產生感應電動勢,這種現(xiàn)象叫自感,自感所產生的感應電動勢是與輸入線圈反向的,它總是阻礙通入線圈電流的變化,所以特性阻交流5.電感的作用：濾波、振蕩、扼流等．現(xiàn)在是35頁\一共有71頁\編輯于星期日1.5UH1.0φ*11.5TS70uHDR6*8mm0.3φ*50TS1.5uHDR6*8mm0.5φ*7.5TS

我公司常見的幾種電感現(xiàn)在是36頁\一共有71頁\編輯于星期日0.8UH1.6φ*5.5TS加套管

0.8uHR6*15mm1.3φ*5.5TS0.8uHR6*15mm1.3Ф*5.5TS400UH0.45φ*102.5TS現(xiàn)在是37頁\一共有71頁\編輯于星期日我公司常見的幾種扼流圈4PT80-2628uH1.0Ф*2C25.5TS長腳4PHKS106100:112PT80-2628uH2PT80-2628uH抬高現(xiàn)在是38頁\一共有71頁\編輯于星期日我公司常見的磁控開關磁控開關是利用超微晶合金制作成的。超微晶合金是用非晶合金再經過處理后,獲得直徑在10～20納米的微晶合金,也稱為納米晶軟磁合金。非晶、超微晶在磁性,耐濃性、耐溶性、硬度、韌性和高電阻率均比晶態(tài)合金軟磁材料好,它們不存在磁晶各向異性晶且等。不存在有序的原子排列，損耗功率小，是高頻條件下的理想材料。MP13021.0Ф*10.5TS現(xiàn)在是39頁\一共有71頁\編輯于星期日四、變壓器

1.定義:是應用電磁感應原理工作，能進行電壓轉換的一種電子組件，字母代號T2.電路符號:

圖中是帶磁芯)的變壓器的符號,它有兩組線圈L1,L2,其中L1為初級,L2為次級.圈中黑點表示線圈的同名端,它表明是同名端的兩端上的信號相位是同樣的.3.變壓器的工作原理當給初級線圈L1通入交流電時,交流電流流過初級線圈,初級線圈要產生交變磁場,初級線圈的交變磁場作用于次級線圈L2.次級線圈由磁勵電,在次級兩端便有感應電壓,這樣初級上的電壓便傳輸?shù)酱渭壛?初級,次級線圈的匝數(shù)與電壓成正比:N1/N2=U1/U2

L1L2

現(xiàn)在是40頁\一共有71頁\編輯于星期日4.變壓器的作用：變換電壓、耦合信號、阻抗匹配、能量轉換等。5.變壓器的種類

按工作頻率分:高頻,中頻和低頻變壓器我公司常見的變壓器：

下面是2003版所用變壓器現(xiàn)在是41頁\一共有71頁\編輯于星期日下面是2006版所用變壓器下面是220FX所用變壓器EEL-19A-220FXEEL-16220FXERL-28-220FX現(xiàn)在是42頁\一共有71頁\編輯于星期日下面是EMI電路所用濾波變壓器現(xiàn)在是43頁\一共有71頁\編輯于星期日五、半導體知識

半導體(Semiconductor)是一種體積小、重量輕、使用壽命長、輸入功率小和轉換率高等優(yōu)點:所以在現(xiàn)代電子技術領域中得到廣泛的使用,當然,大家都知道用來制造半導體器件的材料主要有硅(Si)、鍺(Ge)和砷化(GaAs)等,其中以硅用的最廣泛;1.定義:(1)、導體:它是原子結構最外層軌道上電子數(shù)很少,極易脫離軌道而成自由電子,這種物質導電性強,稱之為導體，如銅、銀、鋁等:(2)、絕緣體:原子最外層軌道電子呈滿足穩(wěn)定狀態(tài),電子移去不易,也就是不易導電,這種物質稱為絕緣體,如磁,玻璃,橡膠;(3)、半導體:導電能力介于導體與絕緣體之間的物質，如硅,鍺2.特性：1).熱敏特性；2).光敏特性；3).摻雜特性3.PN結純凈晶體結構的半導體稱為本征半導體。半導體中存在著兩種載流子：帶負電的自由電子和帶正電的空穴。本征半導體中,自由電子與空穴是同時成對產生的,對外不顯電性。給本征半導體摻入不同的雜質就會形成N型半導體與P型半導體?，F(xiàn)在是44頁\一共有71頁\編輯于星期日

