STM8L15X中文參考手冊

STM8L15X中文參考手冊STM8L15X中文參考手冊/NUMPAGES740STM8L15X中文參考手冊STM8L15X中文參考手冊簡介本參考手冊的目標(biāo)應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了完整的信息如何使用stm8l05xx，stm8l15xx和stm8l16xx微控制器的存儲器和外圍設(shè)備。該stm8l05xx/stm8l15xx/stm8l16xx是一個家庭的不同存儲密度的微控制器和外圍設(shè)備。這些產(chǎn)品是專為超低功耗應(yīng)用?？捎玫耐庠O(shè)的完整列表，請參閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)表。訂購信息，引腳說明，機(jī)械和電氣設(shè)備的特點(diǎn)，請參閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)表。關(guān)于STM8SWIM通信協(xié)議信息和調(diào)試模塊，請參閱用戶手冊（um0470）。在STM8的核心信息，請參閱STM8的CPU編程手冊（pm0044）。關(guān)于編程，擦除和保護(hù)的內(nèi)部快閃記憶體，請參閱STM8L閃存編程手冊（pm0054）。表一、類型零件號控制器價值線低密度stm8l05xx設(shè)備：stm8l051x38KBFlash微控制器價值線中密度stm8l05xx設(shè)備：stm8l052x6微控制器與32閃光價值線高密度stm8l05xx設(shè)備：stm8l052x864-KB閃存微控制器低密度stm8l15x設(shè)備：stm8l151c2/K2/G2／F2，stm8l151c3/K3/G3/F3微控制器與4KB或8KBFlash中密度stm8l15xx設(shè)備：stm8l151c4/K4/G4，微控制器stm8l151c6/K6/G6，stm8l152c4/K4和stm8l152c6/K6微控制器與16-KB或32閃光培養(yǎng)基+密度stm8l15xx設(shè)備：stm8l151r6和stm8l152r6微控制器與閃存（32比中密度器件廣泛的外設(shè)范圍）高密度stm8l15xx設(shè)備：stm8l151x8和stm8l152x8隨著64-KB閃存微控制器（相同的外周設(shè)置為中等+）高密度stm8l16xx設(shè)備：stm8l162x8微控制器與閃存（相同的外周設(shè)置為64-KB高密度stm8l152設(shè)備加AES硬件加速器

目錄1 中央處理單元（CPU）。30。1.1 引言301.2 CPU的寄存器。30。 描述CPU寄存器。..。30 1.3 全球配置寄存器（cfg_gcr）。34。 激活水平。..。34 游泳禁用。..。35 描述全局配置寄存器（cfg_gcr）。..。35 全局配置寄存器圖及復(fù)位值。..。352 啟動ROM... 363程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。37。3.1引言373.2術(shù)語。37。3.3個主要的快閃存儲器的特點(diǎn)。38。3.4記憶的組織。39。低密度設(shè)備的存儲器組織。39介質(zhì)密度的裝置記憶的組織。..。40介質(zhì)+密度裝置記憶的組織。..。41高密度存儲器組織。..。42專有代碼區(qū)（譯）。43用戶區(qū)（UBC）。43數(shù)據(jù)的EEPROM（數(shù)據(jù)）。..。46主程序區(qū)。46選項字節(jié)。..。463.5內(nèi)存保護(hù)。47。讀出保護(hù)。47內(nèi)存訪問安全系統(tǒng)（質(zhì)量）。47使寫訪問選項字節(jié)。493.6內(nèi)存編程49同時讀寫（讀寫網(wǎng)）。..。492/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容字節(jié)編程。..。49字編程。50塊編程。50選項字節(jié)編程。52Flash3.7的低功耗模式。52。3.8例ICP和IAP。52。3.9閃光寄存器57閃光控制寄存器1（flash_cr1）。57閃光控制寄存器2（flash_cr2）。58Flash程序存儲器的解密密鑰寄存器（flash_pukr）。58數(shù)據(jù)EEPROM解除保護(hù)關(guān)鍵寄存器（flash_dukr）。..。59閃光狀態(tài)寄存器（flash_iapsr）。..。59Flash寄存器圖及復(fù)位值。604單線接口模塊（游泳）和調(diào)試模塊（DM）614.1引言614.2個主要特征。61。4.3游泳模式。61。5內(nèi)存和寄存器圖625.1寄存器描述縮寫。62。6功率控制（PWR）。63。6.1電源636.2上電復(fù)位（POR）/掉電復(fù)位（PDR）。64。6.3掉電復(fù)位（BOR）656.4可編程電壓檢測器（PVD）。66。6.5的內(nèi)部參考電壓（vrefint）676.6的電壓調(diào)節(jié)器686.7壓水堆寄存器69功率控制和狀態(tài)寄存器1（pwr_csr1）。69壓水堆控制和狀態(tài)寄存器2（pwr_csr2）。..。70WR寄存器圖及復(fù)位值。707低功耗模式。71。7.1減速系統(tǒng)時鐘72文件編號15226啟93/573內(nèi)容rm00317.2周門控時鐘（PCG）727.3等待模式（WFI或WFE模式）。72。7.4等待中斷（WFI）模式。73。7.5等待事件（WFE）模式73WFE寄存器。74WFE寄存器圖及復(fù)位值。..。797.6低功率運(yùn)行模式。80。進(jìn)入低功率運(yùn)行模式。..。80退出低功率運(yùn)行模式。..。807.7低功率待機(jī)模式。80。7.8停止模式。81。進(jìn)入暫停模式。81退出暫停模式。..。817.9主動停止模式。82。8復(fù)位（RST）。83。8.1“復(fù)位狀態(tài)”和“下復(fù)位”的定義。83。8.2外部復(fù)位（NRST引腳）83異步外部復(fù)位的描述。..。83配置活動/PA1引腳作為通用輸出。848.3內(nèi)部復(fù)位84上電復(fù)位（POR）。..。84獨(dú)立看門狗復(fù)位。..。84窗口看門狗復(fù)位。..。84游泳復(fù)位。84非法操作碼復(fù)位。848.4個寄存器。85。復(fù)位引腳配置寄存器（rst_cr）。..。85復(fù)位狀態(tài)寄存器（rst_sr）。85RST寄存器圖及復(fù)位值。..。869控制的時鐘（CLK）。87。9.1引言879.2HSE時鐘。88。9.3個HSI時鐘904/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容9.4LSE時鐘。90。9.5集成電路的時鐘。91。9.6系統(tǒng)的時鐘源。91。系統(tǒng)啟動。..。..91系統(tǒng)時鐘切換程序。..。..929.7周門控時鐘（PCG）959.8時鐘安全系統(tǒng)（CSS）95時鐘安全系統(tǒng)對HSE。..。..95時鐘安全系統(tǒng)在倫敦經(jīng)濟(jì)學(xué)院。..。..96CSSLSE控制和狀態(tài)寄存器（csslse_csr）。..。..97CSSLSE寄存器圖及復(fù)位值。..989.9時鐘和液晶時鐘。98。9.10聲鐘。98。9.11可配置時鐘輸出能力（CCO）。98。9.12個獨(dú)立的系統(tǒng)時鐘的時鐘源TIM2/TIM3。99。9.13時鐘中斷999.14時鐘寄存器。100。系統(tǒng)時鐘分頻寄存器（clk_ckdivr）。..。100時鐘RTC寄存器（clk_crtcr）。..。100內(nèi)部時鐘寄存器（clk_ickcr）。..。102周圍門控時鐘寄存器1（clk_pckenr1）。..。103周圍門控時鐘寄存器2（clk_pckenr2）。..。104周圍門控時鐘寄存器3（clk_pckenr3）。..。105可配置時鐘輸出寄存器（clk_ccor）。106外部時鐘寄存器（clk_eckcr）。107系統(tǒng)時鐘狀態(tài)寄存器（clk_scsr）。..。108系統(tǒng)時鐘切換寄存器（clk_swr）。..。109開關(guān)控制寄存器（clk_swcr）。109時鐘安全系統(tǒng)寄存器（clk_cssr）。..。..110時鐘嘀寄存器（clk_cbeepr）。..。111HSI校準(zhǔn)寄存器（clk_hsicalr）。..111HSI時鐘校準(zhǔn)微調(diào)寄存器（clk_hsitrimr）。..。..112HSI解鎖寄存器（clk_hsiunlckr）。..。..112主調(diào)節(jié)器控制狀態(tài)寄存器（clk_regcsr）。..。..113時鐘寄存器圖及復(fù)位值。..。..11410個通用I/O端口（GPIO）。115。10.1引言11510.2個GPIO的主要特點(diǎn)。115。10.3端口的配置與使用。116。輸入模式。..。117輸出模式。11810.4復(fù)位配置11810.5未使用的I/O引腳。118。10.6低功率模式11810.7輸入模式的細(xì)節(jié)118函數(shù)輸入。