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145.518.318.363.0518.318.371.5 17.5 17.569.476.476.419.320.881.994.394.324.09526.6104.3 5.417.5.8.86.822.09.532.120162017201820192020202120222023E2024E2025E2026E2027E類半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率主要由該類設(shè)備的技術(shù)壁壘高度決C圖表11半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率(按收入計(jì)),中國(guó),2016,2022,2027EE%試機(jī)國(guó)產(chǎn)化率模擬測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化率件測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化率機(jī)國(guó)產(chǎn)化率%體測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化率%7.中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)政策與行業(yè)監(jiān)管分析相繼出臺(tái)各項(xiàng)具體產(chǎn)業(yè)政策,支持鼓勵(lì)市場(chǎng)發(fā)展。作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)性、戰(zhàn)技術(shù)產(chǎn)業(yè),中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)行業(yè)將在國(guó)家政府、地方政府、行業(yè)協(xié)會(huì)出臺(tái)的策年《工業(yè)能效提升技術(shù)在移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)年《“十四五”國(guó)權(quán)保護(hù)》、量健康、腦科學(xué)、生物育種、空天科技、深地深海探測(cè)等年《“十四五”國(guó)設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料年《“十四五”數(shù)基礎(chǔ)軟硬件、核心電子元器件、關(guān)鍵向多元化應(yīng)用場(chǎng)景的技術(shù)融合和產(chǎn)品創(chuàng)、新能源汽車、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈體系。年《新時(shí)期促進(jìn)集路產(chǎn)業(yè)和軟業(yè)高質(zhì)量發(fā)政策》至第五年按年《關(guān)于推動(dòng)服務(wù)礎(chǔ)軟件、集成電路設(shè)計(jì)、區(qū)塊鏈等信息技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用納入國(guó)家科技計(jì)劃(專項(xiàng)、基金等)持范圍。培育一批信息技術(shù)外包和制造業(yè)融合發(fā)展示范企業(yè)。8.中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)產(chǎn)品技術(shù)分析方面不存在較大差異,但在技術(shù)難度、應(yīng)用領(lǐng)域等SoC難度較小。具體對(duì)比情況如下。用場(chǎng)景處理器、CPU、GPU、APODEM?可并測(cè)幾百到幾千個(gè)引腳和類型的芯片。應(yīng)各種不同的、不斷迭代的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。此外對(duì)信號(hào)頻率、測(cè)試精度、測(cè)試信號(hào)的靈活性及多樣性的要求較高,尤其是對(duì)數(shù)字通道測(cè)試頻率要求較高。?SoC測(cè)試機(jī)通過(guò)集成數(shù)字板卡、射頻板卡、模擬混合卡等測(cè)試架構(gòu),以覆蓋多種芯片的測(cè)試需復(fù)雜,對(duì)測(cè)試機(jī)的穩(wěn)定度也造成了挑戰(zhàn)。?可并測(cè)幾百到上萬(wàn)個(gè)引腳?存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)的技術(shù)難度較高,但僅針對(duì)單一類存儲(chǔ)動(dòng)算法等要求較高。盡由于存儲(chǔ)單元較機(jī)的并測(cè)引腳數(shù)高。?存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)主要針對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試,其基本原理驗(yàn)讀回的數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)試。模擬測(cè)試機(jī)模擬電路、、電源?可并測(cè)幾十到幾百個(gè)引腳技術(shù)難度中等。?模擬測(cè)試機(jī)技術(shù)難度主要體現(xiàn)于對(duì)測(cè)試精度的準(zhǔn)確?模擬測(cè)試機(jī)通過(guò)改變輸入模擬芯片的模擬/數(shù)字信?可能被通用測(cè)試儀器取代。間間?可并測(cè)幾十到上百個(gè)引腳?分立器件測(cè)試機(jī)的技術(shù)難度中等。?大功率器件和第三代半導(dǎo)體在高壓和大電流參數(shù)等?分立器件測(cè)試機(jī)通過(guò)改變分立器件承受的電壓電?可能被通用測(cè)試儀器取代。應(yīng)用間?可并測(cè)幾十到上百個(gè)引腳?射頻測(cè)試機(jī)技術(shù)難度較高,但僅針對(duì)單一類射頻芯?射頻測(cè)試機(jī)測(cè)試專用射頻板卡需支持最新通信協(xié)議頻率范圍要求高。?射頻測(cè)試機(jī)通過(guò)在特定時(shí)段內(nèi)發(fā)出特定頻率及功率監(jiān)測(cè)收回的信號(hào)進(jìn)行分析,達(dá)到測(cè)試射?可能被通用測(cè)試儀器取代。道具有協(xié)同芯片各部分同步工作的能力,國(guó)內(nèi)頭部廠商已在產(chǎn)品架構(gòu)中設(shè)計(jì),國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)已推出通過(guò)更換不同測(cè)試模塊測(cè)。9.中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素分析擴(kuò)產(chǎn)潮; (2)芯片技術(shù)升級(jí);(3)半導(dǎo)體終端產(chǎn)品應(yīng)用面的擴(kuò)展;(4)政策支持。在上述因中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)將保持快速增長(zhǎng)。(1)全球晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)潮廠并新增晶圓產(chǎn)線。2022年全球晶圓廠產(chǎn)能增長(zhǎng)約%的增長(zhǎng)率實(shí)現(xiàn)連續(xù)第三年增長(zhǎng)。新晶圓廠的建設(shè)與新增晶圓產(chǎn)線將釋放大量對(duì)包半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備在內(nèi)的各類半導(dǎo)體設(shè)備的增量需求。在這一利好因素的驅(qū)動(dòng)下,下(2)芯片技術(shù)升級(jí),摩爾定律不斷推動(dòng)芯片線寬縮小。目前國(guó)際一流晶圓代工廠臺(tái)積電已經(jīng)量mnm加,個(gè)別制t已成為半導(dǎo)體工業(yè)重要發(fā)展方向之一。該模式將芯片分區(qū)制作成die(裸片),再通過(guò)dietodie將多個(gè)模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片組合,形成系統(tǒng)級(jí)封裝 需求大幅提升。(3)半導(dǎo)體終端產(chǎn)品應(yīng)用面的擴(kuò)展擴(kuò)展帶動(dòng)中國(guó)芯片的需求近年來(lái)快速增長(zhǎng),中國(guó)半導(dǎo)體G,新能源汽車、新能源汽車充電樁等新興終端應(yīng)用場(chǎng)景逐步面對(duì)于芯片自給的鼓勵(lì)和支持,預(yù)計(jì)中國(guó)上游晶圓制造和半時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定快速增長(zhǎng)。(4)政策支持片、等創(chuàng)新,加快集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)。這策明確了半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)行業(yè)作為基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性高技術(shù)產(chǎn)業(yè),在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中10.中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)分析(1)國(guó)產(chǎn)替代率逐步提升測(cè)試環(huán)節(jié)技術(shù)難度大、壁壘高,中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率始終處于較低備技術(shù)及設(shè)備產(chǎn)量已有所提升。目前已有一批國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)制造商取得突導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的必然趨勢(shì)。(2)SoC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大例如在汽車領(lǐng)域,隨著汽車電子逐漸向自動(dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展,人機(jī)交互和一(3)
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