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【方正新興產(chǎn)業(yè)·【方正新興產(chǎn)業(yè)·深度報(bào)告】民德電子(300656.SZ):聚焦功率半導(dǎo)體,打造自主可控供應(yīng)鏈分析師:段迎晟分析師:王玉登記編號(hào):S1220520120001登記編號(hào):S1220521010001證券研究報(bào)告2023年5月4日-1--2-核心觀點(diǎn)1.公司基本盤穩(wěn)固,新主業(yè)轉(zhuǎn)型功率半導(dǎo)體smartIDM,而非股權(quán)投資:條碼識(shí)別業(yè)務(wù)預(yù)期保持20%穩(wěn)定增長(zhǎng),公司沿著分銷、設(shè)計(jì)、晶圓代工、超薄背道代工、材料,實(shí)現(xiàn)了功率半導(dǎo)體材料和晶圓廠產(chǎn)業(yè)鏈全覆蓋。晶圓代工的廣芯微電子項(xiàng)目一期總投資十幾億,設(shè)備部分主要由上市公司出資購(gòu)買,謝剛博士(公司的第9大股東)持有36.06%,公司持有34.43%,麗水市兩家政府基金各持有14.75%,公司如果回購(gòu)持股比例最高可達(dá)50%,未來不排除并入上市公司的可能性。2.自建晶圓代工廠廣芯微投產(chǎn)在即,廣微集成功率芯片產(chǎn)能打開十倍增長(zhǎng)空間:廣微集成設(shè)計(jì)的肖特基二極管市占率高,原有7000片/月6寸產(chǎn)能,受限于代工廠產(chǎn)能制約;公司工藝能力強(qiáng),已經(jīng)在12英寸晶圓代工廠生產(chǎn)SGT-MOSFET,鎖定產(chǎn)能為2,000片/月。廣芯微購(gòu)買日本整線6寸二手設(shè)備,預(yù)計(jì)5月19日投產(chǎn)通線,產(chǎn)品包括MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管、900-1500V高壓MOS、IGBT、碳化硅功率器件等產(chǎn)品,一期產(chǎn)能規(guī)劃12-14萬片/月,相比對(duì)手公司技術(shù)能力強(qiáng),成本控制好,人均產(chǎn)能高。另,預(yù)留二期項(xiàng)目用地,用于建設(shè)8或12英寸晶圓代工產(chǎn)能。3.參與創(chuàng)立大硅片和減薄公司,全方位布局硅基&碳化硅器件自主可控供應(yīng)鏈:公司參與創(chuàng)立的大硅片材料晶睿電子,滿足功率芯片特殊的外延片需求,是電子級(jí)晶圓片、外延片(6-12英寸)等,2020年5月成立,2021年8月投產(chǎn),2022年實(shí)現(xiàn)銷售額近3億元,凈利潤(rùn)近4,000萬元,特種硅片和碳化硅外延片進(jìn)入試生產(chǎn)階段,對(duì)標(biāo)立昂微。公司參與創(chuàng)業(yè)的芯微泰克,做硅片、SiC器件背面減薄工藝,掌握超薄芯片減薄、背面離子注入、激光退火、背面金屬化、超薄芯片CP測(cè)試等關(guān)鍵設(shè)備及工藝,預(yù)計(jì)今年三季度投產(chǎn),一期投資3億多元。民德電子成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)少數(shù)在芯片設(shè)計(jì)、材料、晶圓制造均有布局的企業(yè),構(gòu)建起深厚的產(chǎn)業(yè)鏈護(hù)城河。-3-核心觀點(diǎn)4.盈利預(yù)測(cè)及投資評(píng)級(jí):現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為11.42/19.68/24.64億元,YOY120.41%/72.29%/25.20%,歸母凈利潤(rùn)期-4-11、條碼識(shí)別基本盤穩(wěn)固,功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮眼2、行業(yè)政策雙驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)廣闊4、分業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)測(cè)/盈利預(yù)測(cè)/公司財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)表/可比公司一致預(yù)期/投資建議/風(fēng)險(xiǎn)提示-5--5-公司基本情況民德電子主要從事條碼識(shí)別設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù),以及功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和分銷業(yè)務(wù)。其中條碼識(shí)別設(shè)備廣泛應(yīng)用于零售、物流、倉(cāng)儲(chǔ)、醫(yī)療健康、工業(yè)制造和電子商務(wù)等產(chǎn)業(yè)的信息化管理領(lǐng)域;功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)主要應(yīng)用在光伏逆變、電源適配器、智能電網(wǎng)、工業(yè)PFC、汽車電子等場(chǎng)景,并通過參股投資,布局上游半導(dǎo)體硅片、晶圓代工、超薄片背道代工業(yè)務(wù);電子元器件分銷業(yè)務(wù)以被動(dòng)元器件為主,含新能源動(dòng)力和儲(chǔ)能電池業(yè)務(wù),下游主要覆蓋汽車電子、移動(dòng)通訊設(shè)備、云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、無人機(jī)等領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先客戶以及各類儲(chǔ)能市場(chǎng)客戶。務(wù)-6--6-廣微集成廣芯微電子22.1%83.5%控股及參股架構(gòu)芯微泰克上市公司主體君安技術(shù)泰博迅睿晶睿電子廣微集成廣芯微電子22.1%83.5%控股及參股架構(gòu)芯微泰克上市公司主體君安技術(shù)泰博迅睿晶睿電子公司歷史發(fā)展及架構(gòu)公司成立于2004年,是一家專業(yè)從事條碼識(shí)讀設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和品牌營(yíng)銷的科技公司,2017年實(shí)現(xiàn)創(chuàng)業(yè)板上市,代碼為300656.SZ。