118中斷能力。11910.8個輸出模式的詳細(xì)介紹。119。交替輸出功能。119斜率控制。11910.9個GPIO寄存器。120。端口X輸出數(shù)據(jù)寄存器（px_odr）。120端口X引腳輸入寄存器（px_idr）。120X口數(shù)據(jù)方向寄存器（px_ddr）。121端口X控制寄存器1（px_cr1）。..。121端口X控制寄存器2（px_cr2）。..。122外圍函數(shù)映射。122GPIO寄存器圖及復(fù)位值。..。12211路由接口（RI）和系統(tǒng)配置控制器（syscfg）。123。11.1引言12311.2日的主要特點(diǎn)。123。RI功能描述。125的I/O組。125TIM1輸入捕捉路由。..。127TIM2和TIM3路由。128比較器的路由。..129DAC的路由。..。..129內(nèi)部參考電壓的路由。13111.3日131個中斷6/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容11.4日寄存器。131。定時器輸入捕捉路由寄存器1（ri_icr1）。..。131定時器輸入捕捉路由寄存器2（ri_icr2）。..。132I/O輸入寄存器1（ri_ioir1）。..。132I/O輸入寄存器2（ri_ioir2）。..。132I/O輸入寄存器3（ri_ioir3）。..。133I/O控制寄存器1（ri_iocmr1）。..。133I/O控制寄存器2（ri_iocmr2）。..。133I/O控制寄存器3（ri_iocmr3）。..。134I/O寄存器開關(guān)1（ri_iosr1）。..。134I/O寄存器開關(guān)2（ri_iosr2）。..。136I/O寄存器開關(guān)3（ri_iosr3）。..。137IO控制寄存器（ri_iogcr）。..。138模擬開關(guān)寄存器1（ri_ascr1）。140模擬開關(guān)寄存器2（ri_ascr2）。140電阻控制寄存器（ri_rcr）。141控制寄存器（ri_cr）。142IO屏蔽寄存器1（ri_iomr1）。..。143IO屏蔽寄存器2（ri_iomr2）。..。143IO屏蔽寄存器3（ri_iomr3）。..。144IO屏蔽寄存器4（ri_iomr4）。..。144I/O輸入寄存器4（ri_ioir4）。..。145I/O控制寄存器4（ri_iocmr4）。..。145I/O寄存器開關(guān)4（ri_iosr4）。..。146RI寄存器圖及復(fù)位值。..。14711.5syscfg寄存器。149。syscfg映射控制寄存器1（syscfg_rmpcr1）。..。149syscfg映射控制寄存器2（syscfg_rmpcr2）。..。150軟件syscfg映射控制寄存器3（syscfg_rmpcr3）。..。151syscfg寄存器圖及復(fù)位值。..。15212中斷控制器（ITC）。153。12.1引言15312.2中斷屏蔽和處理流程。153。服務(wù)等待中斷。154中斷源。15512.3個中斷和低功耗模式156文件編號15226啟97/573內(nèi)容rm003112.4的激活水平/低功率模式控制。157。12.5并行嵌套中斷管理157并發(fā)中斷管理模式。..。157嵌套中斷管理模式。..。15812.6個外部中斷15912.7中斷指令。160。12.8中斷映射。160。12.9國貿(mào)EXTI寄存器。161。CPU條件碼寄存器中斷位（CCR）。161軟件優(yōu)先級寄存器X（itc_sprx）。..。162外部中斷控制寄存器1（exti_cr1）。..。162外部中斷控制寄存器2（exti_cr2）。..。164外部中斷控制寄存器3（exti_cr3）。..。165外部中斷控制寄存器4（exti_cr4）。..。166外部中斷狀態(tài)寄存器1（exti_sr1）。166外部中斷狀態(tài)寄存器2（exti_sr2）。167外部中斷端口選擇寄存器（exti_conf1）。..。168外部中斷端口選擇寄存器（exti_conf2）。..。169ITC和完全寄存器圖及復(fù)位值。..。17013直接存儲器存取控制器（DMA）。171。13.1DMA的介紹。171。詞匯。..。17113.2DMA的主要特點(diǎn)。172。13.3的DMA功能描述173DMA交易。173DMA仲裁者。..。174DMA通道。..。174蛋白Dma1請求映射。..。..181DMA硬件要求描述。..。18313.4DMA低功率模式18413.5DMA中斷。185。13.6DMA寄存器。185。DMA全球配置和狀態(tài)寄存器（dma_gcsr）。..185DMA全局中斷寄存器1（dma_gir1）。186DMA通道配置寄存器（dma_cxcr）。..。..1868/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容DMA通道狀態(tài)和優(yōu)先級寄存器（dma_cxspr）。..。..188DMA數(shù)據(jù)傳輸寄存器（dma_cxndtr）。..。..189DMA地址寄存器（外周高dma_cxparh）。..。189DMA地址寄存器（dma_cxparl）低周。..190DMA通道3周地址1地址的高高的記憶寄存器（dma_c3parh_c3m1arh）。190DMA通道3周地址低1低內(nèi)存地址寄存器（dma_c3parl_c3m1arl）。..。191DMA存儲器地址寄存器（dma_cxm0arh）高0。..。191DMA存儲器地址寄存器（dma_cxm0arl）低0。..。192DMA通道3個內(nèi)存0擴(kuò)展地址寄存器（dma_c3m0ear）。..。192DMA寄存器圖及復(fù)位值。..。19314模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）。195。14.1引言195ADC14.2模數(shù)轉(zhuǎn)換器的主要特點(diǎn)。195。14.3ADC功能描述。196。一般描述。196數(shù)模擬通道。..。197DC開關(guān)控制。..。197單轉(zhuǎn)換模式。..。197連續(xù)轉(zhuǎn)換模式。199DC時鐘。199模擬看門狗。..。199中斷。200信道選擇（掃描模式）。..。200數(shù)據(jù)完整性。201DMA傳輸。..。201配置分辨率。201數(shù)據(jù)對齊。..。201可編程采樣時間。202施密特觸發(fā)器禁用。203溫度傳感器。..。203內(nèi)部參考電壓轉(zhuǎn)換。20414.4ADC低功耗模式。204。14.5ADC中斷。204。文件編號15226啟99/573內(nèi)容rm003114.6ADC寄存器。205。DC配置寄存器1（adc_cr1）。..。205DC配置寄存器2（adc_cr2）。..。206DC配置寄存器3（adc_cr3）。..。207DC狀態(tài)寄存器（adc_sr）。..。208DC數(shù)據(jù)寄存器高（adc_drh）。..。209DC數(shù)據(jù)寄存器低（adc_drl）。..。209DC的高門檻高（adc_htrh）寄存器。210DC的高門檻低（adc_htrl）寄存器。210DC低閾值寄存器高（adc_ltrh）。210DC低閾值寄存器低（adc_ltrl）。211DC通道序列1寄存器（adc_sqr1）。211DC通道序列寄存器2（adc_sqr2）。212DC通道選擇掃描3（adc_sqr3）。..。212DC通道選擇掃描4（adc_sqr4）。..。213DC觸發(fā)禁用1（adc_trigr1）。213DC觸發(fā)禁用2（adc_trigr2）。214DC觸發(fā)禁用3（adc_trigr3）。214DC觸發(fā)禁用4（adc_trigr4）。214DC寄存器圖及復(fù)位值。..。21515個數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換器（DAC）。216。15.1引言216DAC15.2個DAC的主要特點(diǎn)。216。15.3的DAC功能描述。218。1.X使DAC通道。..。218DAC輸出緩沖區(qū)啟用。..。218DAC輸出開關(guān)配置。218數(shù)據(jù)格式。219DAC轉(zhuǎn)換序列。..。219DAC輸出電壓。219DAC觸發(fā)選擇。..。219DAC的DMA請求。..。220DACDMA下溢中斷。..。220噪聲的產(chǎn)生。..。220三角波的產(chǎn)生。..。221雙DAC轉(zhuǎn)換。..。22210/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容15.4個DAC寄存器。226。DAC通道控制寄存器1（dac_chxcr1）。..226DAC通道控制寄存器2（dac_chxcr2）。..。..227DAC軟件觸發(fā)寄存器（dac_swtrigr）。..。228DAC狀態(tài)寄存器（dac_sr）。..228DAC通道X右對齊的數(shù)據(jù)保持寄存器高（dac_rdhrh）。..。..229DAC通道X右對齊的數(shù)據(jù)保持寄存器低（dac_chxrdhrl）。..。..229DAC通道X左對齊數(shù)據(jù)保持寄存器高（dac_chxldhrh）。..。..229DAC通道X左對齊數(shù)據(jù)保持寄存器低（dac_chxldhrl）。..230DAC通道×8位數(shù)據(jù)保持寄存器（dac_chxdhr8）。