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文檔簡(jiǎn)介
配位場(chǎng)理論與絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)第1頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二一、配位化合物:又稱(chēng)絡(luò)合物,是一類(lèi)含有中心金屬原子(M)和若干配位體(L)的化合物(MLn)。
★中心原子M通常是過(guò)渡金屬元素的原子(或離子),具有空的價(jià)軌道。
★配位體L:分子或離子,含一對(duì)或一對(duì)以上孤對(duì)電子。
★M和L之間通過(guò)配位鍵結(jié)合,成為帶電的配位離子,配位離子與荷異性電荷的離子結(jié)合,形成配位化合物。
★有時(shí)中心原子和配位體直接結(jié)合成不帶電的中性配位化合物分子。配位化合物的一般概念第2頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二實(shí)例:[Fe(CN)6]4-[Co(NH3)6]3+
[Cu(NH3)4]2+
金屬配位化合物的配位數(shù)常見(jiàn)的有2、4、6、8,最常見(jiàn)是4和6兩種:
配位數(shù)為4:常見(jiàn)幾何構(gòu)型為正四面體和平面正方形配位數(shù)為6:常為正八面體構(gòu)型。第3頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二●單核配位化合物:一個(gè)配位化合物分子(或離子)中只含有一個(gè)中心原子。●多核配位化合物:含兩個(gè)或兩個(gè)以上中心原子●金屬原子簇化合物:在多核配位化合物中,若M—M之間有鍵合稱(chēng)為金屬原子簇化合物?!衽湮换衔锸墙饘匐x子最普遍的一種存在形式。●金屬離子和不同的配位體結(jié)合后,性質(zhì)不相同,可以進(jìn)行溶解、沉淀、萃取,以達(dá)到合成制備、分離提純、分析化驗(yàn)等目的?!窕瘜W(xué)工業(yè)上,一些重要的催化劑是配位化合物配位化合物的一般概念第4頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二配體的分類(lèi):1.單嚙配位體:只有一個(gè)配位點(diǎn)的配體。如:NH3
,形成的單核配位離子比單個(gè)金屬離子大(半徑增大),使正、負(fù)離子間靜電引力下降,溶解度增大,不易沉淀,AgCl能溶于氨水,生成銀氨絡(luò)離子。
2.非螯合多嚙配位體:配體有多個(gè)配位點(diǎn),但受幾何形狀限制不能與同一金屬離子配位。如:PO43-、CO32-等,一個(gè)配體與多個(gè)金屬離子配位,每個(gè)金屬離子與若干個(gè)這樣的配位體配位,形成的多核配位化合物,往往是不溶性沉淀,常作沉淀劑。
3.螯合配位體:一個(gè)配位體的幾個(gè)配位點(diǎn)能直接和同一個(gè)金屬離子配位。不帶電的單核螯合分子,水中難溶,易溶于有機(jī)溶液中,常作萃取絡(luò)合劑,(如:乙酰丙酮鋁Al(acac)3)配位化合物的一般概念第5頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二[Co(EDTA)]-配位螯合離子的結(jié)構(gòu)★右圖示出[Co(EDTA)]-配位離子中,一個(gè)EDTA螯合配位體和Co3+螯合的情況。(4)鍵配位體:含有π電子的烯烴、炔烴、芳香烴等也可作配體。如:C2H4、丁二烯、CO、C6H6、C5H5等。第6頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二二、配合物的磁性:如果具有自旋未成對(duì)電子,配合物具有順磁性。磁矩大小為玻爾磁子。根據(jù)磁矩大小可以分成高自旋,低自旋配合物。三、配合物的化學(xué)鍵理論價(jià)鍵理論、配位場(chǎng)理論、分子軌道理論等。配位化合物的一般概念第7頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1.價(jià)鍵理論
價(jià)鍵理論是三十年代初由L.Pauling在雜化理論基礎(chǔ)上提出的。他認(rèn)為:配合物的中央離子與配位體之間的化學(xué)鍵可分為電價(jià)配鍵和共價(jià)配鍵,相應(yīng)的配合物稱(chēng)電價(jià)配合物和共價(jià)配合物。6-1配合物的價(jià)鍵理論簡(jiǎn)介
