半導(dǎo)體微電子專(zhuān)業(yè)詞匯中英文對(duì)照

/半導(dǎo)體微電子專(zhuān)業(yè)詞匯中英文對(duì)照Accelｅrａt(yī)edteｓtinｇ加速實(shí)驗(yàn)Acceptor受主Ａccepｔoraｔoｍ受主原子Ａccｕｍｕlation積累、堆積Ａccumuｌａt(yī)ｉngcoｎtａｃt積累接觸Ａccumuｌａt(yī)ioｎregｉoｎ積累區(qū)Accumulａｔｉｏnlayｅr積累層ＡcoustiｃＳｕｒfaceＷave聲表面波Activｅregiｏn有源區(qū)Actｉvｅcompｏnent有源元Aｃtｉvedevice有源器件Ａctivation激活Ａｃｔivationｅｎｅrgy激活能Activｅregｉｏn有源（放大）區(qū)A/Dcｏｎverｓiｏn模擬－數(shù)字轉(zhuǎn)換Adheｓiｖes粘接劑Ａdmittａncｅ導(dǎo)納Aｇiｎｇ老化Aｉrboｒne空載Allowedband允帶ａllowance容限,公差A(yù)lloy－juｎcｔiｏnｄｅvice合金結(jié)器件Aｌuｍinum（Aｌuｍｉnum）鋁Aluｍinuｍ–oxｉde鋁氧化物ＡlumｉnumNitrｉdｅ氮化鋁Ａluminuｍpasｓiｖatｉｏn鋁鈍化Aｍｂiｐolａr雙極的Amｂiｅnｔtemperaturｅ環(huán)境溫度AMlighｔ振幅調(diào)制光,調(diào)幅光ａmplitudeｌimiter限幅器Amorphous無(wú)定形的，非晶體的Ａmplifier功放放大器Ａｎalogue(Anａｌog）comparatｏr模擬比較器Aｎgstrom埃Ａnnｅal退火Anｉsoｔropic各向異性的Ａnode陽(yáng)極?Antenｎa天線Aperｔｕｒe孔徑Arsｅnidｅ(As）砷Ａrray陣列Aｔomic原子的AｔomＣlocｋ原子鐘Atｔenuation衰減Audio聲頻Auｇｅｒ俄歇

Ａuｔomatic自動(dòng)的Automoｔiｖe汽車(chē)的?Ａvailability實(shí)用性Ａvaｌａnche雪崩

Aｖaｌａｎchｅbreakdowｎ雪崩擊穿

Avalａnｃheｅxcitaｔion雪崩激發(fā)?Baｃkgroｕｎdｃaｒrｉer本底載流子?Baｃkgrｏｕnddoping本底摻雜

Backwarｄ反向Backwａrdbiａｓ反向偏置?Ballｂonｄ球形鍵合Ｂand能帶Ｂａnｄgap能帶間隙Ｂaｎdwidth帶寬Ｂaｒ巴條發(fā)光條Barｒier勢(shì)壘Baｒｒieｒlayeｒ勢(shì)壘層Barrieｒwiｄth勢(shì)壘寬度Base基極

Baｓecｏｎtacｔ基區(qū)接觸Baseｓtrｅｔching基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)

Basetransittimｅ基區(qū)渡越時(shí)間Ｂａsetransportefficiｅncy基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)?Base—ｗｉdthｍodｕｌａt(yī)ion基區(qū)寬度調(diào)制Batch批次Batｔerｙ電池Beam束光束電子束B(niǎo)enｃh工作臺(tái)?Bｉaｓ偏置Biｌateraｌswitｃｈ雙向開(kāi)關(guān)Biｎarycｏdｅ二進(jìn)制代碼Biｎarycompｏundｓemicondｕｃｔor二元化合物半導(dǎo)體Bｉpolar雙極性的BｉｐｏｌarＪunctｉonTｒａnsistor（BJＴ)雙極晶體管Bit位比特Blockingband阻帶

Boｄy—centｅｒed體心立方Ｂody—centｒedｃubiｃsｔructuｒe體立心結(jié)構(gòu)Boｌtzｍanｎ波爾茲曼

Boｎd鍵、鍵合

Bｏndｉngelｅcｔron價(jià)電子Ｂondiｎgｐad鍵合點(diǎn)?Boroｎ硼B(yǎng)oroｓｉlicaｔeglaｓs硼硅玻璃Ｂottｏm—up由下而上的Boundarycoｎdiｔioｎ邊界條件Bｏundeｌecｔroｎ束縛電子Ｂrａｇｇeffecｔ布拉格效應(yīng)Brｅａdbｏarｄ模擬板、實(shí)驗(yàn)板Bｒeaｋｄｏwｎ擊穿Ｂｒeaｋovｅｒ轉(zhuǎn)折Briｌloｕｉn布里淵FBrillouｉnzone布里淵區(qū)Buffer緩沖器Built-ｉn內(nèi)建的Bｕiｌｄ-ｉnelectｒicfield內(nèi)建電場(chǎng)Bulk體/體內(nèi)Buｌkａbｓorption體吸收Bulkgenｅｒatioｎ體產(chǎn)生Bulkrecｏｍbinatiｏn體復(fù)合Burn—in老化Buｒnout燒毀Buriedcｈannel埋溝Ｂurieddiffusiｏnregioｎ隱埋擴(kuò)散區(qū)Bus總線Caliｂratiｏn校準(zhǔn)，檢定，定標(biāo)、刻度，分度Ｃaｐａcｉtａｎce電容Ｃaptureｃrossｓection俘獲截面Caｐtuｒeｃarrｉｅｒ俘獲載流子Caｒbｏｎdiｏｘidｅ（CO2）二氧化碳Cａrｒieｒ載流子、載波Caｒryｂiｔ進(jìn)位位Ｃascade級(jí)聯(lián)Ｃaｓｅ管殼Cathodｅ陰極Ｃａｖitｙ腔體Ceｎter中心Ceramｉc陶瓷（的）Channｅl溝道Chanｎelbｒeaｋdｏwn溝道擊穿Cｈannelcurreｎt溝道電流Chａnneldoping溝道摻雜Cｈanｎｅlsｈｏｒｔeninｇ溝道縮短Cｈannelｗidｔh溝道寬度Charaｃterisｔiｃimpｅdance特征阻抗Chａrge電荷、充電Charge-compeｎｓatioｎeffecｔs電荷補(bǔ)償效應(yīng)Cｈａrｇeｃoｎｓerｖatｉｏn電荷守恒Chargedrive/eｘcｈange/sharｉng/ｔｒansfer/ｓtorａge電荷驅(qū)動(dòng)/交換/共享/轉(zhuǎn)移／存儲(chǔ)Ｃｈemicaｌeｔｃhｉng化學(xué)腐蝕法Ｃhemｉcａlly－Ｐolisｈ化學(xué)拋光Ｃｈｅmｉcally-ＭeｃｈaniｃallyPolｉsh（CＭP）化學(xué)機(jī)械拋光Chemicａlｖaｐoｒdｅｐosｉtioｎ(ｃｖd）化學(xué)汽相淀積Chip芯片Chｉpyield芯片成品率Circｕit電路Ｃlａmped箝位Clampingdioｄe箝位二極管Ｃｌeavageplane解理面Ｃleaｎ清洗Clockｒate時(shí)鐘頻率Clｏckgeｎeratoｒ時(shí)鐘發(fā)生器Clocｋflip—ｆlｏｐ時(shí)鐘觸發(fā)器Clｏse—loopgaｉn閉環(huán)增益Cｏatｉng涂覆涂層Ｃoefｆiｃieｎtofthermaｌｅxpansioｎ熱膨脹系數(shù)Coherenｃy相干性Collector集電極Coｌｌisｉon碰撞ＣomｐｅｎsatedOP—AMＰ補(bǔ)償運(yùn)放Cｏmmon-ｂase/cｏｌlectｏr/ｅｍｉttercoｎneｃtion共基極／集電極/發(fā)射極連接Coｍmon-gａt(yī)ｅ/draiｎ/sｏurceconnectｉoｎ共柵/漏/源連接Common-moｄegaiｎ共模增益Commoｎ-modeｉnｐut共模輸入Commoｎ-moderejeｃｔionrａt(yī)io（CＭＲR)共模抑制比Communicatioｎ通信Comｐacｔ致密的Compａｔiｂility兼容性Ｃｏmpenｓatｉｏn補(bǔ)償Comｐeｎｓａt(yī)ediｍpｕrｉtieｓ補(bǔ)償雜質(zhì)Ｃompeｎsａt(yī)eｄseｍiｃonductoｒ補(bǔ)償半導(dǎo)體CoｍplｅmeｎtaryＤａrｌingtoｎcｉｒcuit互補(bǔ)達(dá)林頓電路CompleｍentaryＭetａl-Oxiｄe-SemicｏｎdｕcｔorＦield-Ｅffect—Trａnsｉstoｒ(CMOS）互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Ｃomputｅr－aｉdeddesign（CAD）/test（ＣAT）/ｍanｕｆaｃture（CAM）計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)/測(cè)試／制造Compｏnenｔ元件ComｐoundSeｍiｃonductor化合物半導(dǎo)體Conduｃｔaｎｃｅ電導(dǎo)Cｏnducｔionband（eｄge）導(dǎo)帶（底)Conducｔｉonleｖel/ｓtate導(dǎo)帶態(tài)Ｃｏnｄuｃtor導(dǎo)體Conductivｉtｙ電導(dǎo)率Configuration結(jié)構(gòu)Coｎloｍb庫(kù)侖Cｏnｓtaｎts物理常數(shù)Cｏｎｓｔaｎｔeneｒgｙｓurｆaｃe等能面Coｎstant－sourｃｅｄiｆfuｓiｏn恒定源擴(kuò)散Conｔact接觸Continuousｗave連續(xù)波Continuiｔｙequation連續(xù)性方程Contacｔｈoｌe接觸孔Conｔactｐoteｎtｉaｌ接觸電勢(shì)Cｏntrｏllｅd受控的Cｏnｖerｔer轉(zhuǎn)換器Cｏnveyｅｒ傳輸器Coolinｇ冷卻Copｐerintercoｎnectiｏnsysｔem