230DAC通道X雙模式右對齊的數(shù)據(jù)保持寄存器高（dac_dchxrdhrh）。231DAC通道X雙模式右對齊的數(shù)據(jù)保持寄存器低（dac_dchxrdhrl）。..。231DAC通道X雙模式左對齊數(shù)據(jù)保持寄存器高（dac_dchxldhrh）。..。232DAC通道X左對齊數(shù)據(jù)保持寄存器低（dac_dchxldhrl）。..。232DAC通道的雙模式的8位數(shù)據(jù)保持寄存器（dac_dchxdhr8）。..。..233DAC通道數(shù)據(jù)輸出寄存器高（dac_chxdorh）。..。233DAC通道數(shù)據(jù)輸出寄存器低（dac_chxdorl）。..。233DAC寄存器映射及復(fù)位值。..。..23416個比較器（COMP）。237。16.1公司簡介。237。16.2計算機(jī)的主要特點(diǎn)。239。16.3比較器1（COMP1）。240。16.4比較器2（comp2）。241。16.5使用比較器在窗口模式24216.6公司的低功耗模式。243。16.7比賽中斷24316.8公司注冊。244。文件編號15226啟911/573內(nèi)容rm0031比較器控制和狀態(tài)寄存器1（comp_csr1）。..。244比較器控制和狀態(tài)寄存器2（comp_csr2）。..。245比較器控制和狀態(tài)寄存器3（comp_csr3）。..。246比較器控制和狀態(tài)寄存器4（comp_csr4）。..。247比較器控制和狀態(tài)寄存器5（comp_csr5）。..。247COMP寄存器圖及復(fù)位值。..。24817液晶顯示控制器。249。17.1液晶顯示控制器的介紹。249。定義。24917.2液晶顯示控制器的主要特點(diǎn)。250。17.3液晶顯示功能描述。252。一般描述。252頻率發(fā)生器。..。253通用驅(qū)動程序。256段驅(qū)動器。264使一段。..。265眨眼。..。265復(fù)用COM[7:4]和[43:40賽格賽格]，[39:36]，或[31:28賽格]。265代LCD電壓水平。266LCD緩沖區(qū)更新。..。26917.4液晶顯示控制器的低功耗模式。269。17.5液晶顯示控制器中斷26917.6的LCD控制寄存器。270。控制寄存器1（lcd_cr1）。..。270控制寄存器2（lcd_cr2）。..。272控制寄存器3（lcd_cr3）。..。273頻率選擇寄存器（lcd_frq）。..。274端口掩碼寄存器（lcd_pm）。274控制寄存器4（lcd_cr4）。..。275LCD顯示存儲器（lcd_ram）。..。276LCD寄存器圖及復(fù)位值。..。27818定時器的概述28018.1定時器功能的比較28118.2表281定時器信號名稱12/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容1916位先進(jìn)控制定時器（TIM1）。283。19.1引言28319.2TIM1主要特點(diǎn)28419.3TIM1時間單位。286。閱讀和寫作的16位計數(shù)器。287寫序列的16位tim1_arr寄存器。..。287分頻器。287了計數(shù)模式。..。288向下計數(shù)模式。..。290中心對齊方式（向上/向下計數(shù)）。..。292重復(fù)計數(shù)器。29419.4TIM1時鐘/觸發(fā)控制器。296。分頻時鐘（ck_psc）。..。296內(nèi)部時鐘源（fsysclk）。..。297外部時鐘源模式1。..。297外部時鐘源模式2。..。299觸發(fā)同步。300之間的同步定時器。30419.5TIM1捕獲/比較通道。310。寫序列的16位tim1_ccri寄存器。311輸入階段。..。312輸入捕捉模式。313輸出級。315強(qiáng)制輸出模式。..。316輸出比較模式。..。316WM模式。..。318利用中斷功能。325清理ociref信號對外部事件。..。328編碼器接口模式。..。329定時器輸入異或函數(shù)。331與霍爾傳感器。33119.6TIM1中斷。333。TIM1等事件的能力。33319.7TIM1DMA。333。DMA單模式。333DMA突發(fā)模式。..。334文件編號15226啟913/573內(nèi)容rm003119.8TIM1寄存器335控制寄存器1（tim1_cr1）335控制寄存器2（tim1_cr2）337從模式控制寄存器（tim1_smcr）。338。外部觸發(fā)寄存器（tim1_etr）。339。DMA請求使能寄存器（tim1_der）341中斷使能寄存器（tim1_ier）。342。狀態(tài)寄存器1（tim1_sr1）343狀態(tài)寄存器2（tim1_sr2）344事件生成寄存器（tim1_egr）。345。捕獲/比較寄存器模式1（tim1_ccmr1）。346。捕獲/比較寄存器模式2（tim1_ccmr2）。349。捕獲/比較寄存器模式3（tim1_ccmr3）。350。捕獲/比較寄存器模式4（tim1_ccmr4）。351。捕獲/比較使能寄存器1（tim1_ccer1）352捕獲/比較使能寄存器2（tim1_ccer2）355計數(shù)器（tim1_cntrh）355計數(shù)器的低（tim1_cntrl）356分頻器高（tim1_pscrh）。356。分頻器的低（tim1_pscrl）。356。自動重載寄存器高（tim1_arrh）357自動重載寄存器低（tim1_arrl）357重復(fù)計數(shù)器寄存器（tim1_rcr）。357。捕獲/比較寄存器1高（tim1_ccr1h）。358。捕獲20個16位通用定時器（TIM2，TIM3，tim5）36820.1引言36820.2TIMx主要特點(diǎn)。368。20.3TIMx功能描述369時間單位。..。369時鐘/觸發(fā)控制器。..。370捕獲/比較通道。..。371定時器輸入異或函數(shù)。37320.4TIMx中斷。373。20.5TIMx寄存器。374?？刂萍拇嫫?（timx_cr1）。374?？刂萍拇嫫?（timx_cr2）。375。從模式控制寄存器（timx_smcr）。376。外部觸發(fā)寄存器（timx_etr）。377。DMA請求使能寄存器（timx_der）378中斷使能寄存器（timx_ier）。379。狀態(tài)寄存器1（timx_sr1）380狀態(tài)寄存器2（timx_sr2）381事件生成寄存器（timx_egr）。382。捕獲/比較寄存器模式1（timx_ccmr1）。383。捕獲/比較寄存器模式2（timx_ccmr2）。385。捕獲/比較使能寄存器1（timx_ccer1）386計數(shù)器（timx_cntrh）387計數(shù)器的低（timx_cntrl）388分頻寄存器（timx_pscr）。388。自動重載寄存器高（timx_arrh）388自動重載寄存器低（timx_arrl）389捕獲/比較寄存器1高（timx_ccr1h）。389。捕獲/比較寄存器1低（timx_ccr1l）。390。捕獲/比較寄存器2高（timx_ccr2h）。390。捕獲/比較寄存器2低（timx_ccr2l）。390。中斷寄存器（timx_bkr）。391。輸出空閑狀態(tài)寄存器（timx_oisr）。393。TIMx寄存器圖及復(fù)位值。393。文件編號15226啟915/573內(nèi)容rm003121個8位基本定時器（時間）。395。21.1引言395TIM4主要特點(diǎn)39521.221.3tim4interrupts39521.4時間時鐘選擇。396。21.5時間寄存器396控制寄存器1（tim4_cr1）。396控制寄存器2（tim4_cr2）。397從模式控制寄存器（tim4_smcr）。..。397DMA請求使能寄存器（tim4_der）。399中斷使能寄存器（tim4_ier）。..。399狀態(tài)寄存器1（tim4_sr）。399事件生成寄存器（tim4_egr）。..。400計數(shù)器（tim4_cntr）。400分頻寄存器（tim4_pscr）。..。401自動重載寄存器（tim4_arr）。401Tim4寄存器圖及復(fù)位值。40222紅外（irtim）接口40322.1引言40322.2個主要特征。403。22.3irtim寄存器。404。控制寄存器（ir_cr）。404irtim寄存器圖及復(fù)位值。..。40423蜂鳴器（聲）。405。23.1引言40523.2聲功能描述。406。尋呼操作。..。406尋呼機(jī)的校準(zhǔn)。406LSI時鐘頻率測量。..。40623.3聲寄存器。407。嗶控制/狀態(tài)寄存器1（beep_csr1）。407嗶控制/狀態(tài)寄存器2（beep_csr2）。407嗶寄存器圖及復(fù)位值。..。40816/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容24實時時鐘（RTC）。409。24.1引言40924.2RTC的主要特點(diǎn)。410。24.3RTC功能描述。410。密度的設(shè)備）。..。41824.4時鐘低功耗模式。421。