在Ｎ型半導體中,自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子；在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子；多數(shù)載流子主要由摻雜形成，少數(shù)載流子由熱激發(fā)形成。4.PN結的形成在一塊本征半導體在兩側通過擴散不同的雜質,分別形成N型半導體和P型半導體。此時將在N型半導體和P型半導體的結合面上形成如下物理過程:

因濃度差多子的擴散運動由雜質離子形成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)形成內電場內電場促使少子漂移內電場阻止多子擴散最后,多子的擴散和少子的漂移達到動態(tài)平衡。對于P型半導體和N型半導體結合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結。5.PN結的單向導電性如果外加電壓使PN結中：P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏。現(xiàn)在是45頁\一共有71頁\編輯于星期日

(1)PN結加正向電壓時的導電情況

外加的正向電壓有一部分降落在PN結區(qū)，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。于是,內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現(xiàn)低阻性。

PN結加正向電壓時的導電情況如下圖所示。

PN結加正向電壓時的導電情況現(xiàn)在是46頁\一共有71頁\編輯于星期日

(2)PN結加反向電壓時的導電情況

PN結加反向電壓時的導電情況如下圖所示。

外加的反向電壓有一部分降落在PN結區(qū)，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區(qū)的少子在內電場的作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現(xiàn)高阻性。

PN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。PN結加反向電壓時的導電情況現(xiàn)在是47頁\一共有71頁\編輯于星期日六、二極體1.電路符號：普通二極體穩(wěn)壓二極體發(fā)光二極體2.二極管的伏安特性二極管是由一個PN結構成的，它的主要特性就是單向導電性，通常主要用它的伏安特性來表示。

二極管的伏安特性是指流過二極管的電流iD與加于二極管兩端的電壓uD之間的關系或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用晶體管圖示儀顯示出來的U～I曲線，稱二極管的伏安特性曲線

現(xiàn)在是48頁\一共有71頁\編輯于星期日

正向特性

由圖可以看出，當所加的正向電壓為零時，電流為零；當正向電壓較小時，由于外電場遠不足以克服PN結內電場對多數(shù)載流子擴散運動所造成的阻力，故正向電流很?。◣缀鯙榱悖?，二極管呈現(xiàn)出較大的電阻。這段曲線稱為死區(qū)。

當正向電壓升高到一定值Uγ（Uth）以后內電場被顯著減弱，正向電流才有明顯增加。Uγ被稱為門限電壓或閥電壓。Uγ視二極管材料和溫度的不同而不同，常溫下，硅管一般為0.5V左右，鍺管為0.1V左右。

當正向電壓大于Uγ以后，正向電流隨正向電壓幾乎線性增長。把正向電流隨正向電壓線性增長時所對應的正向電壓，稱為二極管的導通電壓，用UF來表示。通常，硅管的導通電壓約為0.6～0.8V（一般取為0.7V），鍺管的導通電壓約為0.1～0.3V（一般取為0.2V）?，F(xiàn)在是49頁\一共有71頁\編輯于星期日

反向特性

當二極管兩端外加反向電壓時，PN結內電場進一步增強，使擴散更難進行。這時只有少數(shù)載流子在反向電壓作用下的漂移運動形成微弱的反向電流IR。反向電流很小，且?guī)缀醪浑S反向電壓的增大而增大（在一定的范圍內），如上圖中所示。但反向電流是溫度的函數(shù)，將隨溫度的變化而變化。常溫下，小功率硅管的反向電流在nA數(shù)量級，鍺管的反向電流在μA數(shù)量級。反向擊穿特性