第8頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1.價(jià)鍵理論6.1.1電價(jià)配鍵與電價(jià)配合物
定義:帶正電的中央離子與帶負(fù)電或有偶極矩的配體之間靠靜電引力結(jié)合,稱(chēng)電價(jià)配鍵,以電價(jià)配鍵形成的配合物稱(chēng)為電價(jià)配合物。
特點(diǎn):
中央離子與配位體間的靜電作用不影響中央離子的電子層結(jié)構(gòu),如:
[FeF6]3-、[Fe(H2O)6]2+、[Ni(NH3)6]2+、
[Co(NH3)6]2+等,它們?cè)谛纬膳浜衔锴昂?,自旋未成?duì)電子數(shù)不變(分別為n=5,4,2,3),
電價(jià)配和物是高自旋配合物。第9頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1.價(jià)鍵理論6.1.2共價(jià)配鍵和共價(jià)配合物
定義:中央離子以空的價(jià)軌道接受配位體的孤對(duì)電子所形成的鍵叫共價(jià)配鍵。以共價(jià)配鍵形成的配合物稱(chēng)為共價(jià)配合物。
特點(diǎn):從配合物的幾何構(gòu)型看,中央離子提供雜化軌道,以d2sp3、dsp2、d4sp3
雜化,形成正八面體、平面正方形、正十二面體等幾何構(gòu)型。
為了形成盡可能多的配鍵,d軌道電子重排,使自旋未成對(duì)電子個(gè)數(shù)減少,一般為低自旋配合物。
如
[Fe(CN)6]3-
第10頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1.價(jià)鍵理論6.1.2共價(jià)配鍵和共價(jià)配合物Fe3+
d電子組態(tài):配合前:高自旋參與雜化的基函數(shù):dx2-y2
、dz2
、s、px
、py
、pz。
雜化的空軌道指向:正八面體的六個(gè)頂點(diǎn),可接受六個(gè)CN-中的π電子,形成六個(gè)共價(jià)配鍵。體系能量:降低。
配合后:低自旋第11頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1.價(jià)鍵理論6.1.2
共價(jià)配鍵和共價(jià)配合物
中心離子電子組態(tài)與配合物的構(gòu)形
(1)d4、d5、d6
離子的配合物,如中央離子均采取d2sp3雜化,為八面體幾何構(gòu)型。[Mn(CN)6]3-(d4)、[Co(NH3)6]3+、[Co(CN)6]3-(d6)(2)d7組態(tài)離子的配合物,如[Co(CN)6]4-也形成八面體構(gòu)型,多的一個(gè)電子會(huì)激發(fā)到高能的5s軌道上去,且很易失去變成Co(Ⅲ),即配離子發(fā)生變價(jià):[Co(CN)6]4-
[Co(CN)6]3-+e第12頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1.價(jià)鍵理論6.1.2共價(jià)配鍵和共價(jià)配合物(3)具有d8
結(jié)構(gòu)的[Ni]2+、Pd2+、Pt2+、Au3+等中心離子,以dsp2形式雜化,形成四方構(gòu)形的配合物。如[Ni(CN)4]2-Ni2+(d8)中央離子接受配位體的孤對(duì)電子,形成4個(gè)共價(jià)配鍵。另外中央離子Ni2+還剩余一個(gè)垂直于平面的空的4p軌道,可以和各配體CN-的一個(gè)π鍵形成π89,[Ni(CN)4]2-為反磁性配合物
具有d8
結(jié)構(gòu)的平面正方形結(jié)構(gòu)還有[Pt(NH3)4]2+、[PtCl4]2-、[Pd(CN)4]2-等。第13頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二中心離子為d9結(jié)構(gòu)
[Cu(CN)4]2--Cu2+未參加雜化的4p軌道和4個(gè)CN-的π軌道形成π99
離域大π鍵,增加了穩(wěn)定性(一個(gè)d電子激發(fā)到p軌道中)。
具有d10結(jié)構(gòu)的配合物,d電子不必重排,采取sp3雜化,形成正四面體配合物。第14頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二
配位離子3d4s4p5s
雜化軌道
幾何形狀Fe(CN)64-
Co(NH3)63+Co(CN)64-
Ni(CN)42-
FeF63-