上市以來,民德電子抓住國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的時(shí)代機(jī)遇,聚焦于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,逐步實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。先后在2018年收購(gòu)泰博訊睿,2020年收購(gòu)廣微集成并參股晶睿電子,2021-2022年參股浙江廣芯微電子和浙江芯微泰克。民德電子現(xiàn)已成國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,少數(shù)在芯片設(shè)計(jì)、材料、晶圓制造均有布局的企業(yè),構(gòu)建起深民德電子厚的產(chǎn)業(yè)鏈護(hù)城河民德電子麗雋半導(dǎo)體碼識(shí)別業(yè)務(wù)生產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)設(shè)計(jì)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和分銷業(yè)務(wù)-7--7-0公司營(yíng)收情況從公司整體營(yíng)收來看,業(yè)務(wù)增長(zhǎng)平穩(wěn)。公司總營(yíng)收從2018年的2.75億元增長(zhǎng)為2022年的5.18億元,復(fù)合增長(zhǎng)率為17%。歸母凈利潤(rùn)從2018年的0.53億元穩(wěn)步增長(zhǎng)至2022年的0.90億元,呈現(xiàn)平穩(wěn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2022年受廣微集成代工廠產(chǎn)能減少影響,營(yíng)收小幅下滑。但6英寸晶圓代工正在轉(zhuǎn)向以民德參股的廣芯微電子為主,產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)旎ò鍙氐状蜷_,且12英寸代工廠產(chǎn)能也逐步釋放。伴隨著相關(guān)參控股公司產(chǎn)線的不斷投產(chǎn),以及行業(yè)下游整體需求的提升,公司未來五年步入快速成長(zhǎng)階段。營(yíng)業(yè)收入及增長(zhǎng)率歸母凈利潤(rùn)及增長(zhǎng)率65432105.18124.09%.0320182019202020212022營(yíng)業(yè)總收入(億元)同比增長(zhǎng)40.00%117.54%42.68%20182019202020212022歸母凈利潤(rùn)(億元)同比增長(zhǎng)40.00%-8--8-公司營(yíng)收結(jié)構(gòu)公司17年上市以來積極收購(gòu)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域公司,公司信息識(shí)別產(chǎn)品在絕對(duì)值上仍然保持增加,但占比在逐漸減小,公司營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)逐漸轉(zhuǎn)為半導(dǎo)體及功率半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品上。在2020年和2021年,功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比為7%和13%,逐漸盈利。2022年公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)略有縮減,這主要是由于子公司廣微集成6英寸晶圓代工產(chǎn)能遷移,產(chǎn)能暫時(shí)性縮減所致。后續(xù)廣微集成6英寸晶圓代工產(chǎn)能將以公司參股晶圓代工廠廣芯微電子(浙江麗水)為主。產(chǎn)能天花板打開后,未來功率半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)動(dòng)力十足。%%%%%%%%%2018-2022年?duì)I業(yè)收入產(chǎn)品構(gòu)成1.571.762.1120182019202020212022半導(dǎo)體信息識(shí)別產(chǎn)品功率半導(dǎo)體產(chǎn)品物流自勱化產(chǎn)品-9-1、條碼識(shí)別基本盤穩(wěn)固,功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮眼22、行業(yè)政策雙驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)廣闊4、分業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)測(cè)/盈利預(yù)測(cè)/公司財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)表/可比公司一致預(yù)期/投資建議/風(fēng)險(xiǎn)提示-10--10-風(fēng)電光伏工業(yè)電機(jī)儲(chǔ)能風(fēng)電光伏工業(yè)電機(jī)儲(chǔ)能市場(chǎng)容量:功率半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛功率半導(dǎo)體的定義:功率半導(dǎo)體器件(PowerElectronicDevice)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電路變換和控制的核心電子器件。功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。