當反向電壓增大到一定數(shù)值UBR時，反向電流劇增，這種現(xiàn)象稱為二極管的擊穿，UBR（或用VB表示）稱為擊穿電壓，UBR視不同二極管而定，普通二極管一般在幾十伏以上且硅管較鍺管為高。

擊穿特性的特點是，雖然反向電流劇增，但二極管的端電壓卻變化很小，穩(wěn)壓二極管就是利用這鐘特點工作的。

現(xiàn)在是50頁\一共有71頁\編輯于星期日3.種類：普通二極體、蕭特基、橋整、穩(wěn)壓管等.4.作用：整流、檢波、穩(wěn)壓、指示等.5.按工作速度分類:

(1)普通二極體：1N4148、1N4007、2A05、4A05

(2)快速二極體：以FR、PR開頭，F(xiàn)R1504、FR1004、

(3)超快速二極體：以UF、HER(SF)開頭，UF1002、

SF1004G、HER108

(4)蕭特基(速度最快)：SBL1045、SBL3045、SB340CT4A05DO-2014A/600V

普通二極體1N4148DO-350.15A/75V

現(xiàn)在是51頁\一共有71頁\編輯于星期日快速二極體PR1007DO-411A/1KVFR1504DO-411.5A/400V超快速二極體UF1007DO-411A/1KVUF1003DO-411A/200V現(xiàn)在是52頁\一共有71頁\編輯于星期日蕭特基SB240DO-412A/40KVSB340DO-2013A/40VSBL20C20TO-22020A/200VSBL3045TO-3P30A/45V現(xiàn)在是53頁\一共有71頁\編輯于星期日6.普通二極體主要參數(shù)反向峰值電壓VR與正向電流IF的識別數(shù)字1234567反向峰值電壓VR(V)501002004006008001000正向電流IF(A)123457.橋整內部電路圖及工作原理

當接點A為一個高電位時，D2導通，經負載RC流經D4，整流信號D4輸出；當接點B為一個高電位時，D3導通，D2、D4處于截止狀態(tài)，信號從D3、RC負載流向D1，D1將信號輸出。ABD1D4D3D2RC現(xiàn)在是54頁\一共有71頁\編輯于星期日下面是我公司常用的橋整PEC4064A/600V

2KBP06M2A/600VRS6056A/600VRS8058A/600V現(xiàn)在是55頁\一共有71頁\編輯于星期日

8、穩(wěn)壓二極體：

(1)、作用：在穩(wěn)壓電路中起穩(wěn)壓作用

(2)、工作原理:

當穩(wěn)壓管反向擊穿后,流過二極管的工作電流發(fā)生很大變化時,穩(wěn)壓二極管的電壓降壓V基本不變,所以穩(wěn)壓管穩(wěn)壓就是利用二極管兩端的電壓能穩(wěn)定不變的特性.穩(wěn)定電壓是穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓。

