第三章之第一部分光電二極管

第三章之第一部分光電二極管第1頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三第三章

半導(dǎo)體光電檢測器件及應(yīng)用3.1光敏電阻3.2光生伏特器件--光電池3.3光電二極管與光電三極管3.4發(fā)光器件3.5光電耦合器件3.6光電位置敏感器件3.7光熱輻射檢測器件3.8各種光電檢測器件的性能比較第2頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1光敏電阻利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的材料（如Si、Ge等本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體，如CdS、CdSe、PbO）可以制成電導(dǎo)率隨入射光輻射量變化而變化的器件，這類器件被稱為光電導(dǎo)器件或光敏電阻。結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：體積小、堅(jiān)固耐用、價(jià)格低廉、光譜響應(yīng)范圍寬，廣泛應(yīng)用于微弱輻射信號的檢測技術(shù)領(lǐng)域。第3頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.1、光敏電阻的結(jié)構(gòu)及工作原理UbbIpIp金屬電極光電導(dǎo)材料入射光光敏電阻原理及符號光敏電阻符號工作原理第4頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三UIp電極入射光當(dāng)入射光子使半導(dǎo)體物質(zhì)中的電子由價(jià)帶躍升到導(dǎo)帶時(shí)，導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴均參與導(dǎo)電，因此電阻顯著減小，電導(dǎo)增加，或連接電源和負(fù)載電阻，可輸出電信號，此時(shí)可得出光電導(dǎo)g與光電流I光的表達(dá)式為：工作原理g=gL-gdI光=IL-Id第5頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三工作原理光敏電阻按半導(dǎo)體材料的不同可分為本征型和雜質(zhì)型兩種，本征型半導(dǎo)體光敏電阻常用于可見光長波段檢測，雜質(zhì)型常用于紅外波段至遠(yuǎn)紅外波段光輻射的檢測。光敏電阻設(shè)計(jì)的基本原則光敏電阻在弱光輻射下光電導(dǎo)靈敏度Sg與光敏電阻兩電極間距離l的平方成反比，在強(qiáng)輻射作用下Sg與l的二分之三次方成反比，因此在設(shè)計(jì)光敏電阻時(shí)，盡可能地縮短光敏電阻兩極間距離。第6頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光敏電阻的基本結(jié)構(gòu)12321-光電導(dǎo)材料；2-電極；3-襯底材料絕緣基底光電導(dǎo)體膜第7頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三工作性能特點(diǎn)：光譜響應(yīng)范圍相當(dāng)寬?？梢姽狻⒓t外、遠(yuǎn)紅外、紫外區(qū)域工作電流大，可達(dá)數(shù)毫安。所測光電強(qiáng)度范圍寬，既可測弱光，也可測強(qiáng)光靈敏度高，光電增益可以大于1無選擇極性之分，使用方便。缺點(diǎn)：強(qiáng)光下光電線性度較差，弛豫時(shí)間過長，頻率特性差。第8頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光敏電阻的種類及應(yīng)用主要材料：Si、Ge、II-VI族和III-V族化合物，以及一些有機(jī)物。分紫外光、可見光、紅外及遠(yuǎn)紅外敏感的光敏電阻。應(yīng)用：照相機(jī)、光度計(jì)、光電自動控制、輻射測量、能量輻射、物體搜索和跟蹤、紅外成像和紅外通信等技術(shù)方面制成的光輻射接收器件。第9頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)1、光電特性光敏電阻的光電流I光與輸入輻射照度有下列關(guān)系式：其中：I光為光電流，I光=IL-Id；E為照度，γ為光照指數(shù)，與材料的入射強(qiáng)弱有關(guān)，對CdS光電導(dǎo)體，弱光照射下γ=1，強(qiáng)光下γ=0.5；U為光敏電阻兩端所加電壓，α為電壓指數(shù)，與光電導(dǎo)體和電極材料間接觸有關(guān)，歐姆接觸時(shí)α=1，非歐姆接觸時(shí)α=1.1-1.2Sg為光電導(dǎo)靈敏度，單位S/lxOI光ECdS的光電特性對CdS光電導(dǎo)體，弱光照射下γ=1，強(qiáng)光下γ=0.5；為什么？光照增強(qiáng)的同時(shí)，載流子濃度不斷的增加，同時(shí)光敏電阻的溫度也在升高，從而導(dǎo)致載流子運(yùn)動加劇，因此復(fù)合幾率也增大，光電流呈飽和趨勢。（冷卻可以改善）第10頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三2、伏安特性（輸出特性）一定光照下，光敏電阻的光電流與所加電壓關(guān)系即為伏安特性。3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)允許的功耗線O10電壓V/VI光/mA510050100lx10lx250mW光敏電阻的伏安特性光敏電阻為一純電阻，符合歐姆定律，曲線為直線。但對大多數(shù)半導(dǎo)體，電場強(qiáng)度超過時(shí)，不再遵守歐姆定律。而CdS在100V時(shí)就不成線性了。