新能源時(shí)代下,功率半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛:主要應(yīng)用在以下領(lǐng)域:電力電子領(lǐng)域、電動(dòng)汽車領(lǐng)域、高鐵地鐵和列車領(lǐng)域、工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域、太陽能領(lǐng)域。近年來伴隨著新能源、電動(dòng)汽車、智能控制等應(yīng)用領(lǐng)域的大踏步發(fā)展,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng),市場(chǎng)潛力巨大。新能源汽新能源汽車市場(chǎng)容量:電動(dòng)領(lǐng)域價(jià)值增量顯著功率半導(dǎo)體器件在電動(dòng)汽車領(lǐng)域價(jià)值量顯著增大:2019年傳統(tǒng)燃油車中功率半導(dǎo)體成本較低,僅為71美元;而混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車中功率半導(dǎo)體成本就顯著提高,分別達(dá)到425美元和387美元,分別是傳統(tǒng)燃油車成本的6倍和5.5倍。具體來看,電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)MOSFET的需求進(jìn)一步增加,每個(gè)LED車燈需要的MOSFET數(shù)量也大幅增加,甚至達(dá)到18顆,新型車頂和側(cè)邊漸變玻璃對(duì)于MOSFET的需求相對(duì)與傳統(tǒng)汽車也有一定增長(zhǎng)。據(jù)測(cè)算傳統(tǒng)燃油乘用車單車半導(dǎo)體價(jià)值量約為500美元,其中功率半導(dǎo)體的價(jià)值量約占20%,即約100美元;而純電、插混新能源汽車單車半導(dǎo)體價(jià)值量則陡增至約1000美元,其中功率半導(dǎo)體的價(jià)值量占據(jù)絕大部分份額。種類/美元傳統(tǒng)燃油汽車新能源汽車半導(dǎo)體價(jià)值量(美5001000功率半導(dǎo)體價(jià)值量(美元)100500以上% 40.00%61.70%53.30%6市場(chǎng)容量:新能源汽車行業(yè)需求旺盛新能源汽車大潮,功率半導(dǎo)體增量時(shí)代:2022年全球電動(dòng)汽車(BEV和PHEV)銷量約為1050萬輛,比2021年增量在2022年增長(zhǎng)了93.4%,高于全球同期水平,總銷售量來到了688.7萬00國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量及增長(zhǎng)率情況2016201720182019202020212022銷量(萬輛)同比增速00國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量及增長(zhǎng)率情況324.42.53%126.279.1%016201720182019202020212022銷量(萬輛)同比增速市場(chǎng)容量:功率半導(dǎo)體市場(chǎng)方興未艾全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)方興未艾:放眼全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng),從2017年的441億美元增長(zhǎng)到2021年的462億美元,市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)還處于一個(gè)比較平穩(wěn)的階段。但考慮到全球新能源汽車銷量的增長(zhǎng),以及功率半導(dǎo)體的相關(guān)大范圍應(yīng)用,我們預(yù)計(jì)未來幾年會(huì)有一段穩(wěn)定的快速增長(zhǎng)時(shí)期,到2024年全球市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)到522億美元,進(jìn)入人民幣三千億時(shí)代。國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)下,中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)未來可期:整體國(guó)內(nèi)新能源汽車行業(yè)的高速發(fā)展,加之現(xiàn)實(shí)的芯片短缺,將促使下游中小用戶大批量換用國(guó)產(chǎn)器件。我們預(yù)計(jì)未來中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步上升,國(guó)產(chǎn)品牌占比大幅提高。全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)情況中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)情況000004.37%4814.11%12424.37%4814.11%124211201720182019202020212022E2023E2024E全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(億美元)YOY4.95%50-2.00% -3.39%00201720182019202020212022E2023E2024E中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(億美元)YOY電源轉(zhuǎn)換GaN系統(tǒng)DC-DC85%95%AC-DC85%90%DC-AC96%99%行業(yè)技術(shù)變革:第三代半導(dǎo)體行業(yè)替代氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,有較寬的禁帶寬度,臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)程國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體市場(chǎng):存在追趕空間國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料布局較早,全面性好:第三代產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)均有企業(yè)涉足,布局規(guī)劃較早。