(3)、功率：a.1W系列：1N4728A～1N4761A系列，

例：1N4728：3.3V1W、1N4736：6.8V1W

1N4735：6.2V1W、1N4744：

15V1W

b.1/2W系列我司所用規(guī)格為HZ、TZX開頭

例：HZ4A2：3.6V1/2WHZX6V2：6.2V1/2W

HZ6C2：6.2V1/2WTZX18：18V1/2W

HZ24：24V1/2WTZX36：36V1/2W現(xiàn)在是56頁\一共有71頁\編輯于星期日（4）穩(wěn)壓管伏安特性和符號現(xiàn)在是57頁\一共有71頁\編輯于星期日GDZ18C18V5%1/2WDO-351N4735A6.2V5%1WDO-41GDZ6B26.2V5%1/2WDO-35下面是幾種常見的穩(wěn)壓管現(xiàn)在是58頁\一共有71頁\編輯于星期日10、發(fā)光二極體(LED)它是一種通以正向電流就會發(fā)光的二極體，它用某些自由電子和空穴復合時會產生光福射普通亮度之發(fā)光二極管：正常發(fā)光電壓2.2V，例：3φ紅色綠色高量度之發(fā)光二極管：正常發(fā)光電壓1.7V，例：5φ紅色現(xiàn)在是59頁\一共有71頁\編輯于星期日七、三極管1、定義：在一塊極薄的硅或鍺基片上制作兩個PN結就構成三層半導體，從三層半導體上各自接出一根引線，就是三極管的三個極，再封裝在管殼里就制成三極管。它是一種電流控制型電子器件。2、三極管的三個極：三極管的三個極分別叫發(fā)射極(e)、基極(b)、集電極(c)，對應的每層半導體分別稱集電區(qū)、發(fā)射區(qū)和基區(qū)3、電路符號(按基區(qū)材料，可分為NPN型和PNP型).

我司多使用NPN型，如：STC945、E13007、TT2194、KSE13009、2SC3320等，PNP型如:8550、928、2907等bcebecNPN型PNP型現(xiàn)在是60頁\一共有71頁\編輯于星期日集電區(qū)N基區(qū)P發(fā)射區(qū)N集電區(qū)P基區(qū)N發(fā)射區(qū)P4、內部結構：

NPN型PNP型圖中的箭頭表示電流的方向

三極管是由三塊半導體組成,構成兩個PN結,即集電結和發(fā)射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發(fā)射極,管子中工作電流有集電極電流Ic,基極電流Ib,發(fā)射極電流Ie,Ie=Ib+IcIc=βIb,β為三極管電流放大倍數(shù).IｃIｂIｅIｃIｂIｅ現(xiàn)在是61頁\一共有71頁\編輯于星期日５、作用：放大我司用于放大的有STC945、PN2222、HPN2907等開關我司用于開辟的有E13007、D42406、KSE13009等6、分類(1)、按材料分有硅管與鍺管等(2)、按工作頻率分有高頻與低頻管(3)、按耗散功率分有小功率管、中功率管及大功率管(4)、按本體尺寸大小分有TO-92(C945)TO-126(772、882)TO-220(E13007)TO-3P(13009、3320)現(xiàn)在是62頁\一共有71頁\編輯于星期日7、工作原理E1E1E2E2UeUeUcUcUbUbIcIb2UceIb1Ib4Ib3Ib5a.NPN型b.PNP型c.三極管的輸出特性曲線

(1)放大區(qū)發(fā)射結正偏,集電結反偏,E1>E2,即NPN型三極管Vc>Vb>Ve,PNP型三極管Vc<Vb<Ve.三極管處于放大狀態(tài).由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的電流能量是由電源提供的,此時Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止區(qū)Ib≦0的區(qū)域稱截止區(qū),UBE<0.5V時,三極開始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發(fā)射結零偏或反偏,截止時,集電結也反向偏置.

現(xiàn)在是63頁\一共有71頁\編輯于星期日

(3)飽和區(qū)當VCE<VBE,即集電結正向偏置,發(fā)射結正向偏置時,三極管處于飽和區(qū).飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,鍺管UCE(sat)≒0.1V8、識別晶體三極管NPN型與PNP型(1)本體直標法：AB代表PNP型如：A733B772CD代表NPN型如：C945D882(2)用萬用表測量法用萬用表兩極表筆分別對調測量晶體三只腳，當其中一腳與其它兩腳成單向導通，則該腳為基極。檢測出基極，注意萬用表表筆若為紅色(電表正端)，則此三極管為NPN型，反之則為PNP型?，F(xiàn)在是64頁\一共有71頁\編輯于星期日下面是常見的三極管

HSD882TO-923A/30V8550SDTO-92-0.7A/25V