銅互連系統(tǒng)Cｏrrosion腐蝕Coupliｎg耦合Ｃovａlｅnt共階的Cｒｏｓsｏｖer交叉Ｃｒitiｃal臨界的Crｏss－sectiｏn橫斷面Ｃｒｕciblｅ坩堝Crｙogeｎｉｃcoolingsystem冷卻系統(tǒng)Ｃｒｙｓtａldefect／face/ｏrieｎtation/lattｉｃｅ晶體缺陷／晶面／晶向／晶格Cubiｃｃrystalsｙstem立方晶系Currｅｎｔｄｅｎsity電流密度Ｃurvａｔurｅ曲率Cuｒrentdｒiｆt／drive/ｓhａrｉng電流漂移/驅(qū)動(dòng)／共享ＣurｒentＳｅnsｅ電流取樣Cｕrve曲線Cusｔomｉｎteｇratｅdcirｃuit定制集成電路Cutoｆf截止Cylｉnｄrical柱面的Czochralsｈicrystal直立單晶Czｏｃｈrａlskitechｎique切克勞斯基技術(shù)（Ｃz法直拉晶體J））Daｎglingｂｏnds懸掛鍵Dａrkcurｒenｔ暗電流Ｄeadtimｅ空載時(shí)間Decade十進(jìn)制Dｅcibｅl（dＢ)分貝Dｅcoｄe解碼Dｅe(cuò)pａcｃeptorleｖel深受主能級(jí)Ｄeｅpdoｎorleｖeｌ深施主能級(jí)Deepenergylevel深能級(jí)Deｅpｉmpｕrｉtyleveｌ深度雜質(zhì)能級(jí)Deｅptraｐ深陷阱Dｅfeａｔ缺陷Degｅneratｅseｍiconｄｕctor簡(jiǎn)并半導(dǎo)體Degeneracy簡(jiǎn)并度Ｄegradatiｏn退化DegreeCｅlsiｕs（centiｇradｅ）／Kelvin攝氏/開(kāi)氏溫度Ｄelａｙ延遲Ｄｅnｓity密度Densitｙoｆｓtatｅs態(tài)密度Depletiｏn耗盡Ｄeｐleｔｉoｎapprｏｘimatｉon耗盡近似Dｅｐletioncontａｃt耗盡接觸Deｐｌetiondｅｐtｈ耗盡深度Depletionefｆｅct耗盡效應(yīng)Deplｅtionｌaｙeｒ耗盡層DeｐletｉonMＯS耗盡MＯSDepｌetionreｇion耗盡區(qū)Deposiｔeｄfilｍ淀積薄膜Ｄepoｓitionprｏｃｅｓs淀積工藝Designrules設(shè)計(jì)規(guī)則Ｄｅtector探測(cè)器Developer顯影劑Diamonｄ金剛石Ｄie芯片（復(fù)數(shù)diｃe）Ｄiｏde二極管ＤｉelｅcｔricCoｎstant介電常數(shù)Ｄieｌｅctrｉｃｉsolatｉon介質(zhì)隔離Ｄifference—moｄｅinput差模輸入Difｆｅrentialaｍplifier差分放大器Differentｉaｌcａｐacitance微分電容Diffrａｃtｉon衍射Dｉfｆusion擴(kuò)散Ｄiｆfusｉoｎｃoeｆficient擴(kuò)散系數(shù)Difｆｕsioｎconｓｔａnｔ擴(kuò)散常數(shù)Dｉfｆusivitｙ擴(kuò)散率Diffuｓioｎcapacitance/bａrrieｒ/ｃurrｅnt/furｎace擴(kuò)散電容/勢(shì)壘/電流/爐Ｄigｉtalcircuit數(shù)字電路Diｍｅnｓｉon(1)尺寸(2）量鋼(3)維,度Diodｅ二極管Dipｏledomaiｎ偶極疇Dipolelayｅr偶極層Diｒect—coupling直接耦合Ｄirecｔ—gapｓemicondｕｃtｏr直接帶隙半導(dǎo)體Dｉrｅcttransitioｎ直接躍遷Directionaｌａｎｔenｎa定向天線Ｄischarge放電Discretecｏｍponeｎt分立元件Ｄisorder無(wú)序的Diｓｐlaｙ顯示器Dｉssｉｐａt(yī)ｉon耗散Ｄissolutｉon溶解Distribution分布Dｉstributedcapaｃiｔaｎce分布電容Diｓｔributedmｏｄel分布模型Displacｅment位移Dislocation位錯(cuò)Domain疇Donor施主Doｎoreｘhauｓtion施主耗盡Dｏpant摻雜劑Dopeｄseｍicoｎductor摻雜半導(dǎo)體Dopiｎｇconｃentｒａｔｉｏn摻雜濃度Dose劑量Ｄouble-ｄiｆfuｓｉveMOS（DMOS）雙擴(kuò)散MOSＤrｉft漂移Driftfiｅld漂移電場(chǎng)Dｒiｆtmobilｉｔy遷移率Dryetching干法腐蝕Dｒy/weｔoxiｄatｉoｎ干/濕法氧化Dｏsｅ劑量Duaｌ-polarｉzａt(yī)ｉon雙偏振,雙極化Dutycycｌe工作周期Dual－in-linepａckａgｅ(DIP）雙列直插式封裝Dｙｎaｍics動(dòng)態(tài)Ｄynamiccｈaracteｒistics動(dòng)態(tài)屬性Dynaｍｉcｉmpedancｅ動(dòng)態(tài)阻抗Ｅａrlyeｆfｅct厄利效應(yīng)Earlyｆａｉｌure早期失效Effｅcｔ效應(yīng)Ｅffeｃtivemasｓ有效質(zhì)量ＥlｅｃtｒiｃＥrasｅPrｏgrammaｂｌeReaｄＯnlyＭemory(E2PROM)電可擦除只讀存儲(chǔ)器Ｅlectroｄe電極Elecｔromiｇｒaｔiｏn電遷移Eleｃtroｎafｆinity電子親和勢(shì)Ｅｌectroｎ—beａｍ電子束Ｅｌｅｃtrｏｌuminescｅnｃe電致發(fā)光Eleｃtrｏngａs電子氣Eleｃｔｒoｎtｒappingcｅnｔｅｒ電子俘獲中心EleｃｔrｏnＶolt（eV）電子伏Elｅctro-oｐtｉcal光電的Ｅlｅcｔrostatiｃ靜電的Ｅlemｅnt元素/元件/配件Elemｅｎtａlｓemicoｎｄuctor元素半導(dǎo)體Ellｉｐsｅ橢圓Ｅｍitter發(fā)射極Emｉtteｒ-couplｅdlｏgic發(fā)射極耦合邏輯Eｍiｔｔeｒ—coupleｄpａir發(fā)射極耦合對(duì)Emｉtterfollower射隨器Emptybａnd空帶Eｍittercｒowdingeｆfect發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng)Ｅndｕrancｅtest=ｌiｆetesｔ壽命測(cè)試Enerｇystatｅ能態(tài)Enｅｒｇymｏmenｔumdｉagram能量—?jiǎng)恿浚ǎ?K）圖Enhancementｍｏｄe增強(qiáng)型模式EnhaｎcementMＯS增強(qiáng)性MOSEｎteric（低)共溶的Ｅnvirｏnmenｔalteｓt環(huán)境測(cè)試Epｉtaxiaｌ外延的Ｅpitaxiａｌlayｅr外延層Epitaxialslice外延片Epoxy環(huán)氧的Eqｕｉｖａlenｔcirｃuiｔ等效電路Equｉlｉbｒiuｍmａjoｒity/minｏritycarrieｒs平衡多數(shù)／少數(shù)載流子Eqｕipｍｅnｔ設(shè)備ErasablｅProgrａmmaｂleROM（ＥＰRＯＭ）可搽?。ň幊蹋┐鎯?chǔ)器Ｅrｂiumlａser摻鉺激光器Errorfuｎctioncomplｅment余誤差函數(shù)Etch刻蝕Etchａnt刻蝕劑Eｔchinｇｍask抗蝕劑掩模Ｅｘcesｓcａrrieｒ過(guò)剩載流子Eｘciｔationeｎergy激發(fā)能Ｅｘｃitedsｔaｔe激發(fā)態(tài)Ｅxciｔon激子Expｏneｎtｉａl指數(shù)的Ｅxtraｐｏlation外推法Exｔrinｓｉｃ非本征的Extｒinsicsｅmiｃｏndｕcｔｏr雜質(zhì)半導(dǎo)體Ｆａbry—Ｐｅrotamｐlｉfier法布里－珀羅放大器Face-centeｒｅｄ面心立方Fallｔiｍe下降時(shí)間Ｆａn－iｎ扇入Ｆａn-oｕt扇出Fasｔｒeｃｏｖｅｒy快恢復(fù)Fａstsurｆａcestａt(yī)es快表面態(tài)Ｆｅe(cuò)ｄｂａck反饋Feｒmilｅvel費(fèi)米能級(jí)Ｆeｍｉｐotentiａl費(fèi)米勢(shì)Fiｂｅroptic光纖Ｆielｄｅffｅcttｒａnsistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管Fieｌｄoxide場(chǎng)氧化層Ｆigｕｒｅｏfmerit品質(zhì)因數(shù)Filter濾波器Ｆｉllｅdbａnd滿(mǎn)帶Ｆilm薄膜Ｆｉnｅpitch細(xì)節(jié)距Flaｓhmemorｙ閃存存儲(chǔ)器Ｆlatband平帶Flatpaｃk扁平封裝Flａt(yī)ness平整度Flexibｌe柔性的Ｆlicｋernoise閃爍(變）噪聲Ｆlｉp—chip倒裝芯片F(xiàn)lip—flｏptｏgｇｌe觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)Floatiｎgｇate浮柵Fluorｉｄｅe(cuò)ｔcｈ氟化氫刻蝕Foｃａｌplaｎe焦平面Fｏrｂidｄenbaｎd禁帶Foｒmulation列式,表達(dá)Foｒwardｂias正向偏置Forwarｄblocking/condｕｃｔing正向阻斷／導(dǎo)通Freeｅlectrｏn自由電子Ｆrequｅｎcydeｖiationｎoise頻率漂移噪聲Ｆｒequencyrｅsｐonse頻率響應(yīng)Ｆｕnｃtiｏｎ函數(shù)Gaiｎ增益Ｇalｌium—Arsenidｅ(GaAs)砷化鎵ＧalliumNitride氮化鎵Gate門(mén)、柵、控制極Ｇaｔeoｘｉde柵氧化層Ｇａt(yī)ewｉdth柵寬Gaｕsｓ（iaｎ)高斯Gａuｓｓiａndiｓtribuｔｉoｎprｏfile高斯摻雜分布Ｇeｎｅｒation-reｃombinaｔion產(chǎn)生－復(fù)合Gｅｏｍeｔrｉeｓ幾何尺寸Ｇeｒmanｉuｍ（Ge）鍺Ｇold金Gｒaded緩變的Graded（gｒadual）ｃｈａｎｎeｌ緩變溝道Gradｅdjuｎcｔion緩變結(jié)Grain晶粒Gradient梯度Gｒaｐｈｅne石墨烯Grａt(yī)ｉng光柵Greenｌａser綠光激光器Grounｄ接地Ｇｒowｎjuｎｃtｉon生長(zhǎng)結(jié)Ｇuardrｉng保護(hù)環(huán)Ｇuｉdeｗａve導(dǎo)波波導(dǎo)Gｕnｎ－ｅffｅｃｔ狄氏效應(yīng)Gyrｏsｃope陀螺儀Hardenｅddeｖice輻射加固器件Harmonics諧波Heatｄiffusｉｏｎ熱擴(kuò)散Heatsinｋ散熱器、熱沉Heavy／ｌighｔholｅbａｎｄ重/輕空穴帶Hell—ｅｆｆｅcｔ霍爾效應(yīng)Heｒｔz赫茲Ｈｅｔerｏｊuncｔiｏn異質(zhì)結(jié)Hｅterojuｎctionｓtruｃture異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)HeterojunctionBipｏlａrTrａnsiｓtor(HＢT)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體Highｆieldｐropeｒｔｙ高場(chǎng)特性Hｉｇh－peｒfoｒｍaｎceＭOＳ(Ｈ—ＭOS）高性能ＭＯS器件Ｈigｈpｏwer大功率Hoｌe空穴Homojｕnｃtiｏn同質(zhì)結(jié)Horｉzontalepiｔaxｉalreacｔor臥式外延反應(yīng)器Ｈotcaｒrｉer熱載流子Hybriｄintｅgraｔｉｏn混合集成Iｌluminaｔion(1）照明（2)照明學(xué)Image—foｒce鏡象力Impactionizaｔiｏｎ碰撞電離Ｉmpeｄaｎcｅ阻抗Impｅrfectstructuｒe不完整結(jié)構(gòu)Ｉmｐlａntationdose注入劑量Ｉｍplaｎtediｏn注入離子Impｕrity雜質(zhì)Imｐuritｙｓcattｅring雜志散射Inch英寸Ｉnｃrementalｒｅｓiｓｔａｎce電阻增量(微分電阻）In-coｎtacｔmask接觸式掩模Inｄexofrｅfrａctｉon折射率Iｎdium銦Iｎｄｉｕmｔinoｘide(ＩＴＯ）銦錫氧化物Iｎductance電感Indｕｃedchannel感應(yīng)溝道Infrareｄ紅外的Iｎjeｃｔion注入Inpｕtpoweｒ輸入功率Ｉnserｔionloss插入損耗Iｎsuｌator絕緣體ＩnsuｌateｄGatｅFＥＴ(IＧＦＥT）絕緣柵FＥTIｎtegratedinｊectionlogic集成注入邏輯Inｔegraｔion集成、積分IntegraｔedＣircuｉt集成電路Ｉnterｃonｎection互連Inｔｅｒｃonnectiontimeｄelａy互連延時(shí)Inｔerｄigiｔaｔｅｄｓtｒuｃture交互式結(jié)構(gòu)Intｅrface界面Inｔerfeｒence干涉Iｎteｒnationalsystemofuｎioｎs國(guó)際單位制Inｔernaｌｌｙscattｅrinｇ谷間散射Interpolａt(yī)iｏｎ內(nèi)插法Ｉntrinsｉc本征的Iｎtｒiｎsｉcsemｉｃoｎｄucｔoｒ本征半導(dǎo)體Ｉnｖerseoperaｔioｎ反向工作Inversiｏn反型Ｉnvｅrtｅr倒相器Ioｎ離子Ionbeam離子束Iｏnetchｉng離子刻蝕Ｉｏnimｐｌantatｉoｎ離子注入Iｏｎｉzaｔion電離Ionｉzatｉonenerｇy電離能Irrａdｉaｔion輻照Isolatｉonｌａnd隔離島Isotroｐic各向同性JunctionFＥT（JFＥＴ）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管Ｊunｃtiｏnisolation結(jié)隔離Ｊunctiｏnspaciｎg結(jié)間距Junctiｏnside－ｗaｌｌ結(jié)側(cè)壁Lａseｒ激光器Lａserdiodｅ激光二極管Latｃhup閉鎖Lateｒaｌ橫向的Laｔtice晶格Lａyｏuｔ版圖Lａt(yī)ｔｉcebinding/cell/cｏnｓtａnｔ/dｅｆect/distortiｏｎ晶格結(jié)合力/晶胞/晶格/晶格常熟／晶格缺陷／晶格畸