具體來說,從事襯底片的國(guó)內(nèi)廠商主要有露笑科技、三安光電、天科合達(dá)、山東天岳、維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電等等;從事外延片生產(chǎn)的廠商主要有瀚天天成、東莞天域、晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源、英諾賽科等。蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等同時(shí)從事設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)多環(huán)節(jié),從事第三代半導(dǎo)體器件的廠商較多,包括比亞迪半導(dǎo)體、聞泰科技、華潤(rùn)微、士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)等。襯底外延設(shè)計(jì)制造封測(cè)應(yīng)用射頻天科合達(dá)瀚天天成蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所華為蘇州納維晶湛半導(dǎo)體華為海思三安集成華天科技東莞中鎵聚能晶源中興微電子海威華芯片長(zhǎng)電科技中國(guó)移勱上海鎵特英諾賽科遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)泰科天潤(rùn)中國(guó)電信電力電子露笑科技能華微電子華功半導(dǎo)體、能華微電子、英諾賽科科恒晶體東莞天成芯合電子三安集成華天科技鎵鋁光電西電頂諾威電子海威華芯片長(zhǎng)電科技山東天岳華功半導(dǎo)體方正微電子楊杰科技光電子?xùn)|尼電子華燦光電、三安光電木林森華為楚江新材德豪潤(rùn)達(dá)天通股份國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體市場(chǎng):政策驅(qū)動(dòng)政策驅(qū)動(dòng)帶動(dòng)行業(yè)加速追趕:中國(guó)有巨大的內(nèi)需型半導(dǎo)體市場(chǎng),每年進(jìn)口價(jià)值數(shù)千億美元的芯片產(chǎn)品,卡脖子風(fēng)險(xiǎn)巨大。作為電動(dòng)汽車,新能源領(lǐng)域的關(guān)鍵一環(huán),防止卡脖子的第三代半導(dǎo)體被賦予戰(zhàn)略意義,并在2021年列入十四五規(guī)劃。在巨大內(nèi)需催生的國(guó)產(chǎn)替代的大勢(shì)下,國(guó)內(nèi)廠商建設(shè)的積極性很高。若能順利實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料替市場(chǎng)真空,國(guó)內(nèi)廠商潛在增長(zhǎng)市場(chǎng)巨大。-17--17-排名企業(yè)名稱排名企業(yè)名稱單位:百萬美元部2021銷售額2020銷售額2019銷售額1英飛凌德國(guó)4869400237382安森美美國(guó)2051161217113意法半導(dǎo)體瑞士1714112611924三菱電機(jī)1476125112335富士電機(jī)11739487756東芝9968788617威世美國(guó)9967748248安世半導(dǎo)體中國(guó)6724694969瑞薩半導(dǎo)體64550555010羅姆半導(dǎo)體634493493國(guó)產(chǎn)化率仍有較大空間功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)外廠商優(yōu)勢(shì)明顯:2021年全球前十大功率半導(dǎo)體公司除被收購(gòu)的安世半導(dǎo)體之外,均為海外廠商,競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)集中。據(jù)Omdia預(yù)計(jì),英飛凌、安森美、意法為行業(yè)前三名參與者,市場(chǎng)份額分別占比32%、13%、11%,行業(yè)CR3為57%,CR5為74%。相比美日歐強(qiáng)勢(shì)的市占率,中國(guó)在此榜單中僅有安世半導(dǎo)體入選。但作為最大的功率半導(dǎo)體采購(gòu)國(guó),中國(guó)占據(jù)了全球近4成的需求。目前雖然自給率依舊較低,在國(guó)產(chǎn)替代的政策指引下,國(guó)產(chǎn)化率有望快速提升,國(guó)內(nèi)品牌市場(chǎng)潛力很大。2021-18-1、條碼識(shí)別基本盤穩(wěn)固,功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮眼2、行業(yè)政策雙驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)廣闊4、分業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)測(cè)/盈利預(yù)測(cè)/公司財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)表/可比公司一致預(yù)期/投資建議/風(fēng)險(xiǎn)提示-19--19-業(yè)務(wù)模式:構(gòu)建smartIDM生態(tài)圈國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域采取IDM模式較少:總的來說功率半導(dǎo)體企業(yè)主要有三種業(yè)務(wù)模式,IDM模式、Foundry模式和Fabless模式。IDM模式指的是集芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試等多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身,F(xiàn)abless是指無工廠模式,就是只做芯片設(shè)計(jì)和銷售,其它環(huán)節(jié)全都使用外部資源,使用這種模式的有高通、聯(lián)發(fā)科等公司。