24.5時鐘中斷42124.6RTC寄存器。422。文件編號15226啟917/573內(nèi)容rm003125個獨(dú)立的看門狗（IWDG）。444。25.1引言44425.2獨(dú)立看門狗功能描述。444。25.3IWDG寄存器。446。26窗口看門狗（wwdg）。448。26.1引言44826.2wwdg主要特點(diǎn)44826.3wwdg功能描述44826.4如何編程的看門狗超時。450。26.5wwdg，低功耗模式。450。26.6硬件看門狗的選擇。451。26.7wwdg中斷。451。26.8wwdg寄存器45118/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容26.9窗口看門狗復(fù)位值寄存器圖45227AES硬件加速器（AES）。453。27.1引言45327.2AES的主要特點(diǎn)。453。27.3AES的功能描述。454。27.4種操作模式。455。27.5AESDMA接口45827.6錯誤標(biāo)志。459。27.7、處理時間為45927.8AES低功耗模式。460。27.9AES中斷46027.10AES寄存器。461。28內(nèi)部集成電路（I2C）接口46528.1引言46528.2的I2C總線的主要特點(diǎn)。466。28.3的I2C總線的一般描述。467。28.4的I2C功能描述。469。文件編號15226啟919/573內(nèi)容rm003128.5的I2C總線的低功耗模式。484。28.6的I2C中斷48428.7的I2C寄存器。486。029通用同步/異步接收器（USART）。502。29.1是介紹。502。29.2是主要特點(diǎn)。502。29.3串口功能描述50320/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031內(nèi)容29.4是低功耗模式52929.5串口中斷。529。29.6串口寄存器53030串行外設(shè)接口（SPI）。540。30.1引言54030.2SPI的主要特點(diǎn)。540。30.3的SPI功能描述。541。30.4SPI寄存器。560。文件編號15226啟921/573內(nèi)容rm003130.5SPI寄存器映射及復(fù)位值。565。

列表表1適用的產(chǎn)品。..。1表2中斷的水平。..。33表3CPU的寄存器映射。..。34表4cfg_gcr寄存器映射。..。..35表5塊大小。..。52表6內(nèi)存訪問和編程方法。..（低密度的設(shè)備）53表7。記憶體存取與編程方法（中密度的裝置）。..。54表8內(nèi)存訪問和編程方法。（中+高密度器件）。..。55表9閃光寄存器映射。..。60表10列出的縮寫。..。62表11。內(nèi)部參考電壓狀態(tài)時停止/主動停止模式。67表12壓水堆的中斷請求。..。68表13壓水堆寄存器圖及復(fù)位值。..。70表14總結(jié)了低功率模式。..。71表15WFE寄存器映射。..。79表16個寄存器圖及復(fù)位值。..。86表17。CSSLSE在低功率模式。..。97表18。CSSLSE寄存器圖。..。98表19時鐘中斷請求。..。99表20。外周時鐘門控位（pcken10pcken17）。103。表21。外周時鐘門控位（（pcken20pcken27）。104。表22。外周時鐘門控位（pcken30pcken35）。105。表23。時鐘寄存器圖及復(fù)位值。114。表24I/O端口配置的總結(jié)。117。表25。對GPIO端口的低功耗模式的影響。118。表26GPIO寄存器映射。122。表27I/O組和選擇。126。表28TIM1輸入捕捉路由。128。表29RI的中斷請求。131。表30路由接口寄存器的地圖。147。表31寄存器映射。152。表32軟件的優(yōu)先級別。154。表33。向量地址地圖與軟件優(yōu)先位。159。表34外部中斷的敏感性。160。表35專用的中斷的指令集。160。表36。ITC和完全寄存器圖。170。表37的源地址和目的地址。180。表38蛋白Dma1信道請求映射。181。表39依據(jù)/usartxDMA請求。183。表40I2C1DMA請求。184。表41TIMxDMA請求。184。表42在低功率模式的DMA行為。184。表43的DMA中斷請求。185。表44DMA寄存器映射。193。表45旗/中斷配置。200。表46采樣周期的授權(quán)。202。表47在低功率模式的行為。204。文件編號15226啟923/573表rm0031列表表48中斷請求。..。204表49寄存器映射。..。215表50DAC輸出的開關(guān)配置。..。218表51。DAC輸出開關(guān)配置（介質(zhì)和介質(zhì)+高密度設(shè)備）。..。218表52。轉(zhuǎn)換觸發(fā)源（介質(zhì)，介質(zhì)+高密度的設(shè)備）。..。..220表53轉(zhuǎn)換觸發(fā)源。..。220表54。DAC寄存器地圖（中，培養(yǎng)基+高密度的設(shè)備）。..。..234表55窗口中斷/喚醒模式。..。..243表56。在低功率模式比較器的行為。..。..243表57中斷請求比較器。..。..243表58。比較器和路由接口寄存器圖。..。248表59。16.384千赫的輸入頻率，典型的幀速率的計算。..。255表60。500千赫的輸入頻率，典型的幀速率的計算。..。..256表61賽格和COM信號映射。..。..266表62在低功率模式的液晶行為。..。..269表63顯示的中斷請求。..。..270表64顯示寄存器映射。..。278表65定時器的特性。..。280表66定時器的功能比較。..。281表67內(nèi)部定時信號的詞匯。..。281表68。indices'i”的解釋，“n”，和“X”。282表69計數(shù)方向與編碼器的信號。..。..329表70。補(bǔ)充OCI和打破OCIN通道輸出控制feature353表71TIM1寄存器映射。..。366表72TIMx內(nèi)部觸發(fā)連接。..。376表73。具有斷特征OCI頻道輸出控制點(diǎn)（斷裂特征實施，互補(bǔ)輸出未實現(xiàn)）。..。392表74TIMx寄存器映射。..。393表75時間寄存器映射。..。402表76紅外寄存器映射。..。..404表77。嘟寄存器圖。..。..408表78。對RTC的低功率模式的影響。..。421表79中斷控制位。..。421表80。RTC寄存器映射和復(fù)位值。..。441表81。最小/最大獨(dú)立看門狗超時（LSI的時鐘頻率=38千赫）。..。445表82IWDG寄存器映射。..。..447表83窗口看門狗定時的例子。..。..450表84。在wwdg，低功率模式的影響。..。..450表85。wwdg寄存器圖及復(fù)位值。..。..452表86。處理時間（時鐘周期）。..。459表86。處理時間（時鐘周期）。..。459表87。低功率模式對AES的影響。..。460表88AES的中斷請求。..。..460表89。AES寄存器圖及復(fù)位值。..。464SMBus或I2C表90。..。..480表91。在低功率模式I2C接口的行為。..。484表92的I2C中斷請求。..。484表93。i2c_ccr值頻率表（SCLfsysclk=10MHz或16MHz）。..。499表94的I2C寄存器映射。..。500表95。從采樣數(shù)據(jù)中的噪聲檢測。..。512表96波特率的設(shè)計和誤差計算。..。..514表97。波特率的設(shè)計和誤差計算。..。..515表98。波特率的設(shè)計和誤差計算。..。..515表99。USART接收的公差時usart_div[3:0]0。..。516表100。USART接收的公差時usart_div[3:0]不同于0。..。516表101。幀格式。..。..516表102。在低功率模式USART接口的行為。..。529表103。USART中斷請求。..。529表104。USART寄存器圖。..。538表105。在低功率模式的SPI的行為。..。..559表106。SPI中斷請求。..。560表107。SPI寄存器映射和復(fù)位值。..。..565表108。文件修訂歷史。..。..566