第11頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)3、溫度特性光敏電阻為多數(shù)載流子導(dǎo)電的光電器件，具有復(fù)雜的溫度特性。不同材料的光敏電阻溫度特性不同。書25頁中圖3-5中為CdS和CdSe光敏電阻不同照度下的溫度特性曲線。可以看出溫度升高可以導(dǎo)致材料光電導(dǎo)率的下降。實(shí)際中往往采用控制光敏電阻工作的溫度的辦法提高工作穩(wěn)定性。第12頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)

換句話說，溫度的變化，引起溫度噪聲，導(dǎo)致光敏電阻靈敏度、光照特性、響應(yīng)率等都發(fā)生變化。為了提高靈敏度，必須采用冷卻裝置，尤其是雜質(zhì)型半導(dǎo)體對長波長紅外輻射檢測領(lǐng)域更為重要。溫度特性第13頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)4、前歷效應(yīng)指光敏電阻的時(shí)間特性與工作前“歷史”有關(guān)的一種現(xiàn)象。即測試前光敏電阻所處狀態(tài)對光敏電阻特性的影響。暗態(tài)前歷效應(yīng)：指光敏電阻測試或工作前處于暗態(tài)，當(dāng)它突然受到光照后光電流上升的快慢程度。一般地，工作電壓越低，光照度越低，則暗態(tài)前歷效應(yīng)就越重，光電流上升越慢。1-黑暗放置3分鐘后

2-黑暗放置60分鐘后

3-黑暗放置24小時(shí)后第14頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三亮態(tài)前歷效應(yīng)：光敏電阻測試或工作前已處于亮態(tài)，當(dāng)照度與工作時(shí)所要達(dá)到的照度不同時(shí)，所出現(xiàn)的一種滯后現(xiàn)象。3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)前歷效應(yīng)第15頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)5、頻率特性

光敏電阻的時(shí)間常數(shù)較大，所以其上限頻率f上低，只有PbS光敏電阻的工作頻率特性達(dá)到幾千赫茲。當(dāng)E=0.11lx時(shí)，光敏電阻tr=1.4s，E=10lx時(shí)，光敏電阻tr=66mS,E=100lx時(shí)，光敏電阻tr=6mS。同時(shí)，時(shí)間特性與輸入光的照度、工作溫度有明顯的依賴關(guān)系。4123O1f/Hz相對輸出0.41051010.20.60.81021031041-Se；2-CdS；3-TlS；4-PbS第16頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)6、時(shí)間響應(yīng)

光敏電阻的時(shí)間常數(shù)較大，慣性大，時(shí)間響應(yīng)比其它光電器件差。頻率響應(yīng)低。時(shí)間特性與光照度、工作溫度有明顯的依賴關(guān)系。Τ’rΤ’fEtOi(%)tO1006337τrτf矩形光脈沖10lx100lx第17頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)7、光譜特性相對靈敏度與波長的關(guān)系可見光區(qū)光敏電阻的光譜特性光譜特性曲線覆蓋了整個(gè)可見光區(qū)，峰值波長在515～600nm之間。尤其硫化鎘（2）的峰值波長與人眼的很敏感的峰值波長（555nm）是很接近的，因此可用于與人眼有關(guān)的儀器。第18頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.2、光敏電阻特性參數(shù)光譜特性紅外區(qū)光敏電阻的光譜特性注明：此特性與所用材料的光譜響應(yīng)、制造工藝、摻雜濃度和使用的環(huán)境溫度有關(guān)。第19頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三1、常用光敏電阻CdS光敏電阻：峰值響應(yīng)波長0.52um，摻銅或氯時(shí)峰值波長變長，光譜響應(yīng)向紅外區(qū)延伸，其亮暗電導(dǎo)比在10lx照度上可達(dá)1011(一般約為106)，其時(shí)間常數(shù)與入射光強(qiáng)度有關(guān)，100lx下可達(dá)幾十毫秒。是可見光波段最靈敏的光敏電阻。PbS光敏電阻：響應(yīng)波長在近紅外波段，室溫下響應(yīng)波長可達(dá)3um，峰值探測率Dλ*=1.5Χ1011cm·Hz1/2/w。缺點(diǎn)主要是響應(yīng)時(shí)間太長，室溫條件下100-300uS。內(nèi)阻約為1MΩ，銻化銦（InSb）光敏電阻：長波限7.5um，內(nèi)阻低（約50Ω），峰值探測率Dλ*=1.2Χ1011cm·Hz1/2/w。時(shí)間常數(shù)0.02uS。零度時(shí)探測率可提高2-3倍。碲鎘汞HgCdTe系列光敏電阻。其性能優(yōu)良，最有前途的光敏電阻。不同的Cd組分比例，可實(shí)現(xiàn)1-3um,3-5um,8-14um的光譜范圍的探測。例如Hg0.8Cd0.2Te響應(yīng)在大氣窗口8-14um，峰值波長10.6um，Hg0.72Cd0.28Te響應(yīng)波長在3-5um.碲錫鉛（PbSnTe）系列光敏電阻：不同的錫組分比例，響應(yīng)波長不同。主要用在8-10um波段探測，但探測率低，應(yīng)用不廣泛。3.1.3、光敏電阻的應(yīng)用電路第20頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三2、基本偏置電路3.1.3、光敏電阻的應(yīng)用電路RPURLULI忽略暗電導(dǎo)Gd(暗電阻很大)：G=Gp=SgE或G=SgΦ即對R求導(dǎo)得到負(fù)號表示電阻是隨溫度的增加而減小。當(dāng)光通量變化時(shí)，電阻變化ΔRp，電流變化ΔI，即有：