而Foundry是指代工廠模式,就是不負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì),只進(jìn)行芯片生產(chǎn)的模式。國(guó)外巨頭大多采用IDM模式,大部分中國(guó)企業(yè)還是傾向于Fabless模式,主要因?yàn)楣β拾雽?dǎo)體并不需要特別高精尖的晶圓代工,單獨(dú)建產(chǎn)線資本回收期很長(zhǎng),而且國(guó)內(nèi)有較多工藝成熟的代工廠,因此作為后進(jìn)者,國(guó)內(nèi)企業(yè)采用Fabless有利于快速追趕。IDM流程圖商業(yè)模式代表廠商IDM廠商英飛凌、意法半導(dǎo)體、比亞迪微電子、中車時(shí)代、士蘭微等Fabless廠商高通、聯(lián)収科、華為Foundry廠商臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)華電子、中芯國(guó)際等-20--20-民德電子民德電子IDM生態(tài)圈業(yè)務(wù)模式:構(gòu)建smartIDM生態(tài)圈民德電子積極構(gòu)建自身smartIDM生態(tài)圈:IDM模式的成本較高,但一體化的設(shè)計(jì)制造可以充分發(fā)掘技術(shù)潛力,有條件率先實(shí)驗(yàn)并推行新的半導(dǎo)體技術(shù)(如FinFet),并能在很大程度上做到產(chǎn)業(yè)鏈的獨(dú)立性。民德電子通過資本投資方式,構(gòu)建功率半導(dǎo)體獨(dú)特smartIDM生態(tài)圈,堅(jiān)持開放包容、協(xié)同創(chuàng)新的機(jī)制,每一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)均有一家或多家創(chuàng)新型企業(yè)參與。每一家企業(yè)都集中資源和精力聚焦于自身領(lǐng)域的創(chuàng)新突破,專業(yè)化分工較傳統(tǒng)IDM更強(qiáng)。民德電子投資收購(gòu)構(gòu)建生態(tài)供應(yīng)硅片晶圓代工背道減薄超薄片背道片廠供應(yīng)硅片晶圓代工背道減薄超薄片背道片廠導(dǎo)體功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司A功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司C-21--21-薄背道代工廠薄背道代工廠業(yè)務(wù)協(xié)同性強(qiáng),構(gòu)建smartIDM模式目前,公司參控股公司已形成了較強(qiáng)的業(yè)務(wù)協(xié)同。晶睿電子致力硅片供應(yīng),廣芯微電子布局晶圓代工,芯微泰克提供超薄背道代工,廣微集成立足功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì),泰博訊睿作產(chǎn)品分銷,構(gòu)建了smartIDM模式。smartIDM生態(tài)圈的成功構(gòu)建,將使產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈各環(huán)節(jié)企業(yè)均受益:彼此既能在戰(zhàn)略上相互協(xié)同,守望相助;又各自保持獨(dú)立運(yùn)營(yíng),充功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈民德電子投資布局情況子22.1%子34.43%泰克33.33%成83.51%5.8%收購(gòu)泰博迅睿泰克子-22--22-參、控股公司業(yè)務(wù)簡(jiǎn)介關(guān)聯(lián)公司股權(quán)比例主要業(yè)務(wù)產(chǎn)線情況泰博訊睿100%(控股)購(gòu)入各類規(guī)格、型號(hào)的電子元器件,并通過自身的分銷渠道,為下游各個(gè)領(lǐng)域的行業(yè)客戶提供綜合解決方案。分銷業(yè)務(wù)目前以被動(dòng)元器件為主,并逐步拓展主動(dòng)元器件系列產(chǎn)品。關(guān)聯(lián)公司股權(quán)比例主要業(yè)務(wù)產(chǎn)線情況廣微集成83.51%(控股)包括MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管(MFER)、超級(jí)結(jié)MOS、快恢復(fù)二極管(FRD)、分離柵低壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SGT-MOSFET),將逐步推出包括900-1500V高壓MOS、IGBT、碳化硅器件等系列新品。2022年開發(fā)SGT-MOSFET產(chǎn)品,目前60V系列產(chǎn)品已量產(chǎn),80V、100V系列產(chǎn)品已完成工程批并預(yù)計(jì)今年上半年量產(chǎn)。下半年將啟動(dòng)SGT-MOSFET150V、200V產(chǎn)品開發(fā)工作麗雋半導(dǎo)體5.8%(參股)從事功率半導(dǎo)體器件和集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù),自主研發(fā)的產(chǎn)品系列包括VDMOS、TRENCH/SGTMOS、IGBT、高頻器件等。2022年實(shí)現(xiàn)20-200V溝槽、SGT-MOS等產(chǎn)品,同時(shí)在2022年末啟動(dòng)碳化硅、碳化鎵等第三代半導(dǎo)體器件研制工作。關(guān)聯(lián)公司公司類型股權(quán)比例主要業(yè)務(wù)產(chǎn)線情況晶睿電子半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)22.1%(參股)硅拋光片上的外延,器件工藝過程中的埋層外延,以及功率器件CoolMOS中的外延。目前,量產(chǎn)的產(chǎn)品為4/5/6/8英寸硅基外延片,產(chǎn)能25萬片/月,碳化硅已經(jīng)開始送樣,并且開始拉單晶,對(duì)標(biāo)立昂微相似。