Ni(NH3)62+d2sp3
d2sp3
d2sp3
dsp2
——八面體八面體八面體平面四方八面體八面體配位離子的電子組態(tài)和幾何構(gòu)型第15頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二
價(jià)鍵理論的優(yōu)點(diǎn)是化學(xué)鍵概念明確,易于接受,能說(shuō)明配合物的磁矩、空間構(gòu)型和配位數(shù),但是定性的推測(cè)理論對(duì)過(guò)渡金屬配合物的顏色、電子光譜、熱穩(wěn)定性及幾何構(gòu)型變形等現(xiàn)象,價(jià)鍵理論解釋不了。第16頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二配位場(chǎng)理論是晶體場(chǎng)理論的發(fā)展,其實(shí)質(zhì)是配位化合物的分子軌道理論。配位場(chǎng)理論在處理中心金屬原子在其周?chē)湮惑w所產(chǎn)生的場(chǎng)作用下,金屬原子軌道能級(jí)發(fā)生變化時(shí),以分子軌道理論方法為主,根據(jù)配位體場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性進(jìn)行簡(jiǎn)化,并吸收晶體場(chǎng)理論的成果,闡明配位化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。在配位場(chǎng)理論中,中心離子的d軌道分裂及能級(jí)變化與晶體場(chǎng)相同,因此,本節(jié)主要以介紹晶體場(chǎng)理論為主。6-2配位場(chǎng)理論6.2.1配位場(chǎng)模型
第17頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二MML66Lnpns(n-1)dt*1u
a*g
e*gΔot2g
eg
t1u
a1g
σML6八面體配位化合物分子軌道能級(jí)圖
因L電負(fù)性較高而能級(jí)低,電子進(jìn)入成鍵軌道,相當(dāng)于配鍵。M的電子安排在t2g和e*g軌道上。這樣,3個(gè)非鍵軌道t2g
與2個(gè)反鍵軌道e*g
所形成的5個(gè)軌道,提供安排中心金屬離子的d電子。把5個(gè)軌道分成兩組:3個(gè)低的t2g,2個(gè)高的e*g
。t2g
和e*g
間的能級(jí)間隔稱(chēng)為分裂能Δo
,它和晶體場(chǎng)理論中t2g
和eg
間的Δo
相當(dāng)。第18頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.2.2配位場(chǎng)中d軌道能級(jí)分裂一、正八面體場(chǎng)中的分裂(Oh)
在正八面體配位場(chǎng)作用下,中心離子原來(lái)五重簡(jiǎn)并的d軌道分裂為兩組:一組是能量較高的dz2
和dx2-y2(二重簡(jiǎn)并),另一組是能量較低的dxy、dxz、dyz(三重簡(jiǎn)并)。(為什么?)egt2g第19頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二配位場(chǎng)中d軌道能級(jí)分裂eg和t2g的能級(jí)差為Δ0(或10Dg),稱(chēng)為分裂能。則:egt2g第20頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二配位場(chǎng)中d軌道能級(jí)分裂二、正四面體場(chǎng)中的能級(jí)分裂et2
在正四面體場(chǎng)中原來(lái)五重簡(jiǎn)并的d軌道分裂為兩組:一組是能量較高的t2(dxz、dxz、dxy),另一組是能量較低的e(dz2
和dx2-y2),能級(jí)差用表示。Δt大約只有正八面體場(chǎng)Δ0的4/9倍。
第21頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二想一想平面四方場(chǎng)中d軌道如何分裂?第22頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二各種配位場(chǎng)條件下,金屬d軌道能級(jí)分裂情況
第23頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二
配位數(shù)2直線形
-0.6281.028-0.6280.1140.114鍵沿z軸3正三角形0.545-0.3210.546-0.386-0.386鍵在xy平面