變Ｌeａd鉛Ｌeaｋagecurreｎt(泄)漏電流Ｌｉfｅtiｍｅ壽命ｌiｎearitｙ線性度Linkｅｄboｎd共價(jià)鍵LｉquｉdNitrogen液氮Ｌiｑuiｄ－phａseeｐiｔａxialgｒｏwtｈtechnｉque液相外延生長(zhǎng)技術(shù)Liｔhogｒａphy光刻LｉgｈtＥmｉttinｇDiodｅ(LEＤ)發(fā)光二極管Ｌiｎeariｔy線性化Liqｕｉｄ液體Lockｉn鎖定Loｎgituｄinal縱向的Lonｇlife長(zhǎng)壽命Luｍｐedｍodeｌ集總模型Magnetｉｃ磁的Mａjoritycarrier多數(shù)載流子Mask掩膜板,光刻板Maｓｋlｅvel掩模序號(hào)Masｋset掩模組Mａss-aｃtionlａw質(zhì)量守恒定律Master-slaveDflｉp—flop主從D觸發(fā)器Ｍatｃhｉng匹配Material材料Maxwelｌ麥克斯韋Ｍeａnfreeｐatｈ平均自由程Meaｎｔiｍeｂeforefａilure(ＭTBＦ）平均工作時(shí)間Meｃhanｉcal機(jī)械的Meｍbraｎe(1）薄臘，膜片(2）隔膜Megｅto—ｒesiｓtａｎce磁阻Mｅsa臺(tái)面MＥSＦEＴ—MｅtalSeｍicondｕcｔoｒ金屬半導(dǎo)體FETＭetalorｇaniｃＣhｅmｉcaｌVaｐoｒDeposiｔｉｏnMＯCVＤ金屬氧化物化學(xué)汽相淀積Mｅｔaｌlizaｔiｏn金屬化Metaｌoxｉｄeseｍiｃonduｃtor（MOＳ)金屬氧化物半導(dǎo)體MeV兆電子伏Mｉcroｅlectroｎｉcteｃhnique微電子技術(shù)Mｉcｒoｅｌｅctroniｃs微電子學(xué)MicroelectromeｃhａnｉcａｌSｙstem（MEMS）微電子機(jī)械系統(tǒng)Mｉcｒowave微波Millimｅterｗａｖe毫米波Ｍinoritycarrｉer少數(shù)載流子Misfit失配Miｓmatching失配Mobility遷移率Ｍoｄｕｌｅ模塊Mｏｄulａｔｅ調(diào)制Ｍｏlecｕlarcrystal分子晶體MoｎolｉthiｃIＣ單片MOＳFＥT金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Mouｎｔ安裝Muｌtｉpｌication倍增Moduｌator調(diào)制Mｕlti-ｃhiｐIC多芯片ICMｕｌｔi-cｈipｍodule（MCM）多芯片模塊Ｍｕlｔilａyｅr多層Ｍｕltiplicａt(yī)ioｎcｏefｆiｃiｅｎｔ倍增因子Ｍulｔiplexer復(fù)用器Ｍultipliｅｒ倍增器Ｎakeｄchip未封裝的芯片（裸片）Naｎomeｔer納米Nａnｏｔechｎｏｌogｙ納米技術(shù)Negativefeedｂａcｋ負(fù)反饋Ｎｅgativereｓiｓtａnce負(fù)阻Negatｉve—temperatｕre-cｏeｆfｉcient負(fù)溫度系數(shù)Neｓtiｎg套刻N(yùn)oiｓefiguｒe噪聲系數(shù)Nｏneqｕiliｂrium非平衡Nｏnvｏlatile非揮發(fā)（易失）性Noｒmａlｌyｏff／on常閉／開(kāi)Nuｃｌear核Numｅｒicａlanaｌｙsis數(shù)值分析Occuｐiedbanｄ滿(mǎn)帶Ｏfｆｓet偏移、失調(diào)Ｏnｓtａｎdbｙ待命狀態(tài)Ohmiccoｎtacｔ歐姆接觸Opｅｎｃiｒcuｉt開(kāi)路Ｏperatingpoint工作點(diǎn)Operaｔingbiａｓ工作偏置Opｅｒａt(yī)ionalamplifier(ＯPＡMP)運(yùn)算放大器Opｔicalｐｈoton光子Opｔｉcalｑuencｈinｇ光猝滅Ｏpticalｔｒａnsｉtion光躍遷Opticaｌ－ｃouｐledisｏｌator光耦合隔離器Organiｃsｅｍiconducｔor有機(jī)半導(dǎo)體Orienｔatｉon晶向、定向Oscillator振蕩器Ｏutline外形Oｕｔ-ｏｆ－contactmasｋ非接觸式掩模Outputchａracｔerisｔｉc輸出特性O(shè)uｔpｕtpower輸出功率Outputvoltａgeｓｗing輸出電壓擺幅Ovｅrcompensatiｏn過(guò)補(bǔ)償Oｖer-curreｎtproteｃtｉon過(guò)流保護(hù)Overshｏot過(guò)沖Oｖer-ｖｏltagepｒotecｔiｏn過(guò)壓保護(hù)Ovｅrlap交迭Ｏverload過(guò)載Oscｉｌlａt(yī)oｒ振蕩器Oxiｄｅ氧化物Oxidａt(yī)ｉｏｎ氧化Oxidｅｐａssiｖatioｎ氧化層鈍化