即第21頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三2、基本偏置電路3.1.3、光敏電阻的應(yīng)用電路URLULI輸出電壓第22頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.3、光敏電阻的應(yīng)用電路1、火焰檢測報(bào)警器R12kΩ中心站放大器VDW6VR2200kΩR3PbSC168nFC268uFR43.9MΩR5820kΩR71kΩR832kΩR63.9kΩR9150kΩC44.7nF+C3100uFV1V2V3PbS光敏電阻：Rd=1MΩ,Rl=0.2MΩ，峰值波長2.2um。恒壓偏置電路高輸入阻抗放大電路Vo第23頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三快門按鈕驅(qū)動單元UthURUth=???UR=???+_ARp210kΩRp110kΩR2300ΩR15.1kΩC11uFMVDVRCdSUbb3.1.3、光敏電阻的應(yīng)用電路2、照相機(jī)電子快門第24頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3、照明燈的光電控制電路3.1.3、光敏電阻的應(yīng)用電路CKVDRCdS常閉燈~220V半波整流測光與控制執(zhí)行控制第25頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.1.4、光敏電阻使用的注意事項(xiàng)測光的光源光譜特性與光敏電阻的光敏特性相匹配。要防止光敏電阻受雜散光的影響。要防止使光敏電阻的電參數(shù)(電壓,功耗)超過允許值。根據(jù)不同用途，選用不同特性的光敏電阻。一般,數(shù)字信息傳輸:亮電阻與暗電阻差別大，光照指數(shù)γ大的光敏電阻。模擬信息傳輸:則以選用γ值小、線性特性好的光敏電阻。第26頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三分類按用途太陽能光電池：用作電源（效率高，成本低）測量用光電池：探測器件（線性、靈敏度高等）按材料硅光電池：光譜響應(yīng)寬，頻率特性好硒光電池：波譜峰值位于人眼視覺內(nèi)薄膜光電池：CdS增強(qiáng)抗輻射能力紫光電池：PN結(jié)非常?。?.2-0.3μm,短波峰值600nm3.2光電池第27頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電池是一種利用光生伏特效應(yīng)制成的不需加偏壓就能將光能轉(zhuǎn)化成電能的光電器件。3.2.1光電池的基本結(jié)構(gòu)和工作原理1、金屬-半導(dǎo)體接觸型（硒光電池）基本結(jié)構(gòu)2、PN結(jié)型幾個(gè)特征：1、柵狀電極2、受光表面的保護(hù)膜3、上、下電極的區(qū)分符號第28頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.2.2硅光電池的特性參數(shù)1、光照特性伏安特性硅光電池工作在第四象限，若工作在反偏置狀態(tài)，則伏安特性將近伸到第三象限。由光電池的電流方程：

Rs很小，可忽略，上式變?yōu)椋篟sRLVDIpI+ILRLVDILIp=Sg·E第29頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三1、光照特性3.2.2硅光電池的特性參數(shù)負(fù)載電流ILERL1RL2RL3RL4RL4RL5RL=∞RL=0Voc1Voc5Isc1Isc2Isc3Isc4Is當(dāng)IL=0時(shí)一般Ip>>Is,

當(dāng)RL=0時(shí)，Isc=Ip=Sg·E下面看兩個(gè)關(guān)系：當(dāng)E=0時(shí)第30頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三1、Voc，Isc與E的關(guān)系：當(dāng)IL=0，RL=∞時(shí)一般Ip>>Is,且Ip=Sg·E

3.2.2硅光電池的特性參數(shù)用于光電池檢測當(dāng)V=0，RL=0時(shí)，第31頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三2、Isc與E和RL的關(guān)系：3.2.2硅光電池的特性參數(shù)RL=120ΩRL=2.4kΩRL=12kΩE/lxJ/uA·mm2

當(dāng)RL=0時(shí)，

Isc=Ip=Sg·E

當(dāng)RL不為0時(shí)RLVDIL為什么RL的增加會使光電流減小？第32頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電池光照特性特征：1、Voc與光照E成對數(shù)關(guān)系；典型值在0.45-0.6V。作電源時(shí)，轉(zhuǎn)化效率10%左右。最大15.5-20%。2、Isc與E成線性關(guān)系，常用于光電池檢測，Isc典型值35-45mA/cm2。2、RL越小，線性度越好，線性范圍越寬。3、光照增強(qiáng)到一定程度，光電流開始飽和，與負(fù)載電阻有關(guān)。負(fù)載電阻越大越容易飽和。3.2.2硅光電池的特性參數(shù)第33頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三2、輸出特性3.2.2硅光電池的特性參數(shù)RL/Ω0100200300400500Voc/VIsc/mA400200

010080400PLVocILRMUL隨RL的增大而增大，直到接近飽和。RL小時(shí)IL趨近于短路電流Isc。在RL=RM時(shí)，有最大輸出功率，RM稱為最佳負(fù)載。光電池作為換能器件時(shí)要考慮最大輸出問題，跟入射光照度也有關(guān)。作為測量使用，光電池以電流使用。短路電流Isc與光照度成線性關(guān)系，RL的存在使IL隨光照度非線性的增加。RL增大，線性范圍越來越小。第34頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3、光譜特性3.2.2硅光電池的特性參數(shù)第35頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三4、溫度特性3.2.2硅光電池的特性參數(shù)Voc具有負(fù)溫度系數(shù)，其值約為2-3mV/度。Isc具有正溫度系數(shù)，但隨溫度升高增長的比例很小，約為10-5-10-3mA/度總結(jié)：當(dāng)光電池接收強(qiáng)光照時(shí)要考慮溫度升高的影響。如硅光電池不能超過200度。第36頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.2.3硅光電池的應(yīng)用1、光電池用作太陽能電池把光能直接轉(zhuǎn)化成電能，需要最大的輸出功率和轉(zhuǎn)化效率。即把受光面做得較大，或把多個(gè)光電池作串、并聯(lián)組成電池組，與鎳鎘蓄電池配合，可作為衛(wèi)星、微波站等無輸電線路地區(qū)的電源供給。2、光電池用作檢測元件利用其光敏面大，頻率響應(yīng)高，光電流與照度線性變化，適用于開關(guān)和線性測量等。第37頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電池與外電路的連接方式3.2.3硅光電池的應(yīng)用-10VVociC3DG62CR×21kΩ硅三極管的放大光電流電路-10VVociC3AX42CR鍺三極管的放大電路1kΩ光電池作緩變信號檢測時(shí)的的變換電路舉例第38頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三硅三極管放大光電流的電路+4VVociC3DG7A2CR1kΩ2AP7100Ω3.2.3硅光電池的應(yīng)用+_Δ∞VocRf2CR采用運(yùn)算放大器的電路光電池的變換電路舉例第39頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三1．太陽電池電源

太陽電池電源系統(tǒng)主要由太陽電池方陣、蓄電池組、調(diào)節(jié)控制和阻塞二極管組成。如果還需要向交流負(fù)載供電，則加一個(gè)直流－交流變換器，太陽電池電源系統(tǒng)框圖如圖。逆變器