圖列表圖1編程模型。..。..31圖2堆疊順序。..。32圖3。低密度stm8l05xx/15xxFlash的程序和數(shù)據(jù)存儲器。..。..39圖4。中密度stm8l05xx/15xxFlash的程序和數(shù)據(jù)存儲器組織。..。40圖5。介質(zhì)的密度stm8l05x/15x16x+/Flash程序和數(shù)據(jù)存儲器組織。41圖6。高密度stm8l05xx/15xx/16xxFlash程序和數(shù)據(jù)存儲器組織。..42圖7。低密度stm8l05xx/15xx設(shè)備UBC面積大小的定義。..。44圖8。中密度stm8l05xx/15xx設(shè)備UBC面積大小的定義。..。45圖9。中型+stm8l05xx/15xx設(shè)備UBC面積大小的定義。..。45圖10。高密度stm8l05xx/15xx/16xx設(shè)備UBC面積大小的定義。..。46圖11游泳引腳連接。..。61圖12電源的概述。..。63圖13。上電復(fù)位/掉電復(fù)位波形。..。65圖14VDD的電壓檢測：博爾閾值。..。66圖15PVD閾值。..。67圖16。復(fù)位電路。..。83圖17時鐘結(jié)構(gòu)。..。87圖18HSE時鐘源。..。89圖19。時鐘切換流程圖（自動模式的例子）。..。93圖20。時鐘切換流程圖（手動模式的例子不中斷）。..。94圖21。時鐘切換流程圖（手動模式的例子，中斷）。..。94圖22GPIO框圖。116。圖23。路由接口（RI）框圖（介質(zhì)，介質(zhì)+高密度的設(shè)備）。124。圖24。路由接口（RI）框圖（低密度的裝置）。125。圖25TIM2TIM3互連。129。圖26DAC的互連。130。圖27的內(nèi)部參考電壓輸出。131。圖28中斷處理流程圖154。圖29優(yōu)先決策過程的155。圖30。并發(fā)中斷管理。158。圖31嵌套中斷管理。159。圖32DMA框圖。173。圖33字節(jié)存儲順序在16位模式。175。圖34。正規(guī)渠道（中密度的裝置）。177。圖35。正規(guī)渠道（中+高密度器件）。177。圖36。用MEM=0存儲器通道（中密度的裝置）。178。圖37。用MEM=0存儲器通道（中+高密度器件）。178。圖38。用MEM=1存儲器通道（中密度的裝置）。179。圖39。用MEM=1存儲器通道（中+高密度器件）。179。圖40。蛋白Dma1請求映射（中密度的裝置）。182。圖41。蛋白Dma1請求映射（中+高密度器件）182圖42ADC的框圖。196。圖43ADC外部觸發(fā)。199。圖44序列的例子。201。圖45分辨率和數(shù)據(jù)對齊。202。圖46塊圖。DAC通道（中等密度的裝置）。217。圖47塊圖。DAC通道（中+高密度器件）。217。26/573文檔ID15226轉(zhuǎn)9rm0031人物列表圖48DACLFSR寄存器計算算法。..。221圖49DAC的三角波生成。..。..222圖50塊圖。比較器。..。..238圖51果品互連。..。240圖52comp2互連。..。241圖53comp2輸出重定向。..。..242圖54。在窗口模式配置比較器。..。..242圖55。培養(yǎng)基+高密度的LCD控制器框圖。252圖56中密度的LCD控制器的框圖。253圖57。1/3偏置，1/4的責(zé)任。..。257圖58靜態(tài)的職責(zé)。..。259圖59。液晶顯示和終端連接（靜態(tài)職責(zé)）。..。260圖60。液晶顯示和終端連接（1/2的責(zé)任，1/2偏壓）。..。..261圖61。液晶顯示和終端連接（1/3的責(zé)任，1/3偏壓）。..。..262圖62。液晶顯示和終端連接（1/4的責(zé)任，1/3偏壓）。..。..263圖63。液晶顯示和終端連接（1/8的責(zé)任，1/4偏壓）。..。..264圖64電阻網(wǎng)絡(luò)。..。267圖65的對比度控制。..。268圖66軟中斷信號。..。270圖67TIM1總框圖。285圖68時基單元。..。..286圖69。16位讀計數(shù)器序列（tim1_cntr）。..。287圖70計數(shù)器在計數(shù)模式。..。288圖71。當(dāng)計數(shù)器更新ARPE=0（ARR沒有預(yù)分頻器=2）。..。..289圖72。計數(shù)器更新事件時，ARPE=1（tim1_arr預(yù)裝）。..。289圖73。反在向下計數(shù)模式。..。290圖74。當(dāng)計數(shù)器更新ARPE=0（ARR沒有預(yù)分頻器=2）。..。..291圖75。當(dāng)計數(shù)器更新ARPE=1（ARR預(yù)裝）=1，分頻器。..。291圖76在中心對齊模式計數(shù)器。..。292圖77。計數(shù)器的時序圖，fck_cnt=fck_psc，tim1_arr=06h，ARPE=1。..。293圖78的例子。更新率取決于模式和tim1_rcr寄存器設(shè)置。..。..295圖79時鐘/觸發(fā)控制器框圖。..296圖80。在正常模式控制電路，fck_psc=fsysclk。..。..297圖81TI2外部時鐘連接的例子。..。..297圖82?？刂齐娐吩谕獠繒r鐘模式1。..。298圖83塊圖。外部觸發(fā)輸入。..。299圖84?？刂齐娐吩谕獠繒r鐘模式2。..。299圖85。在觸發(fā)模式控制電路。..。300圖86中的觸發(fā)器復(fù)位模式控制電路。..。301圖87在觸發(fā)控制電路門控模式。..。302圖88。在外部時鐘模式2+觸發(fā)方式控制電路。..。303圖89定時器鏈接系統(tǒng)的實現(xiàn)實例。..。304圖90觸發(fā)/主模式選擇塊。..。..305圖91主/從定時器的例子。..。305圖92。澆注定時器B與定時器oc1ref。..。306圖93定時器與計數(shù)器。選B使定時信號（cnt_en）。..。307圖94。隨著UEV定時器觸發(fā)定時器B（timera-uev）。..。308圖95。觸發(fā)定時器B計數(shù)器使定時器cnt_en。..。309圖96。觸發(fā)定時器A和B定時器TI1輸入。..。310圖97。1頻道的主要電路捕獲/比較。..。310圖98。16位讀在捕捉模式tim1_ccri寄存器序列。..。311圖99通道輸入級的框圖。..。312圖100。提姆1通道1輸入階段。312。圖101PWM輸入信號的測量。314。圖102PWM輸入信號測量的例子。315。圖103通道輸出級的框圖。315。圖104。與互補(bǔ)輸出信道進(jìn)行詳細(xì)的輸出級（1頻道）。316。圖105。輸出比較模式，切換OC1。317。圖106。邊緣對齊計數(shù)模式PWM模式1種波形（ARR=8）。319。圖107。中心對齊的PWM波形（ARR=8）。320。圖108個脈沖模式的例子。321。圖109。與死區(qū)時間插入的互補(bǔ)輸出。323。圖110。一個延遲大于負(fù)脈沖時間波形。323。圖111。一個延遲大于正脈沖時間波形。323。圖112。六步代，COM組件的例子（OSSR=1）。325。圖113。響應(yīng)中斷輸出行為（無互補(bǔ)輸出通道）。327。圖114。在響應(yīng)中斷輸出行為（TIM1互補(bǔ)輸出）。327。圖115ocrefclr激活。328。圖116。在編碼器接口模式計數(shù)器操作實例。330。圖117的例子。用IC1的極性倒置編碼器接口模式。330。圖118?；魻杺鞲衅鹘涌诘睦印?32。圖119DMA突發(fā)模式的例子。334。圖120TIMx框圖。369。圖121時基單元。370。圖122塊圖輸入階段。371。圖123。提姆2通道1輸入階段。371。圖124輸出階段。372。圖125。1頻道的輸出級。372。圖126塊圖的時間。395。圖127。內(nèi)部硬件連接的TIM2TIM3。403。圖128塊圖。嗶嗶聲。405。圖129塊圖。RTC（低密度的裝置）。412。圖130塊圖。RTC（中等密度的裝置）。412。圖131塊圖。RTC（中+高密度器件）。413。圖132。獨(dú)立的看門狗（IWDG）圖444圖133塊圖的看門狗。449。圖134。窗口看門狗定時圖。450。圖135塊圖。454。圖136。模式1：加密。455。圖137。模式2：密鑰推導(dǎo)。456。圖138。模式3：解密。457。圖139。模式4：導(dǎo)出密鑰和解密。457。圖140。DMA請求和數(shù)據(jù)傳輸在輸入階段（aes_in）。458。圖141。DMA請求在輸出相位（aes_out）。459。圖142I2C總線協(xié)議。..。467圖143I2C框圖。..468圖144從發(fā)射機(jī)傳輸序列圖。..。470圖145從接收機(jī)傳輸序列圖。..。..471圖146主發(fā)射機(jī)傳輸序列圖。..。..473圖147。方法1：主接收機(jī)傳輸序列圖。..。..474圖148。方法2：轉(zhuǎn)移序列圖主接收器當(dāng)n＞2。..。..475圖149。方法2：轉(zhuǎn)移序列圖的主接收器當(dāng)n=2。..。..477圖150。方法2：轉(zhuǎn)移序列圖的主接收器當(dāng)n=1。..。..477圖151。stm8l05xx/15xx/16xxI2C中斷映射圖。..。485圖152。stm8l05xx/15xx/16xxUSART框圖。..。..505圖153字長度的編程。..。..506圖154配置的停止位。..。508圖155TC/TXE的行為時，發(fā)送。..。509圖156起始位的檢測。..。510圖157數(shù)據(jù)采樣噪聲檢測。..。..512圖158。如何在BRR寄存器代碼usart_div。514圖159。靜音模式使用空閑線檢測。..。518圖160。靜音模式使用地址標(biāo)記檢測。..。..519圖161是同步傳輸?shù)睦印?.。..520圖162。串行口數(shù)據(jù)時鐘時序圖（M=0）。..。521圖163。串行口數(shù)據(jù)時鐘時序圖（M=1）。..。521圖164接收數(shù)據(jù)的建立/保持時間。..。521圖165ISO7816-3異步協(xié)議。..。522圖166。使用1.5個停止位奇偶校驗錯誤檢測。..。..524圖167。IrDASIR的ENDEC框圖。..。526圖168。IrDA數(shù)據(jù)調(diào)制（3/16）正常模式。..。526圖169使用DMA傳輸。..。527圖170接收使用DMA。..。528圖171串口中斷映射圖。..。530圖172SPI框圖。..。541圖173。單一的主/單從應(yīng)用。..。..542圖174數(shù)據(jù)時鐘的時序圖。..。..544圖175。在全雙工模式下TXE/rxne/忙行為（rxonly=0）。連續(xù)傳輸?shù)那闆r下。..。549圖176。TXE/rxne/忙行為的奴隸/全雙工模式（BDM=0，rxonly=0）。連續(xù)傳輸?shù)那闆r下。..。549圖177。TXE/忙在主只傳輸模式（BDM=0和rxonly=0）。連續(xù)傳輸?shù)那闆r下。..。550圖178。TXE/忙奴隸只傳輸模式（BDM=0和rxonly=0）。連續(xù)傳輸?shù)那闆r下。..。551圖179。rxne行為在接收模式（BDM=0和rxonly=1）。連續(xù)傳輸?shù)那闆r下。..。552圖180。TXE/忙的行為時，發(fā)送（BDM=0和rxlony=0）。非連續(xù)傳輸?shù)那闆r下。..。553圖181使用DMA傳輸。..。557圖182接收使用DMA。..。558