Ｐａｃkage封裝Pａd壓焊點(diǎn)Parａｍeter參數(shù)Parａsiticefｆect寄生效應(yīng)Parasｉticoscｉｌlaｔioｎ寄生振蕩Ｐassband通帶Ｐassivatｉon鈍化Pasｓｉvecomｐonent無(wú)源元件Paｓsiｖｅdevice無(wú)源器件Pａｓsivｅｓｕrfａce鈍化界面Pａrasｉtictｒansistoｒ寄生晶體管Patｔern圖形Payloaｄ有效載荷Peak-poinｔvｏltaｇe峰點(diǎn)電壓Peａｋｖｏｌｔagｅ峰值電壓Ｐeｒmanｅnt—stｏragecirｃuｉt永久存儲(chǔ)電路Period周期Permeaｂle—base可滲透基區(qū)Pｈase－lｏckloop鎖相環(huán)Phasｅdrｉft相移Phononspeｃtra聲子譜Phoｔoconduｃｔioｎ光電導(dǎo)Pｈotｏdiode光電二極管Photoelｅctricｃｅll光電池Ｐhotoelｅcｔrｉceffect光電效應(yīng)Ｐhotｏnicｄevｉｃes光子器件Pｈotoｌithograｐhicprocess光刻工藝Pｈoｔolumiｎｅｓcenｃｅ光致發(fā)光Pｈotoresist(光敏）抗腐蝕劑Ｐｈotｏmａsｋ光掩模Pｉｅzｏelectｒiｃefｆｅｃｔ壓電效應(yīng)Ｐｉn管腳Pｉｎchofｆ夾斷ＰinniｎgｏfFermilevel費(fèi)米能級(jí)的釘扎(效應(yīng)）Plaｎａrpｒoceｓs平面工藝Planartransistor平面晶體管Ｐl(wèi)asma等離子體Ｐｌane平面的Pｌasma等離子體Ｐl(wèi)ate板電路板Ｐ—Ｎｊuncｔioｎｐn結(jié)Poissｏnequatiｏｎ泊松方程Pointcｏｎtact點(diǎn)接觸Polarity極性Polyｃrystal多晶Pｏlymersemｉconｄuctor聚合物半導(dǎo)體Poly—silｉcoｎ多晶硅Positive正的Pｏｔenｔｉal(電)勢(shì)Potｅnｔialbａrrier勢(shì)壘Potentialｗｅll勢(shì)阱Ｐｏweｒelｅcｔronicdｅｖicｅｓ電力電子器件Pｏwerdiｓｓｉpａt(yī)ｉon功耗Poweｒｔraｎsiｓtoｒ功率晶體管Preａｍplifier前置放大器Prｉmaryfｌａt(yī)主平面Pｒｉnt-cirｃuiｔｂoard(PＣB）印制電路板Pｒobａｂｉｌity幾率Probｅ探針Proceduｒe工藝Ｐｒｏcess工藝Ｐrojｅctor投影儀Prｏpaｇatｉｏndeｌａy傳輸延時(shí)Proton質(zhì)子Ｐroｘimityｅfｆｅct鄰近效應(yīng)Psｅuｄopoteｎtiａlmeｔｈoｄ贗勢(shì)法Pｕmp泵浦Puncｈthrough穿通Pulsetrigｇering／modｕlaｔinｇ脈沖觸發(fā)／調(diào)制PuｌseWidｅnModulator（PWＭ）脈沖寬度調(diào)制Ｐunｃｈtｈrough穿通Puｓh-ｐuｌlstage推挽級(jí)QQ值Ｑualityfａctor品質(zhì)因子Quaｎtizaｔion量子化Quａnｔuｍ量子Qｕantumｅｆfiｃｉenｃｙ量子效應(yīng)Ｑuantｕmmeｃｈanｉcs量子力學(xué)Quaｓi–Ferｍi－leｖel準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)Quartz石英Radaｒ雷達(dá)Ｒaｄｉationｃondｕcｔiviｔy輻射電導(dǎo)率Radiatiｏndａｍage輻射損傷Radｉatiｏnfｌuxｄensｉｔy輻射通量密度Radｉａｔｉonhａrdeｎｉng輻射加固Radiationproｔectioｎ輻射保護(hù)Radiative—recombｉnａt(yī)iｏn輻照復(fù)合Radiｏ無(wú)線電射電射頻Radio—fｒｅｑuenｃyＲF射頻Ramａn拉曼Randoｍ隨機(jī)Ｒange測(cè)距Ｒadio比率系數(shù)Rａy射線Rｅactivespｕtterｉｎｇsouｒce反應(yīng)濺射源Reaｌtime實(shí)時(shí)Receｉvｅr接收機(jī)Recombinaｔion復(fù)合Ｒeｃｏvｅrｙdiodｅ恢復(fù)二極管Reｃoｒd記錄Rｅcoverytiｍｅ恢復(fù)時(shí)間Ｒectifier整流器（管）Recｔifｙｉnｇcoｎtact整流接觸Redligｈt紅光Reference基準(zhǔn)點(diǎn)基準(zhǔn)參考點(diǎn)Reｆractiveiｎdex折射率Register寄存器Reguｌate控制調(diào)整Rｅlative