廣芯微電子晶圓代工生產(chǎn)34.43%(參股)高端特色工藝半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù),包括低中高壓MOSFET、溝槽式肖特基二極管、高頻三極管、碳化硅肖特基二極一期產(chǎn)能規(guī)劃為10萬片/月的6英寸晶圓代工,二期3萬片8英寸晶圓代工產(chǎn)能。以硅基產(chǎn)品晶圓代工為主,碳化硅產(chǎn)品晶圓代工為輔,預(yù)計(jì)2023年陸續(xù)通線量產(chǎn)。芯微泰克超薄片背道生產(chǎn)33.33%(參股)為功率器件設(shè)計(jì)公司和晶圓廠客戶提供定制化的超薄片背道代工服務(wù)。第一期計(jì)劃投資約3億元,建設(shè)年產(chǎn)能達(dá)50萬片。項(xiàng)目于去年11月正式動(dòng)工建設(shè),目前在進(jìn)行廠房等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),預(yù)計(jì)今年三季度通線量產(chǎn)。-23--23-半導(dǎo)體設(shè)計(jì)布局:廣微集成廣微集成公司成立于2016年,從事功率半導(dǎo)體器件的自主研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售。主要產(chǎn)品為20V-1700V全系列硅基功率器件:MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管(MFER)、快恢復(fù)外延型二極管(FRED)、分離柵低壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SGT-MOSFET)、超級(jí)結(jié)高壓MOSFET。2020年民德電子啟動(dòng)“聚焦功率半導(dǎo)體領(lǐng)域”的發(fā)展戰(zhàn)略,收購(gòu)廣微集成公司,以滿足日益增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)需要,目前持有持有廣微集成公司83.5%的股份。經(jīng)營(yíng)策略:以硅基器件為基礎(chǔ),并逐步布局寬禁帶半導(dǎo)體,重點(diǎn)面向能源和工業(yè)市場(chǎng),面向進(jìn)口替代需求。主要晶圓代工廠:浙江廣芯微電子(6英寸),同時(shí)公司有12英代工產(chǎn)能。廣微集成:保持穩(wěn)定增長(zhǎng)下開拓新產(chǎn)品MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管(MFER)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)穩(wěn)定:高能效MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管為廣微集成目前最主要量產(chǎn)產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)中較少可提供的產(chǎn)品,具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,銷量良好。從數(shù)據(jù)上看,自2019年Q1以來,廣微集成MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管產(chǎn)能穩(wěn)步提升,2021年Q3達(dá)到歷史高位。后續(xù)因6英寸晶圓代工產(chǎn)能遷移,原主要合作的6英寸晶圓代工廠產(chǎn)能逐漸減少,今后公司參股晶圓代工廠將與廣芯微電子協(xié)同合作為主。待廣芯微電子投產(chǎn)后,廣微集成產(chǎn)能擴(kuò)張的天花板將徹底打開,且產(chǎn)品開發(fā)效率也將更為高效、可控。主主要產(chǎn)品MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管銷量(6英寸,單位:片)30,000230,00025,00020,00015,00010,00072,7584,6605,0000簡(jiǎn)介MOSFET類型適用領(lǐng)域特點(diǎn)廣微集成是否生產(chǎn)MFER開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、通信電源等領(lǐng)域和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、勱態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)√FRED高頻開關(guān)電路場(chǎng)景其反向恢復(fù)時(shí)問可低于50ns,一般為幾十到幾百ns,可用于開關(guān)頻率為20-50kHz的場(chǎng)合√SGT(ShieldedGateTransistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)較高的功率密度,極低的開關(guān)損耗,適用于PC、筆電、無線充電、5G基站√SJ-(超結(jié))MOSFET高壓領(lǐng)域600-800V導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小于普通高壓VDMOS,常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)√-25--25-2022年2023年2024年IGBT2022年2023年2024年IGBT產(chǎn)品規(guī)劃1200V/1700V40A-100A平面NPT型及廣微集成:保持穩(wěn)定增長(zhǎng)下開拓IGBT領(lǐng)域SGT-MOSFET新品推出,技術(shù)產(chǎn)品不斷豐富:公司新產(chǎn)品、新技術(shù)儲(chǔ)備豐富,待今年晶圓代工廠廣芯微電子投產(chǎn)后,將逐步推出包括900-1500V高壓MOS、IGBT、FRD、碳化硅器件等系列新品。其中廣微集成在12英寸晶圓廠開發(fā)的分離柵低壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SGT-MOSFET)產(chǎn)品陸續(xù)通過客戶驗(yàn)證并批量出貨,其中60V系列產(chǎn)品已量產(chǎn),80V、100V系列產(chǎn)品已完成工程批并預(yù)計(jì)2023年上半年量產(chǎn),如進(jìn)展順利,下半年將啟動(dòng)150V、200V產(chǎn)品開發(fā)工作。