1中央處理單元（CPU）本節(jié)適用于低密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備，介質(zhì)密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備，介質(zhì)+密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備高密度stm8l05xx/stm8l15xx/stm8l16xx設(shè)備，除非另有規(guī)定。1.1引言CPU有一個8位的結(jié)構(gòu)。六內(nèi)部寄存器允許高效的數(shù)據(jù)操縱。CPU可以執(zhí)行80條基本指令。它具有20的尋址方式，可以解決六個內(nèi)部寄存器。對指令集的完整描述，指STM8系列單片機(jī)的編程手冊（pm0044）。1.2CPU的寄存器六CPU寄存器是在圖1所示的編程模型。繼中斷，寄存器的值推到堆棧上在圖2所示的順序。他們突然從以相反的順序棧。中斷程序必須處理它，如果需要的話，通過pop和push指令。描述CPU寄存器蓄電池（一）蓄能器是一個8位通用寄存器用來存放操作數(shù)的算術(shù)和邏輯運(yùn)算的結(jié)果以及數(shù)據(jù)操作。索引寄存器（X和Y）這些都是16位寄存器，用來創(chuàng)建有效的地址。他們也可能被用來作為一個和數(shù)據(jù)操作的臨時存儲區(qū)有一些固有的使用指令（乘法/除法）。在大多數(shù)情況下，交叉匯編程序生成偽指令（預(yù)）指出下列指令指的是Y寄存器。程序計數(shù)器（PC）程序計數(shù)器是一個24位寄存器，用來存放下一條指令的地址是由CPU執(zhí)行。它是自動刷新指令后，各處理的。作為一個結(jié)果，STM8核心可以訪問最多16個字節(jié)的內(nèi)存。堆棧指針（SP）堆棧指針是一個16位寄存器。它包含的下一個空閑位置的地址棧。根據(jù)產(chǎn)品，最重要的位可以設(shè)置預(yù)設(shè)值。堆棧是用來保存CPU上下文在子程序調(diào)用或中斷。用戶也可以直接使用它通過pop和push指令。堆棧指針可以通過安裝C編譯器啟動函數(shù)初始化。用C語言寫的應(yīng)用程序的初始化，然后根據(jù)執(zhí)行地址C用戶在連接指定的文件。如果你使用你自己的鏈接的文件或啟動文件，確保正確的初始化堆棧指針（在數(shù)據(jù)表上提供的地址）。用匯編寫的應(yīng)用程序，您可以使用啟動功能由ST或?qū)懴履阕约旱恼_地址初始化堆棧指針。堆棧指針減后的數(shù)據(jù)已被壓進(jìn)堆棧增加后的數(shù)據(jù)從堆棧中彈出。它是由應(yīng)用程序，以確保較低的不超過限制。一個子程序調(diào)用占據(jù)兩個或三個位置。一個中斷占九的位置來存儲所有的內(nèi)部寄存器（除SP）。更多細(xì)節(jié)參見圖2。注：WFI和HALT指令節(jié)省下前進(jìn)。如果一個中斷發(fā)生時，CPU在其中的一個模式，降低了延遲。條件碼寄存器（CC）條件碼寄存器是一個8位寄存器說明只是執(zhí)行以及處理器的狀態(tài)的指令的結(jié)果。第六位（MSB）這個寄存器保留。這些碎片可以單獨(dú)測試的程序和規(guī)定采取行動，由于他們的狀態(tài)。以下描述了每一位：●V：溢出當(dāng)設(shè)置，V表示，去年簽署的算術(shù)操作期間發(fā)生溢出，在MSB結(jié)果位?？吹焦荆琁NCW，12月，decw，NEG，negw，添加，addw，ADC，子，地鐵，SBC，CP，和CPW指令?！馡1：中斷屏蔽1級I1標(biāo)志作品與I0旗一起定義當(dāng)前可中斷性水平如表2所示。這些標(biāo)記可以設(shè)置和清除的軟件通過輪輞，SIM卡，停止，WFI，WFE，中斷返回，陷阱，和流行的指示和自動設(shè)置的硬件時，進(jìn)入中斷服務(wù)程序?！馠：半進(jìn)位H位設(shè)置為1時，進(jìn)行時3位和4的ALU之間添加或ADC指令時。H位BCD算術(shù)子程序是有用的?！馡0中斷屏蔽0級看到國旗I1?！馧：負(fù)當(dāng)設(shè)置為1，這一點(diǎn)表明，最后的運(yùn)算結(jié)果，邏輯或數(shù)據(jù)操作是負(fù)的（即最重要的位為邏輯1）?！馴：零當(dāng)設(shè)置為1，這一點(diǎn)表明，最后的運(yùn)算結(jié)果，邏輯或數(shù)據(jù)操作是零?！馛：攜帶當(dāng)設(shè)置，C表示一個攜帶或借出去的ALU在過去發(fā)生的在高位運(yùn)行結(jié)果的位運(yùn)算。這一點(diǎn)也在測試的影響，分支，移位，旋轉(zhuǎn)和負(fù)荷指令?？吹教砑?，ADC，子，和SBC指令。在除法運(yùn)算中，C表示如果在執(zhí)行過程中發(fā)生故障（商溢出或零部）?？吹紻IV指令。在鉆頭試驗操作，C的測試點(diǎn)的副本?？吹紹TJF和btjt指令。在移位和旋轉(zhuǎn)操作，進(jìn)行更新?？吹絉RC，RLC，SRL，SLL，和SRA指令。這一點(diǎn)可以設(shè)置，復(fù)位或輔以軟件使用的SCF，RCF，與CCF的指令。STM8CPU寄存器圖CPU的寄存器映射在STM8地址空間如表3。這些寄存器只能通過調(diào)試模塊，但不是由存儲器訪問指令執(zhí)行的核心訪問1.3全局配置寄存器（cfg_gcr）激活水平單片機(jī)的激活水平是由編程的Al點(diǎn)在cfg_gcr寄存器配置。在這一點(diǎn)的使用參見12.4節(jié)信息激活水平/低功率模式在157頁的控制。SWIM（單線接口模塊）禁用默認(rèn)情況下，一個單片機(jī)復(fù)位后，游泳引腳配置為允許通信與外部的調(diào)試工具或閃光/EEPROM編程。該引腳可以使用的應(yīng)用程序作為一個通用I/O。這是通過設(shè)置在cfg_gcr注冊署點(diǎn)進(jìn)行配置。描述全局配置寄存器（cfg_gcr）偏移地址：0x00重置價值：0x00位7:2保留點(diǎn)1：激活水平該位設(shè)置和清除軟件。它的配置主要或只中斷激活。0：主要激活水平。一個中斷返回指令引起的上下文是從堆棧和主程序檢索繼續(xù)WFI指令后。1：只中斷激活水平。一個中斷返回指令使CPU回到WFI/停止不恢復(fù)上下文模式。0位游泳社署：禁用0：游泳模式啟用1：游泳模式禁用當(dāng)游泳模式被啟用，游泳引腳不能作為通用I/O。全局配置寄存器圖及復(fù)位值是的cfg_gcrSTM8的地址空間映射。的基地址參閱相應(yīng)的數(shù)據(jù)表。2啟動ROM本節(jié)適用于低密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備，介質(zhì)密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備，介質(zhì)+密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備高密度stm8l05xx/stm8l15xx/stm8l16xx設(shè)備，除非另有規(guī)定。內(nèi)部2字節(jié)的引導(dǎo)ROM包含bootloader代碼。它的主要任務(wù)是把應(yīng)用程序下載到內(nèi)部的Flash/EEPROM通過USART1，USART2，usart3（在異步模式下，串行外設(shè)接口），SPI1或SPI2界面和程序代碼，數(shù)據(jù)，選擇字節(jié)和中斷向量在內(nèi)部FlashEEPROM。在可用的通訊端口，詳情請參閱產(chǎn)品說明書。執(zhí)行bootlloading林模式，不同的通信協(xié)議，對BootloaderUART2/uart3和UART1實現(xiàn)。引導(dǎo)裝載程序開始執(zhí)行復(fù)位后。指STM8引導(dǎo)用戶手冊（um0560）詳情。