相對(duì)的Relaｘatｉｏｎ馳豫Ｒeｌaxatioｎｌifeｔiｍe馳豫時(shí)間Reｌay中繼Ｒｅliaｂｉlitｙ可靠性Remotｅ遠(yuǎn)程Reｐeａt(yī)aｂｉliｔy可重復(fù)性Rｅｐroductiｏｎ重復(fù)制造Resiｄuａｌｃｕｒｒenｔ剩余電流Reｓｏnａncｅ諧振Resin樹(shù)脂Ｒｅsｉstaｎce電阻Ｒｅｓｉstor電阻器Ｒesｉstivｉty電阻率Ｒｅgｕlａt(yī)or穩(wěn)壓管（器)Ｒｅsolutｉｏn分辨率Rｅspoｎｓetｉme響應(yīng)時(shí)間Rｅtｕrｎsｉｇnal回波信號(hào)Ｒeｖｅｒｓe反向的Reverｓebｉas反向偏置Ribbon光纖帶Riｄgeｗａvｅguide脊形波導(dǎo)Rinｇｌasｅr環(huán)形激光器Rｏｔａｒywａve旋轉(zhuǎn)波Ruｎ運(yùn)行Samplingｃirｃuit取樣電路Ｓapphirｅ藍(lán)寶石(Aｌ2O3）Sａt(yī)ｅlliteｖalley衛(wèi)星谷Ｓatｕrateｄcurrentrange電流飽和區(qū)Ｓcａn掃描Sｃaleｄｄoｗn按比例縮小Scaｔtｅrｉng散射Schemａt(yī)iclayout示意圖，簡(jiǎn)圖Schottky肖特基Ｓｃｈｏttkｙbarｒier肖特基勢(shì)壘Schottkycontact肖特基接觸Screen篩選Scribiｎgｇriｄ劃片格Sｅｃondaryflat次平面Ｓeｅdcrystal籽晶Segregatiｏn分凝Selectivｉｔy選擇性Sｅlfalignｅd自對(duì)準(zhǔn)的Selfｄifｆｕsｉｏn自擴(kuò)散Ｓｅｍicｏｎduｃtor半導(dǎo)體Semｉconｄucｔｏrlａｓｅｒ半導(dǎo)體激光器Semｉcｏnduｃtor－coｎｔｒolledrｅｃtｉｆiｅr半導(dǎo)體可控硅Ｓensiｔiｖity靈敏度Sensor傳感器Ｓerｉal串行／串聯(lián)Seriｅsｉnductance串聯(lián)電感Sｅtｔlｅtime建立時(shí)間Ｓheetｒeｓistaｎce薄層電阻Ｓｈaｐinｇ成型Sｈiｅld屏蔽Ｓhifｔer移相器Shorｔｃｉrｃuit短路Sｈｏｔnｏiｓe散粒噪聲Shｕnｔ分流Sｉdewaｌlｃapacitance邊墻電容Signal信號(hào)Ｓilｉcagｌass石英玻璃Sｉlicoｎ硅Sｉlicｏnｃarbidｅ碳化硅Silｉｃonｄioxiｄe（SiO2)二氧化硅SilｉcoｎＮitriｄe（Si３N4）氮化硅ＳiliconＯnInｓｕlａt(yī)or絕緣體上硅Siｌveｒｗｈiｓkers銀須Simｐlecｕbic簡(jiǎn)立方Ｓiｍulａt(yī)ion模擬Singlｅcrystal單晶Sｉnｋ熱沉Sinter燒結(jié)Skiｎeｆｆｅｃt趨膚效應(yīng)Sloｔ槽隙Ｓlｏwwave慢波Smooth光滑的Ｓｕｂｔhrｅsholｄ亞閾值的Ｓolarbａt(yī)tery／cell太陽(yáng)能電池Sｏlidciｒcuit固體電路SoliｄＳｏｌuｂiliｔy固溶度Sｏlutiｏn溶液Sonbａｎｄ子帶Ｓoｕｒcｅ源極Ｓourcefoｌlｏｗer源隨器Sｐａｃecｈaｒge空間電荷SpaceCrａfｔ宇宙飛行器Spacｉng間距Speciｆｉcｈｅaｔ（PT）比熱Ｓpecｔrａl光譜Spectrum光譜（復(fù)數(shù)）Speed-ｐowｅrproduct速度功耗乘積Ｓpherｉcaｌ球面的Sｐin自旋Ｓpｌｉt分裂Spｏntaneｏuｓemｉssioｎ自發(fā)發(fā)射Spot斑點(diǎn)Spraｙ噴涂Ｓpreａdingresisｔancｅ擴(kuò)展電阻Sｐutｔer濺射Sｑuaｒｅroｏt平方根Ｓtabｉlity穩(wěn)定性Stackinｇｆault層錯(cuò)Ｓｔａndａrd標(biāo)準(zhǔn)的Sｔandｉｎgwave駐波Statｅ—oｆ-ｔhe－art最新技術(shù)Stａt(yī)iccｈaraｃｔeｒisｔic靜態(tài)特性Statisticalanalｙsis統(tǒng)計(jì)分析Steadysｔａｔe穩(wěn)態(tài)Stepmotor步進(jìn)式電動(dòng)機(jī)Stｉmulaｔeｄemｉｓsion受激發(fā)射Sｔｉmulatedrｅcoｍbｉnａt(yī)ion受激復(fù)合Stopbaｎd阻帶Sｔorａgetime存儲(chǔ)時(shí)間Streｓｓ應(yīng)力Stｒiｐｌinｅ帶狀線Subｂａnｄ次能帶Sｕblｉmation升華Suｂmｉlｌｉmeter亞毫米波Substraｔe襯底Subｓtｉｔutioｎal替位式的Sｕpe