交流負(fù)載

直流負(fù)載太陽能電池電源系統(tǒng)阻塞二極管

調(diào)節(jié)控制器太陽電池方陣第40頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三第41頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三(a)光電追蹤電路+12VR4R3R6R5R2R1WBG1BG2圖(a)為光電地構(gòu)成的光電跟蹤電路，用兩只性能相似的同類光電池作為光電接收器件。當(dāng)入射光通量相同時(shí)，執(zhí)行機(jī)構(gòu)按預(yù)定的方式工作或進(jìn)行跟蹤。當(dāng)系統(tǒng)略有偏差時(shí)，電路輸出差動信號帶動執(zhí)行機(jī)構(gòu)進(jìn)行糾正，以此達(dá)到跟蹤的目的。光電池在檢測和控制方面應(yīng)用中的幾種基本電路第42頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三BG2BG1+12VCJR1R2(b)光電開關(guān)圖(b)所示電路為光電開關(guān)，多用于自動控制系統(tǒng)中。無光照時(shí)，系統(tǒng)處于某一工作狀態(tài)，如通態(tài)或斷態(tài)。當(dāng)光電池受光照射時(shí)，產(chǎn)生較高的電動勢，只要光強(qiáng)大于某一設(shè)定的閾值，系統(tǒng)就改變工作狀態(tài)，達(dá)到開關(guān)目的。第43頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三(c)光電池觸發(fā)電路R1R2R3R4R5R6BG1BG2BG3BG4C1C2C3+12VW

圖(c)為光電池觸發(fā)電路。當(dāng)光電池受光照射時(shí)，使單穩(wěn)態(tài)或雙穩(wěn)態(tài)電路的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，改變其工作狀態(tài)或觸發(fā)器件(如可控硅)導(dǎo)通。第44頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三+12V5G23(d)光電池放大電路C3-12VWR1R2R3R4R5C1C218765432圖(d)為光電池放大電路。在測量溶液濃度、物體色度、紙張的灰度等場合，可用該電路作前置級，把微弱光電信號進(jìn)行線性放大，然后帶動指示機(jī)構(gòu)或二次儀表進(jìn)行讀數(shù)或記錄。

在實(shí)際應(yīng)用中，主要利用光電池的光照特性、光譜特性、頻率特性和溫度特性等，通過基本電路與其它電子線路的組合可實(shí)現(xiàn)或自動控制的目的。第45頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三220VC1路燈CJD-108V200μF200μFC2C3100μFR1R3R5R7R4R6R7R2J470kΩ200kΩ10kΩ4.3kΩBG1280kΩ25kΩ57kΩ10kΩ路燈自動控制器BG2BG3BG42CR第46頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電二極管的分類：按材料分，光電二極管有硅、砷化鎵、銻化銦光電二極管等許多種。按結(jié)構(gòu)分，有同質(zhì)結(jié)與異質(zhì)結(jié)之分。其中最典型的是同質(zhì)結(jié)硅光電二極管。國產(chǎn)硅光電二極管按襯底材料的導(dǎo)電類型不同，分為2CU和2DU兩種系列。2CU系列以N-Si為襯底，2DU系列以P-Si為襯底。2CU系列的光電二極管只有兩條引線，而2DU系列光電二極管有三條引線。3.3光電二極管與光電三極管第47頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.3光電二極管與光電三極管光電二極管與光電池的特性比較基本結(jié)構(gòu)相同，由一個(gè)PN結(jié)；光電二極管的光敏面小，結(jié)面積小，頻率特性好，雖然光生電動勢相同,但光電流普遍比光電池小,為數(shù)微安。摻雜濃度：光電池約為1016-1019/cm3，硅光電二極管1012~1013/cm3，電阻率：光電池0.1-0.01Ω/cm，光電二極管1000Ω/cm。光電池零偏壓下工作，光電二極管反偏壓下工作。光電二極管的類型：硅、鍺、PIN、APD第48頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三3.3光電二極管與光電三極管光電二極管的工作原理NP光+_外加反向偏壓符號第49頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電二極管的基本結(jié)構(gòu)3.3光電二極管與光電三極管N環(huán)極前極N+N+P后極環(huán)型光電二極管的結(jié)構(gòu)前級后級環(huán)級VARLhν等效電路第50頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電二極管的伏安特性IUOE2>E1>E0E0E1E3加正向偏壓時(shí)，表現(xiàn)為單向?qū)щ娦?。作為光敏二極管使用時(shí)，需要加反向偏壓，當(dāng)有光照時(shí)會產(chǎn)生光電流，且光電流遠(yuǎn)大于反向飽和電流。反向偏壓可以減小載流子的渡越時(shí)間和二極管的極間電容。反向偏壓較小時(shí)反向電壓達(dá)到一定值時(shí)。uiO暗電流E=200lxE=400lx第51頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電二極管的光譜特性1、光敏二極管在較小負(fù)載電阻下，光電流與入射光功率有較好的線性關(guān)系。2、光敏二極管的響應(yīng)波長與GaAs激光管和發(fā)光二極管的波長一致，組合制作光電耦合器件。3、光電二極管結(jié)電容很小，頻率響應(yīng)高，帶寬可達(dá)100kHz。第52頁，共59頁，2023年，2月20日，星期三光電二極管的溫度特性光電二極管的溫度特性主要是指反向飽和電流對溫度的依賴性，暗電