3程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器本節(jié)適用于低密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備，介質(zhì)密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備，介質(zhì)+密度stm8l05xx/stm8l15xx設(shè)備高密度stm8l05xx/stm8l15xx/stm8l16xx設(shè)備，除非另有規(guī)定。3.1引言嵌入式Flash程序存儲器和數(shù)據(jù)的EEPROM存儲器是由一套共同控制寄存器。使用這些寄存器，可編程或擦除的應(yīng)用記憶內(nèi)容和設(shè)置寫保護(hù)。也可以應(yīng)用程序的裝置選項字節(jié)。3.2術(shù)語●塊一塊是一組字節(jié)可編程或在一個單一的編程操作刪除。這是塊級進(jìn)行操作的速度比標(biāo)準(zhǔn)編程和擦除。在塊尺寸，詳見表5?！耥撘粋€網(wǎng)頁是一組塊。選擇專用字節(jié)可用于配置，通過增量的一頁，用戶代碼和專有的代碼的大?。捎脮r）。3.3個主要的快閃存儲器的特點(diǎn)●低密度stm8l05xx/15xxEEPROM是分成三個內(nèi)存陣列（參見3.4部分：對內(nèi)存映射的細(xì)節(jié)記憶的組織）：多達(dá)8字節(jié)的嵌入式Flash程序256字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器–多達(dá)64選擇字節(jié)（一塊）Flash的程序和數(shù)據(jù)的EEPROM寄存器區(qū)由一套共同控制，允許存儲器內(nèi)容進(jìn)行編程或擦除，寫保護(hù)被激活。沒有讀寫網(wǎng)是支持這些設(shè)備?！窠橘|(zhì)和介質(zhì)+密度stm8l05xx/15xxEEPROM分為三存儲器陣列（見3.4節(jié)：在內(nèi)存映射的細(xì)節(jié)記憶的組織）：多達(dá)32字節(jié)的嵌入式閃存程序到1字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器-128選擇字節(jié)（一塊）Flash的程序和數(shù)據(jù)的EEPROM寄存器區(qū)由一套共同控制，允許存儲器內(nèi)容進(jìn)行編程或擦除，寫保護(hù)被激活?！窀呙芏萻tm8l05xx/15xx/16xxEEPROM是分成三個內(nèi)存陣列（見3.4節(jié)：在內(nèi)存映射的細(xì)節(jié)記憶的組織）：64字節(jié)的嵌入式Flash程序–多達(dá)2字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器-128選擇字節(jié)（一塊）Flash的程序和數(shù)據(jù)的EEPROM寄存器區(qū)由一套共同控制，允許存儲器內(nèi)容進(jìn)行編程或擦除，寫保護(hù)被激活?！窬幊棠Ｊ阶止?jié)編程和自動快速字節(jié)編程（沒有擦除操作）字編程塊編程和快速編程模式（沒有擦除操作）-中斷程序結(jié)束或擦除操作和非法程序生成操作?！褡x而寫能力（讀寫網(wǎng)）●在應(yīng)用編程（IAP）和在電路編程（ICP）的能力●保護(hù)功能存儲器讀出保護(hù)（ROP）程序存儲器的存儲器訪問安全系統(tǒng)的寫保護(hù)（質(zhì)量鍵）數(shù)據(jù)存儲器的存儲器訪問安全系統(tǒng)的寫保護(hù)（質(zhì)量鍵）-可編程寫保護(hù)用戶代碼區(qū)（UBC）。-專有代碼可用時自動讀出保護(hù)區(qū)●記憶狀態(tài)配置為運(yùn)行或電源關(guān)閉模式（IDDQ）在等待模式（低功率等）和運(yùn)行方式（低功率運(yùn)行）3.4記憶的組織低密度設(shè)備的存儲器組織低密度stm8l05xx/15xxEEPROM是分成三個內(nèi)存陣列：●多達(dá)8字節(jié)的Flash程序存儲器分為128頁，每個64字節(jié)。的內(nèi)存陣列是由32位字（每字4個字節(jié)）。它包括兩個方面：-用戶啟動代碼區(qū)（UBC）的主要程序區(qū)第一塊（128字節(jié)）的Flash程序存儲器（從8000開始地址0x00）包含中斷向量?！?56字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM組織在4頁的64個字節(jié)?！褚粔K選擇字節(jié)（64字節(jié)）坐落在一個單獨(dú)的存儲器陣列。看下面的圖描述的存儲器組織。介質(zhì)密度的裝置記憶的組織中密度stm8l05xx/15xxEEPROM是分成三個內(nèi)存陣列：●多達(dá)32字節(jié)的Flash程序存儲器分為256頁，每個128字節(jié)。內(nèi)存陣列是由32位字（每字4個字節(jié)）。它包括兩個地區(qū)：-用戶啟動代碼區(qū)（UBC）的主要程序區(qū)第一塊（128字節(jié)）的Flash程序存儲器（從8000開始地址0x00）包含中斷向量?！穸噙_(dá)1個字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器組織8頁的128個字節(jié)?！褚粔K選擇字節(jié)（128字節(jié)）坐落在一個單獨(dú)的存儲器陣列?？聪旅娴膱D描述的存儲器組織。介質(zhì)+密度裝置記憶的組織培養(yǎng)基+密度stm8l05xx/15xxEEPROM是分成三個內(nèi)存陣列：●32字節(jié)的Flash程序存儲器分為128頁，每個256字節(jié)。的內(nèi)存陣列是由32位字（每字4個字節(jié)）。它包括三個方面：-用戶啟動代碼區(qū)（UBC）-專有代碼區(qū)（PCODE）的主要程序區(qū)第一塊（128字節(jié)）的Flash程序存儲器（從8000開始地址0x00）包含中斷向量?！穸噙_(dá)1個字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器組織4頁的256個字節(jié)。●一塊選擇字節(jié)（128字節(jié)）坐落在一個單獨(dú)的存儲器陣列。圖6描述的存儲器組織。高密度存儲器組織高密度stm8l05xx/15xx/16xxEEPROM是分成三個內(nèi)存陣列：●64字節(jié)的Flash程序存儲器分為256頁，每個256字節(jié)。的內(nèi)存陣列是由32位字（每字4個字節(jié)）。它包括三個方面：-用戶啟動代碼區(qū)（UBC）-專有代碼區(qū)（PCODE）的主要程序區(qū)第一塊（128字節(jié)）的Flash程序存儲器（從8000開始地址0x00）包含中斷向量?！襁_(dá)2字節(jié)的EEPROM中數(shù)據(jù)組織的8頁的256個字節(jié)?！褚粔K選擇字節(jié)（128字節(jié)）坐落在一個單獨(dú)的存儲器陣列。圖6描述的存儲器組織。專有代碼區(qū)（譯）專有的代碼區(qū)（PCODE）可以用來保護(hù)專有軟件庫用于驅(qū)動設(shè)備。只有在低，中，高密度器件。的適合區(qū)域的大小可以通過pcode選項字節(jié)配置（pcodesize）在ICP模式（使用游接口）。此選項字節(jié)指定數(shù)頁（256字節(jié)粒度）分配給適合面積從8000地址0x00。一旦編程，Pcode選項字節(jié)不能被刪除，并對適合面積的大小是固定的。的適合面積最小的有意義的大小是1頁（256字節(jié)），128個字節(jié)是用來存放中斷向量。而pcode啟用陷阱中斷向量是寫保護(hù)。在培養(yǎng)基+密度器件的面積，適合的最大尺寸是128頁從8000到FFFF地址0x000x00。在高密度的設(shè)備，適合區(qū)域的最大尺寸是255頁從地址0x000x017eff8000。Pcode面積自動讀出保護(hù)除了陷阱中斷向量（見第：讀出保護(hù)，表6：內(nèi)存訪問與編程方法（低密度的裝置），表7：內(nèi)存訪問與編程方法（中密度的設(shè)備）和表8：內(nèi)存訪問與編程方法（中+高密度器件））。讀出保護(hù)不能在這個被禁用面積。這意味著Pcode區(qū)的內(nèi)容不能讀取或修改。Pcode地區(qū)只能通過陷阱向量訪問。用戶區(qū)（UBC）用戶引導(dǎo)區(qū)（UBC）包含復(fù)位和中斷向量。它可以用來商店的IAP和通信例程。UBC區(qū)具有保護(hù)的第二級為了防止意外擦除或修改在IAP編程。這意味著它總是寫保護(hù)，寫保護(hù)，無法利用大眾的鑰匙開啟。UBC的面積大小可以通過閱讀UBC選項字節(jié)得到。UBC的面積的大小，可以配置在ICP模式（使用游接口）通過UBC選項字節(jié)。UBC選項字節(jié)指定分配的頁數(shù)為UBC面積從8000地址0x00。在中密度stm8l05xx/15xx設(shè)備，UBC的面積最小的有意義的大小是2頁，其中1是用來存放中斷向量。在低，中，高密度器件，UBC的面積最小的有意義的大小是1頁，其中128字節(jié)用于存儲中斷向量。注意：當(dāng)一個適合地區(qū)已被定義，UBC的最小尺寸應(yīng)pcodesize+1。可用存儲啟動代碼UBC的部分地區(qū)位于Pcode區(qū)端和所定義的UBC區(qū)端之間。在高密度stm8l05xx/15xx/16xx裝置，對引導(dǎo)區(qū)的最大大小為255從8000頁地址0x000x017eff（包括中斷向量）。