4正四面體形
-0.267-0.2670.1780.1780.178—
4平面正方形
1.228-0.4280.228-0.514-0.514鍵在xy平面6正八面體形0.6000.600-0.400-0.400-0.400—5三角雙錐形-0.0820.707-0.082-0.272-0.2725四方錐形
0.9140.086-0.086-0.457-0.4577五角雙錐形
0.2820.4930.282-0.528-0.528場(chǎng)對(duì)稱(chēng)性注錐底在xy平面各種對(duì)稱(chēng)性場(chǎng)中d軌道能級(jí)分裂(Δ)第24頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.2.3d軌道中電子的排布一、分裂能和電子成對(duì)能
1、分裂能Δ0
Δ0可由實(shí)驗(yàn)確定:[Ti(H2O)6]3+
吸收光能躍遷:最大吸收峰:20300cm-1
Δ0
=20300cm-1,第25頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二d軌道中電子的排布*影響Δ大小的因素:
配體:中央離子固定,Δ值與配體有關(guān)。I-<Br-<Cl-<F-<OH-<H2O<NH3<CN-<CO
中心離子:配體固定時(shí),中心離子電荷越高,Δ值越大;含d電子軌道殼層主量子數(shù)愈大,Δ值也愈大。
原子半徑:Δ值隨電子給予體的原子半徑的減少而增大。I<Br<Cl<S<F<O<N<C第26頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二eg*
t2g*eg*
t2g
t2g
Δo
Δo
π*
MMLL強(qiáng)場(chǎng)配位體擴(kuò)大了ΔoCO和CN-通過(guò)分子的π*軌道和M的t2g
軌道形成π鍵,擴(kuò)大了Δo
,是強(qiáng)場(chǎng)配位體。圖左邊表示軌道疊加,由有電子的d軌道向空軌道提供電子,形成配鍵。右邊表示能級(jí)圖。配體對(duì)分裂能的影響第27頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二配體對(duì)分裂能的影響
Cl-、F-等的p軌道和M的d軌道形成π鍵,縮小了Δo
,是弱場(chǎng)配體。圖左邊表示軌道疊加,右邊表示能級(jí)圖。eg*
eg*
ΔoΔot2g
t2g
t2g*pMMLL弱場(chǎng)配位體縮小了Δo
第28頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二分裂能和電子成對(duì)能2、電子成對(duì)能
依洪特規(guī)則,電子分占不同軌道且自旋平行時(shí)能量較低,如果迫使本來(lái)自旋平行分占不同軌道的兩個(gè)電了擠到同一軌道上去,必使能量升高,升高的能量稱(chēng)為電子的成對(duì)能P。第29頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二d電子排布規(guī)律1、八面體配合物
當(dāng)Δ0>P時(shí),即強(qiáng)場(chǎng),電子盡可能先占據(jù)低能的t2g軌道,即強(qiáng)場(chǎng)低自旋穩(wěn)定。
當(dāng)ΔO<P時(shí),即弱場(chǎng),電子盡可能先分占五個(gè)d軌道自旋平行,即弱場(chǎng)高自旋穩(wěn)定。
不管是強(qiáng)場(chǎng)還是弱場(chǎng),d1,d2,d3和d8,d9,d10的電子排布方式一樣,未成對(duì)電子數(shù)相同,磁性變化不大,無(wú)高低自旋之分。第30頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二d電子排布規(guī)律2、四面體配合物
四面體配合物d軌道分裂能小,而在配體相同的條件下,成對(duì)能變化不大,故Δ<P,四面體配合物一般是高自旋的。第31頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二三、配合物的可見(jiàn)紫外光譜
金屬離子的d軌道發(fā)生能級(jí)分裂,在正八面體場(chǎng)中電子由t2g至eg,需吸收能量,所吸收的能量即為分裂能Δ0,這種躍遷通常稱(chēng)為d—d躍遷。d—d躍遷x吸收頻率在紫外—可見(jiàn)范圍。波數(shù)為:
波數(shù)與Δ0成正比,所以通常用波數(shù)單位cm-1
作為能量單位。第32頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.2.4配位場(chǎng)穩(wěn)定化能——LFSE
將d電子從未分裂的d軌道Es能級(jí)進(jìn)入分裂的d軌道時(shí),所產(chǎn)生的總能量下降值,稱(chēng)為配位場(chǎng)穩(wěn)定化能,用LFSE表示。對(duì)正八面體,,,,顯然,LFSE與d電子數(shù)有關(guān),LFSE越大,配合物越穩(wěn)定。若過(guò)程有電子成對(duì),則需扣除。一、配位場(chǎng)穩(wěn)定化能第33頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二01234567891000.40.81.20.600.40.81.20.6000.40.81.21.62.02.41.81.20.60HS(弱場(chǎng))LS(強(qiáng)場(chǎng))d電子數(shù)目
t2ge*gLFSEt2ge*gLFSE不同電子組態(tài)的LFSE的數(shù)值(Δo
)第34頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二-Δ不同電子組態(tài)的LFSE值強(qiáng)場(chǎng)弱場(chǎng)第35頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二二、配合物的熱力學(xué)穩(wěn)定性設(shè)配合反應(yīng)為:配位場(chǎng)穩(wěn)定化能越大,就越負(fù),配合物就越穩(wěn)定。第36頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二二、配合物的熱力學(xué)穩(wěn)定性
第一系列過(guò)渡元素二價(jià)離子從Ca2+→Zn2+的六水合物(弱場(chǎng))的水合熱變化如下圖:
Sc2+V2+Mn2+Co2+Cu2+Ca2+Ti2+Cr2+Fe2+Ni2+Zn2+第一系列過(guò)渡金屬離子(M2+)的水化熱第37頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二二、配合物的熱力學(xué)穩(wěn)定性-ΔH隨d電子數(shù)變化從d0一d10呈現(xiàn)雙峰曲線,與LFSE變化趨勢(shì)相同。
若不考慮熵效應(yīng),
LFSE越大,表明配合物越穩(wěn)定,水合時(shí)放出的熱量越多,-ΔH越大,配合物就越穩(wěn)定。第38頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二●簡(jiǎn)并態(tài)Jahn-Teller指出,當(dāng)遇到簡(jiǎn)并態(tài)時(shí),配位化合物會(huì)發(fā)生變形,使一個(gè)軌道能級(jí)降低,消除簡(jiǎn)并態(tài)。6.2.5Jahn-Teller效應(yīng)t2g或eg中各個(gè)軌道上電子數(shù)不同時(shí),就會(huì)出現(xiàn)簡(jiǎn)并態(tài)。例如
和。CuL4L2’配位離子中,不論L和L’是否相等,一般均偏離正八面體構(gòu)型,出現(xiàn)拉長(zhǎng)或壓扁的八面體配位,多數(shù)出現(xiàn)4個(gè)Cu—L短鍵和2個(gè)Cu—L’長(zhǎng)鍵。這時(shí)電子的組態(tài)應(yīng)為,其中能量降低。第39頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二這種變形影響了配位化合物的性質(zhì):6.2.5Jahn-Teller效應(yīng)化合物平面方向垂直方向CuF2193227CuCl2230295CuBr2240318Cu(NH3)62+207262K2CuF4208195Cu化合物晶體中的金屬—配體距離(pm)第40頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.2.5Jahn-Teller效應(yīng)Jahn-Teller效應(yīng)會(huì)使配合物的d-d躍遷由原來(lái)的一個(gè)變成兩個(gè)躍遷,從而在光譜圖中出現(xiàn)雙峰。