隨著產(chǎn)品系列的不斷豐富,以及更多客戶的認(rèn)可,SGT-MOSFET產(chǎn)品有望在2023年為廣微集成貢獻(xiàn)顯著增量收入。22025~2026年300V-6500V40A-100A軟穿通型IGBT及產(chǎn)業(yè)化IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。應(yīng)用場(chǎng)景:非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷谲壍澜煌ā⒅悄茈娋W(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。-26--26-晶圓代工布局:浙江廣芯微電子基本情況:2021年10月、2022年2月,民德電子兩次增資廣芯微電子合計(jì)2.1億元;2022年7月,麗水市綠色產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金和麗水市高質(zhì)量發(fā)展基金合計(jì)增資廣芯微電子1.8億元,目前民德電子持有廣芯微電子34.4%股權(quán),以滿足公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日益增長(zhǎng)的晶圓代工產(chǎn)能需求。廣芯微電子簡(jiǎn)介:該公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為高端特色工藝半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù),以硅基功率器件生產(chǎn)為主,并少量布局碳化硅功率器件,以滿足需求不斷增長(zhǎng)的面向小型化、高速電源模塊的電力電子技術(shù)。并同時(shí)開展適用于大容量電源及智能功率模塊的高能高速器件的研制。項(xiàng)目意義:目前廣微集成6英寸MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管代工已經(jīng)逐步轉(zhuǎn)移到廣芯微電子平臺(tái)。廣芯微電子項(xiàng)目的建成投產(chǎn)進(jìn)一步完善了公司在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“硅片—晶圓代工—設(shè)計(jì)公司”的全產(chǎn)業(yè)鏈smartIDM生態(tài)圈布局,滿足公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日益增長(zhǎng)的晶圓代工產(chǎn)能需求,大幅提升功率半導(dǎo)體新產(chǎn)品開發(fā)效率,提升公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。-27--27-廣芯微電子:參股項(xiàng)目情況項(xiàng)目園區(qū)規(guī)劃:廣芯微電子項(xiàng)目計(jì)劃總投資約24億元,用地250畝,項(xiàng)目建設(shè)全部完成投產(chǎn)后,可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值30億元以上。其中一期計(jì)劃投資12億元,主要建設(shè)年產(chǎn)120萬片6英寸高端特色硅基晶圓代工生產(chǎn)線,達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值10.2億元。廣芯微電子項(xiàng)目受到浙江省政府和麗水市政府的高度重視和大力支持,已被納入浙江省“4+1”重大項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃。目進(jìn)展順利,自2022年2月11日正式開工,僅歷時(shí)109天,于2022年5月31日完成項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)封頂。截至目前民德公司參與創(chuàng)立的廣芯微,一期總規(guī)劃產(chǎn)能12-14萬片/月,以硅基產(chǎn)品晶圓代工為主,碳化硅產(chǎn)品晶圓代工為輔,預(yù)計(jì)2023年5月19日通線投產(chǎn)。-28--28-超薄芯片背道加工布局:浙江芯微泰克基本情況:芯微泰克成立于2022年7月,主營(yíng)業(yè)務(wù)為薄片/超薄芯片背道加工生產(chǎn)服務(wù)。掌握超薄芯片減薄、背面離子注入、激光退火、背面金屬化、超薄芯片CP測(cè)試等關(guān)鍵設(shè)備及工藝。規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)270萬片功率器件薄片/超薄芯片背道加工產(chǎn)線,第一期計(jì)劃投資約3億元,建設(shè)年產(chǎn)能達(dá)50萬片。項(xiàng)目意義:對(duì)于先進(jìn)功率器件而言,不斷追求薄片/超薄片是必然的趨勢(shì)。背道加工領(lǐng)域布局對(duì)不斷改善器件結(jié)構(gòu)、提升器件性能、減小能量損耗具有重大意義。目前市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)功率器件增量及國(guó)產(chǎn)替代需求持續(xù)增長(zhǎng),而制造先進(jìn)功率器件所必需的薄片/超薄芯片背道加工產(chǎn)能嚴(yán)重不足,進(jìn)而影響中高端功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程。芯微泰克的增資參股對(duì)完善民德電子公司設(shè)計(jì)制造一體化布局,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控具有重大意義。