在培養(yǎng)基+密度stm8l05xx/15xx裝置，對引導(dǎo)區(qū)的最大大小為128從8000頁地址0x000x00FFFF（包括中斷向量）。在中密度stm8l05xx/15xx裝置，對引導(dǎo)區(qū)的最大大小為255從8000頁地址0x000x00ff7f（包括中斷向量）。參考圖7，圖8，圖9和圖10的不列顛哥倫比亞大學(xué)的區(qū)域描述內(nèi)存映射和在數(shù)據(jù)表選項字節(jié)段在UBC選項字節(jié)的更多細(xì)節(jié)。數(shù)據(jù)的EEPROM（數(shù)據(jù)）數(shù)據(jù)EEPROM面積可用于存儲應(yīng)用程序數(shù)據(jù)。默認(rèn)情況下，數(shù)據(jù)區(qū)是寫保護(hù)來防止意外修改時，主程序是在IAP模式更新。寫保護(hù)只能使用特定的質(zhì)量關(guān)鍵解鎖序列（參閱啟用寫入訪問的數(shù)據(jù)區(qū)）。數(shù)據(jù)區(qū)的大小是低密度stm8l15xx裝置256字節(jié)，1字節(jié)在媒介和媒介+密度stm8l15xx器件和高密度2字節(jié)stm8l15xx/16xx設(shè)備。從地址0x001000（見圖4，圖5和圖6）。數(shù)據(jù)區(qū)域的大小限制為256字節(jié)stm8l05xx價值線裝置。主程序區(qū)主程序的區(qū)域，開始在UBC或pcode結(jié)束（當(dāng)可用），在地址0x009fff對低密度stm8l05xx/15xx兩端的設(shè)備，0x00FFFF中介質(zhì)+密度stm8l05xx/15xx0x017fff設(shè)備和高密度stm8l05xx/15xx/16xx設(shè)備。它是用來存儲程序代碼（見圖4，圖5和圖6）。選項字節(jié)選項字節(jié)用于配置設(shè)備的硬件功能和內(nèi)存保護(hù)。他們都位于一個專用存儲器陣列的一塊。選項字節(jié)可以修改ICP/游泳和IAP模式，除了ROP和UBC和pcodesize（可用時）。在選擇字節(jié)的更多信息是指在數(shù)據(jù)表選項字節(jié)段，和STM8游泳協(xié)議和調(diào)試模塊用戶手冊（um0470）有關(guān)細(xì)節(jié)，它們?nèi)绾尉幊獭?.5內(nèi)存保護(hù)讀出保護(hù)讀出的保護(hù)是通過編程刪除0xAAROP選項字節(jié)。什么時候讀出啟用保護(hù)，閱讀或修改Flash程序存儲器和數(shù)據(jù)在ICP模式區(qū)（使用游接口）是被禁止的，不管寫保護(hù)設(shè)置。即使沒有保護(hù)可以被視為完全牢不可破，讀出功能提供了很高的水平保護(hù)一個通用微控制器。讀出保護(hù)可以在程序存儲器，禁用UBC，pcode（可用時）和數(shù)據(jù)區(qū)，通過ICP的ROP選項字節(jié)編程模式。在這種情況下，閃存程序存儲器，數(shù)據(jù)區(qū)域，選擇自動擦除和字節(jié)可編程。默認(rèn)情況下，該地區(qū)一直是適合讀出保護(hù)除中斷向量的陷阱（見第：專有的代碼區(qū)（PCODE））。參考表7：內(nèi)存訪問與編程方法（中密度的設(shè)備）的細(xì)節(jié)時，讀出存儲器訪問保護(hù)啟用或禁用。內(nèi)存訪問安全系統(tǒng)（質(zhì)量）復(fù)位后，主程序和數(shù)據(jù)的區(qū)域，防止無意的寫操作。他們必須解鎖之前試圖修改其內(nèi)容。這個解鎖機(jī)構(gòu)由存儲器訪問安全系統(tǒng)管理（質(zhì)量）。在UBC選項字節(jié)指定UBC區(qū)域總是寫保護(hù)（見第：用戶區(qū)（UBC））。曾經(jīng)的記憶已被修改，建議啟用寫保護(hù)又保護(hù)存儲內(nèi)容的反腐敗。啟用寫入訪問主程序存儲器設(shè)備復(fù)位后，可以禁用主程序存儲器寫連續(xù)兩個值稱為質(zhì)量的關(guān)鍵flash_pukr寄存器寫保護(hù)（見第：Flash程序存儲器解密密鑰寄存器（flash_pukr））。這些編程鍵，然后比較兩個硬件鍵值：●第一硬件的關(guān)鍵：0b01010110（0x56）●二硬件關(guān)鍵：0b10101110（0xae）下面的步驟是必需的禁用寫主程序保護(hù)區(qū)：1。寫一個第8位輸入flash_pukr寄存器。當(dāng)這個寄存器寫復(fù)位后的第一時間，數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容不鎖存到寄存器，但相比于第一硬件鍵值（0x56）。2。如果該鍵可在數(shù)據(jù)總線上是不正確的，這是flash_pukr寄存器鎖定，直到下一個復(fù)位。任何新的寫命令發(fā)送到這個地址是丟棄的。3。如果第一個硬件的關(guān)鍵是正確的當(dāng)flash_pukr寄存器寫的第二次，數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容還不鎖存到寄存器，但相對于第二硬件鍵值（0xae）。4。如果該鍵可在數(shù)據(jù)總線上是不正確的，寫保護(hù)程序記憶保持鎖定狀態(tài)，直到下一個復(fù)位。任何新的寫命令發(fā)送到這個地址被丟棄。5。如果第二硬件的關(guān)鍵是正確的，主要是未受保護(hù)的程序存儲器的寫并對flash_iapsr普勒位設(shè)置（見第：閃光狀態(tài)寄存器（flash_iapsr））登記。在開始編程，應(yīng)用程序必須確認(rèn)普勒位有效集。應(yīng)用程序可以選擇，在任何時候，禁用再次通過清除脈沖點(diǎn)寫訪問Flash程序存儲器。使寫入數(shù)據(jù)區(qū)設(shè)備復(fù)位后，可以禁用數(shù)據(jù)區(qū)的連續(xù)兩個值稱為大眾寫作的關(guān)鍵flash_dukr寄存器寫保護(hù)（見部分：閃光寄存器映射和復(fù)位值）。這些編程鍵，然后比較兩個硬件鍵值：●第一硬件的關(guān)鍵：0b10101110（0xae）●二硬件關(guān)鍵：0b01010110（0x56）需要下列步驟禁用寫數(shù)據(jù)區(qū)域的保護(hù)：1。寫一個第8位輸入flash_dukr寄存器。當(dāng)這個寄存器寫復(fù)位后的第一時間，數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容不鎖存到寄存器，但相比于第一硬件鍵值（0xae）。2。如果該鍵可在數(shù)據(jù)總線上是不正確的，應(yīng)用程序可以輸入兩個質(zhì)量嘗試取消數(shù)據(jù)區(qū)鍵。3。如果第一個硬件的關(guān)鍵是正確的，flash_dukr寄存器編程與第二個關(guān)鍵。數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容還不鎖存到寄存器，但相對于第二硬件鍵值（0x56）。4。如果關(guān)鍵的可用數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)是不正確的，是寫EEPROM區(qū)直到下一個復(fù)位保護(hù)。任何新的寫命令發(fā)送到這個地址被忽略。5。如果第二硬件的關(guān)鍵是正確的，數(shù)據(jù)區(qū)是寫不安全和DUL位的flash_iapsr寄存器設(shè)置（見第：閃光狀態(tài)寄存器（flash_iapsr））。在開始編程，應(yīng)用程序必須確認(rèn)數(shù)據(jù)區(qū)域不寫通過檢查，有效地保護(hù)DUL點(diǎn)集。應(yīng)用程序可以選擇，在任何時候，禁用再次通過清除DUL點(diǎn)寫入數(shù)據(jù)區(qū)。使寫訪問選項字節(jié)寫訪問選項字節(jié)區(qū)域可以通過設(shè)置選擇點(diǎn)閃光控制寄存器2啟用（flash_cr2）。3.6存儲器編程主程序存儲器，和數(shù)據(jù)區(qū)必須解鎖之前執(zhí)行任何程序操作。解鎖機(jī)制取決于內(nèi)存區(qū)被編程為在節(jié)描述：內(nèi)存訪問安全系統(tǒng)（質(zhì)量）。注：Pcode區(qū)域總是讀出保護(hù)。唯一的辦法是重新改編ROP選項字節(jié)，因此擦除Flash程序存儲器，數(shù)據(jù)區(qū)，并選擇字節(jié)。同時讀寫（讀寫網(wǎng)）RWW特征可以對數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫操作，EEPROM和執(zhí)行程序存儲器。因此，優(yōu)化的執(zhí)行時間。相反的操作是不允許的：數(shù)據(jù)存儲器時不能被寫入程序存儲器讀。該讀寫網(wǎng)特征是始終啟用的，隨時可以用。注：RWW特征對低密度的設(shè)備不可用。參考表附加信息。字節(jié)編程主程序存儲器和數(shù)據(jù)區(qū)域可以在字節(jié)級程序。程序一個字節(jié)，應(yīng)用直接寫入目標(biāo)地址?！裨谥鞒绦虼鎯ζ鳎簩ψ止?jié)的程序運(yùn)行時間的應(yīng)用程序停止?！裨跀?shù)據(jù)區(qū)：-停止執(zhí)行程序在“高電