波長(zhǎng)/μm第41頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二1086420K1K2K3Mn2+Fe2+Co2+Ni2+Cu2+Zn2+-pK若干M(en)n2+
的pK值
乙二胺(en)和二價(jià)過(guò)渡金屬離子在水溶液中的逐級(jí)穩(wěn)定常數(shù)K1,K2,K3分別代表en置換[M(H2O)]62+中的2,4,6個(gè)H2O分子,形成1,2,3個(gè)en與M螯合的離子,其pK值如右圖所示
★上圖可見(jiàn),
Cu2+具有反常的最高K1,K2值和最低的K3值,這是由于
Jahn-Teller效應(yīng)使[Cu(en)]32+
明顯地不穩(wěn)定造成的。
原因:當(dāng)1個(gè)或2個(gè)en和Cu2+結(jié)合時(shí),可以形成鍵長(zhǎng)較短的強(qiáng)Cu—N鍵;而當(dāng)3個(gè)en和Cu2+
結(jié)合時(shí),則因Jahn-Teller效應(yīng)必定有2個(gè)en和Cu以弱Cu—N鍵結(jié)合。第42頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二§6-3配合物的分子軌道理論
6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)6.3.2羰基配合物和氮分子配合物的結(jié)構(gòu)(反饋鍵)
6.3.3多原子π鍵配合物的結(jié)構(gòu)第43頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二
配合物的中心原子(離子)與配體之間不僅有靜電相互作用,而且它們間存在共價(jià)鍵,配體與中心離子相互接近時(shí),中心離子的價(jià)軌道可以和能量相近,對(duì)稱(chēng)性匹配的配體群軌道形成體系的分子軌道。6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)以ML6八面體的分子軌道為例第44頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)一、八面體配合物中心離子和配位體的價(jià)軌道分類(lèi)1、中心離子π型:dxydyzdxz與配體的π*組合。σ型:dx2-y2dz2spxpypz,雜化后與配體的σ軌道組合。第45頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)2、配位體
單原子配體F-、Cl-可以提供σ軌道(p軌道);
雙原子分子配體有最高占據(jù)的σ軌道,例:N2的3σg,CO的5σ,它們的共同特點(diǎn)是有伸向分子外側(cè)的電子云,容易與中心離子的σ型軌道重疊形成σ鍵;
多原子分子配體如NH3,H2O有孤對(duì)電了軌道,以上是配體的σ軌道。CO和N2、CN-等空軌道??膳c中心原子軌道作用,形成π配鍵。6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)第46頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)二、形成σ鍵和配合物1、配位體的σ軌道要組合成和中央離子的σ軌道(σ型)對(duì)稱(chēng)性匹配的群軌道;2、中央離子的σ型軌道(六個(gè))與配體的對(duì)稱(chēng)性一致的群軌道相互組合(重疊)形成配合物的σ分子軌道。第47頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二配體編號(hào)第48頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二中心原子軌道及配體的群軌道第49頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二4s
4px
4py4pz3dxy
3dxy
3dyz
表示a1g,a*1geg,e*gt1u,t*1u
t2g
ML6八面體場(chǎng)的分子軌道第50頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二MML66Lnpns(n-1)dt*1u
a*g
e*gΔot2g
eg
t1u
a1g
σ配位化合物分子軌道能級(jí)圖
因L電負(fù)性較高而能級(jí)低,電子進(jìn)入成鍵軌道,相當(dāng)于配鍵。M的電子安排在t2g和e*g軌道上。這樣,3個(gè)非鍵軌道t2g
與2個(gè)反鍵軌道e*g