政策支持:主要政策包括:(1)麗水市綠色產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金有限公司擬對(duì)芯微泰克進(jìn)行不超過5,000萬元股權(quán)投資;(2)根據(jù)建設(shè)進(jìn)度,給予一定金額獎(jiǎng)勵(lì);(3)對(duì)約定期限內(nèi)的固定資產(chǎn)投資(不含土地)給予一定額度補(bǔ)貼;(4)在約定期限內(nèi),對(duì)芯微泰克在地方的綜合貢獻(xiàn)給予一定額度獎(jiǎng)勵(lì)。項(xiàng)目進(jìn)展:2022年7月,民德電子布局高端先進(jìn)功率器件市場(chǎng),增資芯微泰克1億元,目前民德電子持有芯微泰克33%股權(quán)。芯微泰克項(xiàng)目已完成土地摘牌,一期項(xiàng)目計(jì)劃股權(quán)融資2億元,目前已簽訂正式協(xié)議明確出資時(shí)間的有1.5億元,且已實(shí)際收到3,500萬元投資款。此外,麗水市綠色產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金有限公司向芯微泰克簽署了5,000萬元的投資意向書半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)重要布局:晶睿電子基本情況:浙江晶睿電子科技有限公司成立于2020年5月,主營(yíng)業(yè)務(wù)為高端電子級(jí)4-12英寸晶圓片切磨、拋光、外延等材料的研發(fā)、制造,以及第三代化合物半導(dǎo)體外延片的生產(chǎn)。一期項(xiàng)目主要產(chǎn)品為4/5/6/8英寸的硅外延片,產(chǎn)品得到市場(chǎng)和客戶的高度認(rèn)可。目前晶睿電子二期項(xiàng)目及碳化硅外延項(xiàng)目建設(shè)也進(jìn)入收尾階段,將于近期開展送樣工作。公司優(yōu)勢(shì):企業(yè)本身?yè)碛袑I(yè)的技術(shù)協(xié)作能力,寬廣的應(yīng)用場(chǎng)景,以及可信賴的合作伙伴。其生產(chǎn)的產(chǎn)品擁有寬能隙特性,應(yīng)用上可以展現(xiàn)相當(dāng)高的奔潰電壓與抗高溫特性,適于應(yīng)用最新的高功率元件。其所生產(chǎn)的新一代關(guān)鍵半導(dǎo)體新材料擁有高電子飽和遷移率特性,搭配半絕緣碳化硅基板,在高頻通訊元件上展現(xiàn)極佳應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。民德電子布局進(jìn)展:2020-2021年民德電子對(duì)晶睿電子合計(jì)增資1.2億元。2022年底晶睿電子完成新一輪數(shù)億元融資,估值較兩年前大幅增長(zhǎng)。本輪融資中民德電子以4800萬元的價(jià)格轉(zhuǎn)讓晶睿電子2.08%股權(quán),轉(zhuǎn)讓獲利約3700萬元(所得稅前)。截至目前,晶睿電子注冊(cè)資本總額為4,243.9409萬元,民德電子持有其22.1%股權(quán)。-30-1、條碼識(shí)別基本盤穩(wěn)固,功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮眼2、行業(yè)政策雙驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)廣闊4、分業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)測(cè)/盈利預(yù)測(cè)/公司財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)表/可比公司一致預(yù)期/投資建議/風(fēng)險(xiǎn)提示財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)&風(fēng)險(xiǎn)提示-31--31-分業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)測(cè)營(yíng)收(百萬元)營(yíng)收YOY(%)毛利率(%)28%2782%867%2950%信息識(shí)別營(yíng)收(百萬元)374營(yíng)收YOY(%)4.90%毛利率(%)41.82%42.00%42.00%42.00%電子元器件分銷營(yíng)收(百萬元)6720營(yíng)收YOY(%)毛利率(%)功率半導(dǎo)體營(yíng)收(百萬元)1,402001,85200營(yíng)收YOY(%)3210%2.95%.00%.00%.00%-32--32-盈利預(yù)測(cè)單位/百萬20222023E2024E2025E24現(xiàn)金流量表2現(xiàn)金流量表20222023E2024E2025E經(jīng)營(yíng)活勱現(xiàn)金流76-172-140111凈利潤(rùn)91166304395折舊攤銷5000財(cái)務(wù)費(fèi)用9000投資損失-49-10-20-25營(yíng)運(yùn)資金變勱2-328-424-258其他8000投資活勱現(xiàn)金流-53411700資本支出-36511700長(zhǎng)期投資-174000其他5000籌資活勱現(xiàn)金流568000短期借款0000長(zhǎng)期借款0000普通股增加494000資本公積增加467000其他-393000現(xiàn)金凈增加額110-55-140111利潤(rùn)表20222023E2024E2025E營(yíng)業(yè)總收入518114219682464營(yíng)業(yè)成本38782414041737稅金及附加2591銷售費(fèi)用7396683管理費(fèi)用21467999254885108財(cái)務(wù)費(fèi)用6000資產(chǎn)減值損失000公允價(jià)值變勱收益0000投資收益4902025營(yíng)業(yè)利潤(rùn)105190347450營(yíng)業(yè)外收入0000營(yíng)業(yè)外支出0000利潤(rùn)總額104190347450所得稅323436凈利潤(rùn)91166304395少數(shù)股東損益2000歸屬母公司凈利潤(rùn)90166304395EBITDA71180327425EPS(元)0.581.061.942.52公
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