所形成的5個(gè)軌道,提供安排中心金屬離子的d電子。把5個(gè)軌道分成兩組:3個(gè)低的t2g,2個(gè)高的e*g
。t2g
和e*g
間的能級(jí)間隔稱(chēng)為分裂能Δo
,它和晶體場(chǎng)理論中t2g
和eg
間的Δo
相當(dāng)。第51頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.3.1分子軌道理論要點(diǎn)三、形成π鍵的配合物
第52頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二eg*
t2g*eg*
t2g
t2g
Δo
Δo
π*
MMLL(1)有高能的CN-、CO等為典型的強(qiáng)場(chǎng)配體(2)有低能π占有軌道(如Cl-,F(xiàn)-)是弱場(chǎng)配體eg*
eg*
ΔoΔot2g
t2g
t2g*pMMLL第53頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二6.3.2、羰基配合物和氮分子配合物的結(jié)構(gòu)一、羰基配合物的結(jié)構(gòu)CO分子的電子結(jié)構(gòu)為:
KK(3σ)2(4σ)2(1π)4(5σ)2(2π)CO的最高占據(jù)軌道5σ有伸向分子外側(cè)的電子云,可以和中心原子M的σ型軌道重疊形成。
(a)(b)Fe(CO)5和HMn(CO)5
的結(jié)構(gòu)
第54頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二
在金屬羰基化合物中,CO以碳原子和金屬原子相連,M—C—O在一直線上。
CO分子一方面以孤對(duì)電子給予中心金屬原子的空雜化軌道,形成σ配鍵;另一方面又有空的反鍵π*軌道可接受金屬原子的d電子形成π鍵,這種π鍵稱(chēng)反饋π鍵。2、σ-π鍵的作用:兩方面的電子授受作用正好互相配合,互相促進(jìn),其結(jié)果使M—C間的鍵比共價(jià)單鍵要強(qiáng);由于反鍵軌道上有一定數(shù)量的電子,C—O間的鍵比CO分子中的鍵弱一些。1、σ-π鍵的形成:第55頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二(A)(B)M—C—O中σ-π配鍵示意圖(a)(b)Fe(CO)5和HMn(CO)5
的結(jié)構(gòu)
第56頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二
MCrMnFeCoNi價(jià)電子數(shù)需要電子數(shù)形成的羰基配位化合物
67891012111098Cr(CO)6Mn2(CO)10Fe(CO)5Co2(CO)8Ni(CO)43、大多數(shù)羰基配位化合物具有如下特點(diǎn):(1)每個(gè)金屬原子的價(jià)電子數(shù)和它周?chē)湮惑w提供的價(jià)電子數(shù)加在一起滿足18電子規(guī)則;(2)具有反磁性。第57頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二Mn2(CO)10是典型的雙核羰基化合物,
其中Mn—Mn直接成鍵。每個(gè)Mn與5個(gè)CO形成八面體構(gòu)型中的5個(gè)配位,第六個(gè)配位位置通過(guò)Mn—Mn鍵相互提供一個(gè)電子,使每個(gè)Mn原子周?chē)鷿M足18個(gè)價(jià)電子。為了減少空間阻礙引起的排斥力,羰基基團(tuán)互相錯(cuò)開(kāi)。Co2(CO)8的情況和Mn2(CO)10相似。第58頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二二、氮分子配合物的結(jié)構(gòu)
N2與CO為等電子分子,電子結(jié)構(gòu)相似,與金屬或金屬離子形成的配合物的過(guò)程、結(jié)構(gòu)與CO配合物相似。
在1965年,人們得到了第一個(gè)N2分子配位化合物
[Ru(NH3)5N2]Cl3N2是以3σg和與中心原子的eg形成σ配鍵,而1πg(shù)(最低空軌道)與中心原子的T2g形成反饋π配鍵。第59頁(yè),共65頁(yè),2023年,2月20日,星期二●不飽和烴配位化合物:以不飽和烴為配體,通過(guò)σ-π鍵與過(guò)渡金屬形成的配位化合物。★1827年,W.C.Zeise首先制得K[PtC
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